半导体装置及半导体装置的制造方法与流程

1.本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。


背景技术：

2.随着近年来的电子设备的小型化，用于电子设备的半导体装置的小型化不断推进。因此，提出了所谓的fan－out型的半导体装置，其具备具有多个电极的半导体元件、覆盖半导体元件中的形成有多个电极的背面的绝缘层、以及形成于绝缘层并且与多个电极电连接，且位于比半导体元件靠外方的多个配线。由此，实现半导体装置的小型化，并且能够灵活地对应安装有半导体装置的配线基板的配线图案的形状。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2016－89081号公报


技术实现要素：

6.发明所要解决的课题
7.另外，在例如专利文献1的半导体装置中，由于为连接于多个配线的端子从绝缘层的背面露出的结构，因此，在通过焊料将半导体装置安装于配线基板的情况下，难以从半导体装置的外部视觉确认焊料。因此，在从基于焊料的半导体装置与配线基板的接合状态视觉确认半导体装置向配线基板的安装状态的观点上，具有改善的余地。
8.本公开的目的在于提供能够容易地确认半导体装置向配线基板的安装状态的半导体装置及半导体装置的制造方法。
9.用于解决课题的方案
10.解决上述课题的半导体装置包括绝缘层、多个配线、半导体元件以及密封树脂。上述绝缘层具有在厚度方向上彼此朝向相反侧的主面及背面、以及形成于上述主面与上述背面的上述厚度方向之间的侧面。上述多个配线具有至少一部分埋入于上述绝缘层的埋入部、以及遍及从上述背面到上述侧面形成且由与上述埋入部连接的金属膜构成的再配线部。上述半导体元件具有与上述多个配线的上述埋入部的至少一部分连接的多个电极，且搭载于上述主面。上述密封树脂与上述主面相接，且覆盖上述半导体元件。
11.根据该结构，在半导体装置通过焊料安装于配线基板的情况下，通过焊料附着于形成于绝缘层的侧面的再配线部，形成焊角。通过露出于半导体装置的外部的焊角，能够视觉确认将半导体装置接合于配线基板的焊料。从而，能够容易视觉确认半导体装置的安装状态。
12.解决上述课题的半导体装置包括第一绝缘层、第二绝缘层、第一埋入部、第一再配线部、第二埋入部、第二再配线部、半导体元件以及密封树脂。上述第一绝缘层具有在厚度方向上彼此朝向相反侧的第一主面及第一背面、以及形成于上述第一主面与上述第一背面的上述厚度方向之间的第一侧面。上述第二绝缘层在上述厚度方向上层叠于上述第一绝缘
层，且具有在厚度方向上彼此朝向相反侧的第二主面及第二背面、以及形成于上述第二主面与上述第二背面的上述厚度方向之间的第二侧面。上述第一埋入部的至少一部分埋入上述第一绝缘层。上述第一再配线部形成于上述第一绝缘层的至少上述第一背面，且由与上述第一埋入部连接的金属膜构成。上述第二埋入部的至少一部分埋入上述第二绝缘层，且与上述第一再配线部连接。上述第二再配线部遍及从上述第二背面到上述第二侧面形成，且由与上述第二埋入部连接的金属膜构成。上述半导体元件具有与上述第一埋入部的至少一分部连接的电极，且搭载于上述第一主面。上述密封树脂与上述第一主面相接，且覆盖上述半导体元件。
13.根据该结构，在半导体装置通过焊料安装于配线基板的情况下，通过焊料附着于形成于第二绝缘层的第二侧面的第二再配线部，形成焊角。通过露出于半导体装置的外部的焊角，能够视觉确认将半导体装置接合于配线基板的焊料。从而，能够容易视觉确认半导体装置的安装状态。
14.解决上述课题的半导体装置的制造方法具备如下工序：元件埋入工序，该工序将半导体元件以使上述半导体元件的厚度方向的一方所设置的电极从树脂背面露出的方式埋入密封树脂；绝缘层形成工序，该工序形成绝缘层，该绝缘层具有覆盖上述密封树脂的上述树脂背面及上述电极的主面、以及与上述主面朝向相反侧的背面；侧面形成工序，该工序在上述绝缘层形成与上述背面交叉的侧面；以及配线形成工序，该工序形成埋入上述绝缘层且与上述电极连接的埋入部、以及遍及从上述背面到上述侧面的再配线部。
15.根据该结构，在半导体装置通过焊料安装于配线基板的情况下，通过焊料附着于形成于绝缘层的侧面的再配线部，形成焊角。通过露出于半导体装置的外部的焊角，能够视觉确认将半导体装置接合于配线基板的焊料。从而，能够容易视觉确认半导体装置的安装状态。
16.发明的效果
17.根据上述半导体装置及半导体装置的制造方法，能够容易地确认半导体装置向配线基板的安装状态。
附图说明
18.图1是一实施方式的半导体装置的立体图。
19.图2是从图1的半导体装置的背面侧观察的立体图。
20.图3是图1的半导体装置的后视图。
21.图4是沿着图3的4－4线的示意性的剖视图。
22.图5是放大了图4的多个配线的一部分及其周边的放大图。
23.图6是沿着图3的6－6线的示意性的剖视图。
24.图7是表示半导体装置的制造方法的一例的流程图。
25.图8a是表示半导体装置的制造方法的元件埋入工序的一例的说明图。
26.图8b是表示半导体装置的制造方法的绝缘层形成工序的一例的说明图。
27.图8c是表示半导体装置的制造方法的侧面形成工序的一例的说明图。
28.图8d是表示半导体装置的制造方法的配线形成工序的一例的说明图。
29.图8e是放大了图8d的多个槽的一部分及其周边的放大图。
30.图8f是表示半导体装置的制造方法的配线形成工序的一例的说明图。
31.图8g是放大了图8f的多个配线的一部分及其周边的放大图。
32.图8h是表示半导体装置的制造方法的切断工序的一例的说明图。
33.图8i是表示半导体装置的制造方法的切断工序的一例的说明图。
34.图9是将一实施方式的半导体装置安装于配线基板的状态的示意性的剖视图。
35.图10是变更例的半导体装置的示意性的剖视图。
36.图11是放大了图10的多个配线的一部分及其周边的放大图。
37.图12a是表示图10的变更例的半导体装置的制造方法的元件埋入工序的一例的说明图。
38.图12b是表示图10的变更例的半导体装置的制造方法的绝缘层形成工序的一例的说明图。
39.图12c是表示图10的变更例的半导体装置的制造方法的侧面形成工序的一例的说明图。
40.图12d是表示图10的变更例的半导体装置的制造方法的配线形成工序的一例的说明图。
41.图12e是表示图10的变更例的半导体装置的制造方法的切断工序的一例的说明图。
42.图13a是表示图10的变更例的半导体装置的另一制造方法的元件埋入工序的一例的说明图。
43.图13b是表示图10的变更例的半导体装置的另一制造方法的绝缘层形成工序的一例的说明图。
44.图13c是表示图10的变更例的半导体装置的另一制造方法的侧面形成工序的一例的说明图。
45.图13d是表示图10的变更例的半导体装置的另一制造方法的配线形成工序的一例的说明图。
46.图13e是表示图10的变更例的半导体装置的另一制造方法的切断工序的一例的说明图。
47.图14是变更例的半导体装置的示意性的剖视图。
48.图15是变更例的半导体装置的示意性的剖视图。
49.图16是变更例的半导体装置的示意性的剖视图。
50.图17是放大了图16的多个配线的一部分及其周边的放大图。
具体实施方式
51.以下，参照附图，对半导体装置及半导体装置的制造方法的实施方式进行说明。以下所示的实施方式示例用于将技术性的思想具体化的结构、方法，并非将各结构部件的材质、形状、构造、配置、尺寸等限定于下记的例子。以下的实施方式能够施加各种变更。
