用于抑制钨蚀刻的组合物和方法与流程

技术特征：
1.一种用于抑制钨蚀刻的组合物，包含：(a)至少一种无机研磨颗粒；(b)至少一种选自氯己定和氯己定盐的腐蚀抑制剂；和(c)水性介质；且其中所述组合物的ph值为≥5.0至≤11.0。2.根据权利要求1所述的组合物，其中所述至少一种无机研磨颗粒(a)选自金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、硅化物、硼化物、陶瓷、金刚石、有机混杂颗粒、无机混杂颗粒和二氧化硅。3.根据权利要求1所述的组合物，其中所述至少一种无机研磨颗粒(a)的浓度基于组合物的总重量为≥0.01重量％至≤10.0重量％。4.根据权利要求1-3中任一项所述的组合物，其中所述至少一种腐蚀抑制剂(b)为氯己定。5.根据权利要求1-4中任一项所述的组合物，其中所述至少一种腐蚀抑制剂(b)的浓度基于组合物的总重量为≥0.001重量％至≤0.05重量％。6.根据权利要求1-5中任一项所述的组合物，其中所述组合物的ph为≥5.5至≤10.5。7.根据权利要求1-6中任一项所述的组合物，其进一步包含至少一种选自聚丙烯酰胺和聚丙烯酰胺共聚物的腐蚀抑制剂(d)。8.根据权利要求7所述的组合物，其中所述至少一种腐蚀抑制剂(d)的重均分子量根据凝胶渗透色谱法测定为≥5000g/mol至≤50,000g/mol。9.权利要求7或8所述的组合物，其中所述至少一种腐蚀抑制剂(d)的浓度基于组合物的总重量为≥0.001重量％至≤0.5重量％。10.根据权利要求1-9中任一项所述的组合物，其进一步包含至少一种选自有机过氧化物、无机过氧化物、过硫酸盐、碘酸盐、氢氧化钾、硝酸铁、高碘酸、高碘酸盐、高锰酸盐、高氯酸、高氯酸盐、磷酸、溴酸和溴酸盐的氧化剂(e)。11.根据权利要求10所述的组合物，其中所述至少一种氧化剂(e)选自有机过氧化物、硝酸铁和磷酸。12.根据权利要求10或11所述的组合物，其中所述至少一种氧化剂(e)的浓度基于组合物的总重量为≥0.01重量％至≤1.0重量％。13.一种制造半导体器件的方法，包括在如权利要求1-12中任一项所定义的组合物存在下化学机械抛光用于半导体工业的衬底(s)，其中衬底(s)包含：(i)钨，和/或(ii)钨合金。14.根据权利要求13所述的方法，其中钨的静态蚀刻速率(ser)低于14.根据权利要求13所述的方法，其中钨的静态蚀刻速率(ser)低于/分钟。15.根据权利要求1-12中任一项所述的组合物在抑制钨蚀刻中的用途。

技术总结
本发明涉及用于抑制蚀刻的组合物和方法。特别地，本发明涉及用于抑制钨蚀刻的组合物和方法。方法。


技术研发人员：M
受保护的技术使用者：巴斯夫欧洲公司
技术研发日：2020.08.04
技术公布日：2022/2/23