用于从半导体基板去除光刻胶的剥离组合物的制作方法

技术特征：
1.一种组合物，包含：1)至少一种水溶性极性非质子有机溶剂；2)至少一种氢氧化季铵；3)至少一种羧酸；4)至少一种第ii族金属阳离子；5)至少一种选自于由6-取代-2,4-二氨基-1,3,5-三嗪所组成的群组的铜腐蚀抑制剂；及6)水；其中，所述组合物不含包含至少三个羟基的化合物。2.如权利要求1所述的组合物，其中，所述至少一种氢氧化季铵包含式[nr1r2r3r4]

oh的化合物，并且r1、r2、r3及r4各自独立地为：任选地经羟基取代的直链、支链或环状烷基；经取代或未经取代的苯基；或者经取代或未经取代的苄基。3.如权利要求2所述的组合物，其中，r1、r2、r3及r4各自独立地为c
1-c4烷基、羟乙基、苯基或苄基。4.如权利要求1所述的组合物，其中，所述组合物包含约0.1重量％至约15重量％的量的所述至少一种氢氧化季铵。5.如权利要求1所述的组合物，其中，所述至少一种羧酸选自于由下列所组成的群组：一元羧酸、二羧酸、三羧酸、一元羧酸的α-羟基酸及β-羟基酸、二羧酸的α-羟基酸及β-羟基酸、以及三羧酸的α-羟基酸及β-羟基酸。6.如权利要求5所述的组合物，其中，所述至少一种羧酸包含柠檬酸、马来酸、反丁烯二酸、乳酸、羟基乙酸、草酸、酒石酸、琥珀酸或苯甲酸。7.如权利要求6所述的组合物，其中，所述至少一种羧酸包含柠檬酸。8.如权利要求1所述的组合物，其中，所述组合物包含约0.1重量％至约1.5重量％的量的所述至少一种羧酸。9.如权利要求1所述的组合物，其中，所述至少一种第ii族金属阳离子包含mg
2
、ca
2
、sr
2
或ba
2
。10.如权利要求9所述的组合物，其中，所述至少一种第ii族金属阳离子包含ca
2
。11.如权利要求1所述的组合物，其中，所述组合物包含约5ppm至约40ppm的量的所述至少一种第ii族金属阳离子。12.如权利要求1所述的组合物，其中，所述至少一种铜腐蚀抑制剂包含6-取代-2,4-二氨基-1,3,5-三嗪，6-位置处的取代基为直链或支链的经取代或未经取代的c
1-c
12
烷基、经取代或未经取代的c
3-c
12
环烷基、经取代或未经取代的芳基、-sch2r
100
、-n(r
100
r
101
)或酰亚胺基；其中，r
100
及r
101
各自独立地为任选地在烷基链中包括氮或氧原子的直链或支链的经取代或未经取代的c
1-c
12
烷基、任选地在环烷基环中包括氮或氧原子的经取代或未经取代的c
3-c
12
环烷基、经取代或未经取代的芳基；或者r
100
及r
101
与它们连接的原子一起形成环。13.如权利要求12所述的组合物，其中，所述至少一种铜腐蚀抑制剂包含6-苯基-2,4-二氨基-1,3,5-三嗪或6-甲基-2,4-二氨基-1,3,5-三嗪。14.如权利要求1所述的组合物，其中，所述组合物包含约0.1重量％至约10重量％的量
的所述至少一种铜腐蚀抑制剂。15.如权利要求1所述的组合物，其中，所述至少一种水溶性极性非质子有机溶剂包含二甲亚砜、环丁砜、二甲基砜、n,n-二甲基甲酰胺、n,n-二甲基乙酰胺、n-甲基吡咯烷酮、γ-丁内酯、碳酸丙二酯、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮或其混合物。16.如权利要求1所述的组合物，其中，所述组合物包含约30重量％至约90重量％的量的所述至少一种水溶性极性非质子有机溶剂。17.如权利要求1所述的组合物，其中，所述组合物包含约1重量％至约25重量％的量的所述水。18.