玻璃基板的制作方法

1.本发明涉及玻璃基板，特别是涉及适用于包括有机el显示器的显示器全部基板的玻璃基板。


背景技术：

2.有机el显示器等电子设备较薄且动画显示优异，耗电也少，因此被用于电视、智能手机等显示器等用途。
3.作为有机el显示器的基板，广泛使用玻璃基板。该用途的玻璃基板主要要求以下的特性。
4.(1)为了防止在热处理工序中碱离子在成膜后的半导体物质中扩散的情况，碱金属氧化物的含量较少，
5.(2)为了使玻璃基板廉价，要求生产效率优异，特别是耐失透性和熔融性优异，
6.(3)在p－si/a－si
·
tft的制造工序中，热收缩导致的玻璃基板的变形较少，
7.(4)在p－si/a－si
·
tft的制造工序中，玻璃基板的带电性低，
8.(5)具有适合p－si/a－si
·
tft的制造工序的平滑的表面。


技术实现要素：

9.发明所要解决的技术问题
10.对于上述(4)、(5)进行详细阐述，由于玻璃基板为绝缘体，在p－si/a－si
·
tft的制造工序中曝光台等与玻璃基板发生接触，导致玻璃基板带电。该带电是造成用于tft像素的各成膜的间距发生偏差的较大因素之一。
11.如(5)所述，为了形成良好的tft，希望表面平滑，作为显示器基板使用的玻璃基板即使是采用需要研磨的浮法工艺的玻璃基板，也需要相当平滑的接近自由表面的表面品质。然而，玻璃基板的表面越是平滑，玻璃基板越容易带电。也就是说，(4)的课题是与(5)的课题顾此失彼的关系。
12.在现有技术中，为了抑制带电，将曝光台或玻璃基板的背面粗糙化，但即使将曝光台粗糙化，随着重复使用，被粗糙化的面被平滑化。另外，为了将玻璃基板的背面粗糙化，需要实施药液蚀刻或气体蚀刻，会发生在成膜面混入蚀刻残渣等的问题。另外，还需要在制造工艺中追加上述工艺，当然会导致成本上升。
13.而且，随着近年来的显示器的薄板化，因带电导致的成品率降低成为显著的问题。其原因在于，在将玻璃基板薄板化时，与曝光台等的亲和变好，其结果会增加玻璃基板与曝光台等的接触面积，变得容易带电。
14.鉴于以上情况，本发明的目的在于提供带电性低的玻璃基板。
15.用于解决技术问题的技术方案
16.本发明人重复进行了各种实验，结果发现，通过严格控制玻璃基板所含的微量碱氧化物的含量，能够解决上述技术问题，从而提出本发明。即，本发明的玻璃基板的特征在
于：在玻璃组成中，以质量％计，b2o3的含量为1.7％以上且小于9％，li2o的含量为0.01％以下，na2o的含量为0.001～0.03％，k2o的含量为0.0001～0.007％，na2o k2o的合计含量为0.0011～0.035％，sno2的含量大于0且为0.4％以下。其中，“na2o k2o”是指na2o和k2o的合计量。
17.需要说明的是，tft制作的工序中产生的带电现象需要考虑接触和剥离等产生的初始带电和之后的电荷衰减这两方面。本发明主要着眼于抑制初始带电。初始带电较大时，存在产生静电破坏等不良的危险。
18.另外，本发明的玻璃基板的特征在于：在玻璃组成中，以质量％计，li2o的含量为0.01％以下，na2o的含量为0.001～0.03％，k2o的含量为0.0001～0.007％，na2o k2o的合计含量为0.0011～0.035％，上述玻璃基板的杨氏模量为80gpa以上。“杨氏模量”是指按照基于jis r1602的动弹性模量测定法(共振法)测得的值。
19.另外，本发明的玻璃基板的特征在于：在玻璃组成中，以质量％计，li2o的含量为0.01％以下，na2o的含量为0.001～0.03％，k2o的含量为0.0001～0.007％，na2o k2o的合计含量为0.0011～0.035％，p2o5的含量为0.1％以下，上述玻璃基板的β－oh值为0.18/mm以下。“β－oh值”是指使用ft-ir测定玻璃的透射率，并使用下述式求得的值。
