一种基于CMOS的可调谐差分输入共源共栅低噪声放大器的制作方法

技术特征：
1.一种基于cmos的可调谐差分输入共源共栅低噪声放大器，接收差分输入信号，并放大处理得到输出信号；其特征在于，包括放大器单元、阻塞电容单元、缓冲器单元；所述放大器单元的输入端接收差分输入信号，输出端连接阻塞电容单元后通过阻塞电容单元与所述缓冲器单元的输入端连接，所述缓冲器单元的输入端即为所述基于cmos的可调谐差分输入共源共栅低噪声放大器输出输出信号的输出端。2.如权利要求1所述的一种基于cmos的可调谐差分输入共源共栅低噪声放大器，其特征在于，所述放大器单元包括电流镜偏置模块、调谐控制模块、求值开关模块、差分输入对模块、输出负载模块；所述差分输入对模块的输入端连接差分输入信号，用于过滤差分输入信号的共模信号；所述差分输入对模块的输出端连接输出负载模块并通过输出负载模块与所述电流镜偏置模块的输入端连接；所述输出负载模块用于增大输出摆幅；所述电流镜偏置模块的输出端连接所述阻塞电容单元后与所述缓冲器单元连接，用于提供需要的工作电压；所述求值开关模块搭接在所述差分输入对模块上，用于控制差分输入对的工作；所述调谐控制模块的分别与输出负载模块、电流镜偏置模块和阻塞电容单元连接。3.如权利要求1所述的一种基于cmos的可调谐差分输入共源共栅低噪声放大器，其特征在于，所述差分输入对模块包括mos管q7和mos管q8；所述mos管q7的栅极和mos管q8的栅极分别对应连接差分输入信号vin 和差分输入信号vin-；所述mos管q7的源极和mos管q8的源极分别与所述求值开关模块连接；所述mos管q7的漏极和mos管q8的漏极分别与所述输出负载模块连接；所述mos管q7的衬底和mos管q8的衬底接地。4.如权利要求3所述的一种基于cmos的可调谐差分输入共源共栅低噪声放大器，其特征在于，所述输出负载模块包括mos管q5和mos管q6；所述mos管q5的源极与所述mos管q7的漏极连接，所述mos管q5的衬底接地，mos管q5的漏极与所述电流镜偏置模块连接；所述mos管q5的栅极与所述mos管q6的栅极连接；所述mos管q6的源极与所述mos管q8的漏极连接，所述mos管q6的衬底接地，mos管q6的漏极与所述电流镜偏置模块连接。5.如权利要求4所述的一种基于cmos的可调谐差分输入共源共栅低噪声放大器，其特征在于，所述电流镜偏置模块包括直流电压源v1、电路负载rl1、mos管q1、mos管q2、mos管q3、mos管q4；所述mos管q1的源极连接所述mos管q3的漏极连接，所述mos管q3的源极与所述mos管q5的漏极连接，mos管q3的栅极与mos管q4的栅极连接；所述mos管q2的源极连接所述mos管q4的漏极连接，所述mos管q4的源极与所述mos管q6的漏极连接后作为电流镜偏置模块的输出端与所述阻塞电容单元连接；所述mos管q1的漏极、mos管q1的衬底、mos管q3的衬底、mos管q2的漏极、mos管q2的衬底、mos管q4的衬底都与所述电路负载rl1连接，并通过电路负载rl1与所述直流电压源v1的正极连接，所述直流电压源v1的负极接地；所述mos管q1的栅极、mos管q2的栅极、mos管q5的漏极连接在一起后与调谐控制模块连接，在所述阻塞电容单元和mos管q4的源极与所述mos管q6的漏极之间搭接支路与所述调谐
控制模块连接。6.如权利要求5所述的一种基于cmos的可调谐差分输入共源共栅低噪声放大器，其特征在于，所述调谐控制模块包括直流电压源v3、调谐控制管q10、电路负载rl3、电容c1；所述调谐控制管q10的漏极与mos管q5的漏极连接，调谐控制管q10的源极接地，调谐控制管q10的栅极与所述电容c1连接并通过电容c1搭接在所述电流镜偏置模块和阻塞电容单元之间；所述调谐控制管q10的衬底连接电路负载rl3后与所述直流电压源v3的正极连接；所述直流电压源v3的负极接地。7.如权利要求3所述的一种基于cmos的可调谐差分输入共源共栅低噪声放大器，其特征在于，所述求值开关模块包括mos管q9、直流电压源v2、电路负载rl2；所述mos管q9的漏极分别连接mos管q7的源极和mos管q8的源极；所述mos管q9的衬底和源极连接电路负载rl2后接地；所述mos管q9的栅极与所述直流电压源v2的正极连接，所述直流电压源v2的负极接地。8.如权利要求1所述的一种基于cmos的可调谐差分输入共源共栅低噪声放大器，其特征在于，所述缓冲器单元包括mos管q11、直流电压源v4、直流电压源v5、直流电压源v6、电路负载rl4、电路负载rl5；所述mos管q11的栅极连接阻塞电容单元，mos管q11的源极接地，mos管q11的漏极作为所述基于cmos的可调谐差分输入共源共栅低噪声放大器的输出端用于输出输出信号；所述mos管q11的漏极还与电路负载rl5连接，并通过电路负载rl5连接直流电压源v5的正极；所述直流电压源v5的负极接地；所述mos管q11的衬底连接直流电压源v6的正极，并通过直流电压源v5的负极接地；所述直流电压源v4的负极接地，正极连接电路负载rl4后通过电路负载rl4搭接在所述mos管q11的栅极上。9.如权利要求1或2或3或4或5或6或7或8所述的一种基于cmos的可调谐差分输入共源共栅低噪声放大器，其特征在于，所述阻塞电容单元采用电容c2。10.如权利要求3或4或5或6或7或8所述的一种基于cmos的可调谐差分输入共源共栅低噪声放大器，其特征在于，mos管都采用ibm 0.13um 1p8m cmos技术设置。

技术总结
本发明提出了一种基于CMOS的可调谐差分输入共源共栅低噪声放大器，采用前向体偏置技术来调整反馈系数，实现可调谐电路；输入级是差分结构的共源共栅放大器，有较高的增益、共模抑制比，具有很强的抗干扰能力，采用MOS管做电阻，提高电源电压抑制比；输出级采用以N管为负载的共源放大器，在提高增益的前提下增大输出摆幅；偏置电路为镜像电流源，为运放晶体管提供合适的工作电压。运算放大器保证直流工作点，提高了增益和次级点的频率；从而提高相位裕度，增强稳定性。与基于三极管的低噪声放大器相比，本发明可实现可调谐，并具有较高的增益、共模抑制比、抗干扰能力，同时能提高电源电压抑制比，增大输出摆幅。增大输出摆幅。增大输出摆幅。


技术研发人员：姚静石 刘成鹏 陈阳平 苏黎明
受保护的技术使用者：成都明夷电子科技有限公司
技术研发日：2022.01.19
技术公布日：2022/2/23