蚀刻剂组合物、布线形成方法及用于液晶显示装置的阵列基板的制造方法与流程

技术特征：
1.一种蚀刻剂组合物，其特征在于，包括：(a)过氧化氢；(b)氟化合物；(c)唑类化合物；(d)一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物；(e)磷酸盐化合物；以及(f)硫酸盐化合物，其中，所述(e)磷酸盐化合物和所述(f)硫酸盐化合物中的任一个包括铵盐，并且下述等式1的y值为16以上且200以下：[等式1]2.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述(b)氟化合物选自由hf、naf、nh4f、nh4bf4、nh4fhf、kf、khf2、alf3和hbf4组成的组中的至少一种。3.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述(c)唑类化合物选自由三唑化合物、氨基四唑化合物、咪唑化合物、吲哚化合物、嘌呤化合物、吡唑化合物、吡啶化合物、嘧啶化合物、吡咯化合物、吡咯烷化合物和吡咯啉化合物组成的组中的至少一种。4.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述(d)一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物选自由丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨酸、亚氨基二乙酸、次氮基三乙酸和肌氨酸组成的组中的至少一种。5.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述(e)磷酸盐化合物选自由磷酸一钠、磷酸二钠、磷酸一钾、磷酸二钾、磷酸一铵和磷酸二铵组成的组中的至少一种蚀刻剂组合物。6.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述(f)硫酸盐化合物选自由硫酸钠、硫酸氢钠、硫酸钾、硫酸氢钾和硫酸铵组成的组中的至少一种。7.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述蚀刻剂组合物用于蚀刻金属膜，所述金属膜包括：铜或铜合金的单膜；或者多层膜，所述多层膜包括：选自钼膜和钼合金膜的至少一种膜、以及选自铜膜和铜合金膜的至少一种膜。8.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，相对于组合物的总重量，所述(a)过氧化氢的含量为5.0至25.0重量％；所述(b)氟化合物的含量为0.001至0.10重量％；所述(c)唑类化合物的含量为0.1至5.0重量％；所述(d)一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物的含量为0.1至5.0重量％；所述(e)磷酸盐化合物的含量为0.01至0.10重量％；并且所述(f)硫酸盐化合物的含量为0.1至2.0重量％。9.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中，所述蚀刻剂组合物还包含(g)添加剂。10.一种布线形成方法，其包括以下步骤：在基板上形成金属膜；在所述金属膜上形成光刻胶图案；以及以所述光刻胶图案为掩膜，用根据权利要求1至9中任一项所述的蚀刻剂组合物对所述
金属膜进行蚀刻，其中，形成所述金属膜的步骤包括：层压一层以上的金属膜。11.一种用于液晶显示装置的阵列基板的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：(a)在基板上形成栅极布线；(b)在包括所述栅极布线的基板上形成栅极绝缘层；(c)在所述栅极绝缘层上形成半导体层；(d)在所述半导体层上形成源电极和漏电极；以及(e)形成与所述漏电极连接的像素电极，其中，所述步骤(e)包括：通过使用根据权利要求1至9中任一项所述的蚀刻剂组合物进行蚀刻来形成像素电极的工艺。

技术总结
本发明涉及一种用于蚀刻金属膜的蚀刻剂组合物、使用所述蚀刻剂组合物的布线形成方法以及用于液晶显示装置的阵列基板的制造方法，根据本发明的蚀刻剂组合物的特征在于包括氢过氧化物、氟化合物、唑类化合物、一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物、磷酸盐化合物以及硫酸盐化合物，其中，所述磷酸盐化合物和所述硫酸盐化合物中的任一个包括铵盐，且当“Y＝[(水溶性化合物含量) (硫酸盐化合物含量)]/[(氟化合物含量) (磷酸盐化合物含量)]”时，Y值为16以上且200以下。Y值为16以上且200以下。Y值为16以上且200以下。


技术研发人员：李恩远 闵庚灿 崔容硕
受保护的技术使用者：东友精细化工有限公司
技术研发日：2021.07.29
技术公布日：2022/2/23