半导体模块及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体模块，其特征在于，包括：基板，包括前侧与至少一半导体元件形成于该前侧；屏蔽结构，形成于该至少一半导体元件上；以及压电层，形成于该屏蔽结构上。2.如权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，该屏蔽结构包括：第一屏蔽层，具有第一密度且堆叠于该至少一半导体元件上；以及第二屏蔽层，具有第二密度且堆叠于该第一屏蔽层上。3.如权利要求2所述的半导体模块，其特征在于，该第一密度大于该第二密度。4.如权利要求2所述的半导体模块，其特征在于，该第一密度小于该第二密度。5.如权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，该屏蔽结构具有梯度密度(gradient density)。6.如权利要求5所述的半导体模块，其特征在于，该梯度密度随着远离该压电层的距离增加而降低。7.如权利要求5所述的半导体模块，其特征在于，该梯度密度随着远离该压电层的距离减少而降低。8.如权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，还包括第一缓冲层形成于该屏蔽结构与该至少一半导体元件之间。9.如权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，还包括第二缓冲层，形成于该屏蔽结构与该压电层之间。10.如权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，还包括导电结构，嵌入该压电层中。11.如权利要求10所述的半导体模块，其特征在于，该导电结构包括叉指式换能器(interdigital transducer)。12.如权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，该至少一半导体元件包括氮化镓(gan)装置与射频-绝缘体上硅(rf-soi)装置。13.如权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，该至少一半导体元件包括温度检测电路。14.如权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，还包括保护层，形成于该压电层上。15.如权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，该至少一半导体元件包括前端模块(fem)。16.一种用以制造半导体模块的方法，包括：提供基板，该基板包括前侧与至少一半导体元件形成于该前侧；在该至少一半导体元件上形成屏蔽结构；以及在该屏蔽结构上形成压电层。17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，还包括：在形成该屏蔽结构的该步骤之前，在该至少一半导体元件上形成第一缓冲层；以及在形成该压电层的该步骤之前，在该屏蔽结构上形成第二缓冲层。18.如权利要求16所述的方法，其特征在于，该屏蔽结构沉积在该至少一半导体元件上。19.如权利要求16所述的方法，其特征在于，该压电层接合于该屏蔽结构，或者该压电
层沉积于该屏蔽结构上。20.如权利要求16所述的方法，其特征在于，形成该屏蔽结构的该步骤包括：形成第一屏蔽层，该第一屏蔽层具有第一密度且堆叠于该至少一半导体元件上；以及形成第二屏蔽层，该第二屏蔽层具有第二密度且堆叠于该第一屏蔽层上。21.如权利要求16所述的方法，其特征在于，形成该屏蔽结构的该步骤包括形成具有梯度密度的该屏蔽结构。

技术总结
本发明公开一种半导体模块及其制造方法。半导体模块包括基板、屏蔽结构及压电层。基板包括前侧与至少一半导体元件形成于前侧上。屏蔽结构形成于至少一半导体元件上。压电层形成于屏蔽结构上。于屏蔽结构上。于屏蔽结构上。


技术研发人员：周志飙
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司
技术研发日：2020.08.06
技术公布日：2022/2/18