屏蔽装置及电器的制作方法

1.本技术涉及电磁屏蔽技术领域，尤其涉及一种屏蔽装置及电器。


背景技术：

2.随着家用电器的功能越来越多，pcb板内各器件也越来越密集。其中磁性器件所产生的空间电磁辐射干扰日益严重，使得emi滤波器在高频范围内的性能恶化。为了减少这些磁性器件所发散的诸多辐射干扰，通过使用屏蔽层来避免使得emi滤波组件受到磁性器件的辐射影响，是减轻耦合的有效技术之一。传统屏蔽技术在针对磁性器件进行屏蔽时，常采用屏蔽层密封包裹磁器件，然而这种采用屏蔽方式，会加剧磁器件自身的温升问题，特别是对于在一些强电处的磁性器件，电磁屏蔽效果较差，且温升问题影响更加严重，随着使用时间的增加，导致电器整体性能的下降。


技术实现要素：

3.为了解决强电位置处磁器件的温升问题严重、电磁屏蔽效果差的技术问题，本技术的主要目的在于，提供一种能够削弱强电位置处磁器件温升问题、电磁屏蔽效果优异的一种屏蔽装置及电器。
4.为实现上述发明目的，本技术采用如下技术方案：
5.根据本技术的一个方面，提供了一种屏蔽装置，包括：
6.第一罩体，包括相对设置的第一屏蔽板及第二屏蔽板，所述第一屏蔽板对位于待屏蔽磁器件的第一侧面，所述第二屏蔽板对位于待屏蔽磁器件的第二侧面，以及，
7.第二罩体，包括相对设置的第三屏蔽板及第四屏蔽板，所述第三屏蔽板对位于所述待屏蔽磁器件的第三侧面，所述第四屏蔽板对位于所述待屏蔽磁器件的第四侧面；
8.其中，所述第一罩体与所述第二罩体装配围成容纳所述待屏蔽磁器件的屏蔽腔；所述第一罩体与所述第二罩体之间具有散热开口，以使所述待屏蔽磁器件的热量由所述散热开口排出。
9.根据本技术的一实施方式，其中所述第一屏蔽板、所述第二屏蔽板、所述第三屏蔽板及所述第四屏蔽板两两相邻处均设有所述散热开口。
10.根据本技术的一实施方式，其中所述第一罩体包括第一连接板，所述第一连接板两端分别连接于所述第一屏蔽板一端及所述第二屏蔽板一端；所述第二罩体包括第二连接板，所述第二连接板两端分别连接于所述第三屏蔽板一端及所述第四屏蔽板一端；其中，
11.所述第一连接板以及所述第二连接板均对位于所述待屏蔽磁器件的第五侧面；或者，
12.所述第二连接板对位于所述待屏蔽磁器件的第五侧面，而一个或两个第一连接板分别对位于所述第三屏蔽板以及/或者第四屏蔽板。
13.根据本技术的一实施方式，其中所述第二连接板的两侧与所述第一屏蔽板或所述第二屏蔽板的相邻处分别形成有所述散热开口。
14.根据本技术的一实施方式，其中所述第一连接板以及所述第二连接板均对位于待屏蔽磁器件的第五侧面，所述第一连接板与所述第二连接板之间具有间隔腔，以使热量通过所述间隔腔排出。
15.根据本技术的一实施方式，其中包括多个第一罩体，多个所述第一罩体沿第一方向间隔设置，包括多个所述第二罩体，多个所述第二罩体沿第二方向间隔设置，以使所述间隔腔分割为多个散热孔，所述屏蔽腔内的热量通过多个所述散热孔排出。
16.根据本技术的一实施方式，其中多个所述散热孔构成网格结构分布于所述待屏蔽磁器件的周侧。
17.根据本技术的一实施方式，其中所述第一连接板以及/或者所述第二连接板面向所述间隔腔的一侧设置有绝缘层，以使所述第一罩体与所述第二罩体电绝缘。
18.根据本技术的一实施方式，其中所述第一连接板与所述第二连接板叠放后形成堆叠屏蔽板，所述堆叠屏蔽板面向所述第五侧面，所述第五侧面的漏磁磁通量大于所述第一侧面、所述第二侧面、所述第三侧面及所述第四侧面的漏磁磁通量。
19.根据本技术的一实施方式，其中所述第一罩体及所述第二罩体均呈u形结构或回形结构。
20.根据本技术的一实施方式，其中包括消磁电路，所述消磁电路包括串接的消磁电阻与消磁电容，以及/或者，
21.所述消磁电路包括消磁珠电路。
22.根据本技术的一实施方式，其中所述消磁电路两端分别连接于所述第一罩体与所述第二罩体之间，或者，
23.所述消磁电路两端分别连接于第一屏蔽板及所述第二屏蔽板之间，或者，
24.所述消磁电路两端分别连接于第三屏蔽板及所述第四屏蔽板之间。
