光阑、光学系统以及光刻装置的制作方法

光阑、光学系统以及光刻装置
1.相关申请的交叉引用
2.2019年7月4日申请的优先权申请案de 10 2019 209 884.3的内容以引用的方式整体并入本文。
技术领域
3.本发明关于用于光刻装置的光阑(特别是孔径光阑、遮挡光阑(obscuration stop)或虚光光阑(false-light stop))、具有至少一个这类光阑的光学系统、以及具有至少一个这类光阑和/或至少一个这类光学系统的光刻装置。


背景技术：

4.微光刻用以生产微结构部件，例如集成电路。使用具有照明系统和投射系统的光刻装置来执行微光刻工艺。在此情况下，通过投射系统，将由照明系统所照明的掩模(掩模母版)的像投射到涂布有光敏层(光刻胶)并配置在投射系统的像平面中的基板(例如硅晶片)上，以将掩模结构转印到基板的光敏涂层上。
5.在对集成电路生产中越来越小的结构的需求的驱动下，目前正在开发使用波长在0.1nm至30nm的范围中(特别是13.5nm)的光的euv光刻装置(极紫外光，euv)。在这种euv光刻装置的情况下，由于大多数材料对此波长的光有很高的吸收率，因此必须使用反射光学单元(即反射镜)来代替以前所使用的折射光学单元(即透镜元件)。该反射镜以几乎垂直入射或以掠入射的方式操作。
6.在duv(深紫外线)光刻装置中，经常实施通过系统的气流。“系统”在此处可理解为表示例如光刻装置的投射系统或光刻装置本身。该气流可例如通过吹入并排出氮气或空气来实现。该气流实现光学元件(其由光的吸收而被加热)的冷却以及有害物质的排放，这些有害物质可能由于工厂的影响或除气而积聚在系统中。
7.由于euv辐射有相对较低的空气透射率，因此原则上在euv波长的情况下的操作是在真空中进行的。然而，约一帕斯卡的低气压在此处也是很常见。在此，较佳使用氢气用于气流。提供气流以有助于光清洁并偶尔实现有限的冷却效果。
8.气流通过数个入口位置和出口开口来实现，其中在设计方面的挑战是保持这种开口的数量为少。因此，气体应以定义的方式、特别是尽可能自由地流过系统。然而，与此同时，举例来说，系统具有多个遮蔽光阑(例如孔径光阑，遮挡光阑和/或虚光光阑)，这可能会阻碍气流。
9.数值孔径光阑的任务是参照从外部到内部的光束路径在径向方向上调整工作光。相反地，遮挡光阑的任务是遮盖在光束路径中的遮挡物。为此，相对于在径向上的光束路径，遮挡光阑切割出了工作光的内部部分。虚光光阑通常位于中间像区域或中间像平面中。上述光阑带来了基本上场恒定的出射光瞳，这对于光刻系统的功能很重要。此外，虚光光阑可确保滤除没有贡献任何有用的成像功能而仅导致对比度降低的背景的光。
10.光阑通常以具有合适的几何形状和孔径的薄金属板的形式设计。因此，光阑相对
connect)。
23.换句话说，流体可从前侧通过开口流到后侧，反之亦然。
24.根据另一实施例，开口的横截面为圆形或矩形。
25.然而，开口也可具有任何其他几何形状。举例来说，开口可为三角形或椭圆形的。在当前情况下，“开口”应理解为特别是穿过光阑元件的间隙或穿孔。
26.根据另一实施例，光阑更包含具有第一开口的第一光阑元件和具有第二开口的第二光阑元件，其中第一开口和第二开口相对于彼此偏移地配置。
27.开口“偏移地配置”特别是指第一开口和第二开口彼此不重叠，从而使得流体流在从第一开口流向第二开口时至少偏转一次。光阑元件的数量是任意的。可设置刚好两个光阑元件。然而，也可能设置三个或四个光阑元件。
28.根据另一实施例，第一开口和第二开口相对于彼此偏移地配置，使得第一光阑元件完全地覆盖第二开口，且第二光阑元件完全地覆盖第一开口。