20.β－oh值＝(1/x)log(t1/t2)
21.x：玻璃厚度(mm)，
22.t1：参照波长3846cm-1
时的透射率(％)，
23.t2：羟基吸收波长3600cm-1
附近的最小透射率(％)。
24.另外，本发明的玻璃基板的特征在于：在玻璃组成中，以质量％计，li2o的含量为0.01％以下，na2o的含量为0.001～0.03％，k2o的含量为0.0001～0.007％，na2o k2o的合计含量为0.0011～0.035％。
25.本发明的玻璃基板的特征在于：在玻璃组成中，以质量％计，优选含有0.1％以下的p2o5。
26.本发明的玻璃基板优选10秒后的表面电位的绝对值为1000v以下。其中，“10秒后的表面电位”是指将氧化铝与玻璃基板摩擦10秒后的玻璃基板内的表面电位绝对值之中最大的值。该值越小，在玻璃基板与曝光台等接触时，电荷越不易移动，带电性越低。需要说明的是，表面电位的测定可以利用表面电位传感器等。
27.本发明的玻璃基板在500℃进行1小时的热处理时的热收缩率优选为30ppm以下。“在500℃进行1小时的热处理时的热收缩率”通过以下的方法测定。首先如图1的(a)所示，准备作为测定样品的160mm
×
30mm的短条状样品g。在该短条状样品g的长边方向的两端部各自使用#1000的耐水研磨纸，在距离端缘20～40mm的位置形成标记m。之后，如图1的(b)所示，将形成有标记m的短条状样品g以沿着与标记m正交的方向对折后分开成2个，制作样品片ga、gb。之后，仅对一个样品片gb进行从常温以5℃/分钟升温至500℃，在500℃保持1小时后，以5℃/分钟降温的热处理。上述热处理后，如图1的(c)所示，以将未进行热处理的样品片ga和进行了热处理的样品片gb并列配置的状态，利用激光显微镜读取2个样品片ga、gb的标记m的位置偏差量(
△
l1、
△
l2)，通过下述式算出热收缩率。需要说明的是，下述式的l0mm是指初始的标记m之间的距离。需要说明的是，热收缩率高时，tft的像素间距会产生偏差，成为显示不良的原因。
28.热收缩率(ppm)＝[{δl1(μm) δl2(μm)}
×
103]/l0(mm)
[0029]
本发明的玻璃基板的应变点优选为700℃以上。“应变点”是基于astm c336和c338的方法测得的值。需要说明的是，应变点越高，在p－si
·
tft的制造工序中越不易发生热收缩。
[0030]
本发明的玻璃基板的30～380℃时的平均热膨胀系数优选为45
×
10
－7
/℃以下。“30～380℃时的平均热膨胀系数”是使用膨胀计(dilatometer)测得的值。
[0031]
本发明的玻璃基板的杨氏模量优选为80gpa以上。
[0032]
本发明的玻璃基板的液相粘度优选为10
4.2
dpa
·
s以上。“液相粘度”是将通过标准筛30目(筛网眼大小500μm)、残留在50目(筛网眼大小300μm)的筛子上的玻璃粉末放入铂舟，在温度梯度炉中保持24小时，将析出结晶(初相)的温度下的粘度利用公知的铂球上拉法求得的值。
[0033]
本发明的玻璃基板的10
2.5
dpa
·
s时的温度优选为1590℃以下。“10
2.5
dpa
·
s时的温度”是指通过铂球上拉法求得的值。
[0034]
本发明的玻璃基板的β－oh值优选为0.18/mm以下。
[0035]
本发明的玻璃基板的板厚优选为0.01～1.0mm。
[0036]
本发明的玻璃基板的制造方法的特征在于：通过溢流下拉法制造上述玻璃基板。
[0037]
发明效果
[0038]
根据本发明，能够提供带电性低的玻璃基板。
附图说明
[0039]
图1是用于说明热收缩率的测定方法的说明图。
[0040]
图2是示出na2o和k2o的合计量与表面电位的关系的图。