52.[实施方式]
[0053]
(半导体装置的结构)
[0054]
参照图1～图6，对一实施方式的半导体装置的结构进行说明。
[0055]
如图1及图2所示，半导体装置1具备半导体元件10、密封半导体元件10的一部分的密封树脂20、层叠于密封树脂20的绝缘层30、以及形成于绝缘层30的多个配线40。半导体装置1是表面安装于配线基板的fan－out型的封装体。
[0056]
此外，以下的说明中，将密封树脂20及绝缘层30的层叠方向定义为“厚度方向z”，将与厚度方向z正交的预定方向定义为“横向x”，将与厚度方向z及横向x正交的方向定义为“纵向y”。另外，将在厚度方向z上从密封树脂20观察绝缘层30设为“俯视”。
[0057]
半导体元件10例如为lsi(large scale integration)等集成电路(ic)。另外，半导体元件10也可以是ldo(low drop out)等电压控制电路、运算放大器等放大元件、二极管等离散半导体。俯视下的半导体元件10的形状为矩形。本实施方式中，俯视下的半导体元件10的形状为正方形。半导体元件10是倒装芯片型的元件。
[0058]
半导体元件10具有在厚度方向z上互相朝向相反侧的元件主面11、元件背面12、以及形成于元件主面11与元件背面12的厚度方向z之间的元件侧面13。元件侧面13与元件主面11及元件背面12交叉。如图3所示，在元件背面12形成有多个(本实施方式中为16个)电极14。多个电极14与构成于半导体元件10的电路导通。多个电极14含有例如铝(al)。如图3所示，在本实施方式中，俯视下，沿各元件侧面13互相分离地排列有四个电极14。此外，电极14的个数可以任意变更。
[0059]
如图1～图4所示，密封树脂20覆盖半导体元件10的一部分。具体而言，密封树脂20覆盖半导体元件10的元件主面11及元件侧面13。另一方面，半导体元件10的元件背面12及多个电极14从密封树脂20露出。密封树脂20由例如含有黑色的环氧树脂的材料构成。密封树脂20具有树脂主面21、树脂背面22、以及多个(本实施方式中为四面)树脂侧面23。树脂主面21朝向与半导体元件10的元件主面11相同的方向。树脂背面22朝向与半导体元件10的元件背面12相同的方向。树脂侧面23与树脂主面21及树脂背面22交叉。树脂侧面23朝向与半导体元件10的元件侧面13相同的方向。
[0060]
如图4所示，密封树脂20具有作为在厚度方向z上靠绝缘层30的部分的第一树脂部分20a和作为在厚度方向z上与绝缘层30相反侧的部分的第二树脂部分20b。第一树脂部分20a具有构成树脂侧面23的一部分的第一树脂侧面23a。第二树脂部分20b在与厚度方向z正交的方向上形成得比第一树脂部分20a大。第二树脂部分20b具有构成树脂侧面23的一部分的第二树脂侧面23b。第一树脂侧面23a位于比第二树脂侧面23b靠内方。这样，在密封树脂20通过第一树脂部分20a与第二树脂部分20b的大小的差设有向密封树脂20的内侧凹陷的台阶24。台阶24遍及密封树脂20的整个周向设置。
[0061]
在本实施方式中，第一树脂部分20a的厚度tr1比第二树脂部分20b的厚度tr2薄。另外，厚度tr1比半导体元件10的厚度ts薄。第一树脂部分20a的背面构成树脂背面22。第二树脂部分20b的主面构成树脂主面21。如图4所示，在本实施方式中，树脂背面22与半导体元件10的元件背面12齐平。半导体元件10的多个电极14突出至比树脂背面22朝向绝缘层30。
[0062]
如图2～图4所示，绝缘层30形成为平板状，且与密封树脂20的树脂背面22相接。绝缘层30覆盖半导体元件10的元件背面12及多个电极14。这样，半导体元件10被密封树脂20及绝缘层30密封。绝缘层30由热固化性的合成树脂、及含有组成多个配线40的一部分的金属元素的添加剂的材料构成。绝缘层30含有的合成树脂为例如环氧树脂或聚酰亚胺树脂。绝缘层30的横向x及纵向y的各自的大小与第一树脂部分20a的横向x及纵向y的各自的大小
大致相等。绝缘层30的厚度tl比密封树脂20的厚度tr薄。另外，厚度tl比半导体元件10的厚度ts薄。另外，厚度tl比第二树脂部分20b的厚度tr2薄。另外，厚度tl比第一树脂部分20a的厚度tr1薄。此外，第一树脂部分20a的厚度tr1及第二树脂部分20b的厚度tr2分别可以任意变更。例如，厚度tr2也可以为厚度tr1以上。半导体元件10的厚度ts与厚度tr1、tr2的关系可以任意变更。例如，厚度ts也可以为厚度tr1以下，也可以为厚度tr2以上。
[0063]
绝缘层30具有主面31、背面32、以及多个侧面33。主面31及背面32在厚度方向z上彼此朝向相反侧。主面31与半导体元件10的元件背面12接触。在半导体装置1被安装于配线基板的情况下，背面32与配线基板对置。多个侧面33分别在厚度方向z上形成于主面31与背面32之间。多个侧面33分别与主面31和背面32双方连接。本实施方式中，多个侧面33朝向横向x及纵向y的任一个。各侧面33与主面31及背面32交叉。另外，侧面33与密封树脂20的树脂侧面23(第一树脂侧面23a及第二树脂侧面23b)朝向相同的一侧。
[0064]
如图5所示，绝缘层30具有多个(本实施方式中为16个)槽34。本实施方式中，多个槽34彼此为相同的形状。从厚度方向z观察，多个槽34具有与半导体元件10的多个电极14重叠的部分。
[0065]
多个槽34具有从背面32在厚度方向z上朝向主面31凹陷的背面侧槽34x和从侧面33朝向在横向x或纵向y上对置的侧面33凹陷的侧面侧槽34z。多个槽34各自的侧面以从槽34的底面到槽34的开口端，使槽34的宽度逐渐扩大的方式倾斜。
[0066]
图6是将背面侧槽34x通过沿其宽度方向及厚度方向z的平面切开的剖视图。如图6所示，多个背面侧槽34x各自的侧面34a以从背面侧槽34x的底面34b到绝缘层30的背面32，使背面侧槽34x的宽度逐渐扩大的方式倾斜。背面侧槽34x的底面34b的横向x(背面侧槽34x的宽度方向)的尺寸c1比在横向x(背面侧槽34x的宽度方向)上互相分离的侧面34a与背面32的边界之间的尺寸c2小。此外，虽未图示，但侧面侧槽34z也与背面侧槽34x同样地，多个侧面侧槽34z各自的侧面以从侧面侧槽34z的底面到绝缘层30的侧面33，使侧面侧槽34z的宽度逐渐扩大的方式倾斜。
[0067]
如图3及图5所示，从厚度方向z观察，背面侧槽34x设为与半导体元件10的电极14重叠。遍及从背面32的比半导体元件10的电极14靠内方部分到背面32的横向x或纵向y的端缘形成有背面侧槽34x。如图3所示，在本实施方式中，设置成在俯视下，沿各侧面33，四个背面侧槽34x互相分离的排列。
[0068]
如图5所示，侧面侧槽34z在厚度方向z上遍及整个侧面33形成。侧面侧槽34z与背面侧槽34x连接。即，如图3所示，设置成在俯视下，沿各侧面33，四个侧面侧槽34z互相分离地排列。绝缘层30的侧面33中的形成有侧面侧槽34z的部分位于比第一树脂部分20a的第一树脂侧面23a靠内方。另外，绝缘层30的侧面33中的未形成侧面侧槽34z的部分与第一树脂侧面23a齐平。
[0069]
在多个槽34中的在厚度方向z上与半导体元件10的电极14重叠的部分形成有与电极14连通的孔34c。构成孔34c的内侧面以从绝缘层30的主面31到背面侧槽34x，使孔34c的内径逐渐扩大的方式倾斜。孔34c中的最靠近电极14的部分的与厚度方向z正交的方向的尺寸b1比孔34c中的比最靠近背面32的部分的与厚度方向z正交的方向的尺寸b2小。