29.特别地，光阑元件在光入射到光阑的方向上覆盖相应的开口，使得光仍可通过第一开口入射在第二光阑元件上，但随后被第二光阑元件所阻挡。同时，流体在第二光阑元件处偏转并且流过第二开口到达光阑的后侧。
30.根据另一实施例，第一光阑元件配置在距第二光阑元件一距离处。
31.因此，在第一光阑元件和第二光阑元件之间设置了中间空间。在此，距离的尺寸使得流体可在第一光阑元件和第二光阑元件之间自由地流动。距离可为几分之一毫米到几毫米。
32.根据另一实施例，开口呈狭缝状并以倾斜角度穿过至少一个光阑元件。
33.在此情况下，特别是设置了刚好一个实施为单块体的光阑元件。无缝框围绕开口延伸，并确保光阑的足够稳定性。
34.根据另一实施例，至少一个光阑元件由多孔材料制成，多孔材料由于其多孔结构而可为流体可渗透的。
35.在这种情况下，也可设置刚好一个光阑元件。举例来说，光阑元件由陶瓷或金属制成。举例来说，为此目的，可将例如金属粉末或陶瓷粉末的颗粒烧结在一起。这提供了流体可渗透但不透明的开孔结构。
36.根据另一实施例，孔径为流体可渗透的。
37.这意味着光阑元件本身和设置在光阑元件之中或之上的孔径都是流体可渗透的。
38.根据另一实施例，孔径借助于光决定边缘(light-determining edge)来界定，其中光决定边缘就其周边(perimeter)而言是封闭的、或者就其周边而言是开放的。
[0039]“光决定边缘”为孔径的轮廓，在其协助下调整了光束路径。此处的“就其周边而言是封闭的”是指光决定边缘完全地包围孔径。“就其周边而言是开放的”特别地表示光决定边缘没有完全地包围孔径。
[0040]
此外，提出了一种用于光刻装置的光学系统。光学系统包含物平面、场平面、配置在物平面和场平面之间的中间像平面、以及至少一个如上所述的光阑，其中光阑配置在中间像平面中以滤除在光学系统操作期间来自场平面上游的光学系统的光束路径的虚光。
[0041]
来自物平面(于其中配置有例如形式为光掩模的物体)的物点被成像至场平面和中间像平面中。待曝光的晶片可放置在场平面中。具有数值孔径光阑的光瞳平面可设置于
物平面和中间像平面之间。
[0042]
根据一实施例，光学系统更包含在光束路径上连续配置的多个光阑。
[0043]
光阑的数量是任意的。可设置数值孔径光阑、遮挡光阑、散射光光阑或虚光光阑。
[0044]
此外，提出具有至少一个这样的光阑和/或具有至少一个这样的光学系统的光刻装置。
[0045]
光刻装置可为euv光刻装置或duv光刻装置。euv代表“极紫外光”，并表示工作光的波长在0.1nm至30nm之间。duv代表“深紫外光”，并表示工作光的波长在30nm至250nm之间。
[0046]
在当前情况下，“一；一个”一词不一定应理解为限制为仅一个元件。相反地，也可设置多个元件，例如两个、三个或更多。此处使用的任何其他数量也不应理解为对准确的所述元件数量有限制。相反地，向上和向下的数值偏差是可能的，除非有相反的说明。
[0047]
针对光阑所描述的实施例和特征相应地适用于所提出的光学系统并且分别适用于所提出的光刻装置，反之亦然。
[0048]
本发明的其他可能实施方式也包含在前文或下文关于示例性实施例描述的特征或实施例的未明确提及的组合。在这种情况下，本领域技术人员也将增加各个方面作为对本发明的各个基本形式的改进或补充。
附图说明
[0049]
本发明的其他有利构造和方面为从属权利要求以及下文所描述的本发明示例性实施例的主题。在下文中，将基于较佳实施例并参照附图来更详细地解释本发明：
[0050]
图1a显示了euv光刻装置的一个实施例的示意图；
[0051]
图1b显示了duv光刻装置的一个实施例的示意图；
[0052]
图2显示了用于图1a或图1b的光刻装置的光学系统的一个实施例的示意图；
[0053]
图3显示了用于图2的光学系统的出射光瞳的示意图；
