显示装置的制作方法

显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年8月24日提交的第10-2020-0106356号韩国专利申请的优先权以及从中产生的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
技术领域
3.一个或多个实施例涉及一种显示装置，并且更具体地，涉及一种能够显示高质量图像的显示装置。


背景技术：

4.通常，显示装置包括多个像素，并且多个像素中的每一个包括显示装置和用于控制显示装置的像素电路。像素电路通常包括薄膜晶体管(“tft”)、存储电容器和布线。
5.最近，在显示装置中使用的tft的数量已经增加，以精确地控制发光的时序和程度。另外，像素的数量也已经增加，以显示具有高分辨率的图像。


技术实现要素：

6.然而，相关技术中的显示装置具有不容易显示高质量图像的问题。
7.实施例涉及一种能够显示高质量图像的显示装置。根据实施例，一种显示装置包括：第一初始化电压线，在第一方向上延伸；第二初始化电压线，在所述第一方向上延伸；第一初始化连接线，在与所述第一方向相交的第二方向上延伸，其中，所述第一初始化连接线将所述第一初始化电压线彼此电连接；第二初始化连接线，在所述第二方向上延伸，其中，所述第二初始化连接线将所述第二初始化电压线彼此电连接；以及像素，连接到所述第一初始化电压线和所述第二初始化电压线。
8.在实施例中，所述像素中的每一个可以包括：有机发光二极管；第一晶体管，所述第一晶体管响应于施加到第一节点的电压控制从电连接到电源电压线的第二节点流到所述有机发光二极管的电流量；第四晶体管，连接在所述第一节点和所述第一初始化电压线之间，其中，所述第四晶体管可以响应于施加到第四栅极电极的电压初始化所述第一晶体管的第一栅极电极的电压；以及第七晶体管，连接在所述第二初始化电压线和位于所述第一晶体管与所述有机发光二极管之间的第三节点之间，其中，所述第七晶体管可以响应于施加到第七栅极电极的电压初始化所述有机发光二极管的像素电极的电压。
9.在实施例中，所述第一初始化连接线和所述第二初始化电压线可以穿过所述像素中的每一个。
10.在实施例中，所述第一初始化连接线可以布置在所述像素的偶数列和奇数列中的一者中，并且所述第二初始化连接线可以布置在所述像素的所述偶数列和所述奇数列中的另一者中。
11.在实施例中，所述第一初始化连接线可以布置在所述像素的每m列中，其中，m是大于1的自然数。
12.在实施例中，所述第二初始化连接线可以布置在所述第一初始化连接线之间。
13.在实施例中，所述第一初始化连接线和所述第二初始化连接线可以在所述第一方向上彼此交替地布置。
14.在实施例中，所述第一初始化连接线穿过的第一组所述像素可以通过所述第一初始化连接线电连接到所述第一初始化电压线，其中，所述显示装置还包括定位在所述第一初始化连接线不穿过的第二组所述像素中的第一辅助初始化连接线，其中，所述第一辅助初始化连接线可以电连接到所述第一初始化电压线。
15.在实施例中，所述第二初始化连接线穿过的第三组所述像素可以通过所述第二初始化连接线电连接到所述第二初始化电压线，其中，所述显示装置还包括定位在所述第二初始化连接线不穿过的第四组所述像素中的第二辅助初始化连接线，其中，所述第二辅助初始化连接线可以电连接到所述第二初始化电压线。
16.在实施例中，所述显示装置还可以包括：数据线，在所述第一方向上延伸，其中，所述第一初始化连接线和所述第二初始化连接线可以设置在与所述数据线相同的层中。
17.在实施例中，所述第一初始化连接线和所述第二初始化连接线可以包括与包括在所述数据线中的材料相同的材料。
18.在实施例中，所述第一初始化电压线和所述第二初始化电压线可以设置在所述第一初始化连接线下方。
19.在实施例中，所述显示装置还可以包括：电源电压线，在所述第一方向上延伸，其中，所述第一初始化连接线和所述第二初始化连接线与所述电源电压线设置在相同的层中。
20.在实施例中，所述第一初始化连接线和所述第二初始化连接线可以包括与包括在所述电源电压线中的材料相同的材料。
21.在实施例中，所述第一初始化电压线和所述第二初始化电压线可以设置在所述第一初始化连接线下方。
22.在实施例中，所述显示装置还可以包括：基底，其中，通孔可以限定为通过所述基底的顶表面和底表面，其中，所述像素可以定位在所述基底的所述通孔的外部。
23.根据实施例，一种显示装置包括：基底；第一初始化电压线和第二初始化电压线，设置在所述基底上并且在第一方向上延伸；第一初始化连接线，设置在覆盖所述第一初始化电压线和所述第二初始化电压线的层间绝缘层上，其中，所述第一初始化连接线在与所述第一方向相交的第二方向上延伸，并且通过限定在所述层间绝缘层中的接触孔将所述第一初始化电压线彼此电连接；第二初始化连接线，设置在所述层间绝缘层上，其中，所述第二初始化连接线在所述第二方向上延伸，并且通过限定在所述层间绝缘层中的接触孔将所述第二初始化电压线彼此电连接；以及有机发光二极管，设置在覆盖所述第一初始化连接线和所述第二初始化连接线的平坦化层上。
24.在实施例中，所述第一初始化连接线和所述第二初始化连接线可以穿过所述有机发光二极管中的每一个。
25.在实施例中，所述第一初始化连接线可以布置在所述有机发光二极管的偶数列和奇数列中的一者中，并且所述第二初始化连接线可以布置在所述有机发光二极管的所述偶数列和所述奇数列中的另一者中。
26.在实施例中，所述第一初始化连接线可以布置在所述有机发光二极管的每m列中，其中，m是大于1的自然数。
27.在实施例中，所述第二初始化连接线可以布置在所述第一初始化连接线之间。
28.在实施例中，所述第一初始化连接线和所述第二初始化连接线可以在所述第一方向上彼此交替地布置。
29.在实施例中，所述第一初始化连接线穿过的第一组所述有机发光二极管可以通过所述第一初始化连接线电连接到所述第一初始化电压线，其中，所述显示装置还包括定位在所述第一初始化连接线不穿过的第二组所述有机发光二极管中的第一辅助初始化连接线，其中，所述第一辅助初始化连接线可以电连接到所述第一初始化电压线。
30.在实施例中，所述第二初始化连接线穿过的第三组所述有机发光二极管可以通过所述第二初始化连接线电连接到所述第二初始化电压线，其中，所述显示装置还包括定位在所述第二初始化连接线不穿过的第四组所述有机发光二极管中的第二辅助初始化连接线，其中，所述第二辅助初始化连接线可以电连接到所述第二初始化电压线。