25.根据本技术的一实施方式，其中包括底座及引脚，所述待屏蔽磁器件装配于所述底座，所述引脚的第一端装配于所述第一罩体及所述第二罩体，所述引脚的第二端装配于所述底座，所述第一罩体及所述第二罩体通过所述引脚与所述底座接地连接。
26.根据本技术的另一方面，提供一种电器，包括所述的屏蔽装置。
27.由上述技术方案可知，本技术的一种屏蔽装置及电器的优点和积极效果在于：
28.通过第一罩体与第二罩体对磁器件进行电磁屏蔽，并通过第一屏蔽板、第二屏蔽板、第三屏蔽板、第四屏蔽板待屏蔽磁器件在第一侧面、第二侧面、第三侧面及第四侧面向周侧辐射的电磁，另一方面通过所述散热开口使所述待屏蔽磁器件的热量通过所述散热开口快速排出，进而减小屏蔽腔内的温度，有效避免所述磁器件位置处的温升问题，提高电磁屏蔽效果的可靠性及稳定性。
附图说明
29.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
30.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
31.图1为本技术实施例提供的一种屏蔽装置的第一实施例整体结构示意图；
32.图2为本技术实施例提供的一种屏蔽装置的第一实施例中部分整体结构示意图；
33.图3为本技术实施例提供的一种屏蔽装置的第一实施例中第一罩体的结构示意图；
34.图4为本技术实施例提供的一种屏蔽装置的第一实施例中第二罩体的结构示意图；
35.图5为本技术实施例提供的一种屏蔽装置的磁器件的结构示意图；
36.图6为本技术实施例提供的一种屏蔽装置的第二实施例整体结构示意图；
37.图7为本技术实施例提供的一种屏蔽装置的第二实施例另一整体结构示意图；
38.图8为本技术实施例提供的一种屏蔽装置的第三实施例整体结构示意图；
39.图9为本技术实施例提供的一种屏蔽装置中消磁电路的一种电连接结构示意图；
40.图10为本技术实施例提供的一种屏蔽装置中消磁电路的另一种电连接结构示意图；
41.图11为本技术实施例提供的一种屏蔽装置中消磁电路的另一种电连接结构示意图；
42.图12为本技术实施例提供的一种电器未装配屏蔽装置的中连接线骚扰功率图；
43.图13为本技术实施例体用的一种电器装配屏蔽装置的中连接线骚扰功率图。
44.其中：
45.1、第一罩体；101、第一屏蔽板；102、第二屏蔽板；103、第一连接板；
46.2、第二罩体；201、第三屏蔽板；202、第四屏蔽板；203、第二连接板；
47.100、散热开口；110、散热孔；
48.200、屏蔽腔；300、绝缘层；
49.3、底座；4、引脚；
50.5、消磁电路；511、rc电路；512、磁珠；
51.6、待屏蔽磁器件；
52.501、第一放电回路；502、第二放电回路；
53.400、第一方向；500、第二方向；600、间隔腔。
具体实施方式
54.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
55.随着家用电器的功能越来越多，pcb板内各器件也越来越密集，其中磁性器件所产生的空间电磁辐射干扰日益严重，使得emi滤波器在高频范围内的性能恶化。为了减少这些磁性器件所发散的诸多辐射干扰，通过使用屏蔽层来避免使得emi滤波组件受到磁性器件的辐射影响，是减轻耦合的有效技术之一。传统屏蔽技术在针对磁性器件进行屏蔽时，常采用屏蔽层密封包裹待屏蔽磁器件，然而这种采用屏蔽方式，会加剧待屏蔽磁器件自身的温升问题，特别是对于在一些强电处的磁性器件，电磁屏蔽效果较差，且温升问题影响更加严
重，随着使用时间的增加，导致电器整体性能的下降。且在传统屏蔽技术仅针对pcb板中的开关电源部分进行屏蔽，却忽略了在高频状态下，强电处的磁性器件也会存在非常严重的电磁耦合效应，这些电磁耦合带来了大量的寄生参数，使得emi的高频辐射出现测试超标。为了解决现有技术中强电位置处待屏蔽磁器件的温升问题严重，电磁屏蔽效果差的技术问题，本技术的主要目的在于，提供一种能够削弱强电位置处待屏蔽磁器件温升问题、电磁屏蔽效果优异的一种屏蔽装置及电器。