[0070]
如图3所示，多个配线40与半导体元件10的多个电极14电连接。多个配线40构成用于向半导体元件10供给电力且用于向半导体元件10输入/输出信号的导电路径。
[0071]
如图4～图6所示，多个配线40配置于绝缘层30。在本实施方式中，多个配线40形成于绝缘层30上。多个配线40设于多个槽34。如图4及图5所示，多个配线40分别具有埋入部41及再配线部42。
[0072]
埋入部41的至少一部分埋入于绝缘层30。本实施方式中，埋入部41全部埋入于绝缘层30。如图5所示，在本实施方式中，埋入部41埋入于孔34c。埋入部41的侧面形成为成为沿着构成孔34c的内侧面的形状的形状。即，埋入部41的侧面以使埋入部41的直径从绝缘层30的主面31朝向背面侧槽34x扩大的方式倾斜。埋入部41的侧面的形状与构成孔34c的内侧面的形状相同。埋入部41与半导体元件10的电极14连接。
[0073]
再配线部42与埋入部41连接。在背面侧槽34x及侧面侧槽34z分别设有再配线部42。如图3所示，再配线部42包括位于比半导体元件10靠外方的部分。再配线部42具有设于背面侧槽34x的背面侧再配线部42x和设于侧面侧槽34z的侧面侧再配线部42z。如图3所示，沿着绝缘层30的各侧面33，四个背面侧再配线部42x互相分离地排列。另外，沿着各侧面33，四个侧面侧再配线部42z互相分离地排列。背面侧再配线部42x与侧面侧再配线部42z连接。在本实施方式中，背面侧再配线部42x和侧面侧再配线部42z形成为一体。侧面侧再配线部42z在厚度方向z上遍及绝缘层30的侧面33全体而形成。
[0074]
埋入部41及再配线部42分别具有基础层43及镀敷层44。基础层43由绝缘层30含有的添加剂所包含的金属元素组成。镀敷层44由含有例如铜(cu)的材料构成。埋入部41的基础层43与构成孔34c的内侧面相接。埋入部41的镀敷层44被埋入部41的基础层43绕厚度方向z围住。再配线部42的基础层43与背面侧槽34x相接。再配线部42的镀敷层44覆盖再配线部42的基础层43。在本实施方式中，背面侧再配线部42x的镀敷层44从背面侧槽34x沿厚度方向z突出。侧面侧再配线部42z的镀敷层44从侧面侧槽34z沿垂直于侧面33的方向突出。侧面侧再配线部42z的镀敷层44在垂直于侧面33的方向上比第一树脂部分20a的第一树脂侧面23a突出。这样，再配线部42由含有基础层43及镀敷层44的金属膜构成。
[0075]
图6示出了将沿纵向y延伸的再配线部42用沿厚度方向z及横向x的平面切开的剖视图。该情况下，再配线部42的宽度方向与横向x一致。
[0076]
如图6所示，再配线部42的镀敷层44具有朝向再配线部42的厚度方向凹陷的凹部45。凹部45是在后述的半导体装置1的制造方法的配线形成工序中对覆盖多个槽34的基础层43形成镀敷层44而产生痕迹。因此，凹部45为沿多个配线40的再配线部42的延伸的方向延伸的结构。详细而言，形成于背面侧再配线部42x的凹部45朝向背面侧再配线部42x的镀敷层44的厚度方向z凹陷。在图6中，背面侧再配线部42x沿纵向y延伸，因此形成于背面侧再配线部42x的镀敷层44的凹部45沿纵向y延伸。另外，虽未图示，但关于沿横向x延伸的再配线部42，在将该再配线部42用沿厚度方向z及纵向y的平面切开的剖视中，形成于镀敷层44的凹部45沿再配线部42的横向x延伸。另外，虽未图示，但在侧面侧再配线部42z与沿横向x延伸的背面侧再配线部42x连续的情况下，形成于侧面侧再配线部42z的凹部45朝向侧面侧再配线部42z的镀敷层44的横向x凹陷。在侧面侧再配线部42z与沿纵向y延伸的背面侧再配线部42x连续的情况下，形成于侧面侧再配线部42z的凹部45朝向侧面侧再配线部42z的镀敷层44的纵向y凹陷。侧面侧再配线部42z沿厚度方向z延伸，因此侧面侧再配线部42z的凹部45沿厚度方向z延伸。
[0077]
(半导体装置的制造方法)
[0078]
参照图7及图8a～图8i，对半导体装置1的制造方法进行说明。
[0079]
如图7所示，半导体装置1的制造方法具备元件埋入工序(步骤s1)、绝缘层形成工序(步骤s2)、侧面形成工序(步骤s3)、配线形成工序(步骤s4)、以及切断工序(步骤s5)。本实施方式中，通过依次实施元件埋入工序(步骤s1)、绝缘层形成工序(步骤s2)、侧面形成工序(步骤s3)、配线形成工序(步骤s4)、以及切断工序(步骤s5)，制造半导体装置1。
[0080]
如图8a所示，在元件埋入工序中，将多个半导体元件10埋入密封树脂100。在该工序中，向金属模具内配置密封树脂100的材料和多个半导体元件10后，进行压缩成形。作为密封树脂100的材料，使用含有黑色的环氧树脂的材料。在该工序中，以使各半导体元件10的靠元件主面11的部分被埋入密封树脂100，元件背面12及形成于元件背面12的多个电极14从密封树脂100露出的方式将各半导体元件10埋入密封树脂100。如图8a所示，各半导体元件10的元件主面11及元件侧面13被密封树脂100覆盖。密封树脂100具有与元件背面12齐平的树脂背面100bs。多个电极14从树脂背面100bs沿厚度方向z突出。
[0081]
然后，如图8b所示，在绝缘层形成工序中，形成层叠于密封树脂100的树脂背面100bs且覆盖多个半导体元件10的元件背面12及多个电极14的绝缘层110。绝缘层110的材料由包含热固化性的合成树脂、及含有组成后述的多个配线120的一部分的金属元素的添加剂的材料构成。绝缘层110的合成树脂为例如环氧树脂或聚酰亚胺树脂。绝缘层110通过压缩成形形成。绝缘层110具有在厚度方向z上互相朝向相反侧的主面111及背面112。主面111是绝缘层110的密封树脂100侧的面。背面112是绝缘层110的与密封树脂100侧在厚度方向z上相反侧的面。
[0082]
然后，如图8c所示，在侧面形成工序中，在绝缘层110及密封树脂100中的相邻的半导体元件10之间的部分形成分离槽130。具体而言，将绝缘层110中的相邻的半导体元件10之间的部分沿厚度方向z切断，而且切削密封树脂100中的相邻的半导体元件10之间的部分的厚度方向z的一部分，由此形成分离槽130。通过切割形成分离槽130。以分离槽130的底面131位于比半导体元件10的元件主面11靠近元件背面12的方式形成分离槽130。在密封树脂100，通过分离槽130形成有作为密封树脂100的厚度方向z上的靠绝缘层110的部分的第一树脂部分100a。另外，在密封树脂100通过分离槽130形成有第一树脂部分100a的第一树脂侧面100xa。另外，在绝缘层110，通过分离槽130形成有侧面113。侧面113形成于主面111与背面112的厚度方向z之间。
[0083]
然后，如图8d～图8g所示，在配线形成工序中，形成与半导体元件10的多个电极14连接的多个配线120(参照图8f及图8g)。多个配线120相当于半导体装置1的多个配线40。如图8f所示，多个配线120分别具有埋入部121及再配线部122。埋入部121埋入于绝缘层110，且与半导体元件10的电极14连接。埋入部121及再配线部122分别具有基础层120a及镀敷层120b。如图7所示，配线形成工序包括基础层形成工序(步骤s41)及镀敷层形成工序(步骤s42)。通过依次实施基础层形成工序及镀敷层形成工序，形成多个配线120。
[0084]
