液晶相控阵天线的制作方法

1.本技术涉及无线通信技术领域，具体而言，本技术涉及一种液晶相控阵天线。


背景技术：

2.随着通信技术的发展，天线的种类越来越多，目前液晶相控阵天线是无线通信领域的重要研发方向之一。液晶相控阵天线是一种利用液晶的介电各向异性，通过传输线给液晶层上下方提供偏转电压，控制液晶偏转方向来改变移相器的移相大小，从而调节相控阵天线的对准方向的天线。
3.液晶相控阵天线中包含有多条传输线，目前应用的液晶相控阵天线中，传输线容易与移相单元，或通过耦合缝隙单元形成寄生电容，导致传输线产生感应电流，从而影响液晶相控阵天线的正常工作。


技术实现要素：

4.本技术针对现有方式的缺点，提出一种液晶相控阵天线，用以解决现有技术中液晶相控阵天线的传输线容易产生感应电流，影响液晶相控阵天线正常工作的技术问题。
5.第一个方面，本技术实施例提供了一种液晶相控阵天线，包括：第一传输线、第二传输线、以及层叠的第一基板、移相单元和第二基板；
6.移相单元包括层叠的第一电极、液晶层和第二电极；第一传输线，与第一电极同层设置且电连接；第一传输线在第一基板的正投影，与移相单元在第一基板的正投影之间的距离在第一距离范围内；
7.第二传输线，与第二电极同层设置且电连接；第二传输线在第一基板的正投影，与移相单元在第一基板的正投影之间的距离在第一距离范围内。
8.本技术实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：
9.在本技术实施例提供的液晶相控阵天线中，通过设置第一传输线和第二传输线在第一基板的正投影，均与移相单元在第一基板的正投影之间的距离在第一距离范围内，从而能够降低移相单元与第一传输线、移相单元与第二传输线产生感应电流的几率或能够大大减小可能产生的感应电流，能够降低第一传输线和/或第二传输线中产生感应电流的几率，进而能够降低移相单元对第一传输线和/或第二传输线的影响，能够保障液晶相控阵天线的正常工作。
10.本技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
11.本技术上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
12.图1为本技术实施例提供的第一种液晶相控阵天线中第一传输线和移相单元的电
路连接示意图；
13.图2为本技术实施例提供的第一种液晶相控阵天线中第二传输线和移相单元的电路连接示意图；
14.图3为本技术实施例提供的第一种液晶相控阵天线中第一传输线、第二传输线、移相单元和缝隙子单元的结构示意图；
15.图4为本技术实施例提供的图3所示第一种液晶相控阵天线中a处放大示意图；
16.图5为本技术实施例提供的第二种液晶相控阵天线中除第一传输线和第二传输线之外的结构示意图；
17.图6为本技术实施例提供的第三种液晶相控阵天线中第一基板、移相单元、第二基板的结构示意图；
18.图7为本技术实施例提供的图6所示液晶相控阵天线中移相单元的俯视结构示意图。
19.附图标记说明：
20.101-第一传输线；1011-第一传输线段；
21.102-第二传输线；1021-第二传输线段；
22.10-第一基板；
23.20-第二基板；
24.30-移相单元；31-第一电极；311-第三传输线；3111-第三传输线311的一个第三子传输线；3112-第三传输线311的一个第三子传输线；32-第二电极；33-液晶层；
25.40-辐射单元；41-缝隙子单元；42-第三电极；43-第三基板；44-第四电极。
具体实施方式
26.下面详细描述本技术，本技术的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本技术的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能解释为对本技术的限制。
27.本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本技术所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
28.本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本技术的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”到另一元件时，它可以直接连接到其他元件，或者也可以存在中间元件。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