[0054]
图4显示了用于图2的光学系统的光阑的实施例的示意图；
[0055]
图5显示了沿图4中的截面线v-v的光阑的示意截面图；
[0056]
图6显示了用于图2的光学系统的光阑的另一实施例的示意图；
[0057]
图7显示了沿图6中的截面线vii-vii的光阑的示意截面图；
[0058]
图8显示了用于图2的光学系统的光阑的另一实施例的示意图；
[0059]
图9显示了沿图8中的截面线ix-ix的光阑的示意截面图；
[0060]
图10显示了用于图2的光学系统的光阑的另一实施例的示意图；以及
[0061]
图11显示了沿图10中的截面线xi-xi的光阑的示意截面图。
[0062]
除非有相反地指示，否则在图中相同的元件或具有相同功能的元件具有相同的附图标记。还应注意，图中的插图不一定按比例绘制。附图中以虚线显示被遮挡的部件。
具体实施方式
[0063]
图1a显示了euv光刻装置100a的示意图，其包含光束成形和照明系统102和投射系统104。在此情况下，euv代表“极紫外光”，且表示工作光的波长介于0.1nm和30nm之间。光束成形和照明系统102和投射系统104分别设置在真空壳体(未示出)中，每一真空壳体在抽气装置(未示出)的协助下被抽空。真空壳体由机房(未示出)包围，机房中设有用于机械地移
动或设定光学元件的驱动装置。此外，也可在此机房中设置电子控制器等。
[0064]
euv光刻装置100a包含euv光源106a。举例来说，可提供发射euv范围(极限紫外光范围)内(即，例如在5nm至20nm的波长范围内)的辐射108a的等离子体源(或同步加速器)作为euv光源106a。在光束成形和照明系统102中，euv辐射108a被聚焦，以及从euv辐射108a中滤出期望的操作波长。由euv光源106a产生的euv辐射108a具有相对较低的空气透射率，因此，将光束成形和照明系统102中和投射系统104中的光束引导空间抽真空。
[0065]
图1a所示的光束成形和照明系统102具有五个反射镜110、112、114、116、118。在通过光束成形和照明系统102之后，euv辐射108a被引导至光掩模(掩模母版)120上。光掩模120同样实现为反射光学元件，且可配置在系统102、104的外部。此外，euv辐射108a可通过反射镜122被引导到光掩模120上。光掩模120具有一结构，其通过投射系统104以缩小的方式成像到晶片124或类似物上。
[0066]
投射系统104(也称为投射镜头)具有六个反射镜m1至m6，用于将光掩模120成像到晶片124上。在这种情况下，投射系统104的个别反射镜m1至m6可相对于投射系统104的光轴126对称地配置。应当注意，euv光刻装置100a的反射镜m1至m6的数量不限于所表示的数量。也可设置更多或更少数量的反射镜m1至m6。此外，反射镜m1至m6通常在其前侧弯曲以用于光束成形。
[0067]
图1b显示了duv光刻装置100b的示意图，其包含光束成形和照明系统102和投射系统104。在这种情况下，duv代表“深紫外光”，且表示工作光的波长介于30nm和250nm之间。如已参照图1a所作的描述，光束成形和照明系统102和投射系统104可配置在真空壳体中和/或由具有相应驱动装置的机房所环绕。
[0068]
duv光刻装置100b具有duv光源106b。举例来说，可提供发射例如在193nm的duv范围中的辐射108b的arf准分子激光器作为duv光源106b。
[0069]
图1b所示的光束成形和照明系统102将duv辐射108b引导到光掩模120上。光掩模120实施为透射光学元件，且可配置在系统102、104的外部。光掩模120具有一结构，其通过投射系统104以缩小的方式成像到晶片124或类似物上。
