光纤预制棒的制造方法、光纤预制棒及光纤与流程

技术特征：
1.一种光纤预制棒的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：对靶棒进行沉积处理，依次在靶棒上形成芯层、第一内包层、第二内包层及第三内包层，得到粉末体芯棒；将粉末体芯棒进行脱羟及玻璃化烧结，得到玻璃棒；对玻璃棒进行气相沉积或石英套管融缩，得到光纤预制棒。2.如权利要求1所述的光纤预制棒的制造方法，其特征在于：沉积所述芯层的步骤包括使用一芯层喷灯，所述芯层喷灯与水平与水平方向的夹角30
°
～90
°
，通入sicl4、gecl4、h2、o2、ar，其中sicl4流量控制在2～5g/min，gecl4流量控制在50～300cc/min，火焰温度在850～950℃，形成芯层。3.如权利要求1所述的光纤预制棒的制造方法，其特征在于：沉积所述第一内包层时，通入sicl4、碱金属掺杂剂、氟化物、h2、o2、ar，其中sicl4流量控制在5～50g/min，通入氟化物的流量控制在50～400cc/min，通入碱金属掺杂剂的流量控制在0～20cc/min，以在芯层表面形成所述第一内包层。4.如权利要求1所述的光纤预制棒的制造方法，其特征在于：沉积所述第二内包层时，通入sicl4、h2、o2、ar，其中sicl4流量控制在5～20g/min，火焰温度在1250～1400℃，以在第一内包层表面形成所述第二内包层。5.如权利要求1所述的光纤预制棒的制造方法，其特征在于：沉积所述第三内包层时，通入sicl4、氟化物、h2、o2、ar，其中sicl4流量控制在10～50g/min，氟化物的流量控制在500～1000cc/min，火焰温度在1250～1400℃，以在所述第二内包层表面形成所述第三内包层。6.如权利要求1所述的光纤预制棒的制造方法，其特征在于：通入sicl4、氟化物、h2、o2、ar，以增加和控制所述第三内包层的掺氟深度其中sicl4流量控制在0～5g/min，氟化物的流量控制在200～1000cc/min，火焰温度在1250～1400℃。7.如权利要求5所述的光纤预制棒的制造方法，其特征在于：烧结反应时，脱羟温度控制在800～1000℃，并通入400～1000cc/min的cl2以及10～30l/min的he，同时通过压力控制器控制压力在5～20pa提高脱羟效果。8.如权利要求5所述的光纤预制棒的制造方法，其特征在于：烧结反应时，脱羟结束后按照2～5℃/min的升温速率升至1300℃～1600℃，保持通入10～30l/min的he。9.如权利要求5所述的光纤预制棒的制造方法，其特征在于：烧结反应时，在1100℃～1400℃之间恒温3～6h，同时保持通入10～30l/min的he，将疏松体烧结为玻璃棒。10.一种光纤预制棒，其特征在于，所述光纤预制棒由上述权利要求1-9中任一所述光纤预制棒的制造方法制备而成。11.一种光纤，其特征在于，所述光纤由上述权利要求10中所述光纤预制棒制备而成，其特征在于：所述光纤依次包括芯层、第一内包层、第二内包层、第三内包层及外包层，其中芯层的剖面中心凹陷折射率差值为0.00～0.03，相对折射率差值为0.340～0.400％，第一内包层相对折射率差值为-0.030～-0.060％，第三内包层相对折射率差值为-0.100～-0.200％。

技术总结
一种光纤预制棒的制造方法、光纤预制棒及光纤，其中光纤预制棒的制造方法包括对靶棒进行沉积处理，依次在靶棒上形成芯层、第一内包层、第二内包层及第三内包层，得到粉末体芯棒；将粉末体芯棒进行脱羟及玻璃化烧结，得到玻璃棒；对玻璃棒进行气相沉积或石英套管融缩，得到光纤预制棒，上述光纤预制棒的制造方法、光纤预制棒及光纤，光纤预制棒制造时，一次完成光学芯层掺锗和包层掺氟结构的设计，降低生产难度，避免氟套管使用，减少生产成本，可批量生产，且通过所述光纤预制棒制造方法制得的光纤预制棒以及通过光纤预制棒制得的光纤，弯曲性能优异且衰减低。能优异且衰减低。能优异且衰减低。


技术研发人员：何亮 杨强 钱宜刚 沈一春
受保护的技术使用者：中天科技精密材料有限公司
技术研发日：2020.08.05
技术公布日：2022/2/18