29.液晶相控阵天线的移相单元包括相对设置的两个基板，在两个基板形成的空间中注有液晶，对盒后形成液晶盒。液晶相控阵天线包括移相单元、金属地(包括缝隙结构)、介
质基板和金属辐射贴片。液晶相控阵天线的工作原理简述如下：通过施加不同电压信号控制液晶的偏转状态，当电磁波信号通过调节后的液晶盒向外辐射，不同电压信号下移相器单元对应不同相位延迟，通过控制相位延迟参数，使得电磁波在外空间相互耦合，在目标方向形成主波束，完成电磁信号的发射；另外，外部电磁波通过辐射贴片、金属地缝隙结构，以及调节后的液晶盒，通过施加不同电压控制液晶的偏转状态，实现外部电磁波不同相位延迟的信号处理，从而对外空间传来的信号进行全面接收，完成电磁信号的接收。
30.本技术的发明人进行研究发现，液晶相控阵天线中包含有多条传输线，目前应用的液晶相控阵天线中，传输线容易与相邻部件形成寄生电容，例如，传输线与相邻的移相单元的导线，或金属地缝隙结构形成寄生电容，导致传输线容易产生感应电流，从而影响液晶相控阵天线的正常工作。
31.本技术提供的液晶相控阵天线，旨在解决现有技术的如上技术问题。
32.下面以具体地实施例对本技术的技术方案以及本技术的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
33.本技术实施例提供了一种液晶相控阵天线，该液晶相控阵天线中第一传输线和移相单元的电路连接示意图如图1所示，该液晶相控阵天线中第二传输线和移相单元的电路连接示意图如图2所示，该液晶相控阵天线中第一传输线、第二传输线、移相单元和缝隙子单元的结构示意图如图3所示，图3所示第一种液晶相控阵天线中a处放大示意图如图4所示；本技术实施例提供的另一种液晶相控阵天线中除第一传输线和第二传输线之外的结构示意图如图5所示。液晶相控阵天线包括：第一传输线101、第二传输线102、以及层叠的第一基板10、移相单元30和第二基板20。
34.移相单元30包括层叠的第一电极31、液晶层33和第二电极32；第一传输线101，与第一电极31同层设置且电连接；第一传输线101在第一基板10的正投影，与移相单元30在第一基板10的正投影之间的距离d1在第一距离范围内。
35.第二传输线102，与第二电极32同层设置且电连接；第二传输线102在第一基板10的正投影，与移相单元30在第一基板10的正投影之间的距离d2在第一距离范围内。
36.在本技术实施例提供的液晶相控阵天线中，通过设置第一传输线101和第二传输线102在第一基板10的正投影，均与移相单元30在第一基板10的正投影之间的距离在第一距离范围内，从而能够降低移相单元30与第一传输线101、移相单元30与第二传输线102产生寄生电容的几率或能够大大减小可能产生的寄生电容，能够降低第一传输线101和/或第二传输线102中产生感应电流的几率，进而能够降低移相单元30对第一传输线101和/或第二传输线102的影响，能够保障液晶相控阵天线的正常工作。
37.本技术实施例中，如图5所示，液晶相控阵天线包括层叠的第一基板10、移相单元30和第二基板20。移相单元30包括层叠的第一电极31、液晶层33和第二电极32。
38.本领域技术人员理解的是，本技术实施例提供的液晶相控阵天线中包括多个移相单元30，多个移相单元30均设置于第一基板10和第二基板20之间，图5中为了简化液晶相控阵天线的结构，因此只展示有一个移相单元30。每个移相单元30的第一电极31均电连接第一传输线101，每个移相单元30的第二电极32均电连接第二传输线102，以实现每个移相单元30的单独控制。
39.本技术实施例中，如图1-图3所示，为了便于展示移相单元30与第一传输线101和/
或第二传输线102电路连接结构，图1-图3中将第一基板10、第二基板20以及移相单元30的液晶层33去除。本技术实施例中，图3中包括四个移相单元30。
40.本技术实施例中，第一传输线101与第一电极31同层设置且电连接，可选地，第一传输线101可以通过溅射、气相沉积等方式设置在第一基板10靠近移相单元30的一侧。如图1所示，第一传输线101在第一基板10的正投影，与移相单元30在第一基板10的正投影之间的最小距离d1在第一距离范围内。
