半导体装置及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体衬底，具有彼此分离且沿第一方向延伸的有源区；字线，形成于所述半导体衬底中，其中所述有源区分别地与一个或多个所述字线相交，所述字线分别地具有宽部以及沿第二方向连续地延伸于所述宽部上的窄部，且所述宽部位于所述字线与所述有源区相交处；以及位线，形成于所述半导体衬底之上且沿与所述第一方向以及所述第二方向相交的第三方向延伸。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述字线的所述宽部沿所述第一方向延伸。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，位于所述有源区内的所述字线具有第一底部宽度，于所述有源区之间延伸的所述字线具有第二底部宽度，且所述第一底部宽度大于所述第二底部宽度。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述窄部的第一区段位于所述有源区内且位于所述宽部的上方，所述窄部的第二区段于所述有源区之间延伸，且所述第二区段的高度大于所述第一区段的高度。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，还包括形成于所述半导体衬底中且延伸于所述有源区之间的沟槽隔离结构，其中所述窄部区域的所述第二区段延伸于所述沟槽隔离结构中。6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述窄部的所述第二区段分别为底部以及较宽于所述底部的顶部。7.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述窄部的所述第二区段的底端低于所述窄部的所述第一区段的底端，且低于所述宽部的底端。8.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，长度不同的每个所述字线的所述窄部的所述第二区段沿所述第二方向交替排列。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，一个所述字线的所述宽部与相邻一个所述字线的所述窄部以第一间距沿所述第一方向横向隔开，一个所述字线的所述窄部与相邻一个所述字线的所述窄部以第二间距沿所述第一方向横向隔开，且所述第一间距短于所述第二间距。10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，气隙分别地形成于所述字线的所述宽部中。11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，每个所述字线更包括于所述窄部上连续地延伸的附加导电材料，且所述附加导电材料与每个所述字线的其余部分以具有不同功函数的不同材料所制成。12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，每个所述字线还包括阻挡层，位于所述窄部与所述附加导电材料之间。13.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供具有有源区与沟槽隔离结构的半导体衬底，其中所述有源区沿第一方向延伸，且所述沟槽隔离结构延伸于所述有源区之间；形成初始栅极沟槽于所述半导体衬底的顶表面处，其中所述初始栅极沟槽沿与所述第
一方向相交的第二方向延伸穿过所述有源区与所述沟槽隔离结构；形成绝缘衬层于所述初始栅极沟渠的侧壁上；使用所述绝缘衬层作为掩模，通过蚀刻制程将所述初始栅极沟槽更向下延伸于所述半导体衬底中以形成栅极沟槽；执行第一氧化制程以氧化所述有源区内的所述栅极沟槽的部分的暴露表面以形成牺牲层；移除所述绝缘衬层与所述牺牲层；以及于所述栅极沟槽中填充导电材料以形成字线。14.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，于移除所述绝缘衬层与所述牺牲层之后，所述有源区内的所述栅极沟槽的部分分别地具有顶部与较宽于所述顶部的底部。15.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，于移除所述绝缘衬层之后，所述沟槽隔离结构内的所述栅极沟槽的部分分别地具有底部与较宽于所述底部的顶部。

技术总结
本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括半导体衬底、字线与位线。半导体衬底具有彼此分离且沿第一方向延伸的有源区。字线形成于半导体衬底中。有源区分别地与一个或多个字线相交。字线分别地具有宽部与沿第二方向连续性延伸于宽部上的窄部。宽部位于字线与有源区相交处。位线形成于半导体衬底之上，且沿与第一方向以及第二方向相交的第三方向延伸。向延伸。向延伸。


技术研发人员：池田典昭
受保护的技术使用者：华邦电子股份有限公司
技术研发日：2021.05.17
技术公布日：2022/2/6