具有集成开关装置的离子阱装置的制作方法

技术特征：
1.一种离子阱装置，所述离子阱装置包括：离子阱芯片，所述离子阱芯片具有多个电极；内插器芯片，所述内插器芯片联接到所述离子阱芯片；和至少一个集成开关网络层，所述集成开关网络层包括多个单片集成控件和/或开关，所述多个单片集成控件和/或开关被配置为调节施加到所述多个电极中的至少一个电极的电压信号。2.根据权利要求1所述的离子阱装置，其中所述内插器芯片限定所述集成开关网络层的至少一部分。3.根据权利要求1所述的离子阱装置，其中所述多个单片集成控件和/或开关中的至少一些包括双极结型晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管、金属半导体场效应晶体管、结型栅极场效应晶体管、异质结型双极晶体管、高电子迁移率晶体管、场效应晶体管、穿硅通孔场效应晶体管和穿硅电容器中的一种或多种。4.根据权利要求3所述的离子阱装置，其中所述多个单片集成控件和/或开关中的至少一些包括被配置为穿硅电容器的穿硅通孔场效应晶体管。5.根据权利要求3所述的离子阱装置，其中所述多个单片集成控件和/或开关中的至少一些包括穿硅通孔场效应晶体管，所述穿硅通孔场效应晶体管被配置为电压范围外开关和断开开关中的一种或多种。6.一种离子阱装置，所述离子阱装置包括：离子阱芯片，所述离子阱芯片具有多个电极；内插器芯片组件，所述内插器芯片组件联接到所述离子阱芯片；至少一个集成开关网络层，所述至少一个集成开关网络层联接到所述离子阱芯片和内插器芯片组件；和集成开关网络芯片，所述集成开关网络芯片联接和/或连接到所述离子阱芯片和内插器芯片组件，由所述至少一个集成开关网络层组成，所述至少一个集成开关网络层包括多个单片集成控件和/或开关，所述多个单片集成控件和/或开关被配置为调节施加到所述多个电极中的至少一个电极的电压信号。7.根据权利要求6所述的离子阱装置，其中所述集成开关网络芯片经由结合、紧固、附接或共制造中的一种或多种联接到所述离子阱和内插器芯片组件。8.根据权利要求6所述的离子阱装置，其中所述集成开关网络芯片经由互连件连接到所述离子阱和内插器芯片组件。9.根据权利要求6所述的离子阱装置，其中所述多个单片集成控件和/或开关中的至少一些包括双极结型晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管、金属半导体场效应晶体管、结型栅极场效应晶体管、异质结型双极晶体管、高电子迁移率晶体管、场效应晶体管、穿硅通孔场效应晶体管和穿硅电容器中的一种或多种。10.根据权利要求9所述的离子阱装置，其中所述多个单片集成控件和/或开关中的至少一些包括穿硅通孔场效应晶体管，所述穿硅通孔场效应晶体管分别被配置为(a)穿硅通电容器或(b)电压范围外开关和断开开关中的一种或多种。

技术总结
本发明题为具有集成开关装置的离子阱装置。提供了一种具有多个电极的离子阱装置(例如，离子阱芯片)。该离子阱装置可包括：多个互连层；衬底；和至少一个集成开关网络层，该至少一个集成开关网络层设置在该多个互连层与该衬底之间。该集成开关网络层可包括多个单片集成控件和/或开关，该多个单片集成控件和/或开关被配置为调节施加到该多个电极中的至少一个电极的电压信号。示例性离子阱装置可包括表面离子阱芯片。该离子阱装置可被配置为在低温室内操作。室内操作。室内操作。


技术研发人员：D
受保护的技术使用者：霍尼韦尔国际公司
技术研发日：2021.07.30
技术公布日：2022/2/24