41.本技术实施例中，第二传输线102与第二电极32同层设置且电连接，可选地，第二传输线102可以通过溅射、气相沉积等方式设置在第二基板20靠近移相单元30的一侧。如图2所示，第二传输线102在第一基板10的正投影，与移相单元30在第一基板10的正投影之间的最小距离d2在第一距离范围内。
42.本技术实施例中，由于第一传输线101和第二传输线102与相邻的移相单元30之间的距离均满足设定要求，从而能够降低移相单元30与第一传输线101、移相单元30与第二传输线102产生寄生电容的几率，能够降低第一传输线101和/或第二传输线102中产生感应电流的几率，进而能够降低移相单元30对第一传输线101和/或第二传输线102的影响，能够保障液晶相控阵天线的正常工作。
43.本技术实施例中，第一距离范围为第一电极31第一尺寸的0.25-0.75倍。第一电极31的第一尺寸为第一电极31的宽度。可选地，第一距离范围包括0.25倍的第一电极31第一尺寸以及0.75倍的第一电极31第一尺寸。
44.应该说明的是，本技术实施例中，第一距离范围的下限值为0.5倍的第一电极31的宽度，即第一传输线101与移相单元30在第一基板10的正投影之间的距离不小于0.5倍的第一电极31的宽度，第二传输线102在第一基板10的正投影与移相单元30在第一基板10的正投影之间的距离不小于0.5倍的第一电极31的宽度。第一电极31的宽度为沿垂直于第一电极31延伸方向上，第一电极31的尺寸。可选地，对于现有的液晶相控阵天线而言，第一距离范围的上限值取决于液晶相控阵天线的工作频率，通常为2-15毫米左右。
45.应该进一步说明书的是，如图1-图3中，实际液晶相控阵天线中，移相单元30中第一电极31在各处的宽度并不是相同的，相应的，第一传输线101距离同一个移相单元30的各处的距离也是不相同的，从而能够保障液晶相控阵天线中，第一传输线101在第一基板10的正投影，与移相单元30在第一基板10的正投影之间的最小距离d1在第一距离范围内。同理，能够保障液晶相控阵天线中，第二传输线102在第一基板10的正投影，与移相单元30在第一基板10的正投影之间的最小距离d2在第一距离范围内。
46.本技术实施例中，第一传输线101的一端与第一电极31电连接，另一端与cof(chip on film，覆晶薄膜)或fpc(flexible printed circuit，柔性印刷电路板)等连接方式接通外置电压源。第二传输线102的一端与第二电极32电连接，另一端也与cof(chip on film，覆晶薄膜)或fpc(flexible printed circuit，柔性印刷电路板)等连接方式接通外置电压源。通过外置电压源向第一传输线101和第二传输线102施加不同的电压，使得第一传输线101和第二传输线102之间存在可调电压差，进而改变金属结构中间位置液晶偏置状态，获得不同介电常数和损耗角正切的液晶材料，使得电磁信号出现相位差，实现不同移相量控制。
47.在本技术的一个实施例中，液晶相控阵天线还包括辐射单元40，设置于第二基板
20远离第一基板10的一侧；辐射单元40包括第三电极42和开设于第三电极42的缝隙子单元41，第三电极42，设置于第二基板20远离第一基板10的一侧；在平行于第一基板10的方向，第一传输线101在辐射单元40的正投影和第二传输线102在辐射单元40的正投影，与缝隙子单元41之间的距离均在第二距离范围内。
48.本技术实施例中，如图3和图5所示，液晶相控阵天线包括辐射单元40，辐射单元40设置于第二基板20远离第一基板10的一侧。辐射单元40包括缝隙子单元41，如图4所示，第一传输线101与缝隙子单元41之间具有距离d3，第二传输线102与缝隙子单元41之间具有距离d4，本技术实施例中，距离d3和距离d4均在第二距离范围内。
49.本技术实施例中，图3中为了便于展示液晶相控阵天线中移相单元30、第一传输线101以及第二传输线102等的结构，将辐射单元40的第三电极42进行了透视化处理，而且，第三电极42的大小也只是示意，并不代表实际液晶相控阵天线中第三电极42未全部覆盖移相单元30。图4中，为了便于展示缝隙子单元41与第一传输线101以及第二传输线102的距离，去除了移相单元30的结构。
50.本技术实施例中，第二距离范围为缝隙子单元41第一尺寸的0.5-2.5倍。缝隙子单元41的第一尺寸为缝隙子单元41的宽度。可选地，第二距离范围包括0.5倍的缝隙子单元41第一尺寸以及2.5倍的缝隙子单元41第一尺寸。
