硅基显示面板和显示装置的制作方法

1.本发明涉及硅基显示技术领域，尤其涉及一种硅基显示面板和显示装置。


背景技术：

2.oled(organic light-emitting diode)有机发光二极管，由于其自发光、亮度高、功耗低、发光效率高、响应快等特点，被广泛应用于各自显示产品中，能满足消费者对显示技术的新需求。由于硅基半导体cmos工艺的成熟，利用硅基半导体cmos工艺能够制作得到较高像素密度的oled显示面板，满足ar(augmented reality)或vr(virtual reality)的需求。
3.硅基显示面板中oled的驱动方式分为电压型驱动和电流型驱动。在电压型驱动中，由于oled器件在不同温度下电流密度差异很大，造成屏体亮度波动，影响显示效果。为了保证在不同温度下面板可以满足稳定的最大亮度，需要在面板中设置温度感应区，根据温度感应区内温感子像素的电流随温度的变化，来调整驱动显示区内oled发光的公共电压值大小。
4.而目前温度感应区内的子像素在温度反馈过程中会发光，影响了显示面板正常显示。


技术实现要素：

5.本发明实施例提供一种硅基显示面板和显示装置，以解决温度感应区内温感子像素在温度反馈过程中发光影响正常显示的技术问题。
6.第一方面，本发明实施例提供一种硅基显示面板，硅基显示面板包括驱动基板和发光层，发光层包括在驱动基板一侧堆叠的至少两个发光材料层；
7.硅基显示面板包括显示区和温度感应区，温度感应区包括位于驱动基板一侧的多个温感子像素，温感子像素包括图形化的第一电极；发光层中至少一个发光材料层具有镂空，第一电极在驱动基板所在平面的正投影位于镂空在驱动基板所在平面的正投影内；
8.硅基显示面板还包括光抑制结构，光抑制结构位于温感子像素的远离驱动基板的一侧，光抑制结构在驱动基板所在平面的正投影覆盖第一电极在驱动基板所在平面的正投影。
9.第二方面，本发明实施例提供另一种硅基显示面板，硅基显示面板包括驱动基板和位于驱动基板一侧的发光层；
10.硅基显示面板包括显示区和温度感应区，温度感应区包括多个温感子像素，温感子像素包括图形化的第一电极；其中，
11.发光层具有镂空，第一电极在驱动基板所在平面的正投影位于镂空在驱动基板所在平面的正投影内。
12.第三方面，本发明实施例还提供一种显示装置，包括本发明任意实施例提供的硅基显示面板。
13.本发明实施例提供的硅基显示面板和显示装置，具有如下有益效果：在一些实施方式中，去掉温感子像素中部分发光材料层，能够改变温感子像素在感应温度时的出光颜色同时也能减少温度子像素的出光量。同时在温感子像素出光方向的上方设置光抑制结构，并根据温感子像素中剩余的部分发光材料层对光抑制结构进行设计，利用光抑制结构对温感子像素的出光进行抑制，光抑制结构的厚度不会太厚，有利于减小显示区和温度感应区厚度差异。在另一些实施方式中，设置温感子像素不包括发光层，仅保留温感子像素中的电极结构以及发光功能层。则温感子像素能够保持j-v特性，同时温感子像素不发光，从而能够抑制温度感应区出光。
附图说明
14.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
15.图1为本发明实施例提供的一种硅基显示面板示意图；
16.图2为图1中切线a-a
′
位置处另一种截面示意图；
17.图3为图1中切线a-a
′
位置处另一种截面示意图；
18.图4为图1中切线a-a
′
位置处另一种截面示意图；
19.图5为本发明仿真试验一得到的理论光谱图；
20.图6图1中切线a-a
′
位置处另一种截面示意图；
21.图7为本发明仿真试验二得到的理论光谱图；
22.图8图1中切线a-a
′
位置处另一种截面示意图；
23.图9图1中切线a-a
′
位置处另一种截面示意图；
24.图10为本发明实施例提供的另一种硅基显示面板示意图；
25.图11为图10中切线b-b
′
位置处一种截面示意图；
26.图12为本发明实施例提供的显示装置示意图。
具体实施方式
27.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