56.根据本技术的一个方面，提供了一种屏蔽装置，包括：
57.第一罩体1，包括相对设置的第一屏蔽板101及第二屏蔽板102，所述第一屏蔽板101对位于待屏蔽磁器件的第一侧面，所述第二屏蔽板102对位于待屏蔽磁器件的第二侧面，以及，
58.第二罩体2，包括相对设置的第三屏蔽板201及第四屏蔽板202，所述第三屏蔽板201对位于所述待屏蔽磁器件6的第三侧面，所述第四屏蔽板202对位于所述待屏蔽磁器件6的第四侧面；
59.其中，所述第一罩体1与所述第二罩体2装配围成容纳所述待屏蔽磁器件6的屏蔽腔200；所述第一罩体1与所述第二罩体2之间具有散热开口100，以使所述待屏蔽磁器件6的热量由所述散热开口100排出。
60.通过第一罩体1与第二罩体2对待屏蔽磁器件6进行电磁屏蔽，通过第一罩体与第二罩体对磁器件进行电磁屏蔽，并通过第一屏蔽板101、第二屏蔽板102、第三屏蔽板201、第四屏蔽板202待屏蔽磁器件在第一侧面、第二侧面、第三侧面及第四侧面向周侧辐射的电磁，另一方面通过所述散热开口100使所述待屏蔽磁器件6的热量通过所述散热开口100快速排出，进而减小屏蔽腔200内的温度，有效避免所述待屏蔽磁器件6位置处的温升问题，提高电磁屏蔽效果的可靠性及稳定性。
61.参考图1为本技术实施例提供的一种屏蔽装置的第一实施例整体结构示意图所示，因强电电路中的磁性器件大多发热剧烈，常规的屏蔽结构不能满足其的散热需求，会导致待屏蔽磁器件6过热引起元器件本身的功能失效，重则可能因温升过高导致电气安全问题，本技术通过所述第一罩体与所述第二罩体装配围成容纳所述待屏蔽磁器件6的屏蔽腔200；所述第一罩体1与所述第二罩体2之间具有散热开口100，使所述待屏蔽磁器件6的热量由所述散热开口100排出。
62.通过所述第一屏蔽板101、所述第二屏蔽板102、所述第三屏蔽板201、所述第四屏蔽板202围绕所述待屏蔽磁器件6的四个不同的侧面，提高电磁屏蔽效果，且通过所述散热开口100使所述屏蔽腔形成非封闭式的腔体，也就是使所述屏蔽腔200通过所述散热开口100与外部环境进行热交换，在屏蔽所述待屏蔽磁器件6电磁辐射的同时，提高所述待屏蔽磁器件6的散热效率，而所述散热开口100的位置可根据实际使用情况设置于所述第一罩体1的两侧，或所述第二罩体2的两侧，以通过预留的散热开口100来满足实际使用需求。
63.参考图2为本技术实施例提供的一种屏蔽装置的第一实施例中部分整体结构示意图所示，根据本技术的一实施方式，其中所述第一屏蔽板101、所述第二屏蔽板102、所述第三屏蔽板201及所述第四屏蔽板202两两相邻处均设有所述散热开口100。也就可通过所述第一屏蔽板101、所述第二屏蔽板102、所述第三屏蔽板201及所述第四屏蔽板202屏蔽漏磁磁通较大的面积，一方面通过进而使所述屏蔽腔200内的热量与所述外接环境的热量进行
热交换，另一方面，还可通过各个屏蔽板之间设置于相邻处的散热开口100以提高所述待屏蔽磁器件6的散热效率。
64.作为示例，所述第一罩体1及所述第二罩体2可设置为导电及导热良好的金属材料，作为示例，可设置为铜、铁、铝、锌、硅钢材料，以对所述待屏蔽磁器件6向外部辐射的电磁进行屏蔽，同时通过所述金属材料提高与外界环境的换热效率。
65.参考图3为本技术实施例提供的一种屏蔽装置的第一实施例中第一罩体的结构示意图及图4为本技术实施例提供的一种屏蔽装置的第一实施例中第二罩体的结构示意图所示，作为示例，所述第一罩体1与所述第二罩体2为分体结构，所述第一罩体1与所述第二罩体2可通过扣合的方式，环绕所述待屏蔽磁器件6的周侧形成屏蔽腔200，所述屏蔽腔200的内径略大于所述待屏蔽磁器件6，一方面，通过灵活设置的所述第一屏蔽板101、所述第二屏蔽板102、所述第三屏蔽板201及所述第四屏蔽板202对不同结构的待屏蔽磁器件6进行电磁屏蔽，提高适用范围，另一方面，方便调整所述散热开口100的位置，以对所述屏蔽装置对所述待屏蔽磁器件6的电磁屏蔽效果及散热效果进行均衡地调整，提高使用时的灵活性，方便用户使用。