51.应该说明的是，本技术实施例中，第二距离范围的下限值为1倍的缝隙子单元41的宽度，即第一传输线101在辐射单元40的正投影与缝隙子单元41之间的距离不小于1倍的缝隙子单元41的宽度，第二传输线102在辐射单元40的正投影与缝隙子单元41之间的距离不小于1倍的缝隙子单元41的宽度。缝隙子单元41的宽度为沿垂直于缝隙子单元41的延伸方向上，缝隙子单元41的尺寸。可选地，对于现有的液晶相控阵天线而言，第二距离范围的上限值也取决于液晶相控阵天线的工作频率。
52.本技术实施例中，通过设置第一传输线101在辐射单元40的正投影和第二传输线102在辐射单元40的正投影，与缝隙子单元41之间的距离均在第二距离范围内，从而能够降低辐射单元40中缝隙子单元41与第一传输线101、移相单元30与第二传输线102产生寄生电容的几率，能够进一步降低第一传输线101和/或第二传输线102中产生感应电流的几率，进而能够降低辐射单元40对第一传输线101和/或第二传输线102的影响，能够进一步保障液晶相控阵天线的正常工作。
53.可选地，移相单元30中液晶层33的厚度为10.6微米，相应的移相单元30的工作带宽为不小于19.5千兆赫兹，且不大于20千兆赫兹。可选地液晶相控阵天线单元的尺寸可以为8毫米*8毫米，缝隙子单元41的宽度为0.35毫米，如将第一传输线101和第二传输线102等效为10微米至235微米的弱电导率的金属线，第一传输线101和第二传输线102与缝隙子单元41之间的距离至少为0.45毫米。可选地，可以将缝隙子单元41附近的第一传输线101和第二传输线102设置为直径2.4毫米的圆形曲线状。
54.在本技术的一个实施例中，第一传输线101包括第一传输线段1011，第二传输线102包括第二传输线段1021；在平行于第一基板10的方向，第一传输线段1011的延伸方向和第二传输线段1021的延伸方向，均与缝隙子单元41的延伸方向相交。
55.本技术实施例中，为了进一步降低辐射单元40对第一传输线101和/或第二传输线102的影响，如图3所示，第一传输线101包括第一传输线段1011，第二传输线102包括第二传
输线段1021，第一传输线段1011为第一传输线101中靠近缝隙子单元41的部分，第二传输线段1021为第二传输线102中靠近缝隙子单元41的部分。
56.本技术实施例中，通过设置第一传输线段1011的延伸方向和第二传输线段1021的延伸方向，均与缝隙子单元41的延伸方向相交，即通过避免第一传输线段1011的延伸方向和第二传输线段1021的延伸方向，平行于缝隙子单元41的延伸方向，能够降低第一传输线段1011和缝隙子单元41、以及降低第二传输线段1021和缝隙子单元41之间产生寄生电容的几率，从而能够进一步降低缝隙子单元41与第一传输线101、移相单元30与第二传输线102产生寄生电容的几率，能够进一步降低第一传输线101和/或第二传输线102中产生感应电流的几率，进而能够进一步降低辐射单元40对第一传输线101和/或第二传输线102的影响，能够进一步保障液晶相控阵天线的正常工作。
57.在本技术的一个实施例中，辐射单元40还包括：第三基板43和第四电极44。
58.第三基板43，设置于第三电极42远离第二基板20的一侧；第四电极44，设置于第三基板43远离第二基板20的一侧，且第四电极44在第三电极42的正投影覆盖缝隙子单元41。
59.本技术实施例中，如图5所示，辐射单元40的第三电极42设置于第二基板20远离第一基板10的一侧，辐射单元40的缝隙子单元41开设于第三电极42；可选地，第三电极42为金属地。第三基板43设置于第三电极42远离第二基板20的一侧；可选地，第三基板43为介质基板。第四电极44，设置于第三基板43远离第二基板20的一侧，且第四电极44在第三电极42的正投影覆盖缝隙子单元41。
60.应该说明的是，本技术实施例中，液晶相控阵天线中每个移相单元30均对应设置有一个辐射单元40，具体的，液晶相控阵天线中每个移相单元30均对应设置有一个缝隙子单元41。
61.在本技术的一个实施例中，在平行于第一基板10的方向，第一传输线101在第一基板10的正投影和相邻的第二传输线102在第一基板10的正投影相分离。
62.本技术实施例中，如图3所示，液晶相控阵天线中，第一传输线101在第一基板10的正投影和相邻的第二传输线102在第一基板10的正投影相分离，从而使得第一传输线101和与该第一传输线101相邻的第二传输线102之间具有一定的距离，从而能够避免第一传输线101和相邻的第二传输线102正对，从而能够降低第一传输线101和相邻的第二传输线102之间产生寄生电容的几率，能够进一步降低第一传输线101和/或第二传输线102中产生感应电流的几率，进而能够进一步保障液晶相控阵天线的正常工作。