28.在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
29.在现有技术中一种抑制温度感应区内子像素出光的方案是在温度感应区上方设置遮光层，通过遮光层对子像素的出光进行遮挡。而由于遮光层需要直接制作在oled器件之上，为了确保硅基显示面板的良率，则遮光层制作的工艺温度需要相对温和，由此使得遮光层的od值(optical density，光密度)受到限制，无法有效的抑制温度感应区出光。而如
果通过增加遮光层的厚度来提升遮光层的遮光效果，又会导致制作时晶圆硅片旋转不均。
30.为了解决现有技术存在的问题，本发明实施例提供一种硅基显示面板，使得温度感应区内温感子像素保持有j-v特性(电流密度-电压关系特性)，能够根据温感子像素的反馈调整向显示区内子像素提供驱动电压的大小，同时还能够抑制温度子像素的出光，保证硅基显示面板的显示效果。
31.将硅基显示面板中各发光器件均设置为白光oled器件，能够实现制作具有高像素密度的硅基显示面板。在此种显示面板中oled器件的发光功能层和发光材料层均利用开放式掩膜版制作。为了简化工艺制程，温度感应区内温感子像素与正常显示区内的子像素具有相同的结构，所以温感子像素在进行温度感应时会发光而影响显示效果，比如面板边缘漏光不良。
32.由于仅在温感子像素出光方向的上方设置遮光层的方案，对温感子像素出射光线的遮挡作用非常有限。所以本发明一些实施例中考虑在温感子像素出光方向的上方设置同时包括遮光部和滤光部的光抑制结构，通过光抑制结构来对温度感应区的出光进行抑制。同时，设置发光层中的至少一个发光材料层在温感子像素所在区域具有镂空，也就是说，对于发光层包括两个或者三个发光材料层时，温感子像素与显示子像素相比去掉至少一个发光材料层。
33.白光为复合光，以由红、绿、蓝三种颜色的光混合层白光为例。温感子像素中仅保留部分发光材料层之后，温感子像素在感应温度时不再发白光，并且温感子像素在感应温度时发光的光量会变少。同时本发明实施例能够根据温感子像素中保留的发光材料层对滤光部的颜色进行设计，不需要设置堆叠的红色滤光部、绿色滤光部和蓝色滤光部公共对温感子像素的出光进行抑制。也就是说，能够减少温感子像素之上设置的彩色滤光部的个数，则光抑制结构的厚度不会太厚，有利于减小显示区和温度感应区厚度差异。
34.在本发明一些实施方式中，温感子像素与显示子像素相比去掉了至少部分发光材料层，能够改变温感子像素在感应温度时的出光颜色同时也能减少温度子像素的出光量。同时在温感子像素出光方向的上方设置光抑制结构，并根据温感子像素中剩余的部分发光材料层对光抑制结构进行设计，利用光抑制结构对温感子像素的出光进行抑制，光抑制结构的厚度不会太厚，有利于减小显示区和温度感应区厚度差异。
35.在一些实施方式中，图1为本发明实施例提供的一种硅基显示面板示意图，如图1所示，硅基显示面板包括显示区1和非显示区2，非显示区2围绕显示区1设置，非显示区2包括温度感应区3。其中，显示区1包括多个显示子像素11，温度感应区3包括多个温感子像素31。图1中示意在显示区1的两侧分别设置有一个温度感应区3，本发明实施例对温度感应区3的数量、温度感应区3在非显示区2的位置、以及温度感应区3内温感子像素31的个数均不做任何限定。图1中还示意出了光抑制结构4。图1为显示面板的俯视图，可以看出光抑制结构4与温度感应区3中的温感子像素31交叠。
36.图2为图1中切线a-a
′
位置处一种截面示意图，如图2所示，硅基显示面板包括驱动基板10和发光层20。其中，驱动基板10为单晶硅基板。驱动基板10中包括cmos集成电路。
37.发光层20包括在驱动基板10一侧堆叠的至少两个发光材料层；图2中示意发光层20包括三个发光材料层，分别为第一发光材料层21、第二发光材料层22和第三发光材料层23。第一发光材料层21、第二发光材料层22、第三发光材料层23在被激发后分别发射红光、
绿光、蓝光中的一种。