[0070]
投射系统104具有多个透镜元件128和/或反射镜130，用以将光掩模120成像到晶片124上。在这种情况下，投射系统104的个别透镜元件128和/或反射镜130可相对于投射系统104的光轴126对称地配置。应当注意，duv光刻装置100b的透镜元件128和反射镜130的数量不限于所显示的数量。也可提供更多或更少数量的透镜元件128和/或反射镜130。此外，反射镜130通常在其前侧弯曲以用于光束成形。
[0071]
最后一个透镜元件128和晶片124之间的气隙可由折射率》1的液体介质132代替。举例来说，液体介质132可为高纯度的水。这种构造也称作浸没式光刻，并具有提高的光刻分辨率。介质132也可称作浸没液体。
[0072]
图2显示了光学系统200的示意图。如上所述，光学系统200为euv光刻装置100a或duv光刻装置100b的一部分。光学系统200尤其可为如上所述的投射系统104，或可为这种投射系统104的一部分。
[0073]
光学系统200包含例如物平面202、光瞳平面204、像或中间像平面206、和场平面208。另一光瞳平面204(然而其并未显示于图2中)可设置在中间像平面206和场平面208之间。在物平面202中设置具有多个物点o(然而，在图2中仅其中一个标示有附图标记)的物场
或使用场210。在光瞳平面204的协助下，将物点o成像至场平面208中的场点f1上以及成像至中间像平面206中的场点f2上。
[0074]
物体(未示出)位于物平面202中。物体可为光掩模120。使用场210设置在物体处或物体上或在光掩模120处或光掩模120上。举例来说，待曝光的晶片124配置在场平面208中。原则上，场平面208也可为像平面或中间像平面。
[0075]
代替物平面202，也有可能设置场平面，其中的像被成像到场平面208上和中间像平面206上。光瞳平面204较佳设置在物平面202和场平面208之间。因此，光瞳平面204既没有配置在物侧，也没有配置在像侧。
[0076]
一个或多个光阑配置在光瞳平面204中。根据示例性实施例，设置了数值孔径光阑212(na光阑)。此外，还可设置遮挡光阑(未示出)。na光阑212包含由光决定边缘216所定义的孔径214。光决定边缘216可为封闭的。孔径214可具有任何期望的几何形状。na光阑212可由多个部分制成，这表示孔径214的几何形状是可调整的。
[0077]
na光阑212与平面202、204、206、208一起定义了光束路径218，工作光220沿着光束路径218行进通过光学系统200。代替或补充na光阑212，也有可能在光瞳平面204中或在不同的位置(特别是在中间像平面206中)设置散射光光阑和/或虚光光阑(未示出)，如下文参考中间像平面206所作的解释。
[0078]
在此处，工作光220包含例如光射线s1、s2，其描述了物点o在中间像平面206上和在场平面208上的成像。图仅为示意性的，表示多个光学元件(例如反射镜、透镜元件、光栅和/或类似物)可配置在物平面202和光瞳平面204之间、光瞳平面204和中间像平面206之间、以及中间像平面206和场平面208之间。光学元件可包含例如反射镜m1至m6、110、112、114、116、118、130、和/或透镜元件128。
[0079]
na光阑212的任务是从外部到内部相对于光束路径218在径向方向r上调整工作光220，并由此限定了分配给场点f1的光填充角度空间w1的最大半像侧开口角度θmax。开口角度θmax又指定了光学系统200的数值孔径。对于大的数值孔径，开口角度θmax非常大，且角度空间w1因此具有平坦的锥形几何形状。对于小的数值孔径，开口角度θmax非常小，且角度空间w1因此具有锐利的锥形几何形状。