具体实施方式
[0041]
本发明的玻璃基板的特征在于：在玻璃组成中，以质量％计，li2o的含量为0.01％以下，na2o的含量为0.001～0.03％，k2o的含量为0.0001～0.007％，na2o k2o的合计含量为0.0011～0.035％。如上限定各成分的含量的理由如下所述。需要说明的是，在各成分的含量的说明中，如果没有特别说明，则％表示质量％。
[0042]
li是碱金属中最小的元素。因此，li在玻璃中容易移动，因而在将玻璃基板与曝光台等接触时，电荷容易移动，有使带电性变高的倾向。另外，li由于其容易移动的缘故，在包括热处理的tft制作的工序中最容易在半导体物质中扩散，存在使tft的性能降低的倾向。因此，li2o的含量优选为0.01％以下、0.005％以下、0.001％以下，特别是0.0005％以下。
[0043]
na是碱金属中次于li容易使电荷移动而提高带电性的元素。另外，在tft的制作工序中，也次于li容易发生向半导体物质中的扩散。另一方面，na2o是较多作为原料中的杂质被含有的成分，使用na2o的含量少的原料时，会造成配合料成本的提高。另外，进行通电加热的情况下，na2o的含量过少时，玻璃变得不易导电。因此，na2o的合适的上限含量为0.03％、0.025％、0.02％、0.015％、0.014％、0.013％、0.012％、特别是0.011％，合适的下限含量为0.001％、0.002％、0.003％、0.004％、特别是0.005％。
[0044]
k与li、na相比，离子半径较大，不易在玻璃中移动，但容易在玻璃基板的最表面发
生带电，含有较多不易移动的k时，电荷也变得容易移动而提高带电性。另外，即使减少k2o的含量，也不易发生配合料成本的提高和不易导电的问题。另一方面，k2o与li2o、na2o相比，在tft的制作工序中不易扩散至半导体物质中，不易降低tft的性能。因此，k2o的合适的上限含量为0.007％、0.006％、0.005％、0.004％、0.003％、特别是0.002％，合适的下限含量为0.0001％、0.0002％、0.0005％、0.0008％、特别是0.001％。
[0045]
如上所述，na2o和k2o是能够提高带电性的成分。通过规定na2o和k2o的合计量，能够进一步降低带电性。具体而言，na2o k2o的合适的上限含量为0.035％、0.03％、0.027％、0.025％、0.02％、特别是0.018％，合适的下限含量为0.0011％、0.0012％、0.0015％、0.0018％、特别是0.002％。
[0046]
表1示出玻璃a、b、c的na2o和k2o的合计量。
[0047]
[表1]
[0048]
质量％abcna2o0.02940.00750.0198k2o0.00190.00130.0011na k0.03130.00880.0209
[0049]
图2是示出na2o和k2o的合计量与表面电位的关系的图。从图2可知，na2o和k2o的合计量越少，10秒后的表面电位越变低。需要说明的是，玻璃a、b、c是能够在tft工序中使用的玻璃，为了降低带电性，规定na2o和k2o的合计量是非常有效的。
[0050]
除上述成分以外，例如也可以含有以下的成分。
[0051]
sio2是形成玻璃骨架的成分，另外，也是提高应变点的成分，而且是提高耐酸性的成分。另一方面，sio2的含量多时，高温粘度变高，熔融性降低，而且，容易析出方英石等失透结晶，液相温度变高。另外也会降低利用了hf的蚀刻速率。因此，sio2的含量为55～70％、58～65％，特别优选59～62％。
[0052]