31.在实施例中，所述显示装置还可以包括：数据线，设置在所述层间绝缘层上并且在所述第一方向上延伸。
32.在实施例中，所述第一初始化连接线和所述第二初始化连接线可以包括与包括在所述数据线中的材料相同的材料。
33.在实施例中，所述显示装置还可以包括：电源电压线，设置在所述层间绝缘层上并且在所述第一方向上延伸。
34.在实施例中，所述第一初始化连接线和所述第二初始化连接线可以包括与包括在所述电源电压线中的材料相同的材料。
35.在实施例中，通孔可以限定为通过所述基底的顶表面和底表面，并且所述有机发光二极管可以定位在所述基底的所述通孔的外部。
附图说明
36.通过以下结合附图的描述，特定实施例的上述和其它特征将更加明显，在附图中：
37.图1是根据实施例的显示装置的概念视图；
38.图2是定位在图1的显示装置中的显示区域中的一个(子)像素的等效电路图；
39.图3是示出图2的(子)像素中的多个薄膜晶体管和存储电容器的位置的视图；
40.图4是示出作为图3的(子)像素的一部分的半导体层的布置的视图；
41.图5是示出图3的第一初始化连接线和第二初始化连接线的布置的视图；
42.图6是示出图3的第一初始化电压线、第二初始化电压线、第一初始化连接线和第二初始化连接线的布置的视图；
43.图7是沿图3的线a-a'和b-b'截取的截面图；
44.图8是示出根据实施例的显示装置的多个像素中的第一初始化电压线、第二初始化电压线、第一初始化连接线和第二初始化连接线的布置的视图；
45.图9是示出根据替代实施例的显示装置的多个像素中的第一初始化电压线、第二初始化电压线、第一初始化连接线、第一辅助初始化连接线、第二初始化连接线和第二辅助初始化连接线的布置的视图；以及
46.图10是示出根据另一替代实施例的显示装置的多个像素中的第一初始化电压线、第二初始化电压线、第一初始化连接线、第一辅助初始化连接线、第二初始化连接线和第二辅助初始化连接线的布置的视图。
具体实施方式
47.现在将在下文中参照附图更充分地描述本发明，在附图中示出了各种实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。
48.由于本公开允许各种改变和许多实施例，因此特定实施例将在附图中示出并且在详细描述中进行描述。将参考下面参照附图详细描述的实施例，阐明本公开的效果和特征以及实现它们的方法。然而，本公开不限于以下实施例，并且可以以各种形式实施。
49.在下文中，将参照附图详细描述实施例，其中，同样的元件始终由同样的附图标记表示，并且省略其重复描述。
50.将理解的是，当诸如层、膜、区域或板的组件被称为“在”另一组件“上”时，所述组件可以直接在所述另一组件上，或者中间组件可以在所述组件和所述另一组件之间。另外，为了便于说明，附图中的元件的尺寸可能被放大或缩小。例如，因为为了便于说明而任意地示出了附图中的元件的尺寸和厚度，所以本公开不限于此。
51.将理解的是，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本文中的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
52.本文中所使用的术语仅是为了描述具体实施例的目的，而不意图是限制性的。如本文中所使用的，除非上下文另外明确指出，否则“一个”、“一种”、“所述(该)”和“至少一个(种)”不表示数量的限制，并且旨在包括单数和复数两者。例如，除非上下文另外明确指出，否则“一个元件”具有与“至少一个元件”相同的含义。“至少一个(种)”不应被解释为限制“一个”或“一种”。“或”表示“和/或”。如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。将进一步理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”或者“含有”和/或“具有”说明存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
53.此外，在本文中可以使用诸如“下”或“底部的”以及“上”或“顶部的”的相对术语以描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，相对术语还旨在涵盖装置的不同方位。例如，如果在一幅附图中装置被翻转，则描述为在其它元件“下”侧的元件随后将被定向为在其它元件“上”侧。因此，根据附图的具体方位，术语“下”可以涵盖“下”和“上”两种方位。类似地，如果在一幅附图中装置被翻转，则描述为“在”其它元件“下方”或“之下”的元件随后将被定向为“在”其它元件“上方”。因此，术语“在
……
下方”或“在
……
之下”可以涵盖上方和下方两种方位。
54.在以下实施例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以在更广泛的意义上进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
55.除非另外定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的相同的含义。还将理解的是，除非在本文中明确地如此定义，否则诸如在通用字典中限定的术语的术语应当被解释为具有与它们在相关领域的背景和本公开中的含义相一致的含义，并且将不以理想化的或者过于形式化的含义来解释所述术语。
56.在本文中参照作为理想化的实施例的示意图的截面图来描述实施例。这样，预计到由于例如制造技术和/或公差引起的示图的形状的变化。因此，本文中描述的实施例不应当被解释为局限于本文中示出的区域的具体形状，而是包括例如由于制造引起的形状的偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，示出的尖角可以被倒圆。因此，在附图中示出的区域在本质上是示意性的，并且它们的形状并不意图示出区域的精确形状，并且不意图限制权利要求的范围。
57.在下文中，将参照附图详细描述本发明的实施例。
58.图1是根据实施例的显示装置1的概念视图。
59.显示装置的实施例可以被实现为诸如智能电话、移动电话、导航装置、游戏机、tv、车辆头部单元、笔记本计算机、膝上型计算机、平板计算机、个人媒体播放器(“pmp”)或个人数字助理(“pda”)的电子装置。另外，电子装置可以是柔性装置。
