制冷红外探测器的制备方法与流程

1.本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种制冷红外探测器的制备方法。


背景技术：

2.随着红外应用的不断推广与发展，先进的红外探测技术要求探测器具有更高的空间分辨率和更好的目标识别能力。红外探测器是一种将红外辐射转换为电子信号的光电器件，其中光电反应只在光敏元件上进行，而后续的信号处理过程则只涉及到电子学技术，因此红外探测芯片是红外探测器的核心元件。由于目前cmos集成电路工艺主要基于si工艺制作，因此红外探测芯片需要与si读出电路通过铟柱倒装焊互连技术进行混合集成，形成光敏芯片加读出电路的集成探测器模块。在每一个像元结构上制备对应的金属铟柱，通过将读出电路的像元与光敏芯片的像元一一对准并挤压，使得读出电路像元与光敏芯片像元间通过铟柱与铟柱范德瓦尔斯力或铟柱与铟柱/金属电极热熔融焊接的方式，形成可靠电学连接，实现混合集成。因此，铟柱的尺寸、形貌、及一致性直接决定了读出电路芯片与光敏芯片间互连的连通率。
3.目前，红外探测器正朝15um的中心间距，1024x1024的器件，芯片面积达到17mmx17mm的方向发展，因此随着红外探测器朝着更大像元规模、更小中心距发展过程中，其倒焊的点数需要达到百万以上，这使得倒焊难度急剧增加；考虑到像元的损失，倒焊失效率需要低于1％，小于10um的像元倒焊对准更是极其困难。现阶段利用铟材料来做倒焊互联的金属材料，但是在实际制作的过程中，由于铟柱尺寸太小(6～10um)会导致对位偏移，侧滑以及由于高度差带来的虚焊等问题；针对此问题，目前常用的解决方法是在读出电路与光敏芯片上形成形状为“凹”或形状为“凸”的金属铟柱，以实现“凸”对“凸”的倒焊。
4.然后，目前部分设计成凹凸结构的倒焊铟柱，由于金属铟熔点低的特性，导致在读出电路与光敏芯片倒焊互连的时候，发生严重的错位和侧滑以及铟柱脱落，倒焊之后铟柱和金属分层，断裂等问题，进而导致读出电路与光敏芯片的物理连接和电学连接不能满足工艺需要，最终造成器件失效。


技术实现要素：

5.本发明的目的在于提供一种制冷红外探测器的制备方法，以解决用于形成制冷红外探测器的读出电路芯片与器件芯片倒焊之后产生铟柱错位和侧滑，进而导致读出电路芯片与器件芯片的物理连接和电学连接不能满足工艺需要，并最终造成器件失效的问题。
6.第一方面，为解决上述技术问题，本发明提供一种制冷红外探测器的制备方法，所述制冷红外探测器的衬底为碲锌镉衬底，具体的，所述制备方法包括如下步骤：
7.s1，提供用于形成所述制冷红外探测器的器件芯片和用于形成所述制冷红外探测器的读出电路芯片；
8.s2，在所述器件芯片或所述读出电路芯片的表面上形成钝化层，所述钝化层中形成有第一开口，以通过所述第一开口暴露出部分该芯片的衬底表面；
9.s3，对形成有钝化层的芯片进行金属化处理，以在所述芯片的表面上形成形状呈凹型的电极结构，所述电极结构至少包括沿远离所述芯片的衬底表面的方向上依次沉积的第一金属层和第二金属层；
10.s4，在所述电极结构的表面上依次形成第三金属层和金属化层，并使所述第三金属层与所述电极结构进行金属合金互联，形成200℃以下的金属合金；
11.s5，在所述金属化层的表面上沉积铟柱材料层，以在该芯片的表面上形成形状呈凹型的铟柱，以及同时在形成所述制冷红外探测器的另一芯片上形成形状呈凸型的铟柱，以保证所述器件芯片上和所述读出电路芯片上形成的铟柱形状一个呈凹型一个呈凸型；
12.s6，利用倒焊互连工艺，将所述器件芯片和所述读出电路芯片通过所述铟柱进行互连，以得到制冷红外探测器。
13.进一步的，步骤s3中的所述第一金属层的材料可以包括金属铬、金属锡、金属钛、金属铜或钛钨合金，所述第二金属层的材料可以包括金属铟，所述第三金属层的材料可以包括金属铜、金属铂或金属金。
