一种长籽晶KDP类晶体的偏置式快速生长方法与流程

技术特征：
1.一种长籽晶kdp类晶体的偏置式快速生长方法，其特征在于，将长籽晶置于远离载晶架底部托盘上表面中心的位置，使长籽晶在生长过程中绕载晶架旋转轴在生长槽中周期性正反交替旋转，所述的长籽晶的中心纵轴与所述的载晶架的旋转轴不重合。2.根据权利要求1所述的一种长籽晶kdp类晶体的偏置式快速生长方法，其特征在于，所述的长籽晶的中心纵轴到所述的载晶架的旋转轴的距离d大于所述的载晶架上表面内切圆半径r的一半，即d＞r/2。3.根据权利要求1所述的一种长籽晶kdp类晶体的偏置式快速生长方法，其特征在于，所述的生长槽上部安装有电机，该电机的旋转轴下端与所述的载晶架顶部连杆相连，从而带动所述的载晶架在过饱和溶液中周期性正反交替旋转。4.根据权利要求1-3所述的一种长籽晶kdp类晶体的偏置式快速生长方法，其特征在于，所述的长籽晶的初始方位，使得长籽晶底面正方形的四个顶点中任一对不相邻顶点的连线的延长线经过所述的载晶架底部托盘上表面的中心。5.根据权利要求1-4任一所述的一种长籽晶kdp类晶体的偏置式快速生长方法，其特征在于，所述的周期性正反交替旋转是指，采用“t1秒加速-t2秒匀速-t3秒减速-t4秒静止-t1秒反向加速-t2秒匀速-t3秒减速-t4秒静止”的正反转交替进行的方式，旋转周期为t秒＝(t1 t2 t3 t4)*2秒，60≤t≤120。6.根据权利要求1-5所述的一种长籽晶kdp类晶体的偏置式快速生长方法，其特征在于，所述匀速旋转的转速为m转/分钟，10≤m≤60。7.根据权利要求1-6所述的一种长籽晶kdp类晶体的偏置式快速生长方法，其特征在于，所述载晶架底部托盘上表面可以是正方形或圆形。8.根据权利要求1-6所述的一种长籽晶kdp类晶体的偏置式快速生长方法，其特征在于，所述kdp类晶体可以是kdp或dkdp晶体。

技术总结
一种长籽晶KDP类晶体的偏置式快速生长方法，将长籽晶置于远离载晶架底部托盘上表面中心的位置，使长籽晶在生长过程中绕载晶架旋转轴在生长槽中周期性正反交替旋转，所述的长籽晶的中心纵轴与所述的载晶架的旋转轴不重合。由于长籽晶放置在远离载晶架底部托盘上表面中心的位置，在随载晶架底部托盘上表面正反转动的过程中，长籽晶的每个面都具有比较高的圆周运动线速度，而且长籽晶的运动范围很大，有利于长籽晶接触较大范围内的新鲜溶液，提高晶体生长初期的溶质供应能力。本发明有利于改善长籽晶KDP类晶体生长初期长籽晶附近的流场状态，显著降低晶体生长初期白纹缺陷的产生几率，提高快速生长KDP类晶体的成功率和晶体元件的切割效率。件的切割效率。件的切割效率。


技术研发人员：陈端阳 齐红基 邵建达 王斌
受保护的技术使用者：中国科学院上海光学精密机械研究所
技术研发日：2021.10.18
技术公布日：2022/1/28