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铜合金薄膜、基于铜合金薄膜服役后的保护层和制备方法与流程

2022-02-20 22:23:47 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种铜合金薄膜,其特征在于:所述铜合金薄膜为二元合金,包括铜元素以及与铜在常温、稳态条件下形成正混合熵的添加元素;其中,铜元素的质量百分含量为95~99wt%。2.根据权利要求1所述的一种铜合金薄膜,其特征在于:所述添加元素选自mo、ni、co和cr中的任一种。3.根据权利要求1所述的一种铜合金薄膜,其特征在于:所述常温为25℃,所述稳态条件具体是指使用薄膜达到热力学平衡的条件。4.一种服役后的保护层,包括基底,其特征在于:还包括权利要求1-3任一项所述的铜合金薄膜;其中,所述的铜合金薄膜位于基底表面。5.一种权利要求4所述的保护层的制备方法,其特征在于:在基底上形成具有正混合焓的铜合金薄膜;对铜合金薄膜施加能量场,使其中的添加元素析出并在铜薄膜表面形成保护层。6.根据权利要求5所述的保护层的制备方法,其特征在于:所述能量场包括电场、温度场或应力场;能量场维持时间为4~24 h。7.根据权利要求6所述的保护层的制备方法,其特征在于:所述电场是在铜合金薄膜上施加3~9v的电压形成;所述温度场的温度为25~60℃,湿度为30% ~90%rh。8.根据权利要求5所述的保护层的制备方法,其特征在于:采用物理和/或化学沉积方式在基底上形成铜合金薄膜。9.根据权利要求8所述的保护层的制备方法,其特征在于:所述物理和/或化学沉积方式包括电镀、磁控溅射、气相沉积中的任意一种或多种方式的组合。10.根据权利要求5所述的保护层,其特征在于:所述基底包括金属基底或树脂基底。

技术总结
本发明公开了一种铜合金薄膜、基于铜合金薄膜服役后的保护层和制备方法,该铜合金薄膜为二元合金,包括铜元素以及可以与铜形成正混合熵的添加元素;铜元素的质量百分含量为95~99wt%;通过先在基底上形成具有正混合焓的铜合金薄膜;然后对铜合金薄膜施加能量场,使其中的添加元素析出并在铜薄膜表面形成保护层。本发明采取具有正的混合焓的铜合金薄膜,通过压差的作用导致合金中的添加元素向表面运动,最终使添加元素覆盖在铜上,抑制了金属铜的电化学迁移,提高铜线路板对电化学迁移的抵抗能力,整体制备方法可以一次形成双元素镀层,简化了工艺,提高了镀层的可靠性。提高了镀层的可靠性。提高了镀层的可靠性。


技术研发人员:王小京 丁梓峰 李溯杰 高幸 刘瑞 刘宁
受保护的技术使用者:江苏科技大学
技术研发日:2021.11.25
技术公布日:2022/2/18
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