66.作为示例，所述第一罩体1与所述第二罩体2的尺寸可以发生调整，故对于屏蔽腔200体积和散热开口100的大小均可作调整，因此可以针对多种现场情况来进行改变。
67.优选的，所述第一屏蔽板101、所述第二屏蔽板102、所述第三屏蔽板201及所述第四屏蔽板202及所述散热开口100安装位置，最优实施情况下所述待屏蔽磁器件6的各个面需要同与各个对应的屏蔽板尽量贴合，且所述各个屏蔽板应尽可能的覆盖待屏蔽磁器件6的截面，以提高所述待屏蔽磁器件6周侧漏磁的电磁屏蔽效果。
68.优选的，所述第一罩体1与所述第二罩体2可采用不同磁感率的材料制成，以通过所述第一罩体1及所述第二罩体2兼顾低频及高频的电磁屏蔽效果。
69.参考图5为本技术实施例提供的一种屏蔽装置的待屏蔽磁器件6的结构示意图所示，作为示例，可使所述待屏蔽磁器件6为铁芯与线圈的组合，线圈套装在所述铁芯上，当线圈内有电流通过使，会在线圈的周围的空间形成磁场，由于铁芯的导磁性能比空气好得多，所以绝大部分磁通将在铁芯内通过，这部份磁通称为主磁通，优选的，可将所述堆叠屏蔽板设置于所述铁芯的两端，并靠近所述铁芯的两个端面位置，以通过所述堆叠屏蔽板屏蔽对大部分漏磁。
70.需要说明的是，漏磁是指在磁屏敝的设备里，磁屏敝设备以外的磁场部分。漏磁是磁源通过特定磁路泄露在空气(空间)中的磁场能量。
71.此外，最优的，所述堆叠屏蔽板应分别由磁感率高和磁感率低的两种不同材料叠加组成，兼顾低频和高频的屏蔽效果。
72.优选的，可采用多个所述第一罩体1与所述第二罩体2叠层设置，叠层数量越多，电磁屏蔽效果会更加显著。且在多叠层的基础上可分别采用不同材质的屏蔽材料，从而使屏蔽的频率范围在所述第一罩体1与所述第二罩体2之间。参考图1为本技术实施例提供的一种屏蔽装置的第一实施例整体结构示意图及图6为本技术实施例提供的一种屏蔽装置的第二实施例整体结构示意图所示，根据本技术的一实施方式，其中所述第一罩体1包括第一连接板103，所述第一连接板103两端分别连接于所述第一屏蔽板101一端及所述第二屏蔽板102一端；所述第二罩体2包括第二连接板203，所述第二连接板203两端分别连接于所述第
三屏蔽板201一端及所述第四屏蔽板202一端；其中，
73.所述第一连接板103以及所述第二连接板203均对位于所述待屏蔽磁器件6的第五侧面；也就是，使所述第一罩体1为门型结构，所述第二罩体2为门型结构，通过所述第一连接板103与所述第二连接板203在所述第五侧面形成双层屏蔽板的结构，以提高所述第五侧面的电磁屏蔽效果。
74.或者，
75.所述第二连接板203对位于所述待屏蔽磁器件6的第五侧面，而一个或两个第一连接板103分别对位于所述第三屏蔽板201以及/或者第四屏蔽板202。
76.也就是，在通过所述第二连接板203对接所述待屏蔽磁器件6的所述第五侧面，通过所述第二连接板203连接所述第三屏蔽板201及所述第四屏蔽板202构成u形即门型结构；
77.使所述第一连接板103连接所述第一屏蔽板101及所述第二屏蔽板102，形成u形结构的第二罩体2，使第一连接板103对位于所述第三屏蔽板201，进而在所述第三侧面形成双层的屏蔽板，加强所述待屏蔽磁性件6在第三侧面的电磁屏蔽效果。
78.同样的，使所述第一连接板103连接所述第一屏蔽板101及所述第二屏蔽板102，形成u形结构的第二罩体，使所述第一连接板103对位于所述第四屏蔽板202，进而在所述第四侧面形成双层的屏蔽板，加强所述待屏蔽磁性件6在第四侧面的电磁屏蔽效果。
79.参考图6及图7所示，在另一实施例中，所述第二连接板203对位于所述待屏蔽磁器件的第五侧面，而一个或两个第一连接板103分别对位于所述第三屏蔽板201以及/或者第四屏蔽板202。
80.也就是，在通过所述第二连接板203对接所述待屏蔽磁器件的所述第五侧面，通过所述第二连接板203连接所述第三屏蔽板201及所述第四屏蔽板202构成u形即门型结构；