60.如图1中所示，显示装置1的实施例可以包括显示区域da和外围区域pa。显示装置1可以包括基底，并且基底的形状不限于如图1中所示的(在x-y平面中的)矩形形状，并且可以进行各种修改以具有诸如圆形形状的各种形状中的任意一种。在实施例中，基底可以具有弯曲区域并且可以在弯曲区域中弯曲。
61.在实施例中，基底可以包括玻璃或金属。可替代地，基底可以包括从各种柔性材料和可弯曲材料中选择的至少一种。在一个实施例中，例如，基底可以包括聚合物树脂，诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或醋酸丙酸纤维素。
62.基底可以进行各种修改。在一个实施例中，例如，基底可以具有多层结构，多层结构包括包含聚合物树脂的两个层以及定位在两个层之间的包括无机材料的阻挡层。在这样的实施例中，阻挡层可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。
63.多个显示器件可以定位在显示区域da中。在一个实施例中，例如，每个显示器件可以是有机发光二极管oled(见图2)，并且可以发射红光、绿光、蓝光或白光。在实施例中，定位在图1的显示装置1的显示区域da中的一个(子)像素包括有机发光二极管oled，并且还包括薄膜晶体管和用于控制有机发光二极管oled的发光的程度的电容器。
64.在这样的实施例中，驱动器、电源布线等可以定位在外围区域pa中。另外，外围区域pa可以包括焊盘区域，诸如驱动集成电路或印刷电路基底的各种电子装置中的任意一个电附接到焊盘区域。
65.图2是定位在图1的显示装置1的显示区域da中的一个(子)像素spx的等效电路图。
在实施例中，定位在一个(子)像素spx中的像素电路pc可以包括多个薄膜晶体管t1、t2、t3、t4、t5、t6、t7(以下简称为t1至t7)和存储电容器cst。薄膜晶体管t1至t7和存储电容器cst可以连接到信号线、第一初始化电压线vl1、第二初始化电压线vl2和电源电压线pl。
66.信号线可以包括传输扫描信号sn的扫描线sl、将先前扫描信号sn-1传输到第一初始化薄膜晶体管t4的先前扫描线sl-1、将扫描信号sn传输到第二初始化薄膜晶体管t7的下一扫描线sl 1、将发射控制信号en传输到操作控制薄膜晶体管t5和发射控制薄膜晶体管t6的发射控制线el以及与扫描线sl相交并且传输数据信号dm的数据线dl。电源电压线pl可以将驱动电压elvdd传输到驱动薄膜晶体管t1，第一初始化电压线vl1可以将第一初始化电压vint1传输到第一初始化薄膜晶体管t4，并且第二初始化电压线vl2可以将第二初始化电压vint2传输到第二初始化薄膜晶体管t7。
67.驱动薄膜晶体管t1(或第一晶体管)的驱动栅极电极g1(或第一栅极电极)连接到存储电容器cst的下部电极ce1，驱动薄膜晶体管t1的驱动源极区s1经由操作控制薄膜晶体管t5连接到电源电压线pl，并且驱动薄膜晶体管t1的驱动漏极区d1经由发射控制薄膜晶体管t6电连接到有机发光二极管oled的像素电极。在这样的实施例中，驱动薄膜晶体管t1可以响应于施加到第一节点n1的电压，即施加到驱动栅极电极g1的电压控制从连接到电源电压线pl的第二节点n2流到有机发光二极管oled的电流量。因此，驱动薄膜晶体管t1基于开关薄膜晶体管t2的开关操作，接收数据信号dm并且将驱动电流i
oled
供给到有机发光二极管oled。操作控制薄膜晶体管t5可以连接在第二节点n2和电源电压线pl之间。
68.作为开关薄膜晶体管t2(或第二晶体管)的开关栅极电极g2(或第二栅极电极)连接到扫描线sl，开关薄膜晶体管t2的开关源极区s2连接到数据线dl，并且开关薄膜晶体管t2的开关漏极区d2连接到第二节点n2，第二节点n2连接到驱动薄膜晶体管t1的驱动源极区s1，并且驱动源极区s1经由操作控制薄膜晶体管t5连接到电源电压线pl。开关薄膜晶体管t2响应于通过扫描线sl接收的扫描信号sn而导通，并且执行将从数据线dl传输的数据信号dm传输到驱动薄膜晶体管t1的驱动源极区s1的切换操作。
69.补偿薄膜晶体管t3(或第三晶体管)可以连接在第一节点n1和位于驱动薄膜晶体管t1与有机发光二极管oled之间的第三节点n3之间，并且可以响应于施加到补偿薄膜晶体管t3的补偿栅极电极g3(或第三栅极电极)的电压，补偿薄膜晶体管t3二极管连接驱动薄膜晶体管t1。在这样的实施例中，补偿薄膜晶体管t3的补偿栅极电极g3连接到扫描线sl，补偿薄膜晶体管t3的补偿漏极区d3连接到驱动薄膜晶体管t1的驱动漏极区d1，并经由发射控制薄膜晶体管t6连接到有机发光二极管oled的像素电极，并且补偿薄膜晶体管t3的补偿源极区s3连接到存储电容器cst的下部电极ce1、第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化漏极区d4和驱动薄膜晶体管t1的驱动栅极电极g1。
70.补偿薄膜晶体管t3响应于通过扫描线sl接收的扫描信号sn而导通，并且通过电连接驱动薄膜晶体管t1的驱动栅极电极g1和驱动漏极区d1来二极管连接驱动薄膜晶体管t1。在实施例中，补偿薄膜晶体管t3具有双栅极电极结构。在这样的实施例中，补偿薄膜晶体管t3的补偿栅极电极g3包括第一第三栅极电极g3-1(见图3)和第二第三栅极电极g3-2(见图3)。
71.第一初始化薄膜晶体管t4(或第四晶体管)可以连接在第一节点n1和第一初始化电压线vl1之间，并且可以响应于施加到第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化栅极电极
g4(或第四栅极电极)的电压初始化驱动栅极电极g1的电压。在这样的实施例中，第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化栅极电极g4连接到先前扫描线sl-1，第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化源极区s4连接到第一初始化电压线vl1，并且第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化漏极区d4连接到存储电容器cst的下部电极ce1、补偿薄膜晶体管t3的补偿源极区s3以及驱动薄膜晶体管t1的驱动栅极电极g1。第一初始化薄膜晶体管t4响应于通过先前扫描线sl-1接收的先前扫描信号sn-1而导通，并且执行通过将第一初始化电压vint1传输到驱动薄膜晶体管t1的驱动栅极电极g1初始化驱动薄膜晶体管t1的驱动栅极电极g1的电压的初始化操作。在实施例中，第一初始化薄膜晶体管t4具有双栅极电极结构。在这样的实施例中，第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化栅极电极g4包括第一第四栅极电极g4-1(见图3)和第二第四栅极电极g4-2(见图3)。
