一种电镀废水末端处理装置的制作方法

1.本实用新型涉及一种电镀废水末端处理装置，属于废水处理设备技术领域。


背景技术：

2.电镀废水主要来自水洗工序，对电镀车间地面的冲洗，也是电镀废水的来源之一。此外，化学清洗液或镀液经长时间使用后由于浓度降低、杂质增加而需要更新，清洗槽或镀槽破损时将产生泄漏等都会产生电镀废水，这些情况下排出的废液浓度极高，必须采取措施回收利用或集中处理，不能任意排入下水道。电镀废水的成分非常复杂，除含氰(cn-)废水和酸碱废水外，重金属废水是电镀业潜在危害性极大的废水类别。根据重金属废水中所含重金属元素进行分类，一般可以分为：含铬(cr)废水、含镍(ni)废水、含镉(cd)废水、含铜(cu)废水、含锌(zn)废水、含金(au)废水、含银(ag)废水等。成分不易控制，有些属于致癌、致畸、致突变的剧毒物质。
3.电镀废水的特性主要有以下三点：
4.(1)成分复杂，污染物可分为有机污染物和无机污染物两种；
5.(2)水质变化幅度大，各类生产废水污染物种类多样，cod变化系数大；
6.(3)废水毒性大，含有大量的重金属离子，若不经处理直接排放会对周边水体造成极大的污染。
7.传统针对电镀废水末端多是采用多介质罐与树脂罐进行联合吸附水中未反应完全的杂质。其特点为通过多介质对水中杂质进行过滤后再用针对性树脂罐对特定的金属进行吸附，从而做到达标排放。缺点：
8.(1)多介质罐容易造成堵塞，需频繁定期进行清洗，清洗出水必须排至原水收集池进行二次处理方可排放，加大了处理成本；
9.(2)树脂罐需饱和率高，需定期进行树脂再生，再生所用药剂还需单独处理，树脂使用周期短更换频率快，更换树脂所需费用较大；
10.(3)树脂吸附只针对特定的金属元素，无法做到对全部金属进行吸附，存在一定的风险；
11.(4)多介质、树脂更换填料所需操作时间较长，有时会对生产造成不必要的延误。