如图8e所示，在基础层形成工序中，通过加工绝缘层110的背面112及侧面113，使基础层120a析出。绝缘层110的侧面113是绝缘层110中的构成分离槽130的内侧面。在该工序中，如图8d所示，通过激光在绝缘层110形成多个孔114及多个槽115。多个孔114将绝缘层110在厚度方向z上贯通。半导体元件10的多个电极14个别地从多个孔114露出。多个孔114通过一边利用红外线照相机等对多个电极14的位置进行图像识别，一边使激光向绝缘层
110照射到多个电极14露出而形成。照射激光的位置基于通过图像识别得到多个电极14的位置信息被逐一补正。如图8e所示，各槽115具有从绝缘层110的背面112朝向厚度方向z凹陷且与多个孔114连接的背面侧槽115x和从绝缘层110的侧面113朝向相对于侧面113垂直的方向(图8e中横向x)凹陷的侧面侧槽115z。侧面侧槽115z与背面侧槽115x连接。多个槽115通过向绝缘层110的背面112照射激光而形成。此外，激光是例如波长为355nm且光束的直径为17μm的紫外线激光。通过在绝缘层110形成多个孔114及多个槽115，析出覆盖构成多个孔114的内侧面及多个槽115的基础层120a。基础层120a由包含于绝缘层110的添加剂所含有的金属元素组成。通过激光照射使添加剂所含有的金属元素激励。由此，包含添加剂所含有的金属元素的金属层作为基础层120a被析出。
[0085]
如图8g所示，在镀敷层形成工序中，形成覆盖基础层120a的镀敷层120b。镀敷层120b由含有铜的材料构成。镀敷层120b通过化学镀形成。由此，在多个孔114分别形成有埋入部121。同时，在多个槽115分别形成有再配线部122。更详细而言，在多个背面侧槽115x分别形成有背面侧再配线部122x，在多个侧面侧槽115z分别形成有侧面侧再配线部122z。通过以上，如图8f所示地形成多个配线120。
[0086]
最后，如图8h所示，在切断工序中，将绝缘层110及密封树脂100通过沿着例如切割线cl利用切割刀等切断，分割成多个单片。如图8i所示，多个单片配置成矩阵状。如图8h所示，切割线cl位于分离槽130内且比构成分离槽130的内侧面靠外方。通过利用切割刀将密封树脂100切断，在密封树脂100形成有第一树脂部分100a凹陷的台阶101和作为在厚度方向z上相对于台阶101与第一树脂部分100a相反侧的部分的第二树脂部分100b。另外，通过将密封树脂100切断，形成第二树脂部分100b的第二树脂侧面100xb。
[0087]
分割成的多个单片分别包括一个半导体元件10和与半导体元件10连接的多个配线120。通过切断工序成为单片的密封树脂100及绝缘层110相当于半导体装置1的密封树脂20及绝缘层30。经过以上的工序，制造出半导体装置1。
[0088]
(作用)
[0089]
基于与比较例的半导体装置的比较，对本实施方式的作用进行说明。
[0090]
比较例的半导体装置具备引线框、安装于引线框的半导体元件、以及将半导体元件及引线框密封的密封树脂。在引线框的表面，为了提高焊料的濡湿性而实施了镀敷处理。比较例的半导体装置是引线框在密封树脂的背面及侧面露出的表面安装型的半导体装置。在这样的比较例的半导体装置的制造方法中，通过切割将通过构成引线框的母材连接有多个半导体装置的状态下的半导体装置分离成多个单片的半导体装置。因此，在各半导体装置中，在引线框中的从密封树脂的侧面露出的部分未形成镀敷层。因此，在将比较例的半导体装置通过焊料安装于配线基板的情况下，引线框中的从密封树脂的侧面露出的部分的焊料的濡湿性差，难以形成焊角。其结果，在将比较例的半导体装置安装于配线基板后，难以视觉确认比较例的半导体装置的安装状态。
[0091]
鉴于该点，本实施方式中，设于绝缘层30的侧面33的侧面侧再配线部42z含有镀敷层44。因此，如图9所示，在半导体装置1通过焊料sd安装于配线基板cb的情况下，焊料sd容易附着于侧面侧再配线部42z，容易形成焊角sd1。从而，在将半导体装置1安装于配线基板cb后，能够基于焊角sd1容易地确认半导体装置1的安装状态。
[0092]
(效果)
[0093]
根据本实施方式的半导体装置及半导体装置的制造方法，可得到以下的效果。
[0094]
(1)再配线部42遍及从绝缘层30的背面32到侧面33而形成。根据该结构，在半导体装置1通过焊料sd安装于配线基板cb的情况下，焊料sd附着于形成于侧面33的作为再配线部42的侧面侧再配线部42z，由此形成焊角sd1。通过露出于半导体装置1的外部的焊角sd1，能够容易地视觉确认半导体装置1的安装状态。
[0095]
(2)再配线部42在厚度方向z上遍及绝缘层30的整个侧面33而形成。根据该结构，在半导体装置1通过焊料sd安装于配线基板cb的情况下，焊料sd附着于侧面侧再配线部42z而形成的焊角sd1变大，因此更容易视觉确认焊角sd1。
[0096]
(3)侧面侧再配线部42z位于第二树脂部分20b的比第二树脂侧面23b靠内方。根据该结构，在切断工序中侧面侧再配线部42z不会被切割刀切削，因此可维持侧面侧再配线部42z的形成有镀敷层的状态。从而，在半导体装置1通过焊料sd安装于配线基板cb的情况下，焊料sd容易附着于侧面侧再配线部42z。另外，通过侧面侧再配线部42z，焊料sd的附着面积比仅具备背面侧再配线部42x的半导体装置增加。因此，在半导体装置1通过焊料sd安装于配线基板cb的情况下，能够提高半导体装置1与配线基板cb的粘着力。
[0097]
(4)半导体装置1具备具有背面32的绝缘层30和具有埋入部41及再配线部42的多个配线40。多个配线40的再配线部42分别配置于背面32，并且与连接于半导体元件10的多个电极14的多个配线40的埋入部41连接。绝缘层30具有多个槽34，该槽34包括从背面32朝向厚度方向z凹陷的多个背面侧槽34x和从侧面33朝向与侧面33正交的方向凹陷的多个侧面侧槽34z。多个配线40的再配线部42与多个槽34相接。多个槽34相当于在半导体装置1的制造方法中的配线形成工序中通过激光形成于绝缘层110的多个槽115。
[0098]
配线形成工序具有在绝缘层110的表面使基础层120a析出的基础层形成工序和形成覆盖基础层120a的镀敷层120b的镀敷层形成工序。多个配线120相当于半导体装置1的多个配线40。绝缘层110由包含热硬化性的合成树脂、及含有组成多个配线120的一部分(基础层120a)的金属元素的添加剂的材料构成。基础层形成工序通过利用激光在绝缘层110形成多个孔114及多个槽115，使覆盖构成多个孔114的内侧面及多个槽115的基础层120a析出。多个孔114通过一边图像识别半导体元件10的多个电极14的位置，一边使多个电极14露出而形成。根据该结构，即使在因密封树脂100的固化收缩而使半导体元件10发生位移的情况下，也通过图像识别在激光照射时进行与多个电极14的位移对应的位置补正，因此能够高精度地形成使多个电极14露出的多个孔114。即，能够高精度地形成与多个电极14的位置一致的多个配线120。从而，能够抑制半导体元件10的多个电极14与多个配线120(多个配线40)的接合部的错位。
[0099]
(5)在半导体装置1的制造方法的配线形成工序中，通过化学镀形成镀敷层120b。根据该结构，与通过电镀形成镀敷层120b的情况比较，无需使成为用于形成镀敷的导电路径的基础层120a析出，因此能够更高效地形成多个配线120。
[0100]