14.进一步的，在步骤s2之后且在步骤s3之前，所述方法还可以包括如下步骤：
15.s7，采用等离子预处理工艺和湿法清洗工艺，对形成有所述钝化层的芯片的表面进行处理，以去除所述芯片表面上附着的污染物。
16.进一步的，在步骤s7中等离子预处理工艺所采用的气体可以包括：氧气、氢气、氢氩、氮气或氮氢混合气体中的一种或多种。
17.进一步的，在步骤s3中对形成有钝化层的芯片进行金属化处理，以在所述芯片的表面上形成电极结构的工艺可以为lift-off剥离工艺或刻蚀工艺。
18.进一步的，在步骤s4中形成的金属化层的材料可以包括所述第一金属层和/或所述第二金属层材料形成的金属合金中的至少一种金属合金。
19.进一步的，在步骤s6中利用倒焊互连工艺，将所述器件芯片和所述读出电路芯片通过所述铟柱进行互连的步骤可以包括：
20.s6.1，控制形成有凹型铟柱的芯片的温度为第一阈值温度，并同时将形成有凸型铟柱的芯片的温度加热到第二阈值温度，以在形成有凹型铟柱的芯片的铟柱形状保持不变的情况下，使形成有凸型铟柱的芯片的铟柱加热后熔融与该凹型铟柱的芯片的铟柱进行互连。
21.进一步的，在步骤s6.1中的第一阈值温度的范围可以为小于80℃，所述第二阈值温度的范围可以为：140℃～210℃，且所述第一阈值温度和所述第二阈值温度的取值范围可互换。
22.进一步的，步骤s5中在所述金属化层的表面上沉积铟柱材料层的工艺温度可以为-40℃或-20℃再或者可以为常温。
23.进一步的，在步骤s6中利用倒焊互连工艺，将所述器件芯片和所述读出电路芯片通过所述铟柱进行互连的步骤可以包括：
24.将形成有凹型铟柱的芯片和形成有凸型铟柱的芯片中的至少一个芯片进行加热处理，以实现所述形成有凹型铟柱的芯片和形成有凸型铟柱的芯片的变温倒焊互连。
25.与现有技术相比，本发明提供的技术方案至少具有如下有益效果之一：
26.在本发明提供了一种制冷红外探测器的制备方法中，通过在形成制冷红外探测器
的器件芯片或读出电路芯片上形成形状呈凹型的铟柱，以及在用于形成制冷红外探测器的读出电路芯片或器件芯片上形成形状呈凸型的铟柱，之后，在形成有凹型铟柱的芯片的铟柱形状保持不变的情况下，使形成有凸型铟柱的芯片的铟柱加热后熔融与该凹型铟柱的芯片的铟柱进行倒焊互连，从而实现通过采用一冷一热的倒焊方式(具体实施可以定为上冷下热，或者下热上冷，其中冷端温度一般为0℃～30℃，热端的温度一般为80℃～250℃)，实现加强了铟柱的稳定性，并且避免其侧滑偏移和确保铟柱不容易脱落、形变的目的，而保证读出电路芯片与器件芯片的物理连接和电学连接能够满足工艺需要，并最终避免器件的问题。
27.并且，在形成制冷红外探测器的器件芯片或读出电路芯片上形成形状呈凹型的铟柱时，其利用铟材料熔点低的特点，在制作凹型铟柱之前就采用一层金属铟来和下面的电极形成合金共熔；一方面形成合金之后，可以实现完整的电学接触，另外一方面，在合金共同熔的过程具有一定的保型性；可以做成设定的尺寸和特殊形状，来达到解决倒焊的工艺问题。
附图说明
28.图1为本发明一实施例中的制冷红外探测器的制备方法的流程示意图；
29.图2a～图2e为本发明一实施例中的制冷红外探测器的制备方法在其制备过程中的结构示意图。
30.其中，附图标记如下：
31.100-器件芯片；
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200-读出电路芯片；
32.110-钝化层；
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120-电极结构；
33.121-第一金属层；