al2o3是形成玻璃骨架的成分，另外，也是提高应变点的成分，而且是提高杨氏模量的成分。另一方面，al2o3的含量多时，容易析出莫来石、长石系的失透结晶，液相温度变高。因此，al2o3的含量为8～30％、15～25％、17～23％、18～22％、18～21％，特别优选18～20％。
[0053]
b2o3是提高熔融性和耐失透性的成分。另一方面，会使应变点、杨氏模量降低，因此会容易发生热收缩率的增大、面板制作工序中的间距偏差。因此，b2o3的合适的上限含量低于9％、为8％以下、7％以下、6％以下、5％以下，特别是4％以下，合适的下限含量为0％以上、0.5％以上、1％以上、1.5％以上、1.7％以上、2％以上、2.5％以上，特别是3％以上。
[0054]
mgo是降低高温粘性且在提高熔融性的同时使杨氏模量上升的成分。另一方面，mgo的含量多时，会促进莫来石、来自mg、ba的结晶和方英石的结晶析出。另外，会显著降低应变点。因此，mgo的含量为0～10％、2～6％、2～5％、2.5～5％，特别优选2.5～4.5％。
[0055]
cao是不使应变点降低而降低高温粘性且显著提高熔融性的成分。另外，在碱土金属氧化物之中，cao由于导入原料比较廉价，所以是使原料成本廉价化的成分。而且是提高杨氏模量的成分。并且，cao具有抑制含有上述mg的失透结晶的析出的效果。另一方面，cao的含量多时，钙长石的失透结晶变得容易析出，并且密度变得容易上升。因此，cao的含量为0～10％、2～8％、3～7％、3.5～6％，特别优选3.5～5.5％。
[0056]
sro是抑制分相且提高耐失透性的成分。而且是不使应变点降低而使高温粘性降低且提高熔融性的成分。另一方面，sro的含量多时，在含有较多cao的玻璃体系中，长石系的失透结晶变得容易析出，耐失透性变得容易降低。而且存在密度提高、杨氏模量降低的倾向。因此，sro的含量为0～15％、0～10％、0～5％、0～4％、0～3％、0～2％、0～1.5％、0～1％，特别是优选0以上且低于1％。
[0057]
sro/cao是对于兼顾高耐失透性和低热收缩率而言重要的成分比例。sro/cao大时，存在热收缩率变大，耐失透性降低的倾向。因此，sro/cao为0～2、0.1～1.5、0.1～1.0、0.1～0.5，特别优选0.1～0.2。其中，“sro/cao”是指sro的含量除以cao的含量而得到的值。
[0058]
bao是在碱土金属氧化物之中抑制莫来石系和钙长石系的失透结晶析出的效果较高的成分。另一方面，bao的含量多时，密度容易增加，杨氏模量容易降低，并且使高温粘度变得过高，熔融性容易降低。因此，bao的含量为0～15％、6～12％、7～11％、8～10.7％，特别是9～10.5％。
[0059]
碱土金属氧化物是对于提高应变点、耐失透性、熔融性而言非常重要的成分。碱土金属氧化物少时，应变点会上升，但难以抑制al2o3系的失透结晶的析出，另外，高温粘性变高，熔融性容易降低。另一方面，碱土金属氧化物多时，虽然能够改善熔融性，但应变点容易降低，另外，存在因高温粘性的降低而导致液相粘度降低的担忧。因此，mgo cao sro bao为10～40％、16～20％、17～20％、17～19.5％，特别优选18～19.3％。其中，“mgo cao sro bao”是指mgo、cao、sro和bao的合计量。
[0060]
zno是提高熔融性的成分，但含有较多zno时，玻璃变得容易失透，另外应变点容易降低。因此，zno的含量为0～5％、0～3％、0～0.5％，特别优选0～0.2％。
[0061]
zro2、y2o3、nb2o5、la2o3具有提高应变点、杨氏模量等的作用。然而，这些成分的含量多时，密度容易增加。因此，zro2、y2o3、nb2o5、la2o3的含量分别为0～5％、0～3％、0～1％、0以上且低于0.1％，特别优选0以上且低于0.05％。
[0062]