38.温感子像素31包括图形化的第一电极51。图2中还示意出了显示子像素11。显示子像素11包括第二电极52、共电极53、第二电极52和共电极53之间的发光层20，显示子像素11可以理解为发光器件。在一种实施例中，第二电极52为发光器件的阳极、共电极53为发光器件的阴极。在第二电极52和共电极53上分别施加电压之后，第二电极52和共电极53之间的发光层20受激发发射光线。其中，各个显示子像素11对应的共电极53相互连接形成一整层，可以看出共电极53由显示区1延伸到温度感应区3、并与第一电极51交叠。也就是说，温感子像素31也包括共电极53，
39.图2中示意发光层20中第二发光材料层22和第三发光材料层23均由显示区1延伸到温度感应区3，第二发光材料层22和第三发光材料层23均利用开放式掩膜版制作。
40.而对于第一发光材料层21，可以看出在显示区1内的显示子像素11包括第一发光材料层21，而温度感应区3内温感子像素31对应位置不包括第一发光材料层21。换句话说，发光层20中第一发光材料层21具有镂空(图2中未标示)，第一发光材料层21的镂空位于温感子像素31所在区域。图2中示意了垂直于驱动基板10所在平面的方向e，可以理解向驱动基板10所在平面做正投影的方向与垂直于驱动基板10所在平面的方向e相同。由图2可以看出，第一电极51在驱动基板10所在平面的正投影位于第一发光材料层21的镂空在驱动基板10所在平面的正投影内。在制作时仅需要调整蒸镀第一发光材料层21所利用的掩膜版的形状，就能够实现温感子像素31不包括第一发光材料层21。
41.图2实施例中，显示子像素11包括堆叠的第一发光材料层21、第二发光材料层22和第三发光材料层23，而温感子像素31包括第二发光材料层22和第三发光材料层23。图2中还示意出了像素定义层6，像素定义层6用于间隔相邻的子像素。另外，显示子像素11中的第二电极52和温感子像素31中的第一电极51可以在同一个刻蚀工艺中制作。硅基显示面板还包括位于驱动基板10之上的发光功能层(图2未示出)，发光功能层包括电子注入层、电子传输层、空穴传输层、空穴注入层中一层或多层。发光功能层为整层结构，发光功能层由显示区1延伸到温度感应区3。也就是说温感子像素31和显示子像素11均包括有发光功能层。
42.在温感子像素31的第一电极51和共电极53上分别施加电压之后，温感子像素31中能够产生电流，由此感应温度并进行温度反馈。在硅基显示面板出厂之前，测试温度对温度感应区3内温感子像素31的j-v特性的影响，得到温度与驱动发光器件工作的驱动电压之间的映射关系。检测多个温感子像素31的电流能够得到温度感应结果，确认面板当前工作温度，然后根据预设的映射关系，就可以调整向显示子像素11施加的工作电压，以保证显示区1具有稳定的最大亮度。
43.如图2所示的，在共电极53的远离驱动基板10的一侧还设置有封装结构7，封装结构7用于对发光层20进行保护，提升子像素的发光寿命。在一些实施方式中，在共电极53和封装结构7之间还设置有光提取层，光提取层用于提升发光器件的出光效率。
44.光抑制结构4位于温感子像素31的远离驱动基板10的一侧。由图2可以看出，光抑制结构4在驱动基板10所在平面的正投影覆盖第一电极51在驱动基板10所在平面的正投影。图2中示意光抑制结构4包括遮光部41和滤光部42。其中，遮光部41位于滤光部42的远离温感子像素31的一侧。遮光部42包括n个彩色滤光部，其中，n为1或者2。
45.彩色滤光部能够吸收某些波长的光线，仅使特定波长的光透过。比如红色滤光部
能够透过红光，绿色滤光部能够透过绿光。
46.在一些实施方式中，遮光部41采用黑色吸光材料制作。
47.本发明实施例中采用堆叠的滤光部42和遮光部41组成光抑制结构4，滤光部42首先吸收温感子像素31出射的部分光线，然后遮光部41再将未被滤光部42吸收的光线进一步遮挡，从而相互配合达到抑制温感子像素31出光的效果。