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122-第二金属层；
34.101-第一开口；
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103-第三开口；
35.130-第三金属层；
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140-金属化层；
36.150-形状凹型的铟柱；
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250-形状凸型的铟柱。
具体实施方式
37.承如背景技术所述，目前，目前，红外探测器正朝15um的中心间距，1024x1024的器件，芯片面积达到17mmx17mm的方向发展，因此随着红外探测器朝着更大像元规模、更小中心距发展过程中，其倒焊的点数需要达到百万以上，这使得倒焊难度急剧增加；考虑到像元的损失，倒焊失效率需要低于1％，小于10um的像元倒焊对准更是极其困难。现阶段利用铟材料来做倒焊互联的金属材料，但是在实际制作的过程中，由于铟柱尺寸太小(6～10um)会导致对位偏移，侧滑以及由于高度差带来的虚焊等问题；针对此问题，目前常用的解决方法是在读出电路与光敏芯片上形成形状为“凹”或形状为“凸”的金属铟柱，以实现“凸”对“凸”的倒焊。
38.然后，目前部分设计成凹凸结构的倒焊铟柱，由于金属铟熔点低的特性，导致在读出电路与光敏芯片倒焊互连的时候，发生严重的错位和侧滑以及铟柱脱落，倒焊之后铟柱和金属分层，断裂等问题，进而导致读出电路与光敏芯片的物理连接和电学连接不能满足工艺需要，最终造成器件失效。
39.为此，本发明提供了一种制冷红外探测器及其制备方法，以解决解决用于形成制冷红外探测器的读出电路芯片与器件芯片倒焊之后产生铟柱错位和侧滑，进而导致读出电路芯片与器件芯片的物理连接和电学连接不能满足工艺需要，并最终造成器件失效的问题。
40.参考图1，图1为本发明一实施例中提供的本发明一实施例中的制冷红外探测器的制备方法的流程示意图，该方法包括如下步骤：
41.步骤s1，提供用于形成所述制冷红外探测器的器件芯片和用于形成所述制冷红外探测器的读出电路芯片；
42.步骤s2，在所述器件芯片或所述读出电路芯片的表面上形成钝化层，所述钝化层中形成有第一开口，以通过所述第一开口暴露出部分该芯片的衬底表面；
43.s3，对形成有钝化层的芯片进行金属化处理，以在所述芯片的表面上形成形状呈凹型的电极结构，所述电极结构至少包括沿远离所述芯片的衬底表面的方向上依次沉积的第一金属层和第二金属层；
44.s4，在所述电极结构的表面上依次形成第三金属层和金属化层，并使所述第三金属层与所述电极结构进行金属合金互联形成金属合金；
45.s5，在所述金属化层的表面上沉积铟柱材料层，以在该芯片的表面上形成形状呈凹型的铟柱，以及同时在形成所述制冷红外探测器的另一芯片上形成形状呈凸型的铟柱，以保证所述器件芯片上和所述读出电路芯片上形成的铟柱形状一个呈凹型一个呈凸型；
46.s6，利用倒焊互连工艺，将所述器件芯片和所述读出电路芯片通过所述铟柱进行互连，以得到制冷红外探测器。
47.即，在本发明提供了一种制冷红外探测器的制备方法中，通过在形成制冷红外探测器的器件芯片或读出电路芯片上形成形状呈凹型的铟柱，以及在用于形成制冷红外探测器的读出电路芯片或器件芯片上形成形状呈凸型的铟柱，之后，在形成有凹型铟柱的芯片的铟柱形状保持不变的情况下，使形成有凸型铟柱的芯片的铟柱加热后熔融与该凹型铟柱的芯片的铟柱进行倒焊互连，从而实现通过采用一冷一热的倒焊方式(具体实施可以定为上冷下热，或者下热上冷，其中冷端温度一般为0℃～30℃，热端的温度一般为80℃～250℃)，实现加强了铟柱的稳定性，并且避免其侧滑偏移和确保铟柱不容易脱落、形变的目的，而保证读出电路芯片与器件芯片的物理连接和电学连接能够满足工艺需要，并最终避免器件的问题。