p2o5是具有在tft的制作工序中容易向半导体物质中扩散、使tft的性能降低的倾向的成分。因此，p2o5的含量为0.1％以下，特别优选0.05％以下。
[0063]
只要不损害玻璃特性，能够将作为澄清剂的f2、cl2、so3、c或者al、si等金属粉末添加至最多5％。另外，作为澄清剂，也能够将ceo2等添加至最多1％。
[0064]
sno2是在高温域具有良好的澄清作用的成分，并且是提高应变点的成分，而且是降低高温粘性的成分。另一方面，sno2的含量多时，变得容易析出sno2的失透结晶。因此，sno2的含量超过0且为0.4％以下、0.02～0.3％，特别优选0.1～0.25％。
[0065]
as2o3和sb2o3作为澄清剂是有效的，本发明的玻璃基板并不完全排除导入这些成分，但从环境的观点出发，优选极力不使用这些成分。而且，在玻璃中含有较多as2o3时，存在使抗日晒性降低的倾向，因此其含量为0.1％以下，特别优选实质上不含有。其中，“实质上不含有as2o
3”是指玻璃组成中的as2o3的含量低于0.05％的情况。另外，sb2o3的含量为0.2％以下、0.1％以下，特别优选实质上不含有。其中，“实质上不含有sb2o
3”是指玻璃组成中的sb2o3的含量低于0.05％的情况。
[0066]
fe2o3是作为来自玻璃原料的杂质难以避免混入的成分。因此，无法完全排除导入fe2o3成分。其还能够作为澄清剂发挥作用，因此也有时有意地含有，但本发明的玻璃为了尽量保持高的紫外光区域的透光率，优选尽可能不含有。通过提高紫外光区域的透光率，能够
提高客户工序中使用紫外光区域的激光时的效率。具体来说，玻璃组成中的fe2o3含量为0.020％以下，优选0.015％以下，更加优选0.011％以下，特别优选0.010％以下。
[0067]
cl具有促进低碱玻璃的熔融的效果，添加cl时，能够使熔融温度低温化，并且能够促进澄清剂的作用。另外，具有使熔融玻璃的β－oh值降低的效果。另一方面，cl的含量多时，应变点容易降低。因此，cl的含量为0.5％以下，特别优选0.001～0.2％。需要说明的是，作为cl的导入原料，能够使用氯化锶等碱土金属氧化物的氯化物或者氯化铝等原料。
[0068]
本发明的玻璃基板优选具有以下的玻璃特性。
[0069]
10秒后的表面电位优选为1000v以下、900v以下、800v以下、700v以下、600v以下、500v以下、400v以下、300v以下、200v以下，特别是100v以下。这样，玻璃基板与曝光台等接触时，电荷不易移动，带电性容易变低。
[0070]
在500℃进行1小时的热处理时的热收缩率为30ppm以下、20ppm以下，特别优选15ppm以下。这样，不易产生图案偏差等不良情况。需要说明的是，热收缩率过低时，玻璃基板的生产效率容易降低。因此，热收缩率为1ppm以上、2ppm以上、3ppm以上、4ppm以上，特别优选5ppm以上。
[0071]
应变点为700℃以上、705℃以上，特别优选710℃以上。应变点低时，在制造工序中，玻璃基板变得容易热收缩。需要说明的是，应变点的上限没有特别限定，但考虑到制造设备的负担，优选850℃以下。
[0072]
30～380℃的温度范围时的平均热膨胀系数为45
×
10
－7
/℃以下、34
×
10
－7
～43
×
10
－7
/℃，特别优选为38
×
10
－7
～41
×
10
－7
/℃。30～380℃的温度范围时的平均热膨胀系数为上述范围以外时，无法与周边部件的热膨胀系数匹配，容易发生周边部件的剥离、玻璃基板的翘曲。另外，该值较大时，容易发生热处理时的温度不均导致的间距偏差。
[0073]
杨氏模量越高，玻璃基板越难以变形。伴随近年来的有机el等的精细化，为了抑制片材电阻，增加了金属配线的厚度，对于玻璃基板要求更高的刚性。因此，杨氏模量为78gpa以上、79gpa以上，特别优选80gpa以上。
