一种双非对称波导层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法与流程

x3
ga
x3
)
y2
in
1-y2
p渐变下波导层、ga
1-x4
in
x4
p第一量子阱、(al
1-x5
ga
x5
)
y3
in
1-y3
p垒层、ga
1-x6
in
x6
p第二量子阱、(al
1-x7
ga
x7
)
y4
in
1-y4
p渐变上波导层、(al
1-x8
ga
x8
)
y5
in
1-y5
p第一上限制层、ga
1-x9
in
x9
p腐蚀终止层、(al
1-x10
ga
x10
)
y6
in
1-y6
p第二上限制层、ga
1-x11
in
x11
p上过渡层和gaas帽层，0.4≤x1≤0.6；0.05≤x2≤0.3，0.4≤y1≤0.6；0.05≤x3≤0.6，0.4≤y2≤0.6；0.3≤x4≤0.7；0.25≤x5≤0.7，0.4≤y3≤0.6；0.3≤x6≤0.7；0.05≤x7≤0.6，0.4≤y4≤0.6；0.05≤x8≤0.3，0.4≤y5≤0.6；0.5≤x9≤0.7；0.05≤x10≤0.3，0.4≤y6≤0.6；0.4≤x11≤0.6；
9.其中，(al
1-x3
ga
x3
)
y2
in
1-y2
p渐变下波导层的厚度大于(al
1-x7
ga
x7
)
y4
in
1-y4
p渐变上波导层的厚度，所述(al
1-x3
ga
x3
)
y2
in
1-y2
p渐变下波导层厚度为0.08-0.2μm，优选为0.12μm，非故意掺杂，x3组分渐变，由0.05渐变至0.55，所述(al
1-x7
ga
x7
)
y4
in
1-y4
p渐变上波导层的厚度为0.05-0.15μm，优选为0.1μm，二分之一掺杂，x7组分渐变，由0.5渐变至0.15。
10.本发明中，(al
1-x3
ga
x3
)
y2
in
1-y2
p渐变下波导层的厚度大于(al
1-x7
ga
x7
)
y4
in
1-y4
p渐变上波导层的厚度，从而实现光场向下限制层的偏移，(al
1-x8
ga
x8
)
y5
in
1-y5
p第一上限制层低掺杂以减少载流子吸光造成的内损耗，提高电参数。
11.一种双非对称波导层的小功率algainp红光半导体激光器的制备方法，包括以下步骤：
12.s1，将gaas衬底放在mocvd设备生长室内，在h2环境中升温到720
±
10℃烘烤，并通入ash3，对gaas衬底进行表面热处理；
13.s2，将温度缓降到680
±
10℃，继续通入tmga和ash3，在gaas衬底上生长gaas缓冲层；
14.s3，温度保持在680
±
10℃，继续通入tmin、tmga和ph3，在gaas缓冲层上生长ga
x1
in
1-x1
p下过渡层；
15.s4，温度缓升至700
±
10℃，继续通入tmal、tmin、tmga和ph3，在所述ga
x1
in
1-x1
p下过渡层上生长n型(al
1-x2
ga
x2
)
y1
in1-y1p下限制层；
16.s5，温度缓降到650
±
10℃，通入tmal、tmin、tmga和ph3，在(al
1-x2
ga
x2
)
y1
in1-y1p下限制层上生长(al
1-x3
ga
x3
)
y2
in
1-y2
p渐变下波导层；
17.本步骤中，可通过改变al、ga流量，分别由38cc渐变至22cc，由1.2cc渐变至13.2cc，从而实现(al
1-x3
ga
x3
)
y2
in
1-y2
p渐变下波导层中x3由0.05渐变至0.55，实现组分渐变，即可改变al、ga通入流量的比例，从而实现生长(al
1-x3
ga
x3
)
y2
in
1-y2
p材料的组分渐变。
18.s6，温度保持在650
±
10℃，继续通入tmin、tmga和ph3，在所述(al
1-x3
ga
x3
)
y2
in
1-y2
p渐变下波导层上生长ga
1-x4
in
x4
p第一量子阱；
19.s7，温度保持在650
±
10℃，通入tmal、tmin、tmga和ph3，在所述ga
1-x4
in
x4
p第一量子阱上生长(al
1-x5
ga
x5
)
y3
in
1-y3