如权利要求1所述的组合物，进一步包含至少一种消泡表面活性剂。19.如权利要求18所述的组合物，其中，所述组合物包含约0.01重量％至约3重量％的量的所述至少一种消泡表面活性剂。20.如权利要求1所述的组合物，进一步包含至少一种醇溶剂。21.如权利要求20所述的组合物，其中，所述至少一种醇溶剂包含烷烃二醇、二醇、烷氧基醇、饱和脂肪族一元醇、不饱和非芳香族一元醇、包括环结构的醇或其混合物。22.如权利要求20所述的组合物，其中，所述组合物包含约5重量％至约60重量％的量的所述至少一种醇溶剂。23.如权利要求1所述的组合物，其中，所述组合物具有至少约13的ph。24.如权利要求1所述的组合物，其中，所述组合物包含二甲亚砜、氢氧化四甲基铵、柠檬酸、柠檬酸钙、6-苯基-2,4-二氨基-1,3,5-三嗪、消泡剂及水。25.如权利要求1所述的组合物，其中，所述组合物包含：二甲亚砜，其量为所述组合物的约30重量％至约90重量％；氢氧化四甲基铵，其量为所述组合物的约0.1重量％至约15重量％；柠檬酸，其量为所述组合物的约0.1重量％至约1.5重量％；柠檬酸钙，其量为所述组合物的约5ppm至约40ppm；6-苯基-2,4-二氨基-1,3,5-三嗪，其量为所述组合物的约0.1重量％至约10重量％；消泡剂，其量为所述组合物的约0.01重量％至约3重量％；及水，其量为所述组合物的约1重量％至约25重量％。26.一种组合物，包含：1)至少一种水溶性极性非质子有机溶剂；2)至少一种氢氧化季铵；3)至少一种选自于由6-取代-2,4-二氨基-1,3,5-三嗪所组成的群组的铜腐蚀抑制剂；及4)水；其中，所述组合物不含羧酸、第ii族金属阳离子及包含至少三个羟基的化合物。27.如权利要求26所述的组合物，进一步包含至少一种消泡表面活性剂。28.如权利要求27所述的组合物，其中，所述组合物包含二甲亚砜、氢氧化四甲基铵、6-苯基-2,4-二氨基-1,3,5-三嗪、消泡剂及水。29.如权利要求28所述的组合物，其中，所述组合物包含：二甲亚砜，其量为所述组合物的约30重量％至约90重量％；
氢氧化四甲基铵，其量为所述组合物的约0.1重量％至约15重量％；6-苯基-2,4-二氨基-1,3,5-三嗪，其量为所述组合物的约0.1重量％至约10重量％；消泡剂，其量为所述组合物的约0.01重量％至约3重量％；及水，其量为所述组合物的约1重量％至约25重量％。30.一种方法，包含：将包括光刻胶或光刻胶残余物的半导体基板与如权利要求1所述的组合物接触，以去除所述光刻胶或光刻胶残余物。31.如权利要求30所述的方法，进一步包含在所述接触步骤后用冲洗溶剂来冲洗所述半导体基板。32.如权利要求31所述的方法，进一步包含在所述冲洗步骤后干燥所述半导体基板。33.如权利要求30所述的方法，其中，所述方法基本上不去除所述半导体基板中的cu或al。

技术总结
本公开涉及组合物，其包括：1)至少一种水溶性极性非质子有机溶剂；2)至少一种氢氧化季铵；3)至少一种羧酸；4)至少一种第II族金属阳离子；5)至少一种选自于由6-取代-2,4-二氨基-1,3,5-三嗪所组成的群组的铜腐蚀抑制剂；及6)水，其中，该组合物不含包含至少三个羟基的化合物。该组合物可有效地剥离半导体基板上的正或负调性光刻胶或光刻胶残余物，且对凸块及在下面的金属化材料(诸如，SnAg、CuNiSn、CuCoCu、CoSn、Ni、Cu、Al、W、Sn、Co等)不具腐蚀性。Co等)不具腐蚀性。


技术研发人员：水谷笃史 W
受保护的技术使用者：富士胶片电子材料美国有限公司
技术研发日：2020.04.16
技术公布日：2022/2/6