81.设置两个所述第一连接板103，分别通过两个所述第一连接板103连接所述第一屏蔽板101及所述第二屏蔽板102的两端，也就是通过两个所述第一连接板103使所述第一罩体形成回形的闭口结构，使所述其中一个所述第一连接板103对位于所述第三屏蔽板201，另一所述第一连接板103对位于所述第四屏蔽板202，进而能够同时加强所述第三侧面及所述第四侧面的电磁屏蔽效果。
82.可通过调整所述第一罩体与所述第二罩体的尺寸，使所述第一连接板103对位于所述第二连接板203、第三屏蔽板201或所述第四屏蔽板202，同时提高所述电磁屏蔽装置的屏蔽的灵活性。
83.根据本技术的一实施方式，其中所述第二连接板203的两侧与所述第一屏蔽板101或所述第二屏蔽板102的相邻处分别形成有所述散热开口100。
84.根据本技术的一实施方式，其中所述第一连接板103以及所述第二连接板203均对位于待屏蔽磁器件6的第五侧面，所述第一连接板103与所述第二连接板203之间具有间隔腔600，以使热量通过所述间隔腔600排出。
85.进而通过所述间隔腔600，使所述第一连接板103与所述第二连接板203间隔设置，使外界环境的空气能够与所述间隔腔600气流通，提高所述对所述第一连接板103及所述第二连接板203的换热面积，另一方面，可通过所述散热开口100使所述屏蔽腔与所述间隔腔600连通，进一步提高所述电磁屏蔽装置整体的散热效果。
86.根据本技术的一实施方式，其中所述第一罩体1具有第一连接板103，所述第二罩
体2具有第二连接板203，所述第一连接板103面向所述第二连接板203形成堆叠屏蔽板，所述堆叠屏蔽板设置于所述待屏蔽磁器件6周侧。
87.优选的，所述其中所述第一连接板103与所述第二连接板203叠放后形成堆叠屏蔽板，所述堆叠屏蔽板面向所述第五侧面，所述第五侧面的漏磁磁通量大于所述第一侧面、所述第二侧面、所述第三侧面及所述第四侧面的漏磁磁通量。
88.参考图1所示，优选的，所述堆叠屏蔽板设置于所述待屏蔽磁器件6的周侧，进而加强对应待屏蔽磁器件6对应面的电磁屏蔽效果，优选的，可将所述堆叠屏蔽板设置于所述第五侧面时，可有效提高屏蔽效果，同时节省整体结构的制造成本。
89.所述第一罩体1与所述第二罩体2中包括单层屏蔽板，通过单层屏蔽板对所述第一侧面、所述第二侧面、所述第三侧面及所述第四侧面的漏磁进行屏蔽，进而提高所述屏蔽装置整体的屏蔽效果。
90.根据本技术的一实施方式，其中所述第一连接板103与所述第二连接板203之间具有电连接件(图中未示出)，以使所述第一罩体1及所述第二罩体2电导通。
91.作为示例，所述第一罩体1与所述第二罩体2通过所述第一连接板103与所述第二连接板203可叠放在一起，所述第一罩体1可设置有多个，所述第二罩体2可设置多个，作为示例，以一个所述第一罩体1及一个所述第二罩体2进行叠放组装，可以将所述第一罩体1与所述第二罩体2通过所述第一连接板103与所述第二连接板203可叠放在一起进行叠放，如图1所示，使所述第一连接板103与所述第二连接板203设置于所述待屏蔽磁器件6背离所述安装面的一侧，如设置于所述待屏蔽磁器件6的顶部。
92.作为示例，在所述第一连接板103与所述第二连接板203之间设置电连接件(图中未示出)，所述电连接件可使用焊接、螺钉、榫卯结构等方式进行紧密连接，一方面可通过所述电连接件确保整体屏蔽装置为电导通良好的状态，另一方面，通过所述电连接件加强整体屏蔽装置的机械稳定性，避免电器工作过程中产生共振后，使所述第一罩体1与所述第二罩体2错位分离的问题，进一步提高电磁屏蔽的稳定性及可靠性。
93.此时因整体为导通状态，故只需在所述第一罩体1或所述第二罩体2其中一个的底面设置消磁电路5，通过所述消磁电路5加速所述第一罩体1及所述第二罩体2对所述待屏蔽磁器件6的电磁消耗。
94.作为示例，所述第一罩体1与所述第二罩体2组成的一组电磁屏蔽件，还可包括多组电磁屏蔽件进行组装，以进一步提高所述待屏蔽磁器件6的电磁屏蔽性能。
95.根据本技术的一实施方式，其中所述第一连接板103以及/或者所述第二连接板203面向所述间隔腔600的一侧设置有绝缘层300，以使所述第一罩体1与所述第二罩体2电绝缘。