48.温感子像素31的结构与显示子像素11的结构相比去掉了部分发光材料层，温感子像素31中的电极结构以及发光功能层均保留，则温感子像素31能够保持j-v特性。在温感子像素31中去掉了部分发光材料层后，其发出光线中复合成分变少。其中，以去掉受激发后发出红光的发光材料层为例，则温感子像素31的发出光线中包括蓝光成分和滤光成分。在对光抑制结构4中的滤光部42进行设置时，仅需要考虑能够吸收蓝光成分和滤光成分的彩色滤光部即可。由此能够减少彩色滤光部的设置个数，本发明实施例能够通过最多设置2个彩色滤光部和一个遮光部41进行组合的方式，实现对温感子像素31出光的抑制。则光抑制结构4的厚度不会太厚，有利于减小显示区1和温度感应区3厚度差异。
49.在一些实施方式中，第一发光材料层21具有镂空，滤光部42包括2个彩色滤光部。如图2所示的，温感子像素31所在位置处不蒸镀第一发光材料层21，保留温感子像素31所在位置处的第二发光材料层22和第三发光材料层23。利用2个彩色滤光部和遮光部的组合对温感子像素31的出光进行抑制。
50.如图2所示的，本发明实施例提供的硅基显示面板还包括位于显示区1的滤光层8，滤光层8包括红色滤光单元8r、绿色滤光单元8g和蓝色滤光单元8b。对于单个彩色滤光部来说，彩色滤光部和红色滤光单元8r、绿色滤光单元8g和蓝色滤光单元8b中的一种位于同一层。具体的，当滤光部42中包括红色滤光部时，红色滤光部和红色滤光单元8r位于同一层，红色滤光部和红色滤光单元8r能够在同一工艺制程中制作。当滤光部42中包括绿色滤光部时，绿色滤光部和绿色滤光单元8g位于同一层，绿色滤光部和绿色滤光单元8g能够在同一工艺制程中制作。当滤光部42中包括蓝色滤光部时，蓝色滤光部和蓝色滤光单元8b位于同一层，蓝色滤光部和蓝色滤光单元8b能够在同一工艺制程中制作。如此设置，光抑制结构4中滤光部的制作不需要增加新的工艺制程，工艺简单。
51.在一些实施方式中，如图2所示的，在显示区1：相邻的、且不同颜色的滤光单元之间相互接触。相同颜色的滤光单元在同一工艺制程中制作。在一些实施方式中，在显示区1内不设置黑矩阵。
52.在一种实施例中，如图2所示，第一发光材料层21在被激发后发射绿光。第二发光材料层22和第三发光材料层23中一者被激发后发射红光，另一者被激发后发射蓝光。滤光部42包括蓝色滤光部42b和绿色滤光部42g。该实施方式中，温感子像素31所在位置处包括第二发光材料层22和第三发光材料层23，则在感应温度时，温感子像素31发出的光线为红光和蓝光的混合光。本发明实施例根据温感子像素31中保留的发光材料层对光抑制结构4进行设计，设置堆叠的蓝色滤光部42b、绿色滤光部42g以及遮光部41，以对红光和蓝光的混合光进行抑制，实现抑制温度感应区3的出光。
53.图2中示意蓝色滤光部42b位于绿色滤光部42g的靠近驱动基板10的一侧，在另一种实施例中，蓝色滤光部42b位于绿色滤光部42g的远离驱动基板10的一侧，在此不再示意。
54.在另一种实施例中，图3为图1中切线a-a
′
位置处另一种截面示意图，如图3所示，
滤光部42包括红色滤光部42r和蓝色滤光部42b，该实施方式中第一发光材料层21在被激发后发射红光。温感子像素31中保留有能够发射绿光和蓝光的发光材料层，则在感应温度时，温感子像素31发出的光线为绿光和蓝光的混合光。本发明实施例根据温感子像素31中保留的发光材料层对光抑制结构4进行设计，设置堆叠的蓝色滤光部42b、红色滤光部42r以及遮光部41，以对绿光和蓝光的混合光进行抑制。
55.在另一种实施例中，第一发光材料层21在被激发后发射绿光，第二发光材料层22在被激发后发射蓝光，第三发光材料层23在被激发后发射红光，图4为图1中切线a-a
′
位置处另一种截面示意图，如图4所示，第一发光材料层21和第二发光材料层22均具有镂空(图4中未标示)。其中，第一发光材料层21和第二发光材料层22可以利用相同的掩膜版制作。光抑制结构4包括蓝色滤光部42b、绿色滤光部42g和遮光部41。该实施方式中，温感子像素31所在位置处仅包括第三发光材料层23，则在感应温度时，温感子像素31发出的光线为红光。本发明实施例根据温感子像素31中保留的发光材料层对光抑制结构4进行设计，设置堆叠的蓝色滤光部42b、绿色滤光部42g以及遮光部41，能够对红光进行抑制，防止温度感应区3出光，由此提升硅基显示面板的显示效果。
