一种通过测量真空度进行超低温离子注入设备监测的方法与流程

技术特征：
1.一种通过测量真空度进行超低温离子注入设备监测的方法，其特征在于，所述通过测量真空度进行超低温离子注入设备监测的方法适用于超低温离子注入设备；所述方法包括以下步骤：步骤s1，晶圆降温步骤，在超低温离子注入设备中将一片或多片晶圆在高真空环境中降温；步骤s2，在选定位置滞留步骤，将降温后的晶圆传送至待监测的腔室中滞留一段时间；步骤s3，晶圆升温步骤，将晶圆传送至真空升温模块e并进行升温，在此过程中通过真空计持续监测腔室中的真空度；步骤s4，数据处理步骤，对步骤s3获得的数据进行数据处理；步骤s5，分析判断步骤，分析判断待测机台工艺系统是否合格。2.根据权利要求1所述的通过测量真空度进行超低温离子注入设备监测的方法，其特征在于，步骤s1进一步包括以下步骤：步骤s11，将一片或多片晶圆放置于晶圆传送盒中，将晶圆传送盒放置于一超低温离子注入设备的前端晶圆传送模块f的容纳台上；步骤s12，前端晶圆传送模块f中的机械手抓取一片晶圆并将其传送至装载模块a，然后，将前端晶圆传送模块f和装载模块a之间的门阀关闭，真空泵对装载模块a的腔室进行抽真空，使装载模块a的腔室的真空度降至与真空传送模块b接近的高真空度；步骤s13，装载模块a和真空传送模块b之间的闸板阀打开，真空传送模块b中的机械手抓取晶圆并将其传送至真空冷却模块c，在高真空条件下把晶圆温度降低至第一温度q1。3.根据权利要求2所述的通过测量真空度进行超低温离子注入设备监测的方法，其特征在于，步骤s2进一步包括机械手将降温后的晶圆传送至真空传送模块b中，滞留第一时间t1。4.根据权利要求2所述的通过测量真空度进行超低温离子注入设备监测的方法，其特征在于，步骤s3进一步包括步骤s31，步骤s31机械手将晶圆传送至真空升温模块e，对晶圆进行真空下的升温，使其温度升高至第二温度q2，q2为室温。5.根据权利要求2所述的通过测量真空度进行超低温离子注入设备监测的方法，其特征在于，步骤s4进一步包括对真空计在步骤s31得到的真空度数据进行处理形成真空度-时间曲线图，真空度数据进行处理包括与真空计相连的监测设备自动处理或人工处理。6.根据权利要求5所述的通过测量真空度进行超低温离子注入设备监测的方法，其特征在于，根据所述真空度
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时间曲线图，选取其中位于左侧和/或右侧的、图线明显较为稳定的部分数据；选取其中一点值，或对所选取的该部分数据中的真空度计算平均值。7.根据权利要求6所述的通过测量真空度进行超低温离子注入设备监测的方法，其特征在于，观察得到的真空度
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时间曲线图，若测得的真空度
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时间曲线上全部的数据点均处于真空度上限值pu和真空度下限值pl之间，则对于所监测的离子注入设备，步骤s14中晶圆所滞留的腔室中不存在水汽或二氧化碳，该低温离子注入设备正常。

技术总结
本发明提供一种通过测量真空度进行超低温离子注入设备监测的方法，所述通过测量真空度进行超低温离子注入设备监测的方法适用于超低温离子注入设备；所述方法包括晶圆降温步骤、在选定位置滞留步骤、晶圆升温步骤、数据处理步骤和分析判断步骤，分析判断步骤用于分析判断待测机台工艺系统是否合格。本发明方法可以定期监测超低温离子注入设备的生产情况，实现了对超低温离子注入过程中是否存在水汽或二氧化碳等气体含量的监测，可以实时调整机台工作状态，从而提高整体产品良率。从而提高整体产品良率。从而提高整体产品良率。


技术研发人员：王辉 高国珺 卢合强 贾礼宾 沈斌 张劲 关天祺 王振辉 肖嘉星 孙世豪 张晓伟 雷晓刚 王亚
受保护的技术使用者：北京凯世通半导体有限公司
技术研发日：2021.12.24
技术公布日：2022/1/28