48.以下结合附图和具体实施例对本发明提出的制冷红外探测器及其制备方法作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
49.图2a～图2e为本发明一实施例中的制冷红外探测器的制备方法在其制备过程中的结构示意图。
50.在步骤s1中，提供一芯片，所述芯片可以为所述制冷红外探测器的器件芯片，或者为所述制冷红外探测器的读出电路芯片，示例性的，本发明实施例中的芯片为器件芯片100，如图2a所示；其中，所述器件芯片100为形成有多个器件隔离结构和被器件隔离结构分隔开的pn结结构的衬底。
51.在本实施例中，为了解决现有技术中用于形成制冷红外探测器的读出电路芯片与
器件芯片倒焊之后产生铟柱错位和侧滑，进而导致读出电路芯片与器件芯片的物理连接和电学连接不能满足工艺需要，并最终造成器件失效的问题，本发明提出了可以在用于制冷红外探测器的器件芯片上或在用于制冷红外探测器的读出电路芯片上制备凹型的铟柱，而让其另一个芯片上制备凸型的铟柱，然后，采用一冷一热的倒焊方式，实现加强了铟柱的稳定性，并且避免其侧滑偏移和确保铟柱不容易脱落、形变的目的，而保证读出电路芯片与器件芯片的物理连接和电学连接能够满足工艺需要，并最终避免器件的问题。由于凸型的铟柱的形成过程是现有技术，对此本发明不做具体累述，并且，为了便于理解，本发明通过在器件芯片上形成凹型铟柱的过程来讲解释本发明的创新点，因此，在读出电路芯片上形成凹型铟柱的过程与此一样，对此本发明不再累述。
52.在步骤s2中，具体参考图2b所示，在所述器件芯片或所述读出电路芯片的表面上形成钝化层110，所述钝化层110中形成有第一开口101，以通过所述第一开口101暴露出部分该芯片(器件芯片100)的衬底表面。
53.其中，所述钝化层的材料可以为二氧化硅或氮化硅等有机材料。
54.在本实施例中，当所述芯片100为器件芯片时，其凹型铟柱则形成在该器件芯片上已形成的pn结结构的上方。具体的，可以先在器件芯片的表面上形成钝化层，然后，在对钝化层进行光刻和/或刻蚀工艺(干法刻蚀或湿法刻蚀)，以形成所述第一开口101。至于具体形成多少个沟槽，则需要根据所述器件芯片上形成的pn结结构的个数而定。
55.在步骤s3中，具体参考图2c所示，对形成有钝化层110的芯片100进行金属化处理，以在所述芯片100的表面上形成形状呈凹型的电极结构120，所述电极结构120至少包括沿远离所述芯片100的衬底表面的方向上依次沉积的第一金属层121和第二金属层122。其中，所述第一金属层121的材料包括金属铬、金属锡、金属钛、金属铜或钛钨合金，所述第二金属层122的材料包括金属铟。
56.在本实施例中，在步骤s2在钝化层110中形成第一开口101之后，为了表面在形成第一开口101的刻蚀工艺过程中导致的部分污染残留物，附着在剩余的钝化层110和第一开口101暴露出的所述芯片100的衬底的表面上，为此，本发明在进行步骤s3对形成有钝化层110的芯片100进行金属化处理之前，可以先对步骤s2处理的芯片100进行等离子预处理工艺和湿法清洗工艺，即，对形成有所述钝化层110的芯片100的表面进行处理，以去除所述芯片表面上附着的污染物(正电荷)。其中，等离子预处理工艺所采用的气体可以包括：氧气、氢气、氢氩、氮气或氮氢混合气体中的一种或多种；湿法清洗工艺采用的清洗溶液可以为硝酸、盐酸或有机溶液。