56.在另一种实施例中，在上述图3实施例基础上，将温感子像素31中被激发后能够发生蓝光的发光材料层去掉。能够进一步提升堆叠的蓝色滤光部42b、红色滤光部42r以及遮光部41，以对温感子像素31出光的抑制效果。
57.上述图2至图4实施例中均示意第二发光材料层22位于第一发光材料层21和第三发光材料层23之间，且第三发光材料层23距驱动基板10最近。需要说明的是，本发明实施例中对第一发光材料层21、第二发光材料层22、第三发光材料层23之间的堆叠位置关系不做限定，在下述相关实施例中也仅做示意性表示。
58.为了辅助说明本发明实施例提供的硅基显示面板能够抑制温度感应区出光的效果，本技术发明人进行了以下仿真试验一。仿真试验一中测试发射白光的发光器件之上设置光抑制结构(包括堆叠的遮光部和滤光部)后出光的理论光谱，仿真试验一中包括三组试验。
59.第一组试验：woled grcf bm。第二组试验：woled bgcf bm。第三组试验：woled brcf bm。其中，woled表示发射白光的发光器件，bm表示遮光部，grcf表示绿色滤光部加红色滤光部，bgcf表示蓝色滤光部加绿色滤光部，brcf表示蓝色滤光部加红色滤光部。
60.图5为本发明仿真试验一得到的理论光谱图。图5中横坐标为波长、纵坐标表示经校对后强度。
61.根据图5中示意的第一组试验得到的理论光谱来看，在白光oled之上设置绿色滤光部、红色滤光部和遮光部之后，仍然有波长在580～630nm之间的光、以及680nm波长的光射出，射出的光为部分绿光和部分红光。此组试验能够对蓝光进行很好的抑制。
62.根据图5中示意的第二组试验得到的理论光谱来看，在白光oled之上设置绿色滤光部、蓝色滤光部和遮光部之后，在430～480nm之间有弱峰、在480～530nm之间有强峰，而430～480nm波段为蓝光，480～530nm波段为绿光。此组试验中绿色滤光部、蓝色滤光部和遮光部的配合对红光抑制效果最好，能够抑制部分蓝光，但对绿光抑制作用非常弱。
63.假设将第二组试验中oled器件内的能够发射绿光的发光材料层去掉，则最终的试验光谱中就不会有480～530nm之间的强峰。由此验证，如上述图2实施例中示意的，在温感
子像素31中去掉能够发射绿光的发光材料层，然后在温感子像素31之上设置由绿色滤光部42g、蓝色滤光部42b和遮光部41组成的光抑制结构4，能够对温感子像素31的出光进行有效抑制。
64.假设将第二组试验中oled器件内的能够发射绿光的发光材料层和能够发射蓝光的发光材料层都去掉，则最终的试验光谱中就不会有480～530nm之间的强峰，也不会有430～480nm之间有弱峰。由此能够验证，如上述图4实施例中示意的在温感子像素31中去掉能够发射绿光的发光材料层和能够发射蓝光的发光材料层，然后在温感子像素31之上设置由绿色滤光部42g、蓝色滤光部42b和遮光部41组成的光抑制结构4，能够对温感子像素31的出光进行有效抑制。
65.根据图5中示意的第三组试验得到的理论光谱来看，在白光oled之上设置蓝色滤光部、红色滤光部和遮光部之后，在630～700nm之间有较强的峰。说明此组试验中红色滤光部、蓝色滤光部和遮光部的配合对蓝光和绿光的抑制效果都比较好，而对红光的抑制作用较弱。假设将第三组试验中oled器件内的能够发射红光的发光材料层去掉，则最终的试验光谱中就不会有630～700nm之间的峰。由此验证，如上述图3实施例中示意的，温感子像素31中去掉能够发射红光的发光材料层，然后在温感子像素31之上设置由红色滤光部42r、蓝色滤光部42b和遮光部41组成的光抑制结构4，能够对温感子像素31的出光进行有效抑制。
66.在一些实施方式中，发光层包括三个发光材料层，设置温感子像素与显示子像素相比去的两种发光材料层，同时设置光抑制结构包括1个彩色滤光部和一个遮光部，根据温感子像素中保留的发光材料层对彩色滤光部的颜色进行设计，以实现通过光抑制结构和温感子像素结构进行配合，实现对温感子像素出光的抑制。该实施方式中，在确保温感子像素能够保持j-v特性的同时设置光抑制结构中滤光部仅包括1个彩色滤光部，能够进一步减小显示区和温度感应区厚度差异。
67.在一种实施例中，图6图1中切线a-a
′