96.作为示例，所述第一连接板103与所述第二连接板203之间具有绝缘层300，以使所述第一罩体1与所述第二罩体2电绝缘，以通过所述绝缘层300减小所述第一罩体1与所述第二罩体2产生的电磁辐射。
97.根据本技术的一实施方式，其中所述绝缘层300为所述第一连接板103与所述第二连接板203之间围成的绝缘散热腔，或；
98.所述第一连接板103与所述第二连接板203之间设置的绝缘层。
99.作为示例，可在所述第一连接板103与所述第二连接板203相对的上涂覆绝缘涂
层，以通过所述绝缘涂层避免所述第一罩体1与所述第二罩体2电导通，同时，使所述第一连接板103与所述第二连接板203之间预留散热缝隙，进而在提高所述第一罩体1与所述第二罩体2之间的绝缘性上，同时还可提高待屏蔽磁器件6的热量在所述第一连接板103与所述第二连接板203之间的热量集中。
100.进一步的，可控制所述第一连接板103表面的绝缘涂层的材料与所述第二连接板203绝缘涂层的材料种类不同，以使所述第一连接板103与所述第二连接板203之间形成的绝缘散热腔不同面对漏磁的束磁能力不同，进而改变所述绝缘散热腔内磁力线的环绕方向及磁感线的分布，以使漏磁能够被限制于所述绝缘散热腔内，从而通过所述第一罩体1与所述第二罩体2对漏磁进行屏蔽，进而提高电磁屏蔽效果。
101.作为示例，参考图10为本技术实施例提供的一种屏蔽装置中消磁电路5的另一种电连接结构示意图所示，作为示例，可将所述消磁电路5设置有两个，使所述第一罩体1与所述第二罩体2各连接一个所述消磁电路5，以通过不同的所述消磁电路5分别对所述第一罩体1及所述第二罩体2的屏蔽效果进行控制，方便用户在使用时针对所述待屏蔽磁器件6不同的位置处的电磁辐射强度进行调整，提高所述屏蔽装置的整体适用范围，通过串接消磁电路5有效避免产品之间的电磁干扰问题，从而增加屏蔽效能。
102.参考图1为本技术实施例提供的一种屏蔽装置的第一实施例整体结构示意图及图7为本技术实施例提供的一种屏蔽装置的第二实施例另一整体结构示意图所示，根据本技术的一实施方式，其中包括底座3及引脚4，所述待屏蔽磁器件6装配于所述底座3。
103.作为示例，可通过在所述第一罩体1与所述第二罩体2预留引脚4接地，可通过在第一罩体1或所述第二罩体2表面焊接引线连接至底座3接地引脚，也可通过插装结构连接，或是复合方式，优选的，根据电阻并联阻值减小的原理，接地点应尽可能的多，以保证罩体与底座3之间接地的良好性。
104.作为示例，使所述第一罩体1与所述第二罩体2均为铜箔材质，并通过用焊锡将所述第一罩体1与所述第二罩体2连接并使用接地引线(相当于引脚4)连接至底座3接地，同时也采用了多点接地方式降低接地阻抗，使得其接地性能更加良好。
105.参考图4为本技术实施例提供的一种屏蔽装置的第一实施例中第二罩体的结构示意图所示，所述引脚4设置于所述第一罩体1和/或所述第二罩体2，以使所述第一罩体1和/或所述第二罩体2通过所述引脚4与所述底座3电连接。
106.根据本技术的一实施方式，其中所述消磁电路两端分别连接于所述第一罩体与所述第二罩体之间，或者，
107.所述消磁电路两端分别连接于第一屏蔽板101及所述第二屏蔽板102之间，或者，
108.所述消磁电路两端分别连接于第三屏蔽板201及所述第四屏蔽板202之间。
109.作为示例，消磁电路5，所述消磁电路5通过引脚4与所述第一罩体1构成有第一放电回路501；和/或；
110.所述消磁电路5通过引脚4与所述第二罩体2构成第二放电回路502。
111.参考图9为本技术实施例提供的一种屏蔽装置中消磁电路的一种电连接结构示意图，通过在所述第一罩体1或所述第二罩体2在面向所述底座3的一侧通过焊接的方式焊接引脚4，通过引脚4使所述第一罩体1和/或所述第二罩体2与所述底座3电连接，进而通过所述底座3使所述第一罩体1与所述第二罩体2接地连接，进一步提高电磁屏蔽效果。
112.同时，由于第一罩体1及所述第二罩体2抵接于所述底座3上，可将第一罩体1与所述第二罩体2的热量传递至所述底座3位置，以提高对所述待屏蔽磁器件6的散热效果。