[0074]
另外，比杨氏模量大于29.5gpa/g
·
cm-3
，为30gpa/g
·
cm-3
以上、30.5gpa/g
·
cm-3
以上、31gpa/g
·
cm-3
以上、31.5gpa/g
·
cm-3
以上，特别优选32gpa/g
·
cm-3
以上。
[0075]
液相温度低于1300℃、为1280℃以下、1250℃以下、1230℃以下，特别优选1220℃以下。液相温度较高时，在利用溢流下拉法等的成型时容易产生失透结晶，容易使玻璃基板的生产效率降低。
[0076]
液相粘度为10
4.2
dpa
·
s以上、10
4.4
dpa
·
s以上、10
4.6
dpa
·
s以上、10
4.8
dpa
·
s以上，特别优选10
5.0
dpa
·
s以上。液相粘度低时，在利用溢流下拉法等的成型时会发生失透结晶，容易使玻璃基板的生产效率降低。
[0077]
高温粘度在10
2.5
dpa
·
s时的温度为1660℃以下、1640℃以下、1630℃以下、1620℃以下、1600℃以下，特别优选1590℃以下。高温粘度在10
2.5
dpa
·
s时的温度变高时，玻璃溶解变得困难，会使玻璃基板的制造成本提高。
[0078]
玻璃中的水分与碱金属元素同样，会使玻璃的网络极端地变弱，制造在玻璃结构中具有强极性的部分。因此，降低玻璃中的水分含量能够有效地抑制带电性。另外，降低玻璃中的水分量时，除了能够提高应变点，还能够大幅度降低热收缩率。因此，β－oh值为0.30/mm以下、0.25/mm以下、0.20/mm以下、0.18/mm以下，特别优选0.15/mm以下。β－oh值过
大时，带电性容易变高，另外容易使应变点降低。需要说明的是，β－oh值过小时，熔融性变得容易降低。因此，β－oh值为0.01/mm以上，特别优选0.02/mm以上。
[0079]
另外，规定碱含量的数值与β－oh值的数值之和时，能够进一步抑制带电性。具体而言，(na2o k2o) β－oh优选低于0.2、低于0.15，特别优选低于0.13。需要说明的是，“(na2o k2o) β－oh”是指na2o和k2o的合计量的数值与β－oh值的数值之和。
[0080]
作为使β－oh值降低的方法，可以列举以下的方法。(1)选择含水量低的原料。(2)添加使玻璃中的水分量减少的成分(cl、so3等)。(3)使炉内气氛中的水分量降低。(4)在熔融玻璃中进行n2鼓泡。(5)采用小型熔融炉。(6)加快熔融玻璃的流量。(7)采用电熔融法。
[0081]
其中，“β－oh值”是使用ft-ir测定玻璃的透光率，采用下述的式子求得的值。
[0082]
β－oh值＝(1/x)log(t1/t2)
[0083]
x：玻璃厚度(mm)，
[0084]
t1：参照波长3846cm-1
时的透光率(％)，
[0085]
t2：羟基吸收波长3600cm-1
附近的最小透光率(％)。
[0086]
本发明的玻璃基板是平板形状，优选在板厚方向的中央部具有溢流合流面。也就是优选通过溢流下拉法成型。溢流下拉法是指从楔形的耐火物的两侧溢流出熔融玻璃，一边使溢流出的熔融玻璃在楔形的下端合流，一边向下方拉伸成型从而成型为平板形状的方法。在溢流下拉法中，成为玻璃基板的表面的面未与耐火物接触，以自由表面的状态成型。因此，能够不经研磨地廉价地制造表面品质良好的玻璃基板，也容易实现大面积化、薄壁化。
[0087]
除溢流下拉法以外，也能够利用例如狭缝下拉法、再拉伸法、浮法、压延(roll-out)法来成型玻璃基板。
[0088]
玻璃基板的板厚没有特别限定，但为了容易使设备轻量化，优选为1.0mm以下、0.5mm以下、0.4mm以下、0.35mm以下，特别优选0.3mm以下。另一方面，板厚过小时，玻璃基板变得容易弯曲。因此，玻璃基板的板厚为0.001mm以上，特别优选0.01mm以上。需要说明的是，板厚能够通过玻璃制造时的流量、拉板速度等来调节。