72.操作控制薄膜晶体管t5(或第五晶体管)可以连接在第二节点n2和电源电压线pl之间，并且可以响应于施加到操作控制薄膜晶体管t5的操作控制栅极电极g5(或第五栅极电极)的电压而导通。在这样的实施例中，操作控制薄膜晶体管t5的操作控制栅极电极g5连接到发射控制线el，操作控制薄膜晶体管t5的操作控制源极区s5连接到电源电压线pl，并且操作控制薄膜晶体管t5的操作控制漏极区d5连接到驱动薄膜晶体管t1的驱动源极区s1和开关薄膜晶体管t2的开关漏极区d2。
73.发射控制薄膜晶体管t6(或第六晶体管)可以连接在第三节点n3和有机发光二极管oled之间，并且可以响应于从发射控制线el施加到发射控制薄膜晶体管t6的发射控制栅极电极g6(或第六栅极电极)的电压而导通。在这样的实施例中，发射控制薄膜晶体管t6的发射控制栅极电极g6连接到发射控制线el，发射控制薄膜晶体管t6的发射控制源极区s6连接到驱动薄膜晶体管t1的驱动漏极区d1和补偿薄膜晶体管t3的补偿漏极区d3，并且发射控制薄膜晶体管t6的发射控制漏极区d6电连接到第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化源极区s7和有机发光二极管oled的像素电极。
74.操作控制薄膜晶体管t5和发射控制薄膜晶体管t6响应于通过发射控制线el接收的发射控制信号en而同时导通，使得驱动电压elvdd传输到有机发光二极管oled的像素电极并且驱动电流i
oled
流过有机发光二极管oled。
75.第二初始化薄膜晶体管t7(或第七晶体管)连接在第二初始化电压线vl2和位于驱动薄膜晶体管t1与有机发光二极管oled之间的第三节点n3之间。在实施例中，第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化栅极电极g7(或第七栅极电极)连接到下一扫描线sl 1，第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化源极区s7连接到发射控制薄膜晶体管t6的发射控制漏极区d6和有机发光二极管oled的像素电极，并且第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化漏极区d7连接到第二初始化电压线vl2。第二初始化薄膜晶体管t7可以响应于施加到作为第七栅极电极的第二初始化栅极电极g7的电压初始化有机发光二极管oled的像素电极的电压。
76.在这样的实施例中，扫描线sl和下一扫描线sl 1彼此电连接，使得相同的扫描信号sn可以被施加到扫描线sl和下一扫描线sl 1。因此，第二初始化薄膜晶体管t7可以响应于通过下一扫描线sl 1接收的扫描信号sn而导通，并且可以执行初始化有机发光二极管oled的像素电极的电压的操作。
77.存储电容器cst的上部电极ce2连接到电源电压线pl，并且有机发光二极管oled的公共电极连接到公共电压elvss。因此，有机发光二极管oled可以从驱动薄膜晶体管t1接收
驱动电流i
oled
以发射光并显示图像。
78.在实施例中，如图2中所示，补偿薄膜晶体管t3可以具有双栅极电极结构。可替代地，补偿薄膜晶体管t3可以包括单个栅极电极。在实施例中，如图2中所示，第一初始化薄膜晶体管t4可以具有双栅极电极结构。可替代地，第一初始化薄膜晶体管t4可以包括单个栅极电极。
79.图3是示出图2的(子)像素spx中的多个薄膜晶体管t1至t7和存储电容器cst的位置的视图。图4是示出作为图3的(子)像素spx的一部分的半导体层1130的布置的视图。图5是示出图3的第一初始化连接线1173a和第二初始化连接线1173b的布置的视图。图7是沿图3的线a-a'和b-b'截取的截面图。
80.驱动薄膜晶体管t1、开关薄膜晶体管t2、补偿薄膜晶体管t3、第一初始化薄膜晶体管t4、操作控制薄膜晶体管t5、发射控制薄膜晶体管t6和第二初始化薄膜晶体管t7沿着半导体层1130布置。半导体层1130的一些部分可以构成驱动薄膜晶体管t1、开关薄膜晶体管t2、补偿薄膜晶体管t3、第一初始化薄膜晶体管t4、操作控制薄膜晶体管t5、发射控制薄膜晶体管t6和第二初始化薄膜晶体管t7的半导体层。在这样的实施例中，半导体层1130的一些部分可以构成薄膜晶体管的有源区、源极区或漏极区。
81.半导体层1130可以设置或形成在基底101上。缓冲层111可以设置或形成在基底101上，并且半导体层1130可以形成在缓冲层111上。
82.缓冲层111可以减少或阻挡异物、湿气或外部空气从基底101的底部渗透，并且可以使基底101平坦化。缓冲层111可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或无机材料和有机材料的组合，并且可以具有包括无机材料和有机材料的单层结构或多层结构。在一个实施例中，例如，缓冲层111可以具有其中第一缓冲层111a和第二缓冲层111b堆叠的结构，并且在这样的实施例中，第一缓冲层111a和第二缓冲层111b可以包括彼此不同的材料。在一个实施例中，例如，第一缓冲层111a可以包括氮化硅，并且第二缓冲层111b可以包括氧化硅。
83.在实施例中，在第一缓冲层111a包括氮化硅的情况下，当形成氮化硅时，可以包括氢。因此，可以改善形成在缓冲层111上的半导体层1130的载流子迁移率，并且可以改善薄膜晶体管t1至t7的电特性。在实施例中，半导体层1130可以包括硅材料，并且在这样的实施例中，可以改善包括硅的半导体层1130和包括氧化硅的第二缓冲层111b之间的界面粘合性能，并且可以改善薄膜晶体管t1至t7的电特性。
84.半导体层1130可以包括低温多晶硅(“ltps”)。多晶硅材料具有高电子迁移率(例如，每伏秒100平方厘米(cm2/v