技术实现要素：

12.有鉴于此，本实用新型的目的是提供一种电镀废水末端处理装置，可以克服现有技术的不足。
13.本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的：
14.一种电镀废水末端处理装置，包括筒体，筒体上端设有与进水管系连接的进水口，下端设有与出水管系连接的出水口；在筒体内设有多件半导体管，在半导体管内设有紫外灯，在半导体管外设有半导体管外壁清洗装置。
15.前述半导体管为tio2半导体管。
16.前述tio2半导体管通过旋转驱动机构固定在筒体内，旋转驱动机构设置筒体上方；所述清洗装置为布置在tio2半导体管一侧的毛刷，毛刷与tio2半导体管外壁抵接。
17.前述旋转驱动机构包括齿轮传动机构及与之相连的驱动电机。
18.前述tio2半导体管环形均布在筒体内，所述旋转驱动机构包括齿环及与齿环配合使用是驱动轮，驱动轮与驱动电机相连；所述每个tio2半导体管上端均设有与齿环啮合的小齿轮，使tio2半导体管通过小齿轮与齿环连接。
19.前述紫外灯套装在tio2半导体管内，且顶端通过轴承组件与tio2半导体管转动连接，轴承组件下端与紫外灯固连，上端与小齿轮连接，并且轴承组件及小齿轮的轴线处开设相贯通的过线孔，使紫外灯与外接电源电路连接。
20.与现有技术比较，本实用新型公开的一种电镀废水末端处理装置，其包括筒体，筒体上端设有与进水管系连接的进水口，下端设有与出水管系连接的出水口；在筒体内设有多件半导体管，在半导体管内设有紫外灯，通过紫外灯照射在半导体管上，使半导体管与水接触后表面产生高密度的羟基，具有很强的还原能力，可以还原金属离子，有效对未完全反应的重金属进行二次催化氧化，从而使出水水质稳定达标；在半导体管外增加了半导体管外壁清洗装置，可以及时清洗半导体管外壁上的附着物，保证紫外光可以实时有效照射在半导体管表面，使半导体管表面产生高密度羟基的速率大大加快，有效提高了水处理效率。
21.本实用新型的有益效果是：
22.本实用新型结构简单，成本低廉，光催化氧化原理来进行电镀废水末端处理，处理能力强，处理效率高；有效解决了现有技术中电镀废水末端处理装置利用多介质罐、树脂罐来拦截、吸附前端可能存在未完全反应的重金属离子，长时间的拦截、吸附容易出现饱和现象，导致需经常更换多介质、树脂填料，为业主方造成不必要的经济损失等问题，实用性强，推广性高。
23.本实用新型的其他优点、目标和特征在某种程度上将在随后的说明书中进行阐述，并且在某种程度上，基于对下文的考察研究对本领域技术人员而言将是显而易见的，或者可以从本实用新型的实践中得到教导。本实用新型的目标和其他优点可以通过下面的说明书来实现和获得。
附图说明
24.为了使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型作进一步的详细描述，其中：
25.图1为本实用新型的正面结构示意图。
26.图2为图1的顶面结构示意图。
27.图3为半导体管与紫外灯的连接结构示意图。
具体实施方式
28.以下将参照附图，对本实用新型的优选实施例进行详细的描述。应当理解，优选实施例仅为了说明本实用新型，而不是为了限制本实用新型的保护范围。
29.如图1-图3所示，
30.本实用新型公开的一种电镀废水末端处理装置，包括筒体1，筒体1上端设有与进
水管系连接的进水口101，下端设有与出水管系连接的出水口102；在筒体1内设有多件半导体管，在半导体管内设有紫外灯3，在半导体管外设有半导体管外壁清洗装置4。
31.所述半导体管为tio2半导体管2。
32.所述tio2半导体管2通过旋转驱动机构固定在筒体1内，旋转驱动机构设置筒体1上方；所述清洗装置4为布置在tio2半导体管2一侧的毛刷，毛刷与tio2半导体管2外壁抵接，清洗时通过旋转驱动机构带动tio2半导体管2旋转，使毛刷可以清扫tio2半导体管2外壁附着物。
33.所述旋转驱动机构包括齿轮传动机构及与之相连的驱动电机。
34.具体地，所述tio2半导体管2环形均布在筒体1内，所述旋转驱动机构包括齿环5及与齿环5配合使用是驱动轮6，驱动轮6与驱动电机7相连；所述每个tio2半导体管2上端均设有与齿环5啮合的小齿轮8，驱动电机7带动驱动轮6转动，使齿环5转动，进而使与之啮合的小齿轮8转动，带动tio2半导体管2转动，使毛刷可以清扫tio2半导体管2外壁附着物。
35.所述紫外灯3套装在tio2半导体管2内，且顶端通过轴承组件9与tio2半导体管2转动连接，轴承组件9下端与紫外灯3固连，上端与小齿轮8连接，并且轴承组件9及小齿轮8的轴线处开设相贯通的过线孔10，使紫外灯3与外接电源电路连接。
36.本实用新型的原理为：在有紫外光的fenton体系中，紫外光3照射在tio2半导体管2上，产生的tio2半导体粒子与水接触，使半导体管表面产生高密度的羟基。由于羟基的氧化电位在半导体的价带位置以上，而且又是表面高密度的物种，因此光照射半导体表面产生的空穴首先被表面羟基捕获，产生强氧化性的羟基自由基：
37.tio2—hv—e- tio2(h )
38.tio2(h ) h2o——tio2 h
·
oh
39.tio2(h ) oh-——tio2
·
oh
40.当有氧分子存在时，吸附在催化剂表面的氧捕获光生电子，也可以产生羟基自由基：
41.o2 ntio2(e-)——ntio2
·
o2-42.o2 tio2(e-) 2h2o——tio2 h2o2 2oh-43.h2o2 tio2(e-)一tio2 oh-
·
oh
44.光生电子具有很强的还原能力，可以还原金属离子：
45.mn ntio2(e-)——m0 ntio2。
46.在tio2半导体管2外壁一侧设置清洗装置4，可以及时、自动清洗tio2半导体管2外壁上的附着物，保证紫外光可以实时有效照射在半导体管表面，使半导体管表面产生高密度羟基的速率大大加快，有效提高了水处理效率。
47.以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式保密的限制，任何未脱离本实用新型技术方案内容、依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。