灵敏放大器及存储器的制作方法

技术特征：
1.一种灵敏放大器，其特征在于，包括：第一锁存电路及第二锁存电路，所述第一锁存电路具有电位互补的第一输入节点及第二输入节点；所述第二锁存电路具有电位互补的第一抗翻转节点及第二抗翻转节点；其中：所述第一锁存电路，适于增大所述第一输入节点及第二输入节点之间的电位差，使得所述第一输入节点及第二输入节点的电位互补；所述第二锁存电路，与所述第一锁存电路耦接，适于在所述第一输入节点及第二输入节点的电位互补后，当所述第一输入节点或第二输入节点出现单粒子瞬态时，通过调整所述第一抗翻转节点及第二抗翻转节点的电位，来保持另一输入节点的电位不变，并通过所述另一输入节点为出现单粒子瞬态的输入节点充电，直至恢复所述出现单粒子瞬态的输入节点的电位。2.如权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一锁存电路由两对晶体管构成，每对晶体管包括一个pmos管及一个nmos管。3.如权利要求2所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一锁存电路包括：第一pmos管、第二pmos管、第一nmos管及第二nmos管；其中：所述第一pmos管，栅极与所述第一输入节点耦接，漏极与所述第一nmos管的漏极耦接，源极与第二pmos管的源极耦接；所述第一nmos管，栅极与所述第二锁存电路耦接，源极与所述第二nmos管的源极耦接；所述第二pmos管，栅极与所述第二抗翻转节点耦接，漏极与所述第二nmos管的漏极耦接；所述第二nmos管，栅极与所述第二输入节点耦接。4.如权利要求2所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第二锁存电路由两对晶体管构成，对晶体管包括一个pmos管及一个nmos管。5.如权利要求4所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第二锁存电路包括：第三pmos管、第四pmos管、第三nmos管及第四nmos管；其中：所述第三pmos管，栅极与所述第一抗翻转节点耦接，漏极与所述第三nmos管的漏极耦接，源极与所述第四pmos管的源极耦接；所述第三nmos管，栅极与所述第一锁存电路耦接，源极与所述第四nmos管的源极耦接；所述第四pmos管，栅极与所述第一锁存电路耦接，漏极与所述第四nmos管的漏极耦接；所述第四nmos管，栅极与所述第三nmos管的漏极耦接。6.如权利要求4所述的灵敏放大器，其特征在于，还包括：控制电路，与所述第一锁存电路及第二锁存电路耦接，适于接收使能信号，并在所述使能信号的控制下，使得所述第一锁存电路及第二锁存电路开始工作。7.如权利要求6所述的灵敏放大器，其特征在于，所述控制电路包括：第五nmos管，所述第五nmos管的栅极适于输入所述使能信号，漏极与所述第一锁存电路及第二锁存电路耦接，源极接地。8.如权利要求7所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第五nmos管的数量为四个，各所述第五nmos管的漏极分别与所述第一锁存电路及第二锁存电路中不同的nmos管耦接。9.如权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，还包括：预充电路，与所述第一锁存电路及第二锁存电路耦接，适于将所述第一输入节点、第二输入节点、第一抗翻转节点及第二
抗翻转节点的电位预充至预设电位。10.如权利要求9所述的灵敏放大器，其特征在于，所述预充电路包括：第一预充子电路及第二预充子电路；所述第一预充子电路，与所述第一锁存电路耦接，适于对所述第一输入节点及第二输入节点的电位进行预充；所述第二预充子电路，与所述第二锁存电路耦接，适于对所述第一抗翻转节点及第二抗翻转节点的电位进行预充。11.如权利要求10所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第二预充子电路，包括：第五pmos管及第六pmos管；所述第五pmos管及第六pmos管，栅极适于接收预充控制信号，源极与电源电压输出端耦接，栅极与所述第二锁存电路耦接。12.如权利要求10所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一预充子电路，包括：第七pmos管、第八pmos管及第九pmos管；其中：所述第七pmos管、第八pmos管及第九pmos管，栅极适于接收所述预充控制信号；所述第七pmos管及第八pmos管，漏极与所述第一锁存电路耦接，源极与电源电压输出端耦接；所述第九pmos管的漏极与所述第七pmos管耦接；所述第九pmos管的源极与所述第八pmos管耦接。13.如权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，还包括：输出电路，适于将所述第一输入节点及所述第二输入节点的电位输出。14.一种存储器，具有互补位线对，其特征在于，还包括：权利要求1至13任一项所述的灵敏放大器；所述灵敏放大器的第一输入节点及第二输入节点，与同一位线对中不同位线耦接。

技术总结
一种灵敏放大器及存储器。所述灵敏放大器包括：第一锁存电路及第二锁存电路，所述第一锁存电路具有电位互补的第一输入节点及第二输入节点；所述第二锁存电路具有电位互补的第一抗翻转节点及第二抗翻转节点；其中：所述第二锁存电路，与所述第一锁存电路耦接，适于在所述第一输入节点及第二输入节点的电位互补后，当所述第一输入节点或第二输入节点出现单粒子瞬态时，通过调整所述第一抗翻转节点及第二抗翻转节点的电位，来保持另一输入节点的电位不变，并通过所述另一输入节点为出现单粒子瞬态的输入节点充电，直至恢复所述出现单粒子瞬态的输入节点的电位。应用上述方案，可以使得所述灵敏放大器能够抵抗单粒子翻转。得所述灵敏放大器能够抵抗单粒子翻转。得所述灵敏放大器能够抵抗单粒子翻转。


技术研发人员：赵凯 李建忠 崔冰 王海华 沈鸣杰 俞剑 徐烈伟 于芳 俞军
受保护的技术使用者：上海复旦微电子集团股份有限公司
技术研发日：2020.08.12
技术公布日：2022/2/23