·
s)或更高)，并且因此具有低能耗和高可靠性。可替代地，半导体层1130可以包括非晶硅(“a-si”)和/或氧化物半导体。可替代地，薄膜晶体管t1至t7中的一些可以包括ltps，并且其它可以包括a-si和/或氧化物半导体。
85.半导体层1130的源极区和漏极区可以掺杂有杂质，并且杂质可以包括n型杂质或p型杂质。每个源极区和每个漏极区可以分别对应于源极电极和漏极电极。源极区和漏极区可以根据薄膜晶体管的性能彼此改变。在下文中，使用术语“源极区”和“漏极区”代替术语“源极电极”和“漏极电极”。在图2的等效电路图中，半导体层1130的特定部分掺杂有p型杂质，并且薄膜晶体管t1至t7可以被实现为p沟道金属氧化物半导体(“pmos”)场效应晶体管(“mosfet”)。半导体层1130的其它部分也可以掺杂有杂质，并且可以用作用于电连接薄膜
晶体管t1至t7和/或存储电容器cst的布线。
86.第一栅极绝缘膜112可以设置在半导体层1130上，并且驱动栅极电极g1、扫描线sl、先前扫描线sl-1、下一扫描线sl 1和发射控制线el可以设置在第一栅极绝缘膜112上。第一栅极绝缘膜112可以包括氧化硅(sio2)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)或氧化锌(zno2)。
87.扫描线sl的与开关薄膜晶体管t2的第二有源区和补偿薄膜晶体管t3的第三有源区a3重叠的部分可以分别限定开关栅极电极g2和包含第一第三栅极电极g3-1和第二第三栅极电极g3-2的补偿栅极电极g3，先前扫描线sl-1与第一初始化薄膜晶体管t4的第四有源区a4重叠的部分可以限定包含第一第四栅极电极g4-1和第二第四栅极电极g4-2的第一初始化栅极电极g4，下一扫描线sl 1与第二初始化薄膜晶体管t7的第七有源区重叠的部分可以限定第二初始化栅极电极g7，并且发射控制线el与操作控制薄膜晶体管t5和发射控制薄膜晶体管t6重叠的部分可以分别限定操作控制栅极电极g5和发射控制栅极电极g6。补偿薄膜晶体管t3的沟道可以包括与扫描线sl重叠的第三有源区a3和第三有源区a3之间的区域a3a，并且第一初始化薄膜晶体管t4的沟道可以包括与先前扫描线sl-1重叠的第四有源区a4和第四有源区a4之间的区域a4a。
88.驱动栅极电极g1、扫描线sl、先前扫描线sl-1、下一扫描线sl 1和发射控制线el中的每一个可以包括包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)或钛(ti)的导电材料，并且可以具有包括上述材料的单层结构或多层结构。在一个实施例中，例如，驱动栅极电极g1、扫描线sl、先前扫描线sl-1、下一扫描线sl 1和发射控制线el中的每一个可以具有包括mo层和al层的多层结构，或者可以具有包括mo层、al层和mo层的多层结构。
89.第二栅极绝缘膜113可以设置或提供在驱动栅极电极g1、扫描线sl、先前扫描线sl-1、下一扫描线sl 1和发射控制线el上。第二栅极绝缘膜113可以包括氧化硅(sio2)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)或氧化锌(zno2)。
90.电极电压线hl、第一初始化电压线vl1和第二初始化电压线vl2可以设置在第二栅极绝缘膜113上。电极电压线hl可以覆盖驱动栅极电极g1的至少一部分，并且可以与驱动栅极电极g1一起形成存储电容器cst。
91.存储电容器cst的下部电极ce1可以与驱动薄膜晶体管t1的驱动栅极电极g1一体地形成，作为单个的一体单元。在一个实施例中，例如，驱动薄膜晶体管t1的驱动栅极电极g1可以用作存储电容器cst的下部电极ce1。电极电压线hl与驱动栅极电极g1重叠的部分可以是存储电容器cst的上部电极ce2。因此，第二栅极绝缘膜113可以用作存储电容器cst的介电层。
92.电极电压线hl、第一初始化电压线vl1和第二初始化电压线vl2中的每一个可以包括钼(mo)、铝(al)、铜(cu)或钛(ti)的导电材料，并且可以具有包括上述材料的单层结构或多层结构。在一个实施例中，例如，电极电压线hl、第一初始化电压线vl1和第二初始化电压线vl2中的每一个可以具有包括mo层和al层的多层结构，或者可以具有包括mo层、al层和mo层的多层结构。
93.层间绝缘层115设置在电极电压线hl、第一初始化电压线vl1和第二初始化电压线vl2上。层间绝缘层115可以包括氧化硅(sio2)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝
(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)或氧化锌(zno2)。
94.数据线dl、电源电压线pl、第一初始化连接线1173a和第二初始化连接线1173b、节点连接线1174以及连接金属1175可以设置在层间绝缘层115上。数据线dl、电源电压线pl、第一初始化连接线1173a和第二初始化连接线1173b、节点连接线1174以及连接金属1175可以包括钼(mo)、铝(al)、铜(cu)或钛(ti)的导电材料，并且可以具有包括上述材料的单层结构或多层结构。在一个实施例中，例如，数据线dl、电源电压线pl、第一初始化连接线1173a和第二初始化连接线1173b、节点连接线1174以及连接金属1175中的每一个可以具有包括ti层、al层和ti层的多层结构。
95.数据线dl可以通过接触孔1154连接到开关薄膜晶体管t2的开关源极区s2。在实施例中，数据线dl的一部分可以限定开关源极电极。
96.电源电压线pl可以通过限定在层间绝缘层115中的接触孔1158连接到存储电容器cst的上部电极ce2。因此，电极电压线hl和电源电压线pl可以具有相同的电压水平(恒定电压)。在实施例中，电源电压线pl可以通过接触孔1155连接到操作控制漏极区d5。
97.第一初始化电压线vl1通过接触孔1159a连接到第一初始化连接线1173a，并且第一初始化连接线1173a通过接触孔1159b连接到第一初始化薄膜晶体管t4。第二初始化电压线vl2可以通过接触孔1151连接到第二初始化连接线1173b，并且第二初始化连接线1173b可以通过接触孔1152连接到第二初始化薄膜晶体管t7。第一初始化电压线vl1和第二初始化电压线vl2可以具有彼此相同的恒定电压(例如，-2伏(v))。