113.优选的，所述底座3的可选用与所述第一罩体1或所述第二罩体2相同的导电、导热材料。
114.参考图11为本技术实施例提供的一种屏蔽装置中消磁电路的另一种电连接结构示意图所示，作为示例，当所述第一罩体1与所述第二罩体2电导通时，也就是所述第一连接板103与所述第二连接板203通过所述电连接件电导通时，可在所述第一罩体1或所述第二罩体2串接一个消磁电路5即可对所述第一罩体1及所述第二罩体2进行消磁。
115.参考图10为本技术实施例提供的一种屏蔽装置中消磁电路的另一种电连接结构示意图所示，当所述第一罩体1与所述第二罩体2处于非电导通的状态，也就是所述第一连接板103与所述第二连接板203之间具有绝缘层时，可在所述第一罩体1的底部设置多个引脚4，通过所述引脚4与一个所述消磁电路5电连接形成第一放电回路501，同样，在所述第二罩体2的底部设置多个引脚4，通过所述引脚4串接另一个所述消磁电路5形成第二放电回路502，即可以通过两个消磁电路5调整对第一罩体1与所述第二罩体2对所述待屏蔽磁器件6的电磁屏蔽效果，提高使用的灵活性。
116.通过绝缘层，也就是使用绝缘薄膜、涂层等绝缘层将两者隔开(即要求两部分为不导通状态)。而后分别接地，在接地引脚4处可用rc(消磁电阻串联消磁电容)电路相连、或使用磁珠512连接。该方法可在起到屏蔽磁性器件干扰的同时，避免高频状态下浮地干扰电流通过两个接地的屏蔽壳而成为天线，通过磁珠512和rc电路511可有效吸收其中的干扰。
117.在所述第一连接板103与所述第二连接板203叠放的基础上使用绝缘层将所述第一罩体1与所述第二罩体2进行隔离，此时两者为不导通状态。因此可以在下方pcb的电路板上预留设计两组rc电路511或阻尼电路相连，从而共形成两组环形屏蔽，能更进一步的加速对吸收干扰的消耗。
118.参考图10及图11所示，包括消磁电路5，所述消磁电路5包括串接的消磁电阻与消磁电容，以及/或者，
119.所述消磁电路包括消磁珠电路。以通过所述消磁电阻与所述消磁电容对所述第一罩体1和/或所述第二罩体2的电磁进行电磁屏蔽，或通过消磁珠电路加快所述第一罩体1和/或所述第二罩体2的电磁消耗，进而提高所述屏蔽装置的电磁消耗效果。
120.作为示例，其中所述消磁电路5为串接rc电路511作为所述消磁电阻与消磁电容电路，和/或串接磁珠512作为所述消磁珠电路。
121.作为示例，通过所述引脚4与导线串接rc电路511，所述rc电路511为由一个电阻器(消磁电阻)和一个电容器(消磁电容)组成，参考图9所示，可通过所述引脚4串接rc电路511或串接磁珠512，构成充放电回路或者增加阻尼，该“口”形结构形成回路，通过上述消磁电路5能加速整体屏蔽装置对吸收干扰的消耗从而达到提高屏蔽效能的作用。
122.其中，该消磁电路5可以在pcb板上预留元器件的安装位置实现，且可自由调整rc参数和阻尼大小，进一步提高使用的灵活性。
123.根据本技术的一实施方式，其中包括多个第一罩体1，多个所述第一罩体1沿第一方向400间隔设置，包括多个所述第二罩体2，多个所述第二罩体2沿第二方向500间隔设置，以使所述散热开口100分割形成多个散热孔110，所述屏蔽腔200内热量通过多个所述散热
孔110排出。
124.作为示例，所述第一罩体1及所述第二罩体2均成u型杆状结构，多个所述第一罩体1沿第一方向400间隔设置，进而在相邻两个所述第一罩体1之间形成第一散热开口100；
125.多个所述第二罩体2沿第二方向500间隔设置，进而在相邻的两个所述第二罩体2之间形成第二散热开口100，当所述第一方向400与所述第二方向500之间具有0-180
°
的夹角时，在堆叠屏蔽板位置所述第一散热开口100被多个所述第二罩体2分割为多个所述散热孔110，所述第二散热开口100被多个所述第一罩体1分割为多个散热孔110，进而通过所述堆叠屏蔽板提高电磁屏蔽效果的同时，增加散热孔110的数量，进一步避免所述待屏蔽磁器件6的温升问题。