[0080]
场点f1分配有出射光瞳ap1。出射光瞳ap1是na光阑212的像侧成像表示。图2进一步显示了用于物点o的入射光瞳ep1。入射光瞳ep1为na光阑212的物侧成像表示。每一场点f1分配有一出射光瞳ap1。每一物点o分配有一入射光瞳ep1。
[0081]
出射光瞳ap1经由场点f1定义了光填充角度空间w1。角度空间w1由边缘(光)射线s3、s4界定。它们在各个情况下以一半的像侧最大开口角度θmax入射在场点f1上。最大开口角度θmax是在相应的边缘射线s3、s4和到场点f1上的中心(光)射线s5之间测量的。中心射线s5与出射光瞳ap1的中心点m相交。场点f2分配有中间像光瞳ap2，其定义了角度空间w2。入射光瞳ep1同样分配有此角度空间w3。
[0082]
如图3所示，可在方向向量v的协助下描述出射光瞳ap1的每一点p。方向向量v具有相对于中心射线s5的开口角度θ。方向向量v更具有在围绕中心点m的圆周方向上的圆周角原则上，出射光瞳ap1中的每条光线(由角度θ、描述)在光瞳平面204中分配有一个位置。换句话说，因此，场平面208的每一场点f1看到了光瞳平面204中的所有光点。反之亦然：在光瞳平面204上的角度空间中的光在场平面208中分配有一位置。因此，出射光瞳ap1是场
恒定的。对于每一场点f1，入射在场平面208上的光是恒定的。
[0083]
如上所述，入射光瞳ep1是na光阑212的物侧成像表现。入射光瞳ep1也可称作使用孔径或与其等同。在光刻装置100a、100b的操作期间，光也以大于使用孔径的角度在位于物平面202中的光掩模120处衍射。换句话说，光以大于最大开口角度θmax(其由na光阑212定义)的角度衍射。这在图2中参照光射线s6示出。这可在光掩模120的规则成像结构上以更高衍射级发生，并且也可在例如所谓的sraf(次级分辨率辅助特征)的辅助结构处发生。
[0084]
这些旨在重新分配光线，使得在没有发生末端变细或其他错误的情况下对使用结构进行成像。然而，它们本身在图像中(即在场平面208中)应该是不可见的。因此，将它们选择得很小，以使所有能够成像的衍射级都位于入射光瞳ep1的外部或使用孔径的外部，且在理想情况下在na光阑212处被阻挡。换句话说，具有比由na光阑212所决定的最大开口角度θmax更大的开口角度θ的光射线在na光阑212处被阻挡。
[0085]
然而，就结构而言，至少在光掩模120的区域中需要为光束路径218提供壳体222。壳体222用于保持真空并防止污染。然而，掠入射反射可发生在该壳体222处。该反射改变了选定角度范围内的光束角度，使得反射后的光再次位于使用孔径ep中。然而，光现在看起来像来自使用场210外部的虚拟物点ov。虚拟物点ov分配有定义角度空间w4的虚拟入射光瞳ep2。
[0086]
在图2中，在壳体222处反射之后的光射线s6以参考符号s6’标示。光射线s6’在物平面202的方向上的延伸将引导至虚拟物点ov。光射线s6超出壳体222的延伸以参考符号s6”标示。现在，na光阑212不再能够拦截形式为反射光射线s6’的虚光，因为在壳体222处反射之后的开口角度θ看起来是“正确的(right)”。这意味着开口角度θ小于由na光阑212所定义的最大开口角度θmax。结果，不仅是来自使用场210的物点o的光l1通过na光阑212，还有来自使用场210外的虚拟物点ov的光l2。光l2也可称作超孔径光(superaperture light)或虚光。
[0087]
现在的目的为防止虚光l2到达场平面208。虚光l2不提供有用的成像信息，且仅导致场平面208中的对比度降低的背景。因此，在场平面208的上游必须滤除虚光l2。为此目的，在中间像平面206中将物点o成像为场点f2，且将虚拟物点ov成像为场点f3。场点f3分配有中间像光瞳ap3，其定义角度空间w5。