(6)再配线部42的背面侧再配线部42x相对于绝缘层30的背面32在厚度方向z上突出。根据该结构，在将半导体装置1安装于配线基板cb的情况下，更容易安装半导体装置1。
[0101]
[变更例]
[0102]
上述实施方式是可以得到本公开涉及的半导体装置及半导体装置的制造方法的方式的例示，并非意图限制该方式。本公开涉及的半导体装置及半导体装置的制造方法可
以得到与上述实施方式例示出的方式不同的方式。其一例为将上述实施方式的结构的一部分进行了置换、变更、或者省略的方式、或者对上述实施方式添加了新的结构的方式。在以下的变更例中，对与上述实施方式共通的部分标注与上述实施方式相同的符号，并省略其说明。
[0103]
在上述实施方式中，绝缘层30的形状可以任意变更。在一例中，也可以如图10所示的半导体装置1a地，使绝缘层30进入到密封树脂20的台阶24。绝缘层30具有覆盖密封树脂20的树脂背面22及半导体元件10的元件背面12的第一被覆部35和覆盖绝缘层30的侧面33及第一树脂部分20a的第一树脂侧面23a的第二被覆部36。第二被覆部36覆盖第一树脂侧面23a的整个面。图10中，第二被覆部36的厚度tc2比第一被覆部35的厚度tc1薄。此外，第一被覆部35的厚度tc1相当于上述实施方式的绝缘层30的厚度tl。
[0104]
如图11所示，在第一被覆部35形成有背面侧槽34x，在第二被覆部36形成有侧面侧槽34z。侧面侧槽34z在厚度方向z上遍及整个第二被覆部36形成。多个配线40的再配线部42遍及第一被覆部35及第二被覆部36形成。再配线部42在厚度方向z上遍及整个第二被覆部36(侧面侧槽34z)形成。
[0105]
下面，使用图12a～图12e对图10的半导体装置1a的制造方法进行说明。图10的半导体装置1a的制造方法与上述实施方式的半导体装置1的制造方法同样地具备元件埋入工序、绝缘层形成工序、侧面形成工序、配线形成工序、以及切断工序。
[0106]
如图12a所示，在元件埋入工序中，将半导体元件10埋入密封树脂100，在密封树脂100中的相邻的半导体元件10之间的连结部103形成槽140。在连结部103形成有分离的两个槽140。从密封树脂100的树脂背面100bs朝向厚度方向z形成有槽140。在该工序中，在向金属模具内配置密封树脂100的材料和半导体元件10后，进行压缩成形。密封树脂100的材料可使用含有黑色的环氧树脂的材料。在该工序中，以半导体元件10的靠元件主面11的部分埋入密封树脂100，且元件背面12及形成于元件背面12的多个电极14从密封树脂100的树脂背面100bs露出的方式，将半导体元件10埋入密封树脂100。也可以与通过例如压缩成形的金属模具将半导体元件10埋入密封树脂100的工序同时地形成槽140。另外，槽140也可以在通过压缩成形将半导体元件10埋入密封树脂100后，通过切割形成。以槽140的底面141位于比半导体元件10的元件主面11靠近元件背面12的方式形成槽140。通过槽140，在密封树脂100形成有作为厚度方向z上靠绝缘层110的部分的第一树脂部分100a。理念，在密封树脂100，通过槽140，形成有第一树脂部分100a的第一树脂侧面100xa。
[0107]
然后，如图12b所示，在绝缘层形成工序中，形成层叠于密封树脂100的树脂背面100bs且覆盖半导体元件10的元件背面12及多个电极14的绝缘层110。绝缘层110的一部分进入槽140。由此，第一树脂部分100a的第一树脂侧面100xa被绝缘层110的一部分覆盖。绝缘层110的材料由包含热固化的合成树脂、及含有组成后述的多个配线120的一部分的金属元素的添加剂的材料构成。绝缘层110的合成树脂为例如环氧树脂或聚酰亚胺树脂。绝缘层110通过压缩成形而形成。
[0108]
然后，如图12c所示，在侧面形成工序中，在绝缘层110及密封树脂100中的相邻的半导体元件10之间的部分形成分离槽150。分离槽150通过切割形成。分离槽150形成为使形成于连结部103的两个槽140(参照图12a)连通。以分离槽150的底面151与槽140的底面141(参照图12a)齐平的方式形成有分离槽150。也可以随着形成分离槽150，将进去到槽140的
绝缘层110的一部去除。其结果，绝缘层110具有覆盖密封树脂100的树脂背面100bs以及半导体元件10的元件背面12及多个电极14的第一被覆部116和覆盖密封树脂100的第一树脂侧面100xa的第二被覆部117。另外，在绝缘层110通过分离槽150形成有侧面113。侧面113是第二被覆部117的侧面。侧面113在厚度方向z上遍及密封树脂100的整个第一树脂侧面100xa形成。
[0109]
然后，如图12d所示地，在配线形成工序中，与上述实施方式同样地形成多个配线120。在图12d中，多个配线120遍及第一被覆部116及第二被覆部117形成。多个配线120在厚度方向z上遍及整个第二被覆部117形成。多个配线120相当于变更例的半导体装置1a的多个配线40。
[0110]
然后，如图12e所示地，在切断工序中，与上述实施方式同样地将绝缘层110及密封树脂100沿着例如切割线cl利用切割刀等切断，由此分割成多个单片。该情况下，如图12e所示地，切割线cl位于分离槽150内且比构成分离槽150的内侧面靠外方。具体而言，以使切割刀与形成于第二被覆部117的配线120不接触的方式设定切割刀的位置及切割刀的厚度。通过利用切割刀切断密封树脂100，在密封树脂100形成有第一树脂部分100a凹陷的台阶101和作为在厚度方向z上相对于台阶101与第一树脂部分100a相反的侧的部分的第二树脂部分100b。另外，通过密封树脂100被切断，形成了第二树脂部分100b的第二树脂侧面100xb。
[0111]
分割成的多个单片分别包括一个半导体元件10和与半导体元件10连接的多个配线120。通过切断工序成为单片的密封树脂100及绝缘层110相当于半导体装置1a的密封树脂20及绝缘层30。经过以上的工序，制造出半导体装置1a。
[0112]
根据该结构，能够使侧面侧再配线部42z的厚度方向z的长度比绝缘层30的厚度长。从而，在将半导体装置1a通过焊料sd(同时参照图9)安装于配线基板cb的情况下，在侧面侧再配线部42z通过接合焊料而形成的焊角sd1(参照图9)变大。从而，焊角sd1容易从密封树脂20的台阶24露出，因此容易确认配半导体装置1a向线基板cb的安装状态。而且，通过侧面侧再配线部42z，焊料sd的附着面积比仅具备背面侧再配线部42x的半导体装置增加。因此，在半导体装置1a通过焊料sd安装于配线基板cb的情况下，能够提高半导体装置1a与配线基板cb的粘着力。而且，在元件埋入工序中的槽140的形成使用切割刀的情况下，用于形成槽140的切割和切断工序中的切割能够使用共通的切割刀。
[0113]
图10的半导体装置1a的制造方法不限于图12a～图12e所示的上述的制造方法。例如，图10的半导体装置1a的制造方法也可以按照图13a～图13e所示的工序的顺序进行。该情况下，图10的半导体装置1a的制造方法也与上述的制造方法同样地具备元件埋入工序、绝缘层形成工序、侧面形成工序、配线形成工序、以及切断工序。
[0114]
