半导体零部件、等离子体反应装置和涂层形成方法与流程

技术特征：
1.一种半导体零部件，包括零部件本体，其特征在于，所述零部件本体表面具有耐等离子体涂层，所述耐等离子体涂层包括至少两种稀土金属元素的氧化物、氧氟化物或氟化物中的一种或多种，其中一种稀土元素为铈元素，所述铈元素使氧空位的活性高，活性高的氧空位能够分解等离子体环境中的碳氟聚合物形成气态小分子。2.根据权利要求1所述的一种半导体零部件，其特征在于，所述耐等离子体涂层中除铈元素之外的稀土元素为：镥、锆或铒中的一种或多种。3.根据权利要求2所述的一种半导体零部件，其特征在于，所述耐等离子体涂层为铈-镥固溶体、铈-锆固溶体和铈-镥-锆固溶体中的一种或多种。4.根据权利要求3所述的一种半导体零部件，其特征在于，所述铈-镥固溶体的化学式为lu
a
ce
b
o
1.5
，其中0.4<a<1，a b＝1。5.根据权利要求3所述的一种半导体零部件，其特征在于，所述铈-锆固溶体的化学式为zr
a
ce
b
o2，其中0.4<a<1，a b＝1。6.根据权利要求3所述的一种半导体零部件，其特征在于，所述铈-镥-锆固溶体的化学式为lu
a
ce
b
zr
c
o
1.5
，其中0.4<a<1，a b c＝1。7.一种耐等离子体涂层形成方法，其特征在于，包括：提供零部件本体；在所述零部件本体的表面形成如权利要求1至权利要求6任一项所述的耐等离子体涂层。8.根据权利要求7所述的一种耐等离子体涂层形成方法，其特征在于，所述耐等离子体涂层的形成工艺包括：物理气相沉积法、化学气相沉积法、金属有机化合物气相沉积法或原子层沉积法中的一种或多种。9.一种等离子体反应装置，其特征在于，包括：反应腔，所述反应腔内为等离子体环境；以及如权利要求1至6任一项所述的半导体零部件，所述半导体零部件暴露于所述等离子体环境中。10.根据权利要求9所述的等离子体反应装置，其特征在于，所述等离子体反应装置为电感耦合等离子体反应装置，所述半导体零部件包括：陶瓷盖板、衬套、气体喷嘴、气体连接法兰、聚焦环、绝缘环、静电卡盘、覆盖环或等离子体约束装置中的至少一种。11.根据权利要求9所述的等离子体反应装置，其特征在于，所述等离子体反应装置为电容耦合等离子体反应装置，所述半导体零部件包括：喷淋头、气体分配板、上接地环、下接地环、气体管路、聚焦环、绝缘环、静电卡盘、覆盖环或等离子体约束装置中的至少一种。

技术总结
本发明涉及半导体加工技术领域，具体公开了一种半导体零部件，包括零部件本体，零部件本体表面具有耐等离子体涂层，耐等离子体涂层包括至少两种稀土金属元素的氧化物、氧氟化物或氟化物中的一种或多种，其中一种稀土元素为铈元素，铈元素使氧空位的活性较高，活性较高的氧空位能够分解等离子体环境中的碳氟聚合物。由于铈元素具有化学价态可调的性质，并且在等离子体反应装置中的工作环境下，具有易释放晶格氧和恢复晶格氧的特点，因此在刻蚀过程中能够将碳氟聚合物分解为气体，将等离子体作用下生成的氟化物还原为氧化物，进而防止碳氟聚合物和氟化物以颗粒的形式脱落，避免反应腔内环境污染。内环境污染。内环境污染。


技术研发人员：孙祥 段蛟 陈星建
受保护的技术使用者：中微半导体设备（上海）股份有限公司
技术研发日：2020.08.05
技术公布日：2022/2/18