[0089]
下面，对玻璃基板的制造方法进行说明。
[0090]
玻璃基板的制造工序一般来说包括熔融工序、澄清工序、供给工序、搅拌工序、成型工序。熔融工序是将调和了玻璃原料的玻璃配合料熔融，得到熔融玻璃的工序。澄清工序是将在熔融工序中得到的熔融玻璃利用澄清剂等的作用进行澄清的工序。供给工序是在各工序间转送熔融玻璃的工序。搅拌工序是搅拌熔融玻璃，使其均质化的工序。成型工序是将熔融玻璃成型为平板形状的玻璃的工序。需要说明的是，根据需要，可以将上述以外的工序例如将熔融玻璃调节为适于成型的状态的状态调节工序配置在搅拌工序后。
[0091]
工业上制造现有的低碱玻璃时，一般来说，利用燃烧器的燃烧火焰进行加热而熔融。燃烧器通常被配置于熔融窑的上方，作为燃料使用化石燃料，具体而言使用重油等液体燃料或lpg等气体燃料等。燃烧火焰能够通过将化石燃料与氧气混合而得到。然而，该方法中，在熔融时会使熔融玻璃中混入较多的水分，因此β－oh值容易上升。因此，在制造本发明的玻璃时，优选利用加热电极进行通电加热，优选不利用燃烧器的燃烧火焰进行加热，而利用加热电极进行通电加热来熔融。由此，在熔融时熔融玻璃中不易混入水分，因此容易使β－oh值降低。而且，利用加热电极进行通电加热时，能够降低用于得到熔融玻璃的单位质
量的能量，并且熔融挥发物变少，所以能够降低环境负荷。
[0092]
利用加热电极进行通电加热优选以与熔融窑内的熔融玻璃相接触的方式，对于设置在熔融窑的底部或侧部的加热电极施加交流电压来进行。用于加热电极的材料优选具备耐热性和对于熔融玻璃的抗腐蚀性的材料，例如能够使用氧化锡、钼、铂、铑等，特别优选钼。
[0093]
本发明的玻璃基板由于是不含较多碱金属氧化物的低碱玻璃，电阻率高。因此，将利用加热电极进行的通电加热适用于低碱玻璃时，不仅是在熔融玻璃中，在构成熔融窑的耐火物中也会有电流流动，存在使构成熔融窑的耐火物过早受损的担忧。为了防止这种情况，作为炉内耐火物，可以是电阻率高的二氧化锆系耐火物，特别优选使用二氧化锆电铸砖，而且，二氧化锆系耐火物中的zro2的含量为85质量％以上，特别优选为90质量％以上。
[0094]
实施例
[0095]
以下，基于实施例对本发明进行说明。
[0096]
表2示出本发明的实施例(样品no.1～10)。需要说明的是，表中的“n.a.”表示未测定。
[0097]
[表2]
[0098]
质量％12345678910sio259.759.062.660.861.264.161.961.461.461.0al2o316.519.319.020.120.216.915.818.718.620.1b2o310.36.56.23.42.10.30.00.70.70.0mgo0.32.50.83.72.21.80.03.23.41.9cao8.06.37.25.55.25.98.75.03.83.7sro4.50.52.52.51.70.81.90.63.20.0ba00.55.71.53.97.210.011.410.18.713.1tio20.000.000.000.000.020.000.000.000.000.01li2o0.00050.00070.00050.00060.00050.00050.00050.00070.00080.0008na2o0.02940.00750.02460.01200.00830.01980.00960.01000.00790.0154k2o0.00190.00130.00180.00130.00110.00110.00140.00140.00140.0012sno20.20.20.20.20.20.20.20.20.20.2na2o k2o0.03130.00880.02640.01330.00940.02090.01100.01140.00930.016610秒后的表面电位[v]141.5148.02n.a.n.a.n.a.125.08n.a.n.a.n.a.n.a.