如图13a所示，在元件埋入工序中，将半导体元件10埋入密封树脂100，在密封树脂100中的相邻的半导体元件10之间的连结部103形成槽160。槽160从密封树脂100的树脂背面100bs朝向厚度方向z形成。槽160的横向x的宽度比两个槽140(参照图12a)每一个的横向x的宽度大。图13a的槽160的横向x的宽度与例如将在图12a的横向x上相邻的两个槽140沿横向x连接的距离相等。槽160形成为，其底面161位于比半导体元件10的元件主面11靠近元件背面12。在密封树脂100，通过槽160形成有作为厚度方向z上靠绝缘层110的部分的第一树脂部分100a。另外，在密封树脂100，通过槽160形成有第一树脂部分100a的第一树脂侧面100xa。
[0115]
在元件埋入工序中，向金属模具内配置密封树脂100的材料和半导体元件10，然后进行压缩成形。密封树脂100的材料使用含有黑色的环氧树脂的材料。在该工序中，以半导体元件10的靠元件主面11的部分埋入密封树脂100，且元件背面12及形成于元件背面12的多个电极14从密封树脂100的树脂背面100bs露出的方式将半导体元件10埋入密封树脂100。也可以与通过例如压缩成形的金属模具将半导体元件10埋入密封树脂100的工序同时地形成槽160。另外，槽160也可以在通过压缩成形将半导体元件10埋入密封树脂100后，通过切割形成槽160。
[0116]
然后，如图13b所示地，在绝缘层形成工序中，形成层叠于密封树脂100的树脂背面100bs且覆盖半导体元件10的元件背面12及多个电极14的绝缘层110。绝缘层110的一部分进入槽160。由此，第一树脂部分100a的第一树脂侧面100xa被绝缘层110的一部分覆盖。绝缘层110的材料由包含热固化性的合成树脂、及含有组成后述的多个配线120的一部分的金属元素的添加剂的材料构成。绝缘层110的合成树脂是例如环氧树脂或聚酰亚胺树脂。绝缘层110通过压缩成形形成。
[0117]
然后，如图13c所示，在侧面形成工序中，在绝缘层110及密封树脂100中的相邻的半导体元件10之间的部分形成分离槽170。分离槽170通过切割形成。分离槽170通过切割进入到形成于连结部103的槽160(参照图13a)的绝缘层110而形成。形成分离槽170的切割刀的横向x的厚度比形成槽160的切割刀的横向x的厚度薄。因此，分离槽170的横向x的宽度比槽160的横向x的宽度小。另外，分离槽170形成为，其底面171与槽160的底面161(参照图13a)齐平。由此，绝缘层110具有覆盖密封树脂100的树脂背面100bs以及半导体元件10的元件背面12及多个电极14的第一被覆部116和覆盖密封树脂100的第一树脂侧面100xa的第二被覆部117。另外，在绝缘层110，通过分离槽170形成有侧面113。侧面113是第二被覆部117的侧面。侧面113在厚度方向z上遍及密封树脂100的整个第一树脂侧面100xa形成。此外，分离槽170的横向x的宽度及厚度方向z的深度与分离槽150(参照图12c)的横向x的宽度及厚度方向z的深度分别相等。
[0118]
然后，如图13d所示地，在配线形成工序中，与上述图12d所示的配线形成工序同样地形成多个配线120。在图13d中，多个配线120遍及第一被覆部116及第二被覆部117形成。多个配线120在厚度方向z上遍及整个第二被覆部117形成。多个配线120相当于变更例的半导体装置1a的多个配线40。
[0119]
如图13e所示，在切断工序中，与上述图12e所示的配线形成工序同样地，将绝缘层110及密封树脂100沿着例如切割线cl利用切割刀等切断，由此分割成多个单片。该情况下，如图13e所示地，切割线cl位于分离槽170内且比构成分离槽170的内侧面靠外方。具体而言，以使切割刀与形成于第二被覆部117的配线120不接触的方式设定切割刀的位置及切割刀的横向x的厚度。即，切断密封树脂100的切割刀的横向x的厚度比形成分离槽170的切割刀的横向x的厚度薄。通过利用切割刀切断密封树脂100，在密封树脂100形成有第一树脂部分100a凹陷的台阶101和作为在厚度方向z上相对于台阶101与第一树脂部分100a相反的侧的部分的第二树脂部分100b。另外，通过密封树脂100被切断，形成了第二树脂部分100b的第二树脂侧面100xb。
[0120]
分割成的多个单片分别包括一个半导体元件10和与半导体元件10连接的多个配线120。通过切断工序成为单片的密封树脂100及绝缘层110相当于半导体装置1a的密封树
脂20及绝缘层30。经过以上的工序，制造出半导体装置1a。
[0121]
根据该结构，可以得到与图12a～图12e的半导体装置1a的制造方法相同的效果。而且，在图12a～图12e的半导体装置1a的制造方法的元件埋入工序中，在通过切割刀形成每一个连结部103的槽140的情况下，切割刀的扫描线数为两条，但在通过切割刀形成槽160的情况下，切割刀的扫描线数为一条，能够降低线数。因此，能够简化元件埋入工序。
[0122]
图10的变更例中，绝缘层30的第二被覆部36的厚度tc2可以任意变更。在一例中，厚度tc2也可以为密封树脂20的第一树脂部分20a的第一树脂侧面23a与第二树脂部分20b的第二树脂侧面23b之间的距离以上。即，也可以使绝缘层30的侧面33(第二被覆部36的侧面)与第二树脂侧面23b齐平，也可以以侧面33(第二被覆部36的侧面)比第二树脂侧面23b向外方突出的方式设置绝缘层30。
[0123]
在上述实施方式及变更例中，绝缘层30的第二被覆部36的厚度方向z的长度可以任意变更。第二被覆部36也可以构成为覆盖第一树脂部分20a的第一树脂侧面23a中的厚度方向z的树脂背面22侧的一部。
[0124]
上述实施方式中，也可以取代一层构造的绝缘层30而使用多层构造的绝缘层。图14所示的半导体装置1b具有在厚度方向z上巨像层叠的第一绝缘层30a及第二绝缘层30b。第一绝缘层30a和第二绝缘层30b以该顺序层叠于密封树脂20。第一绝缘层30a配置于比第二绝缘层30b靠近半导体元件10。第一绝缘层30a覆盖密封树脂20以及半导体元件10的元件背面12及多个电极14。在第一绝缘层30a设有由金属膜构成的多个第一配线40a。在第二绝缘层30b设有由金属膜构成的多个第二配线40b。
[0125]
第一绝缘层30a由包含热固化性的合成树脂、以及含有组成多个第一配线40a的一部分的金属元素的添加剂的材料构成。第二绝缘层30b由包含热固化性的合成树脂以及含有组成多个第二配线40b的一部分的金属元素的添加剂的材料构成。第一绝缘层30a及第二绝缘层30b的热固化性的合成树脂为例如环氧树脂或聚酰亚胺树脂。第一绝缘层30a及第二绝缘层30b优选彼此为相同的材料。
[0126]
第一绝缘层30a具有在厚度方向z上彼此朝向相反侧的第一主面31a及第一背面32a、以及形成于第一主面31a与第一背面32a的厚度方向z之间的第一侧面33a。第一主面31a构成绝缘层30的主面31。第一侧面33a构成绝缘层30的侧面33的一部分。
[0127]
第一绝缘层30a具有第一槽34d，该第一槽34d包括从第一绝缘层30a的第一背面32a朝向厚度方向z凹陷的第一背面侧槽34xa和从第一绝缘层30a的第一侧面33a朝向与厚度方向z正交的方向(第一绝缘层30a的厚度方向)凹陷的第一侧面侧槽34za。在用沿第一背面侧槽34xa的宽度方向及厚度方向z的平面切割第一背面侧槽34xa的情况下的截面构造与上述实施方式的用沿着背面侧槽34x的宽度方向及厚度方向z的平面切割背面侧槽34x的情况下的截面构造相同。如图14所示，从厚度方向z观察，第一背面侧槽34xa设为与半导体元件10的电极14重叠。遍及第一背面32a的从比半导体元件10的电极14靠内方部分到比半导体元件10靠外方部分且比第一侧面33a靠内方部分形成有第一背面侧槽34xa。