98.节点连接线1174的一端可以通过接触孔1156连接到补偿源极区s3，并且节点连接线1174的另一端可以通过接触孔1157连接到驱动栅极电极g1。
99.连接金属1175通过限定为通过第二栅极绝缘膜113和第一栅极绝缘膜112的接触孔1153连接到发射控制薄膜晶体管t6的半导体层。连接金属1175通过接触孔1163连接到有机发光二极管oled的像素电极210。因此，发射控制薄膜晶体管t6可以电连接到有机发光二极管oled的像素电极210。
100.平坦化层117可以设置在数据线dl、电源电压线pl、第一初始化连接线1173a和第二初始化连接线1173b、节点连接线1174以及连接金属1175上，并且有机发光二极管oled可以设置在平坦化层117上。
101.图2示出了一个像素电路pc的实施例，并且图3示出了一个(子)像素spx的结构。在这样的实施例中，具有与图2的像素电路pc相同的像素电路pc的多个(子)像素spx可以布置在第一方向(x轴方向)和第二方向(y轴方向)上，并且在这样的实施例中，先前扫描线sl-1和下一扫描线sl 1可以被在第二方向(y轴方向)上彼此相邻的两个像素电路pc共享。
102.在实施例中，先前扫描线sl-1可以在第二方向(y轴方向)上从图3的像素电路pc电连接到定位在 y轴方向上的另一像素电路pc的第二初始化薄膜晶体管t7。因此，施加到先前扫描线sl-1的先前扫描信号sn-1可以作为下一扫描信号传输到另一像素电路pc的第二初始化薄膜晶体管t7。在这样的实施例中，下一扫描线sl 1可以在第二方向(y轴方向)上从图3的像素电路pc电连接到定位在-y轴方向上的另一像素电路pc的第一初始化薄膜晶体管t4，并且可以传输先前扫描信号和初始化电压。
103.设置在数据线dl、电源电压线pl、第一初始化连接线1173a和第二初始化连接线1173b、节点连接线1174以及连接金属1175上的平坦化层117可以具有平坦的顶表面以平坦
化像素电极210。在实施例中，平坦化层117可以包括有机材料，并且可以具有单层结构或多层结构。平坦化层117可以包括苯并环丁烯(“bcb”)、聚酰亚胺、六甲基二硅醚(“hmdso”)、诸如聚甲基丙烯酸甲酯(“pmma”)或聚苯乙烯(“ps”)的通用聚合物、具有基于酚的基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、基于酰亚胺的聚合物、基于芳基醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、氟化聚合物、基于对二甲苯的聚合物、基于乙烯醇的聚合物或它们的混合物。在实施例中，平坦化层117可以包括无机材料。平坦化层117可以包括氧化硅(sio2)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)或氧化锌(zno2)。在实施例中，在平坦化层117包括无机材料的情况下，在必要时可以执行化学机械抛光。在实施例中，平坦化层117可以包括有机材料和无机材料两者。
104.有机发光二极管oled可以包括像素电极210、设置在像素电极210上方的公共电极230以及设置在像素电极210和公共电极230之间并且包括发射层的中间层220。
105.像素电极210可以通过限定在平坦化层117中的接触孔1163连接到连接金属1175，并且连接金属1175可以通过限定在下部绝缘层中的接触孔1153连接到发射控制漏极区d6。像素电极210可以是(半)透射电极或反射电极。在实施例中，像素电极210可以包括银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)或它们的化合物的反射膜以及在反射膜上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以包括从氧化铟锡(“ito”)、氧化铟锌(“izo”)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(“igo”)和氧化铝锌(“azo”)中选择的至少一种。在实施例中，像素电极210可以具有包括ito/ag/ito的堆叠结构。
106.像素限定膜119可以设置在平坦化层117上，并且通过像素限定膜119限定开口部分，开口部分暴露像素电极210的中央部分以限定像素的发射区域。在实施例中，像素限定膜119可以增加像素电极210的边缘和设置在像素电极210上方的公共电极230之间的距离，以防止在像素电极210的边缘上产生电弧等。像素限定膜119可以通过使用旋涂等包括诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、bcb、hmdso或酚醛树脂的有机绝缘材料或由诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、bcb、hmdso或酚醛树脂的有机绝缘材料形成。
107.中间层220可以包括有机发射层。有机发射层可以包括有机材料，有机材料包括发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光或磷光材料。有机发射层可以包括低分子量有机材料或高分子量有机材料或者可以由低分子量有机材料或高分子量有机材料形成，并且诸如空穴传输层(“htl”)、空穴注入层(“hil”)、电子传输层(“etl”)和电子注入层(“eil”)的功能层可以选择性地设置在有机发射层的下方和上方。中间层220可以设置为对应于多个像素电极210中的每一个。然而，本公开不限于此，并且包括在中间层220中的层中的诸如htl、hil、etl或eil的层可以一体地形成在多个像素电极210上方，作为单个的一体单元。
108.公共电极230可以是透光电极或反射电极。在实施例中，公共电极230可以是透明或半透明电极，并且可以包括锂(li)、钙(ca)、lif/ca、lif/al、铝(al)、银(ag)、镁(mg)或它们的化合物的具有低功函数的金属薄膜。在实施例中，包括ito、izo、zno或in2o3的透明导电氧化物(tco)膜可以进一步设置在金属薄膜上。公共电极230可以一体地形成为对应于多个像素电极210，作为单个的一体单元。
