显示设备和制造显示设备的方法与流程

技术特征：
1.一种显示设备，其中，所述显示设备包括：基板，所述基板包括第一区域和与所述第一区域相邻的第二区域；多个第一像素电路，所述多个第一像素电路位于所述基板的所述第一区域处，所述多个第一像素电路中的每一者包括硅基晶体管和氧化物基晶体管；多个第二像素电路，所述多个第二像素电路位于所述基板的所述第二区域处，所述多个第二像素电路包括晶体管；第一屏蔽层，所述第一屏蔽层位于所述第一区域处，所述第一屏蔽层包括与所述多个第一像素电路中的每一者的所述硅基晶体管重叠的屏蔽图案；以及第二屏蔽层，所述第二屏蔽层位于所述第二区域处，所述第二屏蔽层包括位于所述多个第二像素电路之中的相邻的第二像素电路之间的第一通孔，其中，所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层包括彼此不同的材料。2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一屏蔽层的所述屏蔽图案不与所述多个第一像素电路中的每一者的所述氧化物基晶体管重叠。3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一屏蔽层的所述屏蔽图案具有孤立的形状。4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一屏蔽层包括掺杂有杂质的非晶硅材料。5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二屏蔽层包括金属材料。6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：缓冲层，所述缓冲层位于所述基板上，并且定位在所述多个第一像素电路和所述多个第二像素电路下方，其中，所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层位于所述基板和所述缓冲层之间。7.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述基板包括顺序地堆叠的第一基体层、第一阻挡层、第二基体层和第二阻挡层，并且其中，所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层位于所述第二基体层和所述第二阻挡层之间。8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述多个第一像素电路中的每一者的所述硅基晶体管包括半导体层和与所述半导体层的一部分重叠的栅极电极，并且其中，所述第一屏蔽层的所述屏蔽图案的平面面积大于所述硅基晶体管的所述栅极电极的平面面积。9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一屏蔽层的厚度小于所述第二屏蔽层的厚度。10.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述多个第二像素电路中的每一者包括硅基晶体管和氧化物基晶体管。11.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：第三屏蔽层，所述第三屏蔽层位于所述基板的所述第二区域处，所述第三屏蔽层包括与所述第二屏蔽层的材料不同的材料。12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述第三屏蔽层对应于所述第二屏蔽层，并且包括与所述第二屏蔽层的所述第一通孔重叠的第二通孔。13.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述第三屏蔽层包括与所述第一屏蔽层的
材料相同的材料。14.一种制造显示设备的方法，其中，所述方法包括：在基板的第一区域处形成多个第一像素电路，所述多个第一像素电路中的每一者包括硅基晶体管和氧化物基晶体管；在所述基板的与所述第一区域相邻的第二区域处形成多个第二像素电路，所述多个第二像素电路包括晶体管；在所述第一区域处形成第一屏蔽层，所述第一屏蔽层包括与所述多个第一像素电路中的每一者的所述硅基晶体管重叠的屏蔽图案；在所述第二区域处形成第二屏蔽层，所述第二屏蔽层包括位于所述多个第二像素电路之中的相邻的第二像素电路之间的第一通孔；以及在所述第二区域处形成第三屏蔽层，所述第三屏蔽层包括与所述第二屏蔽层的所述第一通孔重叠的第二通孔，其中，所述形成所述第一屏蔽层、所述形成所述第二屏蔽层和所述形成所述第三屏蔽层使用同一掩模。15.根据权利要求14所述的方法，其中，通过使用所述同一掩模所述形成所述第一屏蔽层、所述第二屏蔽层和所述第三屏蔽层包括：在所述基板上形成第一材料层；在所述第一材料层上形成第二材料层；在所述第二材料层上形成第一光致抗蚀剂图案，所述第一光致抗蚀剂图案包括具有第一厚度的第一部分和具有大于所述第一厚度的第二厚度的第二部分；通过使用所述第一光致抗蚀剂图案作为掩模去除所述第一材料层的一部分和所述第二材料层的一部分来形成所述第一屏蔽层和所述第三屏蔽层；通过将所述第一光致抗蚀剂图案去除所述第一厚度来形成第二光致抗蚀剂图案；通过使用所述第二光致抗蚀剂图案作为掩模另外地去除所述第二材料层的一部分来形成所述第二屏蔽层；以及去除所述第二光致抗蚀剂图案。16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第一光致抗蚀剂图案的所述第一部分位于所述基板的所述第一区域处，并且具有孤立的形状，并且其中，所述第一光致抗蚀剂图案的所述第二部分位于所述基板的所述第二区域处，并且包括与所述第一通孔和所述第二通孔重叠的图案孔。17.根据权利要求15所述的方法，其中，所述形成所述第一材料层包括：在所述基板上形成非晶硅层；以及将杂质掺杂到所述非晶硅层中。18.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第二材料层包括金属材料。19.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第二屏蔽层和所述第三屏蔽层与所述第二像素电路的晶体管重叠。20.根据权利要求14所述的方法，其中，所述方法还包括：在所述第一屏蔽层、所述第二屏蔽层和所述第三屏蔽层上形成缓冲层。

技术总结
本公开涉及显示设备和制造显示设备的方法，所述显示设备包括：基板，基板包括第一区域和与第一区域相邻的第二区域；多个第一像素电路，多个第一像素电路位于基板的第一区域处，多个第一像素电路中的每一者包括硅基晶体管和氧化物基晶体管；多个第二像素电路，多个第二像素电路位于基板的第二区域处，多个第二像素电路包括晶体管；第一屏蔽层，第一屏蔽层位于第一区域处，第一屏蔽层包括与多个第一像素电路中的每一者的硅基晶体管重叠的屏蔽图案；以及第二屏蔽层，第二屏蔽层位于第二区域处，第二屏蔽层包括位于多个第二像素电路之中的相邻的第二像素电路之间的第一通孔。第一屏蔽层和第二屏蔽层包括彼此不同的材料。层和第二屏蔽层包括彼此不同的材料。层和第二屏蔽层包括彼此不同的材料。


技术研发人员：崔庆铉 高武恂 郑震九 郑锡宇
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2021.08.13
技术公布日：2022/2/23