57.进一步的，在步骤s3形成形状呈凹型的电极结构120的过程中，其可以在对芯片100进行等离子预处理工艺和湿法清洗工艺之后，利用lift-off剥离工艺或正常的刻蚀工艺(干法刻蚀或湿法刻蚀)对其进行金属化处理。具体的，可以在芯片100的表面上以形成的钝化层110的两侧沉积光刻胶(未图示)，所述光刻胶覆盖在钝化层110两侧暴露出的所述芯片100的衬底表面，且该光刻胶的厚度高于钝化层110的厚度，然后，在钝化层110的表面上以及第一开口101中沉积第一金属层121，并对其进行光刻或刻蚀，以在第一金属层121中形成第二开口(未图示)，以便与后面沉积的第二金属层122一起形成形状呈凹型的电极结构120；之后，在已同样的方式形成第二金属层122和第三开口103；最后，在形成形状呈凹型的电极结构120之后，将覆盖在光刻胶表面上的第一金属层121和第二金属层122以及光刻胶
一起去除，从而形成图2c所示的图形。
58.在步骤s4中，具体参考图2d所示，在所述电极结构120的表面上依次形成第三金属层130和金属化层140，并使所述第三金属层130与所述电极结构120进行金属合金互联。其中，所述第三金属层130的材料包括金属铜、金属铂或金属金，所述金属化层140的材料包括所述第一金属层和/或所述第二金属层材料形成的金属合金中的至少一种金属合金。此外，所述金属化层140的材料还可以是其他现有的形成金属化层ubm的任何材料，对此本发明不做具体限定。
59.在本实施例中，利用lift-off剥离工艺或正常的刻蚀工艺(干法刻蚀或湿法刻蚀)在所述电极结构120的表面上形成形状呈凹型的第三金属层130，由于在低温下，金属铜和金属铟会发生合金互联，从而使第一金属层121、第二金属层122和第三金属层130形成铜-铟-铜低温合金，从而保证制冷红外探测器的电学特性。之后，在沉积金属化层140，由于钛元素和铜元素的熔点高，因此，在形成金属化层140后，其可以减少下层金属铟的互溶和扩散，从而增加上下膜层之间的黏附型；而金属铝的晶粒较大，因此，上层金属生长粘附性好，最终通过形成金属化层140有效的防止后续形成的铟柱的侧滑和增加其导通能力。
60.可选的，在步骤s4中形成所述金属合金物的工艺温度低于200℃。
61.需要说明的是，为了更好的实现制冷红外探测器的器件芯片和读出电路芯片的电学接触，在本发明中提出了在在制作铟柱之前就采用一层金属铟来和下面的电极形成合金共熔的方式来确保与后续形成的铟柱形成一个整体，因此，本发明形成的电极结构120至少要包括上述第一金属层121和第二金属层122，当然，在第一金属层与芯片100衬底之间还可以形成有其他一层或多层金属层作为电极结构，对此本发明不做具体限定。
62.显然，由于在本发明提供的制冷红外探测器的制备方法中，其在形成制冷红外探测器的器件芯片或读出电路芯片上形成形状呈凹型的铟柱时，其利用铟材料熔点低的特点，在制作凹型铟柱之前就采用一层金属铟来和下面的电极形成合金共熔；一方面形成合金之后，可以实现完整的电学接触，另外一方面，在合金共同熔的过程具有一定的保型性；可以做成设定的尺寸和特殊形状，来达到解决倒焊的工艺问题。
63.在步骤s5中，继续参考图2d所示，并同时参考图2e所示，在所述金属化层140的表面上沉积铟柱材料层，以在该芯片的表面上形成形状呈凹型的铟柱150，以及同时在形成所述制冷红外探测器的另一芯片上形成形状呈凸型的铟柱250，如图2e所示，以保证所述器件芯片上和所述读出电路芯片上形成的铟柱形状一个呈凹型一个呈凸型。
64.在本实施例中，可以采用工艺温度为-40℃或-20℃再或者为常温的气相沉积工艺在所述金属化层140的表面上沉积铟柱材料层，之后，在采用光刻和/或刻蚀工艺形成形状呈凹型的铟柱150。示例性的，在本发明实施例中，所述芯片100是器件芯片，即，在器件芯片上形成呈凹型的铟柱150，则在如图2e所示的读出电路芯片200上形成形状呈凸型的铟柱250，以保证所述器件芯片上和所述读出电路芯片上形成的铟柱形状一个呈凹型一个呈凸型，从而使得两个铟柱倒焊的时候压力可以缓慢释放，进而增加了接触面积。
