层叠式存储器件的制作方法

技术特征：
1.一种层叠式存储器件，包括：多个下部字线，其在第一方向上延伸；位线，其位于所述多个下部字线上方，并在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；多个上部字线，其位于所述位线上方并在所述第一方向上延伸；多个下部存储单元，其包括在所述多个下部字线与所述位线之间的下部电容器和下部开关元件；以及多个上部存储单元，其包括在所述位线与所述多个上部字线之间的上部电容器和上部开关元件。2.根据权利要求1所述的层叠式存储器件，还包括：多个子字线驱动器，其连接到所述多个下部字线和所述多个上部字线，以选择所述多个下部字线和所述多个上部字线中的任意一个。3.根据权利要求1所述的层叠式存储器件，其中：所述多个下部字线和所述多个上部字线分别彼此对应，以及所述多个下部存储单元和所述多个上部存储单元关于所述位线而对称地叠放。4.根据权利要求3所述的层叠式存储器件，还包括：子字线驱动器，其共同连接到所述多个下部字线中的一个下部字线和所述多个上部字线中的对应的上部字线，其中，所述子字线驱动器适合于选择所述下部字线和所述上部字线中的至少一个。5.根据权利要求1所述的层叠式存储器件，还包括：半导体衬底，其位于所述多个下部字线下方；以及外围电路区域，其位于所述半导体衬底与所述多个下部字线之间，其中，所述外围电路区域包括：多个子字线驱动器，其被配置为从所述多个下部字线和所述多个上部字线之中选择字线。6.根据权利要求1所述的层叠式存储器件，其中，所述下部开关元件和所述上部开关元件中的至少一个包括具有垂直沟道的晶体管。7.根据权利要求6所述的层叠式存储器件，其中，所述下部开关元件和所述上部开关元件中的每个包括：柱体，其从所述位线的底表面和上表面开始垂直地延伸；栅极，其包围所述柱体；以及源极/漏极，其布置在所述栅极的两侧的所述柱体中，其中，所述下部开关元件的源极连接到所述下部电容器，所述上部开关元件的源极连接到所述上部电容器，并且所述下部开关元件的漏极和所述上部开关元件的漏极共同连接到所述位线。8.根据权利要求7所述的层叠式存储器件，其中，从所述位线到任意下部开关元件的栅极的高度不同于从所述位线到其他相邻的下部开关元件的栅极的高度，其中，所述任意下部开关元件和所述其他相邻的下部开关元件共同连接到同一下部字线，以及从所述位线到任意上部开关元件的栅极的高度不同于从所述位线到其他相邻的上部开关元件的栅极的高度，其中，所述任意上部开关元件和所述其他相邻的上部开关元件共同连接到同一上部字线。9.根据权利要求8所述的层叠式存储器件，其中：
所述任意下部开关元件的栅极与所述位线的底表面间隔开第一高度；以及所述其他相邻的下部开关元件的栅极与所述位线的所述底表面间隔开不同于所述第一高度的第二高度。10.根据权利要求9所述的层叠式存储器件，其中：面对所述任意下部开关元件的所述上部开关元件的栅极与所述位线的上表面间隔开所述第二高度；以及与面对的上部开关元件相邻的所述其他相邻的上部开关元件的栅极与所述位线的所述上表面间隔开所述第一高度，其中，所述相邻的上部开关元件和所述面对的上部开关元件共同连接到同一上部字线。11.一种层叠式存储器件，包括：第一存储阵列层，其包括第一位线、与所述第一位线的下表面连接的多个下部存储单元以及与所述第一位线的上表面连接的多个上部存储单元；以及第二存储阵列层，其层叠在所述第一存储阵列层上，所述第二存储阵列层包括第二位线、与所述第二位线的下表面连接的多个下部存储单元以及与所述第二位线的上表面连接的多个上部存储单元，其中，所述第一位线与所述第二位线彼此平行地延伸。12.根据权利要求11所述的层叠式存储器件，其中，所述第一存储阵列层和所述第二存储阵列层中的所述多个下部存储单元包括：多个下部字线，其在对应的存储阵列层的位线下方、在与所述位线交叉的方向上延伸；多个下部开关元件，其分别连接到所述多个下部字线，被配置为响应于所连接的下部字线而被导通；以及下部电容器，其连接到所述下部开关元件。13.根据权利要求11所述的层叠式存储器件，其中，所述第一存储阵列层和所述第二存储阵列层中的所述多个上部存储单元包括：多个上部字线，其在对应的存储阵列层的位线上方、在与所述位线交叉的方向上延伸；多个上部开关元件，其分别连接到所述多个上部字线，被配置为响应于所连接的上部字线而被导通；以及上部电容器，其连接到所述上部开关元件。14.根据权利要求11所述的层叠式存储器件，其中，所述多个下部存储单元与所述多个上部存储单元关于对应的存储阵列层的位线而对称地叠放。15.根据权利要求11所述的层叠式存储器件，其中，所述层叠式存储器件被配置为：在存储操作期间，选择所述第一存储阵列层和所述第二存储阵列层中的所述多个下部存储单元和所述多个上部存储单元中的任意一个。16.根据权利要求11所述的层叠式存储器件，其中，所述层叠式存储器件被配置为：在存储操作期间，在所述第一存储阵列层和所述第二存储阵列层中的所述多个下部存储单元和所述多个上部存储单元之中，同时选择关于选定的第一位线或选定的第二位线而彼此面对的上部存储单元和下部存储单元。17.根据权利要求12所述的层叠式存储器件，其中，所述下部开关元件和所述上部开关元件中的每个包括：
柱体，其从所述位线的底表面和上表面开始在所述第一存储阵列层和所述第二存储阵列层的层叠方向上延伸；栅极，其被配置为包围所述柱体；以及源极/漏极，其布置在所述栅极的两侧的所述柱体中，其中，与同一下部字线连接的下部开关元件或者与同一上部字线连接的上部开关元件的漏极长度不同于其他相邻的下部开关元件或者其他相邻的上部开关元件的漏极长度。18.根据权利要求15所述的层叠式存储器件，其中：具有第一漏极长度的下部开关元件和具有比所述第一漏极长度长的第二漏极长度的下部开关元件被交替地连接到一个下部字线；以及具有第一漏极长度的上部开关元件和具有比所述第一漏极长度长的第二漏极长度的上部开关元件被交替地连接到一个上部字线。19.根据权利要求18所述的层叠式存储器件，其中，所述下部开关元件的漏极长度不同于所述上部开关元件的漏极长度，所述下部开关元件关于所述第一位线或所述第二位线而面对所述上部开关元件。

技术总结
一种层叠式存储器件包括：多个下部字线，其在第一方向上延伸；位线，其位于多个下部字线的上方并在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及多个上部字线，其位于位线上方并在第一方向上延伸。该层叠式存储器件还包括多个下部存储单元，所述下部存储单元包括在多个下部字线与位线之间的下部电容器和下部开关元件。该层叠式存储器件还包括多个上部存储单元，所述上部存储单元包括在位线与多个上部字线之间的上部电容器和上部开关元件。间的上部电容器和上部开关元件。间的上部电容器和上部开关元件。


技术研发人员：朴起德
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：2021.02.23
技术公布日：2022/2/23