位置处另一种截面示意图，如图6所示，第一发光材料层21和第二发光材料层22均具有镂空(图6中未标示)。光抑制结构4包括遮光部41和滤光部42，其中，滤光部42包括红色滤光部42r。其中，第一发光材料层21在被激发后发射红光，第二发光材料层22在被激发后发射绿光，第三发光材料层23在被激发后发射蓝光。该实施方式中，温感子像素31中仅保留一种发光材料层，则温感子像素31进行温度感应时发光颜色单一，在光抑制结构4中设置1个彩色滤光部和遮光部42堆叠的组合就能够对温感子像素31的出光进行很好的抑制。
68.在另一种实施例中，第一发光材料层21和第二发光材料层22均具有镂空，也就是说，在温感子像素31不包括第一发光材料层21和第二发光材料层22。其中，第一发光材料层21在被激发后发射红光，第二发光材料层22在被激发后发射蓝光，第三发光材料层23在被激发后发射绿光。该实施方式中，光抑制结构4包括堆叠的遮光部41和滤光部42，其中，滤光部42包括蓝色滤光部。
69.在另一种实施例中，第一发光材料层21和第二发光材料层22均具有镂空，在温感子像素31不包括第一发光材料层21和第二发光材料层22。其中，第一发光材料层21在被激发后发射绿光，第二发光材料层22在被激发后发射蓝光，第三发光材料层23在被激发后发射红光。该实施方式中，光抑制结构4包括堆叠的遮光部41和滤光部42，其中，滤光部42包括绿色滤光部。
70.为了辅助说明本发明实施例提供的硅基显示面板能够抑制温度感应区出光的效果，本技术发明人进行了以下仿真试验二。仿真试验二中测试发射白光的发光器件之上设置光抑制结构(包括堆叠的遮光部和滤光部)后出光的理论光谱，仿真试验二中包括四组试验。
71.第一组试验为对照组：woled bm。第二组试验：woled bcf bm。第三组试验：woled gcf bm。第四组试验：woled rcf bm。其中，gcf表示绿色滤光部，bcf表示蓝色滤光部，rcf表示红色滤光部。
72.图7为本发明仿真试验二得到的理论光谱图。图7中横坐标为波长、纵坐标表示经校对后强度。
73.根据图7中示意的第一组试验得到的理论光谱来看，在白光oled之上仅设置遮光部，红、绿、蓝三种颜色的光都有较强的出光，可以看出遮光部bm对蓝光的抑制最弱。此组试验说明仅在温感子像素的上方设置遮光本部并不能对其出光进行很好的抑制。
74.根据图7中示意的第二组试验得到的理论光谱来看，在白光oled之上仅设置遮光部和蓝色滤光部之后，蓝光有较强的出光，其次是绿光，而红光的出光强度较小。而对比第一组试验得到的理论光谱来看，增加蓝色滤光部之后，对绿光的抑制作用要强于对红光的抑制作用。也就是说，遮光部加蓝色滤光部的组合对绿光也有较强的抑制作用，但对红光的抑制作用较弱。将第二组试验中oled器件内的能够发射红光和蓝光的发光材料层去掉，则最终的试验光谱中就不会有红光和蓝光射出。由此验证，本发明实施例中设置温感子像素31不包括被激发后发射红光的发光材料层和被激发后发射蓝光的发光材料层，同时设置光抑制结构4包括堆叠的遮光部和蓝色滤光部，能够对温感子像素31的出光进行有效抑制。
75.根据图7中示意的第三组试验得到的理论光谱来看，在白光oled之上仅设置遮光部和绿色滤光部之后，绿光有较强的出光，蓝光有少量出光，而红光基本没有出光。也就是说，遮光部加绿色滤光部的组合对红光有较强的抑制作用，对蓝光有一定的抑制作用。将第三组试验中oled器件内的能够发射绿光和蓝光的发光材料层去掉，则最终的试验光谱中就不会有绿光和蓝光射出。由此验证，本发明实施例中设置温感子像素31不包括被激发后发射绿光的发光材料层和被激发后发射蓝光的发光材料层，同时设置光抑制结构4包括堆叠的遮光部和绿色滤光部，能够对温感子像素31的出光进行有效抑制。
76.根据图7中示意的第四组试验得到的理论光谱来看，在白光oled之上仅设置遮光部和红色滤光部之后，红光有较强的出光，600～630nm之间的部分为绿光的出光，而蓝光基本没有出光。也就是说，遮光部加红色滤光部的组合对蓝光有较强的抑制作用，对绿光有一定的抑制作用。将第四组试验中oled器件内的能够发射绿光和红光的发光材料层去掉，则最终的试验光谱中就不会有绿光和红光射出。由此验证，本发明实施例中设置温感子像素31不包括被激发后发射绿光的发光材料层和被激发后发射红光的发光材料层，同时设置光抑制结构4包括堆叠的遮光部和红色滤光部，能够对温感子像素31的出光进行有效抑制。