65.在步骤s6中，利用倒焊互连工艺，将所述器件芯片和所述读出电路芯片通过所述铟柱进行互连，以得到制冷红外探测器。
66.在本实施例中，在将所述器件芯片和所述读出电路芯片通过所述铟柱倒焊互联的时候，无论是对器件芯片进行热处理且对读出电路芯片进行低温处理，或者还是对器件芯
片进行低温处理且对读出电路芯片进行热处理，均可以实现本发明提出的采用一冷一热的倒焊方式，从而实现加强了铟柱的稳定性并且避免其侧滑偏移和确保铟柱不容易脱落、形变的目的，对此本发明不做具体限定。
67.作为优选的实施例，在倒焊互连的时候，可以控制形成有凹型铟柱且材料为czt/mct的的芯片100的温度小于80℃，并同时将形成有凸型铟柱的芯片200的温度加热到140℃～210℃之间，以在形成有凹型铟柱的芯片100的铟柱150形状保持不变的情况下，使形成有凸型铟柱的芯片200的铟柱250加热后熔融与该凹型铟柱的芯片100的铟柱150进行互连。
68.在其他实施例中，还可以将形成有凹型铟柱的芯片和形成有凸型铟柱的芯片中的至少一个芯片进行加热处理，以实现所述形成有凹型铟柱的芯片和形成有凸型铟柱的芯片的变温倒焊互连，同样也实现了避免其侧滑偏移和确保铟柱不容易脱落、形变的目的，进而保证了读出电路芯片与器件芯片的物理连接和电学连接能够满足工艺需要，并最终避免器件的问题。
69.此外，基于如上所述的制冷红外探测器的制备方法，本发明还提供了一种制冷红外探测器。其中，所述制冷红外探测器可以采用所述制冷红外探测器的制备方法的制备方法制备而成。
70.综上所述，在本发明提供了一种制冷红外探测器的制备方法中，通过在形成制冷红外探测器的器件芯片或读出电路芯片上形成形状呈凹型的铟柱，以及在用于形成制冷红外探测器的读出电路芯片或器件芯片上形成形状呈凸型的铟柱，之后，在形成有凹型铟柱的芯片的铟柱形状保持不变的情况下，使形成有凸型铟柱的芯片的铟柱加热后熔融与该凹型铟柱的芯片的铟柱进行倒焊互连，从而实现通过采用一冷一热的倒焊方式(具体实施可以定为上冷下热，或者下热上冷，其中冷端温度一般为0℃～30℃，热端的温度一般为80℃～250℃)，实现加强了铟柱的稳定性，并且避免其侧滑偏移和确保铟柱不容易脱落、形变的目的，而保证读出电路芯片与器件芯片的物理连接和电学连接能够满足工艺需要，并最终避免器件的问题。
71.并且，在形成制冷红外探测器的器件芯片或读出电路芯片上形成形状呈凹型的铟柱时，其利用铟材料熔点低的特点，在制作凹型铟柱之前就采用一层金属铟来和下面的电极形成合金共熔；一方面形成合金之后，可以实现完整的电学接触，另外一方面，在合金共同熔的过程具有一定的保型性；可以做成设定的尺寸和特殊形状，来达到解决倒焊的工艺问题。
72.上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明保护范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于本发明的保护范围。
73.需要说明的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围。
74.在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际
的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
75.以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均包含在本发明的保护范围内。