63.应该说明的是，本技术实施例中，由于实际产品的设计需求，液晶相控阵天线中，由于第一传输线101的第二传输线102的数量较多，且第一传输线101的第二传输线102的延伸长度均较长，因此，为了降低液晶相控阵天线的结构设计难度，降低液晶相控阵天线的生产成本，本领域技术人员可以根据实际需求，设置第一传输线101在第一基板10的正投影与相邻的第二传输线102在第一基板10的正投影之间可以有部分重叠区域存在，保障两者正投影的投影重叠区域的面积在允许范围内即可。
64.在本技术的一个实施例中，第一传输线101包括多个依次连接的第一子传输线段，且相邻两个第一子传输线段之间的角度大于90
°
；第二传输线102包括多个依次连接的第二子传输线段，且相邻两个第二子传输线段之间的角度大于90
°
。
65.本技术实施例中，如图1和图3所示，第一传输线101包括多个依次连接的第一子传
输段，第一传输线101的多个第一子传输段中，相邻两个第一子传输线段之间的角度大于90
°
。从而能够使得第一传输线101中避免存在直角弯折处，从而能够降低第一传输线101与液晶相控阵天线中其它层部件之间的正对面积，能够降低第一传输线101与其它层部件产生寄生电容的几率，能够进一步降低第一传输线101中产生感应电流的几率，进而能够进一步保障液晶相控阵天线的正常工作。
66.本技术实施例中，如图2和图3所示，第二传输线102包括多个依次连接的第二子传输段，第二传输线102的多个第二子传输段中，相邻两个第二子传输线段之间的角度大于90
°
。从而能够使得第二传输线102中避免存在直角弯折处，从而能够降低第二传输线102与液晶相控阵天线中其它层部件之间的正对面积，能够降低第二传输线102与其它层部件产生寄生电容的几率，能够进一步降低第二传输线102中产生感应电流的几率，进而能够进一步保障液晶相控阵天线的正常工作。
67.而且，也能够降低第一传输线101和相邻的第二传输线102的正投影重叠面积，从而能够降低第一传输线101和相邻的第二传输线102之间产生寄生电容的几率，能够进一步降低第一传输线101和/或第二传输线102中产生感应电流的几率，进而能够进一步保障液晶相控阵天线的正常工作。
68.在本技术的一个实施例中，第一传输线101和第二传输线102均包括曲线段。
69.本技术实施例中，第一传输线101可以包括曲线段，可选地，在设计符合要求的情况下，可以将第一传输线101设置为曲线状，从而能够降低第一传输线101与液晶相控阵天线中其它层部件之间的正对面积，能够降低第一传输线101与其它层部件产生寄生电容的几率，能够进一步降低第一传输线101中产生感应电流的几率，进而能够进一步保障液晶相控阵天线的正常工作。
70.同理，第二传输线102可以包括曲线段，可选地，第二传输线102可设置为曲线状。
71.在本技术的一个实施例中，第一传输线101和第二传输线102的制作材料均包括氧化铟锡、银和石墨烯中的至少一种。
72.本技术实施例中，第一传输线101和第二传输线102的制作材料均包括氧化铟锡、银和石墨烯中的一种，和/或包括氧化铟锡、银和石墨烯中的两种及以上。
73.可选地，本技术实施例中，第一传输线101和第二传输线102的制作材料均为ito(indium tin oxide，氧化铟锡)，第一传输线101可以通过溅射、气相沉积等方式设置在第一基板10靠近移相单元30的一侧。第二传输线102可以通过溅射、气相沉积等方式设置在第二基板20靠近移相单元30的一侧。
74.可选地，对于现有工艺采用ito制作第一传输线101和第二传输线102而言，单根第一传输线101或第二传输线102的厚度可为不小于0.05微米，且不大于0.07微米；宽度可为10微米；相邻的第一传输线101和第二传输线102之间的距离可以为5微米。本技术实施例中，限定单根第一传输线101或第二传输线102的宽度不小于10微米，且相邻的第一传输线101和第二传输线102之间的距离不小于5微米，从而能够降低第一传输线101和第二传输线102发生断裂的几率。本领域技术人员理解的是，第一传输线101或第二传输线102的厚度、宽度以及间距可以根据设计要求、生产设备等的限制进行适当扩大，从而进一步降低第一传输线101和第二传输线102发生断裂的几率。
75.本领域技术人员理解的是，第一传输线101和第二传输线102的制作材料还可以采