β-oh值[/mm]0.540.130.450.120.090.390.080.050.060.08ps[℃]654687708725744742747749746782ta[℃]709743768782804802804808806844ts[℃]94497710171007103910511034104310421084α[
×
10-7
/℃]37.836.834.836.337.739.345.439.039.137.9密度[g/cm3]2.4592.5212.4662.5512.5892.6172.6432.6382.6862.668杨氏模量[gpa]73.078.077.083.081.781.083.383.480.082.7比杨氏模量[gpa
·
cm3/g]29.730.931.232.531.631.031.531.629.831.0tl[℃]1084112311741184122712251221122012131247在tl时的logη[dpa
·
s]5.75.65.55.25.25.55.25.35.35.510
4.0
dpa
·
s时的温度[℃]126812851334131413611401136813651365141810
3.0
dpa
·
s时的温度[℃]142814401497146915211574154215291528158510
2.5
dpa
·
s时的温度[℃]1532154016021567162416821654163416321688
[0099]
首先，以成为表中的玻璃组成的方式，将调配了玻璃原料的玻璃配合料投入铂坩
埚，在1600～1650℃熔融24小时。在熔解玻璃配合料时，使用铂搅拌器进行搅拌，进行了均质化。之后，将熔融玻璃流出至碳板上，成型为板状后，在徐冷点附近的温度徐冷30分钟。对于得到的各样品，评价了10秒后的表面电位、β-oh值、应变点ps、徐冷点ta、软化点ts、30～380℃的温度范围时的平均热膨胀系数α、密度、杨氏模量、比杨氏模量、液相温度tl、在tl时的液相粘度logη、高温粘度在10
4.0
dpa
·
s时的温度、高温粘度在10
3.0
dpa
·
s时的温度、高温粘度在10
2.5
dpa
·
s时的温度。
[0100]
10秒后的表面电位是通过上述的方法测得的。
[0101]
β-oh值是通过上述的方法算出的值。
[0102]
应变点ps、徐冷点ta、软化点ts是基于astm c336和c338的方法测得的值。
[0103]
30～380℃的温度范围时的平均热膨胀系数α是利用膨胀计测得的值。
[0104]
密度是利用公知的阿基米德法测得的值。
[0105]
杨氏模量是使用公知的共振法测得的值。比杨氏模量是杨氏模量除以密度而得到的值。
[0106]
液相温度tl是将通过标准筛30目(筛网眼大小500μm)、残留在50目(筛网眼大小300μm)的筛子上的玻璃粉末放入铂舟，在温度梯度炉中保持24小时，测定析出结晶(初相)的温度而得到的值。
[0107]
液相粘度log
10
ηtl是将液相温度tl时的玻璃的粘度通过铂球上拉法测得的值。
[0108]
高温粘度在10
4.0
dpa
·
s、10
3.0
dpa
·
s和10
2.5
dpa
·
s时的温度是通过铂球上拉法测得的值。
[0109]
如表2所明确那样，样品no.1～10的10秒后的表面电位为141.51v以下，带电性较低，被认为能够作为有机el显示器等基板使用。