p垒层；
20.s8，温度保持在650
±
10℃，继续通入tmin、tmga和ph3，在所述(al
1-x5
ga
x5
)
y3
in
1-y3
p垒层上生长ga
1-x6
in
x6
p第二量子阱；
21.s9，温度缓升至700
±
10℃，继续通入tmal、tmin、tmga和ph3，在所述ga
1-x6
in
x6
p第二量子阱上生长(al
1-x7
ga
x7
)
y4
in
1-y4
p渐变上波导层；
22.同渐变下波导层，(al
1-x7
ga
x7
)
y4
in
1-y4
p渐变上波导层也可改变al、ga通入流量的比例，从而实现生长(al
1-x7
ga
x7
)
y4
in
1-y4
p材料的组分渐变。
23.s10，温度保持在700
±
10℃，继续通入tmin、tmal、tmga和ph3，在所述(al
1-x7
ga
x7
)
y4
in
1-y4
p渐变上波导层上生长p型(al
1-x8
ga
x8
)
y5
in
1-5
p第一上限制层；
24.s11，温度保持在700
±
10℃，继续通入tmin、tmga和ph3，在(al
1-x8
ga
x8
)
y5
in
1-5
p第一上限制层上生长p型ga
1-x9
in
x9
p腐蚀终止层；
25.s12，温度保持在700
±
10℃，继续通入tmin、tmal、tmga和ph3，在ga
1-x9
in
x9
p腐蚀终止层上生长p型(al
1-x10
ga
x10
)
y6
in
1-y6
p第二上限制层；
26.s13，温度缓降至680
±
10℃，继续通入tmin、tmga和ph3，在(al
1-x10
ga
x10
)
y6
in
1-y6
p第二上限制层上生长p型ga
1-x11
in
x11
p上过渡层；
27.s14，将温度降低到540
±
10℃，继续通入tmga和ash3，在所述ga
1-x11
in
x11
p上过渡层上生长gaas帽层。
28.本发明的工艺步骤中，“缓降”速度均为40℃/min，“缓升”速度均为60℃/min。
29.优选的，步骤s3中，所述ga
x1
in
1-x1
p下过渡层的厚度为0.1-0.3μm，0.4≤x1≤0.6，掺杂浓度为1e18-3e18个原子/cm3；
30.进一步优选的，ga
x1
in
1-x1
p下过渡层的厚度为0.2μm，x1＝0.5，掺杂浓度为2e18个原子/cm3。
31.优选的，步骤s4中，n型(al
1-x2
ga
x2
)
y1
in
1-y1
p下限制层的厚度为0.5-1.5μm，掺杂浓度为5e17-3e18个原子/cm3，0.05≤x2≤0.3，0.4≤y1≤0.6；
32.进一步优选的，n型(al
1-x2
ga
x2
)
y1
in
1-y1
p下限制层的厚度为1.0μm，x2＝0.05，y1＝0.5，掺杂浓度为1e18个原子/cm3。
33.优选的，步骤s5中，(al
1-x3
ga
x3
)
y2
in
1-y2
p渐变下波导层的厚度为0.08-0.2μm，非故意掺杂，0.05≤x3≤0.6，0.4≤y2≤0.6；
34.进一步优选的，x3由0.05渐变至0.55，y2＝0.5，厚度为0.12μm。
35.优选的，步骤s6中，所述ga
1-x4
in
x4
p第一量子阱的厚度为4-7nm，非故意掺杂，0.3≤x4≤0.7；
36.进一步优选的，ga
1-x4
in
x4
p第一量子阱的厚度为5nm，x4＝0.4。
37.优选的，步骤s7中，(al
1-x5
ga
x5
)
y3
in
1-y3
p垒层的厚度为5-15nm，非故意掺杂，0.25≤x5≤0.7，0.4≤y3≤0.6；
38.进一步优选的，(al
1-x5
ga
x5
)
y3
in
1-y3
p垒层的厚度为10nm，x5＝0.65，y3＝0.5。
39.优选的，步骤s8中，所述ga
1-x6
in
x6
p第二量子阱的厚度为4-7nm，非故意掺杂，0.3≤x6≤0.7；
40.进一步优选的，ga
1-x6
in
x6
p第二量子阱的厚度为5nm，x6＝0.4。
41.优选的，步骤s9中，所述(al
1-x7
ga
x7
)
y4
in
1-y4