126.根据本技术的一实施方式，其中多个所述散热孔110构成网格结构分布于所述待屏蔽磁器件6的周侧。
127.参考图8为本技术实施例提供的一种屏蔽装置的第三实施例整体结构示意图所示，使多个所述第一罩体1沿第一方向400间隔设置及多个所述第二罩体2沿第二方向500间隔设置，以使屏蔽装置呈栏杆结构排列组成，构成一种基于法拉第笼效应设计的笼形结构的屏蔽结构，作为示例，使所述第一罩体1及所述第二罩体2成栏杆结构，四个侧面由栏杆排列组成，顶面则由不同方向的栏杆交错而成。其中顶面要求方向不同的栏杆通过焊接等方式紧密连接在一起，要求整个笼状结构的每两条栏杆间均相互电导通。
128.本专利提出的笼状结构没有具体界定，但是要求所述笼状结构的内形成的屏蔽腔200一定要大于或等于所需要屏蔽的待屏蔽磁器件6的体积。
129.作为示例，所述笼状结构可设置为方形结构，所述笼状结构仍可以是曲面、多面体等其他结构。
130.根据本技术的一实施方式，其中所述第一罩体1及所述第二罩体2均呈u形结构或回形结构。
131.作为示例，参考图1-9所示，所述第一罩体1与所述第二罩体2可设置为包括三个屏蔽板的呈“门”形结构的第一罩体或第二罩体。
132.另一示例，可设置其中一个所述屏蔽板为弧形面的板状结构。需要说明的是，其中两两相连的两个屏蔽板的连接方式并非固定为直角(图示直角仅作为示意)其同样可以出现倒角，上方弧面等变形。
133.或；
134.参考图6为本技术实施例提供的一种屏蔽装置的第二实施例整体结构示意图及图7为本技术实施例提供的一种屏蔽装置的第二实施例另一整体结构示意图所示，使所述第一罩体1和/或所述第二罩体2为包括至少四个屏蔽板的闭合多边形的结构，使其至少包括两个开口，套设并环绕于所述待屏蔽磁器件6周侧，以提高屏蔽腔200对不同位置待屏蔽磁器件6电磁屏蔽效果，并调整所述散热开口100的位置。
135.根据本技术的另一方面，提供一种电器，包括所述的屏蔽装置。
136.应当理解的是，温升为电子电气设备中的各个部件高出环境的温度，磁珠512为磁珠512专用于抑制信号线、电源线上的高频噪声和尖峰干扰，还具有吸收静电脉冲的能力。磁珠512是用来吸收超高频信号，像一些rf电路，pll，振荡电路，含超高频存储器电路(ddr sdram，rambus等)都需要在电源输入部分加磁珠512，而电感是一种蓄能元件，用在lc振荡
电路，中低频的消磁电路等，其应用频率范围很少超过50mhz。
137.磁珠512有很高的电阻率和磁导率，等效于电阻和电感串联，但电阻值和电感值都随频率变化。
138.作为示例：
139.在一款具有复合功能的空调器中，参考图12为本技术实施例提供的一种电器未装配屏蔽装置的中连接线骚扰功率图，此时，空调器内的待屏蔽磁器件6未装配屏蔽装置，也就是采用无屏蔽装置的pfc，电感测试其连接线骚扰功率结果如图12所示，在高频50mhz-60mhz出现一段干扰尖峰，导致测试不合格，且通过频谱分析仪探查该干扰源来自pfc电感。
140.若采用在上述空调器内的待屏蔽磁器件6替换为装配屏蔽装置的待屏蔽磁器件6，也就是采用有屏蔽装置的pfc，电感测试结果参照图13为本技术实施例体用的一种电器装配屏蔽装置的中连接线骚扰功率图所示，在高频50mhz-60mhz范围内尖峰明显下降，余量充足，也就是说，可以通过上述屏蔽装置有效隔绝待屏蔽磁器件6产生的对外电磁辐射干扰，使得整机的emi性能更佳。
141.需要说明的是，图12及图13中，横坐标为频率，单位为：mhz；纵坐标为干扰大小，单位为db。
142.上层曲线为测试峰值变化曲线，上层折线为峰值标准限值，当峰值变化曲线超过峰值标准限值时，为测试结果不合格；
143.下层曲线为测试的均值变化曲线，下层直线表示均值标准限值，当均值变化曲线超过均值标准限值时，为测试结果不合格。
144.需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
145.以上所述仅是本发明的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。