[0088]
现在，在中间像平面206中配置了光阑300，特别是虚光光阑或散射光光阑，其将虚光l2从光束路径218中滤除。换句话说，虚拟物点ov在光阑300上成像为场点f3。虚光l2可因此不再到达场平面208。光阑300包含由光决定边缘304所定义的孔径302。
[0089]
在duv光刻装置100b中，经常实现通过系统的气流。举例来说，这可通过吹入并排出氮气或空气来实现。该气流造成光学元件(其由光的吸收被加热)的冷却，以及有害物质(其可能由于工厂的影响或除气而积累在系统中)的排放。如引言部分所述，在euv波长下，操作原则上是在真空下进行的。然而，约一帕斯卡的低气压在此处也是很常见。较佳使用氢气。提供气流以有助于光清洁并偶尔实现有限的冷却效果。
[0090]
气流通过数个入口位置和出口开口来实现，其中在设计方面的挑战是保持这种开口的数量为少。因此，气体应以定义的方式、特别是尽可能自由地流过光学系统200。然而，如上所述，光学系统200同时具有多个光阑212、300，其可能会阻碍气流。
[0091]
光阑212、300通常以具有合适的几何形状和孔径214、302的薄金属板的形式设计。
因此，光阑212、300相对较轻且刚性，且不会将任何不希望的物质引入光学系统200中。此外，这种设置允许便宜而精确的制造。然而，以这种紧凑的形式，光阑212、300会阻挡所需的气体流过光学系统200。由于额外的入口和出口开口，这降低了气流的期望冷却和清洁效果，或者需要更大的系统复杂性。目标是统一这些自相矛盾的要求，即不透明和透气。下文将参照光阑300来解释光阑212、300可满足这些要求的方式。
[0092]
图4显示了适合用于中间像平面206的光阑300的实施例的示意性高度简化的细节。图5显示了沿图4中的截面线v-v的光阑300的示意截面图。下文同时参考图4及图5。
[0093]
如上述，光阑300包含孔径302，其具有定义孔径302的光决定边缘304。光决定边缘304可为弯曲的或至少部分弯曲的。然而，光决定边缘304也可为笔直的或至少部分笔直的。孔径302因此可具有任何期望的几何形状。
[0094]
光阑300分配有第一光阑元件306和第二光阑元件308，其沿光束路径218配置为彼此相距距离a，尤其是沿光方向lr观察。光阑元件306、308的数量原则上是任意的。然而，至少设置两个光阑元件306、308。距离a可为几分之一毫米到几毫米。在光阑元件306、308之间设有中间空间310。
[0095]
光阑元件306、308各自具有多个穿孔或开口312、314、316、318，其彼此相对偏移地配置，使得流体流320可流过开口312、314、316、318，但虚光l2被阻挡。流体流320特别为气体流或可称作为气体流。同时具有不透明度的流体渗透性可由以下实现：设置在第一光阑元件306中的第一开口312、314由配置在第一光阑元件306后面的第二光阑元件308所遮挡、以及设置在第二光阑元件308中的第二开口316、318由配置在第二光阑元件308前面的第一光阑元件306所遮挡。因此，在开口312、314、316、318的协助下，实现了光阑300的前侧322和后侧324之间的流体连接，反之亦然。
[0096]
虚光l2的传播被阻挡，除了最小的衍射之外，其传播为直线，而由于开口312、314、316、318，气体分子可通过多次改变方向而移动通过光阑300。取决于几何形状情况和所使用的特定气体以及气体压力，开口312、314、316、318的几何形状、数量、尺寸和/或分布可根据需要进行调整。
[0097]