[0128]
多个第一背面侧槽34xa中的厚度方向z上与半导体元件10的电极14重叠的部分形成有与电极14连通的孔34cd。构成孔34cd的内侧面以使孔34cd的内径遍及从第一绝缘层30a的第一主面31a(绝缘层30的主面31)到第一背面32a扩大的方式倾斜。构成孔34cd的内侧面的形状与构成上述实施方式的孔34c的内侧面的形状相同。
[0129]
第一侧面侧槽34za与第一背面侧槽34xa未连接。与多个第一背面侧槽34xa中的沿横向x延伸的第一背面侧槽34xa对应的第一侧面侧槽34za从横向x观察与沿横向x延伸的第一背面侧槽34xa重叠。与沿横向x延伸的第一背面侧槽34xa对应的第一侧面侧槽34za与沿横向x延伸的第一背面侧槽34xa在横向x上分离。与多个第一背面侧槽34xa中的沿横向x延伸的第一背面侧槽34xa对应的第一侧面侧槽34za从横向x观察与沿横向x延伸的第一背面侧槽34xa重叠。第一绝缘层30a的第一侧面33a中的形成有第一侧面侧槽34za的部分位于比第一树脂部分20a的第一树脂侧面23a靠内方。另外，第一绝缘层30a的第一侧面33a中的未形成第一侧面侧槽34za的部分与第一树脂侧面23a齐平。与沿横向x延伸的第一背面侧槽34xa对应的第一侧面侧槽34za和沿横向x延伸的第一背面侧槽34xa在横向x上分离。第一侧面侧槽34za在厚度方向z上遍及第一绝缘层30a的整个第一侧面33a形成。在用沿第一侧面侧槽34za的宽度方向以及与第一侧面33a及宽度方向正交的方向的平面切割第一侧面侧槽34za的情况下的截面构造与上述实施方式的用沿侧面侧槽34z的宽度方向以及与侧面33及宽度方向正交的方向的平面切割侧面侧槽34z的情况下的截面构造相同。
[0130]
多个第一配线40a分别具有第一埋入部41a及第一再配线部42a。第一埋入部41a的至少一部分埋入于第一绝缘层30a。图14中，第一埋入部41a全部埋入于第一绝缘层30a。第一埋入部41a埋入于孔34cd。第一埋入部41a与半导体元件10的电极14连接。第一再配线部42a设于第一背面32a，且与第一埋入部41a连接。第一再配线部42a与第一槽34d相接。更详细而言，第一再配线部42a具有与第一背面侧槽34xa相接的第一背面侧再配线部42xa和与第一侧面侧槽34za相接的第一侧面侧再配线部42za。第一背面侧再配线部42xa与第一侧面侧再配线部42za未连接。图14中，第一背面侧再配线部42xa在第一背面侧槽34xa延伸的方向上遍及整个第一背面侧槽34xa相接。因此，第一背面侧再配线部42xa包括位于比半导体元件10靠外方的部分。
[0131]
第二绝缘层30b具有在厚度方向z彼此朝向相反侧的第二主面31b及第二背面32b、以及形成于第二主面31b与第二背面32b的厚度方向z之间的第二侧面33b。第二主面31b与第一绝缘层30a的第一背面32a接触。第二背面32b构成绝缘层30的背面32。第二侧面33b构成绝缘层30的侧面33的一部分。
[0132]
第二绝缘层30b具有第二槽34e，该第二槽34e包括从第二绝缘层30b的第二背面32b朝向厚度方向z凹陷的第二背面侧槽34xb和从第二绝缘层30b的第二侧面33b朝向与厚度方向z正交的方向(第二绝缘层30b的厚度方向)凹陷的第二侧面侧槽34zb。在用沿第二背面侧槽34xb的宽度方向及厚度方向z的平面切割第二背面侧槽34xb的情况下的截面构造与上述实施方式的用沿背面侧槽34x的宽度方向及厚度方向z的平面切割背面侧槽34x的情况下的截面构造相同。如图14所示，从厚度方向z观察，第二背面侧槽34xb设为与第一绝缘层30a的第一槽34d重叠。第二背面侧槽34xb在第二背面32b遍及从比第一槽34d的孔34cd靠内方部分到第一槽34d的外方部分形成。
[0133]
在多个第二背面侧槽34xb中的在厚度方向z上与第二背面侧槽34xb的孔34cd重叠的部分形成有与第二背面侧槽34xb连通的孔34ce。在构成孔34ce的内侧面，遍及从第二绝缘层30b的第二主面31b到第二背面侧槽34xb形成为锥形。孔34ce的锥形状与上述实施方式的孔34c的锥形状相同。
[0134]
第二侧面侧槽34zb与第二背面侧槽34xb连接。第二侧面侧槽34zb在厚度方向z上
遍及整个第二侧面33b形成。第二绝缘层30b的第二侧面33b中的形成有第二侧面侧槽34zb的部分位于比第一树脂部分20a的第一树脂侧面23a靠内方。第二侧面侧槽34zb与第一绝缘层30a的第一侧面侧槽34za齐平。另外，第二绝缘层30b的第二侧面33b中的未形成第二侧面侧槽34zb的部分与第一树脂侧面23a齐平。第二侧面侧槽34zb与第一侧面侧槽34za连接。用沿第二侧面侧槽34zb的宽度方向以及与第二侧面33b及宽度方向正交的方向的平面切割第二侧面侧槽34zb的情况下的截面构造与上述实施方式的沿侧面侧槽34z的宽度方向以及与侧面33及宽度方向正交的方向的平面切割侧面侧槽34z的情况下的截面构造相同。
[0135]
多个第二配线40b分别具有第二埋入部41b及第二再配线部42b。第二埋入部41b的至少一部分埋入第二绝缘层30b。图14中，第二埋入部41b全部埋入第二绝缘层30b。第二埋入部41b埋入孔34ce。第二埋入部41b与第一绝缘层30a的第一背面侧再配线部42xa连接。第二再配线部42b设于第二背面32b且与第二埋入部41b连接。第二再配线部42b位于比半导体元件10靠外方。第二再配线部42b包括位于比第一再配线部42a靠外方的部分。第二再配线部42b具有设于第二背面32b的第二背面侧再配线部42xb和设于第二绝缘层30b的第二侧面33b的第二侧面侧再配线部42zb。第二背面侧再配线部42xb与第二侧面侧再配线部42zb连接。图14中，第二背面侧再配线部42xb和第二侧面侧再配线部42zb形成为一体。此外，在第一绝缘层30a及第二绝缘层30b由同一材料形成的情况下，第一侧面侧再配线部42za和第二侧面侧再配线部42zb连接，由此第一侧面侧再配线部42za也能够视为第二再配线部42b的一部分。因此，第二再配线部42b可以说是在厚度方向z上遍及从第二绝缘层30b的第二背面32b到第一绝缘层30a的第一侧面33a及第二绝缘层30b的第二侧面33b延伸。该情况下，可以说第一再配线部42a仅形成于第一绝缘层30a的第一背面32a。
[0136]
第二再配线部42b与第二槽34e相接。更详细而言，第二背面侧再配线部42xb与第二背面侧槽34xb相接。第二侧面侧再配线部42zb与第二侧面侧槽34zb相接。图14中，第二侧面侧再配线部42zb在厚度方向z上遍及整个第二侧面侧槽34zb相接。即，第二侧面侧再配线部42zb在厚度方向z上遍及整个第二侧面33b形成。第二侧面侧再配线部42zb与设于第一绝缘层30a的第一侧面侧再配线部42za连接。图14中，第二侧面侧再配线部42zb和第一侧面侧再配线部42za形成为一体。
[0137]
此外，多个第一配线40a各自的第一埋入部41a及第一再配线部42a的形成方法、及多个第二配线40b各自的第二埋入部41b及第二再配线部42b的形成方法与上述实施方式的多个配线40各自的埋入部41及再配线部42的形成方法相同。即，第一埋入部41a、第一再配线部42a、第二埋入部41b、以及第二再配线部42b分别由具有基础层43及镀敷层44(同时参照图5)的金属膜构成。
[0138]