109.包括第一无机封装层310、第二无机封装层320以及设置在第一无机封装层310和第二无机封装层320之间的有机封装层330的封装层300可以设置在公共电极230上。第一无
机封装层310和第二无机封装层320中的每一个可以包括氧化硅(sio2)、氮化硅(sin
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)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)或氧化锌(zno2)。有机封装层330可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、磺酸聚乙烯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅醚、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)或它们的组合。
110.在实施例中，如上所述，第一栅极绝缘膜112可以设置在半导体层1130上，并且驱动栅极电极g1、扫描线sl、先前扫描线sl-1、下一扫描线sl 1和发射控制线el可以设置在第一栅极绝缘膜112上。如上所述，扫描线sl、先前扫描线sl-1、下一扫描线sl 1和发射控制线el包含开关栅极电极g2、补偿栅极电极g3、第一初始化栅极电极g4、操作控制栅极电极g5、发射控制栅极电极g6和第二初始化栅极电极g7。因此，第一栅极绝缘膜112设置在半导体层1130和驱动栅极电极g1、开关栅极电极g2、补偿栅极电极g3、第一初始化栅极电极g4、操作控制栅极电极g5、发射控制栅极电极g6以及第二初始化栅极电极g7之间。
111.图6是示出图3的第一初始化电压线vl1、第二初始化电压线vl2、第一初始化连接线1173a和第二初始化连接线1173b的布置的视图。图8是示出根据实施例的显示装置的多个像素px11至px42中的第一初始化电压线vl1、第二初始化电压线vl2、第一初始化连接线1173a和第二初始化连接线1173b的布置的视图。图9是示出根据替代实施例的显示装置的多个像素px11至px42中的第一初始化电压线vl1、第二初始化电压线vl2、第一初始化连接线1173a、第一辅助初始化连接线1173a'、第二初始化连接线1173b和第二辅助初始化连接线1173b'的布置的视图。图10是示出根据另一替代实施例的显示装置的多个像素px11至px81中的第一初始化电压线vl1、第二初始化电压线vl2、第一初始化连接线1173a、第一辅助初始化连接线1173a'、第二初始化连接线1173b和第二辅助初始化连接线1173b'的布置的视图。
112.在实施例中，如图6中所示，第一初始化电压线vl1和第二初始化电压线vl2在第一方向(x轴方向)上延伸。第一初始化连接线1173a在与第一方向(x轴方向)相交的第二方向(y轴方向)上延伸，并且电连接第一初始化电压线vl1。第二初始化连接线1173b在与第一方向(x轴方向)相交的第二方向(y轴方向)上延伸，并且电连接第二初始化电压线vl2。
113.期望将相同的第一初始化电压vint1施加到第一初始化电压线vl1。然而，由于显示装置的尺寸增加和/或显示装置的高分辨率，在第一初始化电压线vl1中可能发生电压降等。在这种情况下，相同的第一初始化电压vint1可能不被施加到不同的像素的第一初始化薄膜晶体管t4。在根据本发明的显示装置1的实施例中，第一初始化连接线1173a将布置在不同的行中的第一初始化电压线vl1彼此电连接，使得第一初始化电压线vl1的电位在整个显示区域da上方可以均匀地保持在第一初始化电压vint1。
114.在这样的实施例中，期望将相同的第二初始化电压vint2施加到第二初始化电压线vl2。然而，由于显示装置的尺寸增加和/或显示装置的高分辨率，在第二初始化电压线vl2中可能发生电压降等。在这种情况下，相同的第二初始化电压vint2可能不被施加到不同的像素的像素电极210。在根据本发明的显示装置1的实施例中，第二初始化连接线1173b将布置在不同的行中的第二初始化电压线vl2彼此电连接，使得第二初始化电压线vl2的电位在整个显示区域da上方可以均匀地保持在第二初始化电压vint2。
115.在实施例中，显示装置1可以包括如上所述的基底101以及限定为通过基底101的
顶表面和底表面的通孔。在这样的实施例中，如图1中所示，显示装置1可以提供有与基底101的通孔相对应的通孔th。在其中显示装置1是智能电话的组件的实施例中，例如，照相机可以安装在显示装置1的通孔th中，或者入射在设置在通孔th中的照相机上的光可以穿过通孔th。
116.在这样的实施例中，在通孔th通过基底101的顶表面和底表面的情况下，像素定位在基底101的通孔th的外部。包括在像素中的薄膜晶体管和电连接到多个像素的各种线也可以定位在通孔th的外部。第一初始化电压线vl1和第二初始化电压线vl2不穿过通孔th，并且具有通孔th周围的端部部分。
117.在其中通孔th限定为通过基底101的实施例中，其中存在通孔th的部分中的第一初始化电压线vl1和第二初始化电压线vl2在第一方向(x轴方向)上的长度小于其中不存在通孔th的部分中的第一初始化电压线vl1和第二初始化电压线vl2在第一方向(x轴方向)上的长度。由于其中存在通孔th的部分中的第一初始化电压线vl1和第二初始化电压线vl2的长度与其中不存在通孔th的部分中的第一初始化电压线vl1和第二初始化电压线vl2的长度彼此不同，因此其中存在通孔th的部分中的第一初始化电压线vl1和第二初始化电压线vl2中发生的电压降的程度与其中不存在通孔th的部分中的第一初始化电压线vl1和第二初始化电压线vl2中发生的电压降的程度不同。因此，施加到具有通孔th的行中的像素的第一初始化电压vint1和第二初始化电压vint2与施加到不具有通孔th的行中的像素的第一初始化电压vint1和第二初始化电压vint2不同。如果第一初始化电压vint1和第二初始化电压vint2彼此不同，则即使当相同的数据信号dm被施加到像素时，像素的亮度也可能变得彼此不同。
118.在根据本发明的显示装置1的实施例中，第一初始化连接线1173a将布置在不同的行中的第一初始化电压线vl1彼此电连接，并且第二初始化连接线1173b将布置在不同的行中的第二初始化电压线vl2彼此电连接，使得第一初始化电压线vl1的电位可以在不同的行中均匀地保持在第一初始化电压vint1，并且第二初始化电压线vl2的电位可以在彼此不同的行中均匀地保持在第二初始化电压vint2。因此，显示装置1可以显示高质量图像。