开口312、314、316、318的数量和大小是任意的。开口312、314、316、318可配置成网格或图案的形式，因此彼此可规则地间隔开。替代地，开口312、314、316、318也可不规则地或随机分布地配置。开口312、314、316、318可具有矩形(特别是正方形)的几何形状。然而，开口312、314、316、318也可具有任何其他几何形状。举例来说，开口312、314、316、318可借助于激光方法被引入到光阑元件306、308中。
[0098]
图6显示了光阑300的另一实施例的示意性高度简化的细节。图7显示了根据图6中的截面线vii-vii的光阑300的示意截面图。下文同时参照图6和图7。
[0099]
根据图6和图7的光阑300的实施例与根据图4和5的光阑300的实施例的不同处仅在于开口312、314、316、318不是矩形而是环形的，尤其是圆形的。然而，开口312、314、316、318也可例如为椭圆形。
[0100]
图8显示了光阑300的另一实施例的示意性高度简化的细节。图9显示了根据图8中的截面线ix-ix的光阑300的示意性截面图。下文同时参照图8和图9。
[0101]
根据图8和图9的光阑300的实施例与根据图4和5的光阑300的实施例的不同处在于仅设置了一个光阑元件306，其包含狭缝型开口312、314、316、318。开口312、314、316、318
相对于光方向lr以倾斜角α倾斜。可理解为，开口被以一角度引导通过光阑300，或以一角度引导通过光阑元件306。因此，光阑300或光阑元件306是一单体部件。出于机械稳定性的目的，在开口312、314、316、318周围留有一实心的封闭框架。
[0102]
图10显示了光阑300的另一实施例的示意性高度简化的细节。图11显示了根据图10中的截面线xi-xi的光阑300的示意性截面图。下文同时参照图10和图11。
[0103]
在光阑300的此实施例中，同样仅设置了一个光阑元件306，其由多孔材料制成的。流体流320可穿过多孔材料，而虚光l2被阻挡。多孔材料可例如为烧结金属粉末或陶瓷粉末。举例来说，光阑元件306或光阑300可由固定连接(特别是烧结)的颗粒状颗粒326构成，流体流320可在其间几乎自由地流动。
[0104]
尽管已经基于示例性实施例描述了本发明，但是本发明可使用多种方式修改。
[0105]
附图标记列表说明
[0106]
100a
ꢀꢀꢀ
euv光刻装置
[0107]
100b
ꢀꢀꢀ
duv光刻装置
[0108]
102
ꢀꢀꢀꢀ
光束成形和照明系统
[0109]
104
ꢀꢀꢀꢀ
投射系统
[0110]
106a
ꢀꢀꢀ
euv光源
[0111]
106b
ꢀꢀꢀ
duv光源
[0112]
108a
ꢀꢀꢀ
euv辐射
[0113]
108b
ꢀꢀꢀ
duv辐射
[0114]
110
ꢀꢀꢀꢀ
反射镜
[0115]
112
ꢀꢀꢀꢀ
反射镜
[0116]
114
ꢀꢀꢀꢀ
反射镜
[0117]
116
ꢀꢀꢀꢀ
反射镜
[0118]
118
ꢀꢀꢀꢀ
反射镜
[0119]
120
ꢀꢀꢀꢀ
光掩模
[0120]
122
ꢀꢀꢀꢀ
反射镜
[0121]
124
ꢀꢀꢀꢀ
晶片
[0122]
126
ꢀꢀꢀꢀ
光轴
[0123]
128
ꢀꢀꢀꢀ
透镜元件
[0124]
130
ꢀꢀꢀꢀ
反射镜
[0125]
132
ꢀꢀꢀꢀ
介质
[0126]
200
ꢀꢀꢀꢀ
光学系统
[0127]
202
ꢀꢀꢀꢀ
物平面
[0128]
204
ꢀꢀꢀꢀ
光瞳平面
[0129]
206
ꢀꢀꢀꢀ
中间像平面
[0130]
208
ꢀꢀꢀꢀ
场平面
[0131]
210
ꢀꢀꢀꢀ
使用场
[0132]
212
ꢀꢀꢀꢀ
na光阑