与上述实施方式的半导体装置1的制造方法相比，半导体装置1b的制造方法在绝缘层形成工序、侧面形成工序、以及配线形成工序不同。详细而言，半导体装置1b的制造方法具有：形成第一绝缘层30a的第一绝缘层形成工序；形成第一配线40a的第一背面侧再配线部42xa的第一配线形成工序；形成第二绝缘层30b的第二绝缘层形成工序；以及形成第二配线40b和第一配线40a的第一侧面侧再配线部42za的第二配线形成工序。半导体装置1b的制造方法中，依次实施元件埋入工序、第一绝缘层形成工序、第一配线形成工序、第二绝缘层形成工序、侧面形成工序、第二配线形成工序、以及切断工序。这样，在侧面形成工序中形成第一绝缘层30a的第一侧面33a及第二绝缘层30b的第二侧面33b。然后，在第二配线形成
工序中形成第一配线40a的第一侧面侧再配线部42za和第二配线40b的第二侧面侧再配线部42zb。
[0139]
根据该结构，成为由第一绝缘层30a及第二绝缘层30b构成的多层构造，因此能够使多个第一配线40a及多个第二配线40b在厚度方向z上配置多层。因此，从厚度方向z观察，多个第二配线40b的第二背面侧再配线部42xb能够采用与多个第一配线40a的第一背面侧再配线部42xa重叠的配置方式。从而，与单层绝缘层的情况相比，能够采用多个配线图案。
[0140]
而且，在将半导体装置1b通过焊料sd(同时参照图9)安装于配线基板cb的情况下，通过在第一绝缘层30a的第一侧面侧再配线部42za及第二绝缘层30b的第二侧面侧再配线部42zb分别接合焊料sd，焊角sd1(图9参照)增大。从而，焊角sd1容易从密封树脂20的台阶24露出，因此容易确认半导体装置1b向配线基板cb的安装状态。
[0141]
图14的变更例的半导体装置1b中，第一侧面侧再配线部42za的厚度方向z的长度可以任意变更。在一例中，也可以遍及从第二绝缘层30b的第二背面32b到第一绝缘层30a的第一侧面33a的厚度方向z的一部分形成有第一侧面侧再配线部42za。该情况下，第一绝缘层30a的第一侧面侧槽34za遍及从第一绝缘层30a的第一背面32a到第一侧面33a的厚度方向z的一部分形成。
[0142]
另外，也可以如图15所示的半导体装置1c那样省略第一侧面侧再配线部42za。即，仅形成第二侧面侧再配线部42zb。该情况下，不形成第一绝缘层30a的第一侧面侧槽34za。因此，第一绝缘层30a的第一侧面33a与第一树脂部分20a的第一树脂侧面23a齐平。
[0143]
在图15的变更例的半导体装置1c中，构成第一绝缘层30a的树脂材料可以任意变更。例如，第一绝缘层30a也可以是不包含含有组成多个第一配线40a的一部分的金属元素的添加剂的材料。该情况下，也可以取代通过激光加工使基础层析出的方法，而在第一绝缘层30a的第一背面32a例如蒸镀由金属薄膜构成的基础层。然后，通过在基础层上形成镀敷层，形成多个第一配线40a。
[0144]
在图14及图15的变更例的半导体装置1b、1c中，也可以取代两层构造的绝缘层而采用三层构造以上的多层构造的绝缘层。
[0145]
在上述实施方式及变更例中，绝缘层30的侧面33的形状可以任意变更。在一例中，如图16及图17所示的半导体装置1d，侧面33包括相对于厚度方向z倾斜的倾斜面33x。倾斜面33x随着从绝缘层30的背面32朝向主面31而朝向外方倾斜。在图16及图17中，侧面33由倾斜面33x构成。因此，形成于倾斜面33x的侧面侧再配线部42z随着从绝缘层30的背面32朝向主面31而朝向外方倾斜。此外，侧面33的一部分也可以由倾斜面33x构成。此外，在绝缘层30为两层构造以上的情况下，在形成有侧面侧再配线部42z的绝缘层30的侧面33形成有倾斜面33x。
[0146]
根据该结构，在通过沿相对于绝缘层30的背面32垂直的方向(厚度方向z)向背面32照射激光而形成背面侧槽34x的情况下，能够通过不变更激光的照射方向地向倾斜面33x照射激光而在倾斜面33x形成侧面侧槽34z。从而，与形成背面侧槽34x的激光的照射方向和形成侧面侧槽34z的激光的照射方向不同的情况相比，能够简化配线形成工序。
[0147]
在上述实施方式及变更例中，也可以从密封树脂20省略台阶24。该情况下，在密封树脂20中不进行第一树脂部分20a及第二树脂部分20b的区分。在绝缘层30与密封树脂20之间形成有台阶。即，通过绝缘层30与密封树脂20的大小的差，形成有绝缘层30相对于密封树
脂20向内侧凹陷的台阶。因此，绝缘层30的侧面33位于比密封树脂20的树脂侧面23靠内方。在这样的结构的半导体装置的制造方法中，在侧面形成工序中仅切削绝缘层110而形成分离槽130。通过该分离槽130，形成绝缘层110的侧面113(绝缘层30的侧面33)。然后，在切断工序中，通过仅将密封树脂100在厚度方向z上切断，在密封树脂100与绝缘层110之间形成台阶及密封树脂100的侧面(密封树脂20的树脂侧面23)。
[0148]
在上述实施方式及变更例的半导体装置1、1a～1d的制造方法中，形成多个配线40(多个第一配线40a及多个第二配线40b)的方法可以任意变更。在第一例中，通过利用含有金属粒子的墨对绝缘层30的背面32及侧面33分别进行印刷而形成多个配线40。作为利用含有金属粒子的墨对背面32及侧面33分别进行印刷的方法，例如，能够采用将墨朝向背面32及侧面33喷射的喷墨方式。在第二例中，在遍及绝缘层30的背面32上及侧面33上全体形成金属膜后，通过将金属膜中的形成有多个配线40的部位以外的部分去除，形成多个配线40。
[0149]
符号说明
[0150]
1、1a～1d—半导体装置，10—半导体元件，11—元件主面，12—元件背面，14—多个电极，20—密封树脂，20a—第一树脂部分，20b—第二树脂部分，22—树脂背面，23a—第一树脂侧面(第一树脂部分的侧面)，23b—第二树脂侧面(第二树脂部分的侧面)，24—台阶，30—绝缘层，30a—第一绝缘层，30b—第二绝缘层，31—主面，31a—第一主面，31b—第二主面，32—背面，32a—第一背面，32b—第二背面，33—侧面，33a—第一侧面，33b—第二侧面，33x—傾斜面，34—槽，34x—背面侧槽，34xa—第一背面侧槽，34xb—第二背面侧槽，34z—侧面侧槽，34za—第一侧面侧槽，34zb—第二侧面侧槽，34c—孔，34d—第一槽，34e—第二槽，35—第一被覆部，36—第二被覆部，40—配线，40a—多个第一配线，40b—多个第二配线，41—埋入部，41a—第一埋入部，41b—第二埋入部，42—再配线部，42a—第一再配线部，42b—第二再配线部，42x—背面侧再配线部，42xa—第一背面侧再配线部，42xb—第二背面侧再配线部，42z—侧面侧再配线部，42za—第一侧面侧再配线部，42zb—第二侧面侧再配线部，43—基础层，44—镀敷层，45—凹部，100—密封树脂，100a—第一树脂部分，100xa—第一树脂侧面，100b—第二树脂部分，100xb—第二树脂侧面，100bs—树脂背面，101—台阶，110—绝缘层，111—主面，112—背面，113—侧面，114—孔，115—槽，115x—背面侧槽，115z—侧面侧槽，116—第一被覆部，117—第二被覆部，120—配线，120a—基础层，120b—镀敷层，121—埋入部，122—再配线部，122x—背面侧再配线部，122z—侧面侧再配线部，130—分离槽，131—底面，150—分离槽，151—底面，z—厚度方向。