119.在实施例中，如图8中所示，第一初始化连接线1173a和第二初始化连接线1173b穿过像素中的每一个。在这样的实施例中，在第二方向(y轴方向)上延伸的一条第一初始化连接线1173a和一条第二初始化连接线1173b穿过第一列中的像素px11和像素px12，另一条第一初始化连接线1173a和另一条第二初始化连接线1173b穿过第二列中的像素px21和像素px22，另一条第一初始化连接线1173a和另一条第二初始化连接线1173b穿过第三列中的像素px31和像素px32，并且另一条第一初始化连接线1173a和另一条第二初始化连接线1173b穿过第四列中的像素px41和像素px42。然而，本公开不限于此。
120.在一个替代实施例中，例如，如图9中所示，第一初始化连接线1173a可以布置在像素的偶数列和奇数列中的一者中，并且第二初始化连接线1173b可以布置在像素的偶数列和奇数列中的另一者中。在这样的实施例中，如图9中所示，一条第一初始化连接线1173a穿过第一列的像素px11和px12，并且另一条第一初始化连接线1173a穿过第三列的像素px31和px32。在这样的实施例中，如图9中所示，一条第二初始化连接线1173b穿过第二列的像素px21和px22，并且另一条第二初始化连接线1173b穿过第四列的像素px41和px42。在这样的实施例中，第一初始化连接线1173a布置在像素的奇数列中，并且第二初始化连接线1173b
布置在像素的偶数列中。
121.在实施例中，显示装置1还可以包括第一辅助初始化连接线1173a'。第一辅助初始化连接线1173a'定位在第一初始化连接线1173a不穿过的像素，即偶数列的像素中，并且电连接到第一初始化电压线vl1。第一辅助初始化连接线1173a'可以通过接触孔电连接到对应像素的第一初始化薄膜晶体管t4，并且可以将第一初始化薄膜晶体管t4电连接到第一初始化电压线vl1。
122.在这样的实施例中，显示装置1还可以包括第二辅助初始化连接线1173b'。第二辅助初始化连接线1173b'定位在第二初始化连接线1173b不穿过的像素，即，奇数列的像素中，并且电连接到第二初始化电压线vl2。第二辅助初始化连接线1173b'可以通过接触孔电连接到对应像素的第二初始化薄膜晶体管t7，并且可以将第二初始化薄膜晶体管t7电连接到第二初始化电压线vl2。
123.在显示装置1的实施例中，第一初始化连接线1173a和第二初始化连接线1173b之间的寄生电容可以被最小化。在实施例中，在第一初始化连接线1173a和第二初始化连接线1173b布置在相同的列中的情况下，第一初始化连接线1173a和第二初始化连接线1173b彼此靠近，并且因此在第一初始化连接线1173a和第二初始化连接线1173b之间可能产生寄生电容。在显示装置1的实施例中，第一初始化连接线1173a和第二初始化连接线1173b未布置在相同的列中，而是布置在不同的列中，使得第一初始化连接线1173a和第二初始化连接线1173b之间的寄生电容可以被最小化。
124.然而，本公开不限于此。在一个替代实施例中，例如，第一初始化连接线1173a可以布置在像素的每m列中，其中，m是大于1的自然数。在实施例中，如图10中所示，第一初始化连接线1173a布置在第二列px21中。在第一方向上，另一条下一第一初始化连接线1173a布置在第六列px61中，而第一初始化连接线1173a未布置在第一列的像素px11、第三列的像素px31、第四列的像素px41、第五列的像素px51、第七列的像素px71和第八列的像素px81中。在这样的实施例中，第一初始化连接线1173a可以布置在像素的每四列中。
125.在这样的实施例中，第二初始化连接线1173b可以布置在第一初始化连接线1173a之间。在这样的实施例中，第二初始化连接线1173b也可以布置在像素的每m列中。在实施例中，如图10中所示，第二初始化连接线1173b仅布置在第一列px11至第八列px81中的第四列px41和第八列px81中。
126.在实施例中，如上所述，第一初始化连接线1173a和第二初始化连接线1173b可以在第一方向(x轴方向)上交替地布置。在这样的实施例中，第一辅助初始化连接线1173a'定位在第一初始化连接线1173a不穿过的像素中，并且电连接到第一初始化电压线vl1。第一辅助初始化连接线1173a'可以通过接触孔电连接到对应像素的第一初始化薄膜晶体管t4，并且可以将第一初始化薄膜晶体管t4电连接到第一初始化电压线vl1。在这样的实施例中，第二辅助初始化连接线1173b'定位在第二初始化连接线1173b不穿过的像素中，并且电连接到第二初始化电压线vl2。第二辅助初始化连接线1173b'可以通过接触孔电连接到对应像素的第二初始化薄膜晶体管t7，并且可以将第二初始化薄膜晶体管t7电连接到第二初始化电压线vl2。
127.在实施例中，如上所述，第一初始化电压线vl1和第二初始化电压线vl2设置在第二栅极绝缘膜113上。层间绝缘层115设置在第一初始化电压线vl1和第二初始化电压线vl2
上。第一初始化连接线1173a和第二初始化连接线1173b可以与数据线dl和电源电压线pl一起设置在层间绝缘层115上。因此，第一初始化连接线1173a和第二初始化连接线1173b可以包括与包括在数据线dl和电源电压线pl中的材料相同的材料，并且可以具有与数据线dl和电源电压线pl的层结构相同的层结构。在一个实施例中，例如，如上所述，数据线dl、电源电压线pl以及第一初始化连接线1173a和第二初始化连接线1173b中的每一个可以具有由ti/al/ti形成的多层结构。
128.如上所述，根据本文中所描述的本发明的实施例，可以实现能够显示高质量图像的显示装置。然而，本发明不应被解释为限于本文中所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本发明的概念。
129.虽然已经参考本发明的实施例具体地示出和描述了本发明，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离本发明的如以下权利要求所限定的精神或范围的情况下，可以在其中作出形式和细节上的各种变化。