[0133]
214
ꢀꢀꢀꢀ
孔径
[0134]
216
ꢀꢀꢀꢀ
光决定边缘
[0135]
218
ꢀꢀꢀꢀ
光束路径
[0136]
220
ꢀꢀꢀꢀ
工作光
[0137]
222
ꢀꢀꢀꢀ
壳体
[0138]
300
ꢀꢀꢀꢀ
光阑
[0139]
302
ꢀꢀꢀꢀ
孔径
[0140]
304
ꢀꢀꢀꢀ
光决定边缘
[0141]
306
ꢀꢀꢀꢀ
光阑元件
[0142]
308
ꢀꢀꢀꢀ
光阑元件
[0143]
310
ꢀꢀꢀꢀ
中间空间
[0144]
312
ꢀꢀꢀꢀ
开口
[0145]
314
ꢀꢀꢀꢀ
开口
[0146]
316
ꢀꢀꢀꢀ
开口
[0147]
318
ꢀꢀꢀꢀ
开口
[0148]
320
ꢀꢀꢀꢀ
流体流
[0149]
322
ꢀꢀꢀꢀ
前侧
[0150]
324
ꢀꢀꢀꢀ
后侧
[0151]
326
ꢀꢀꢀꢀ
颗粒状颗粒
[0152]aꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
距离
[0153]
ap1
ꢀꢀꢀꢀ
出射光瞳
[0154]
ap2
ꢀꢀꢀꢀ
中间像光瞳
[0155]
ap3
ꢀꢀꢀꢀ
中间像光瞳
[0156]
ep1
ꢀꢀꢀꢀ
入射光瞳
[0157]
ep2
ꢀꢀꢀꢀ
入射光瞳
[0158]
f1
ꢀꢀꢀꢀꢀ
场点
[0159]
f2
ꢀꢀꢀꢀꢀ
场点
[0160]
f3
ꢀꢀꢀꢀꢀ
场点
[0161]
lr
ꢀꢀꢀꢀꢀ
光方向
[0162]
l1
ꢀꢀꢀꢀꢀ
光
[0163]
l2
ꢀꢀꢀꢀꢀ
虚光(false light)
[0164]mꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
中心点
[0165]
m1
ꢀꢀꢀꢀꢀ
反射镜
[0166]
m2
ꢀꢀꢀꢀꢀ
反射镜
[0167]
m3
ꢀꢀꢀꢀꢀ
反射镜
[0168]
m4
ꢀꢀꢀꢀꢀ
反射镜
[0169]
m5
ꢀꢀꢀꢀꢀ
反射镜
[0170]
m6
ꢀꢀꢀꢀꢀ
反射镜
[0171]oꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
物点
[0172]
ov
ꢀꢀꢀꢀꢀ
虚拟物点
[0173]
p
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
点
[0174]rꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
方向
[0175]
s1
ꢀꢀꢀꢀꢀ
光射线
[0176]
s2
ꢀꢀꢀꢀꢀ
光射线
[0177]
s3
ꢀꢀꢀꢀꢀ
光射线
[0178]
s4
ꢀꢀꢀꢀꢀ
光射线
[0179]
s5
ꢀꢀꢀꢀꢀ
光射线
[0180]
s6
ꢀꢀꢀꢀꢀ
光射线
[0181]
s6
’ꢀꢀꢀ
光射线
[0182]
s6
”ꢀꢀꢀ
光射线
[0183]vꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
方向向量
[0184]
w1
ꢀꢀꢀꢀꢀ
角度空间
[0185]
w2
ꢀꢀꢀꢀꢀ
角度空间
[0186]
w3
ꢀꢀꢀꢀꢀ
角度空间
[0187]
w4
ꢀꢀꢀꢀꢀ
角度空间
[0188]
w5
ꢀꢀꢀꢀꢀ
角度空间
[0189]
α
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
倾斜角
[0190]
θ
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
开口角度
[0191]
θmax
ꢀꢀꢀ
开口角度
[0192]
ꢀꢀꢀꢀꢀ
圆周角