用其它的导电材料。可选地，第一传输线101和第二传输线102的制作材料均为纳米银，采用纳米银可以使得第一传输线101和第二传输线102具有更高的透光率，而且，纳米银的导电率高于ito，从而使得第一传输线101和第二传输线102的宽度能够减小，有利于液晶相控阵天线尺寸的减小。本技术实施例中，第一传输线101的宽度为垂直于第一传输线101延伸方向上的尺寸，第二传输线102的宽度为垂直于第二传输线102延伸方向上的尺寸。
76.在本技术的一个实施例中，第一电极31包括第三传输线311，第一传输线101与第三传输线311同层设置且电连接；第一传输线101在第一基板10的正投影，与第三传输线311在第一基板10的正投影之间的距离在第一距离范围内；第二传输线102在第一基板10的正投影，与第二电极32在第一基板10的正投影之间的距离在第一距离范围内。
77.本技术实施例中，如图6和图7所示，第一电极31包括第三传输线311，第三传输线311设置于第一基板10的一侧，第一传输线101与第三传输线311同层设置且电连接。第一传输线101在第一基板10的正投影，与第三传输线311在第一基板10的正投影之间的距离在第一距离范围内，本技术实施例中，图6和图7中未示出第一传输线101，第一传输线101的设置位置可以参考图1-图3中所示。
78.本技术实施例中，如图6和图7所示，第二电极32设置于第二基板20靠近第一基板10的一侧，第二传输线102在第一基板10的正投影，与第二电极32在第一基板10的正投影之间的距离在第一距离范围内。本技术实施例中，图6和图7中未示出第二传输线102，第二传输线102的设置位置可以参考图1-图3中所示。
79.在本技术的一个实施例中，移相单元30包括多个第二电极32，至少相邻两个第二电极32相互平行；第三传输线311包括两个相互平行的第三子传输线段，且第二电极32在第一基板10的正投影与两个第三子传输线段在第一基板10的正投影，均存在交叠。
80.本技术实施例中，如图6和图7所示，第三传输线311包括一个第三子传输线段3111和另一第三子传输线段3112，一个第三子传输线段3111和另一第三子传输线段3112相互平行。移相单元30的多个第二电极32在第一基板10的正投影与一个第三子传输线段3111在第一基板10的正投影，均存在交叠；移相单元30的多个第二电极32在第一基板10的正投影与另一第三子传输线段3112在第一基板10的正投影，也均存在交叠。从而使得第三传输线311的一个第三子传输线段3111和另一第三子传输线段3112与第二电极32，共同驱动位于第二电极32和第三传输线311之间的液晶层32。
81.应用本技术实施例，至少能够实现如下有益效果：
82.在本技术实施例提供的液晶相控阵天线中，通过设置第一传输线101和第二传输线102在第一基板10的正投影，均与移相单元30在第一基板10的正投影之间的距离在第一距离范围内，从而能够降低移相单元30与第一传输线101、移相单元30与第二传输线102产生寄生电容的几率或能够大大减小可能产生的寄生电容，能够降低第一传输线101和/或第二传输线102中产生感应电流的几率，进而能够降低移相单元30对第一传输线101和/或第二传输线102的影响，能够保障液晶相控阵天线的正常工作。
83.本技术领域技术人员可以理解，本技术中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本技术中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本技术中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案
也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。
84.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
85.术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
86.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
87.在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
88.以上所述仅是本技术的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。