77.在一些实施方式中，图8图1中切线a-a
′
位置处另一种截面示意图，如图8所示，发光层20包括第一发光材料层21和第二发光材料层22，第一发光材料层21在被激发后发出的光和第二发光材料层22在被激发后发出的光为互补色光。其中，第一发光材料层21和第二发光材料层22中的一个具有镂空。图8中以第一发光材料层21具有镂空(图8未标示)进行示意。也就是，温度感应区3不包括第一发光材料层21。温感子像素31与显示子像素11相比去
掉了至少部分发光材料层，能够改变温感子像素31在感应温度时的出光颜色同时也能减少温度子像素31的出光量。同时在温感子像素31出光方向的上方设置光抑制结构4，并根据温感子像素31中剩余的部分发光材料层对光抑制结构4进行设计，利用遮光部41和滤光部42的组合对温感子像素31的出光进行抑制。
78.可选的，图8实施例中，第一发光材料层21和第二发光材料层22中，一者被激发后发射蓝光，另一者被激发后发射橙色光。
79.在一些实施方式中，图9图1中切线a-a
′
位置处另一种截面示意图，如图9所示，硅基显示面板还包括位于显示区1的黑矩阵9，黑矩阵9具有多个开口91，一个显示子像素11对应一个开口91。遮光部41与黑矩阵9位于同一层。也就是说，遮光部41能够与黑矩阵9在同一工艺制程中制作。
80.在本发明另一些实施方式中，温感子像素与显示子像素相比去掉发光层，仅保留温感子像素中的电极结构以及发光功能层。则温感子像素能够保持j-v特性，同时温感子像素不发光，从而能够抑制温度感应区出光。
81.在一种实施例中，图10为本发明实施例提供的另一种硅基显示面板示意图，图11为图10中切线b-b
′
位置处一种截面示意图。
82.如图10所示的，硅基显示面板包括显示区1和温度感应区3，温度感应区3包括多个温感子像素31，显示区1包括多个显示子像素11。
83.如图11所示，温感子像素31包括图形化的第一电极51；发光层20具有镂空(图11中未标示)，第一电极51在驱动基板10所在平面的正投影位于镂空在驱动基板10所在平面的正投影内。在制作时对蒸镀发光层20所利用的掩膜板的形状进行设计，能够实现在温度感应区3不蒸镀发光层20，使得温感子像素31不包括发光层20。温感子像素31包括第一电极51、与第一电极51相对的共电极53，温感子像素31还包括位于第一电极51和共电极53之间的发光功能层(图11中未标示)。
84.图11以发光层20包括堆叠的第一发光材料层21、第二发光材料层22和第三发光材料层23进行示意，其中，第一发光材料层21、第二发光材料层22、第三发光材料层23在被激发后分别发射红光、绿光、蓝光中的一种；
85.在另一种实施例中，发光层20包括堆叠的第一发光材料层和第二发光材料层，第一发光材料层在被激发后发出的光和第二发光材料层在被激发后发出的光为互补色光。设置温度感应区3中的温感子像素31不包括第一发光材料层和第二发光材料层，在温感子像素31中仅保留第一电极、共电极和发光功能层。使得温感子像素能够保持j-v特性，同时不发光，从而能够抑制温度感应区出光。
86.在另一种实施例中，发光层20包括混合材料层，混合材料层被激发后发出白光。设置温度感应区3中的温感子像素31不包括混合材料层，在温感子像素31中仅保留第一电极、共电极和发光功能层。使得温感子像素能够保持j-v特性，同时不发光，从而能够抑制温度感应区出光。
87.本发明实施例还提供一种显示装置，图12为本发明实施例提供的显示装置示意图，如图12所示，显示装置包括本发明任意实施例提供的硅基显示面板100。
88.以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。
89.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。