p渐变上波导层的厚度为0.05-0.15μm，二分之一掺杂，0.05≤x7≤0.6，0.4≤y4≤0.6；
42.进一步优选的，(al
1-x7
ga
x7
)
y4
in
1-y4
p渐变上波导层的厚度为0.1μm，x7由0.5渐变至0.15，y4＝0.5，掺杂浓度为4e17个原子/cm3。
43.优选的，步骤s10中，p型(al
1-x8
ga
x8
)
y5
in
1-y5
p第一上限制层的厚度为0.05-0.25μm，掺杂浓度为5e17-1e18个原子/cm3，0.05≤x8≤0.3，0.4≤y5≤0.6；
44.进一步优选的，p型(al
1-x8
ga
x8
)
y5
in
1-y5
p第一上限制层的厚度为0.15μm，x6＝0.15，y2＝0.5，掺杂浓度为5e17个原子/cm3。
45.优选的，步骤s11中，p型ga
1-x9
in
x9
p腐蚀终止层的厚度为0.01-0.05μm，掺杂浓度为
5e17-1.2e18个原子/cm3，0.4≤x9≤0.6；
46.进一步优选的，x9＝0.6，厚度为0.01μm，掺杂浓度为1e18个原子/cm3。
47.优选的，步骤s12中，p型(al
1-x10
ga
x10
)
y6
in
1-y6
p第二上限制层的厚度为0.5-1.2μm，掺杂浓度为5e17-1.5e18个原子/cm3，0.05≤x10≤0.3，0.4≤y6≤0.6；
48.进一步优选的，p型(al
1-x10
ga
x10
)
y6
in
1-y6
p第二上限制层的厚度为0.8μm，x10＝0.15，y6＝0.5，掺杂浓度为7e17个原子/cm3。
49.优选的，步骤s13中，p型ga
1-x11
in
x11
p上过渡层的厚度为0.01-0.05μm，掺杂浓度为1e18-3e18个原子/cm3，0.4≤x11≤0.6；
50.进一步优选的，p型ga
1-x11
in
x11
p上过渡层的厚度为0.01μm，x11＝0.5，掺杂浓度为2e18个原子/cm3。
51.优选的，步骤s14中，所述gaas帽层的厚度为0.1-0.5μm，掺杂浓度为4e19-1e20个原子/cm3；
52.进一步优选的，gaas帽层的厚度为0.02μm，掺杂浓度为7e19个原子/cm3。
53.本发明未详尽之处，均可采用现有技术。
54.本发明的有益效果为：
55.本发明的下波导层和上波导层厚度不同，组分不同，其折射变化率
△
n不同，为双非对称设计，波导层alginp本身电阻较大，通过上波导层掺入掺杂剂(如步骤s9中二分之一掺杂)，降低了器件的电阻，驱使光场向下波导层偏移，减小光场和上限制层的重合带来的载流子吸收带来的内损耗，双非对称使光场偏移，减少了载流子吸收损耗，从而提高了发光效率，斜率效率(类似发光功率与通入电功率的比值)提高至0.9w/a，减少有源区产生的废热，从而保证光斑质量的同时，提高输出功率，增强高温工作可靠性。
附图说明
56.图1a为较高质量光斑；
57.图1b为较差质量光斑；
58.图2为本发明的一种双非对称波导层的小功率algainp红光半导体激光器的结构示意图；
59.图3为本发明的折射率及光场分布示意图；
60.图中，1-gaas衬底，2-gaas缓冲层，3-ga
x1
in
1-x1
p下过渡层，4-(al
1-x2
ga
x2
)
y1
in
1-y1
p下限制层，5-(al
1-x3
ga
x3
)
y2
in
1-y2
p渐变下波导层，6-ga
1-x4
in
x4
p第一量子阱，7-(al
1-x5
ga
x5
)
y3
in
1-y3
p垒层，8-ga
1-x6
in
x6
p第二量子阱，9-(al
1-x7
ga
x7
)
y4
in
1-y4
p渐变上波导层，10-(al
1-x8
ga
x8
)
y5
in
1-y5
p第一上限制层，11-ga
1-x9
in
x9
p腐蚀终止层，12-(al
1-x10
ga
x10
)
y6
in
1-y6
p第二上限制层，13-ga
1-x11
in
x11
p上过渡层，14-gaas帽层。
具体实施方式：
61.为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述，但不仅限于此，本发明未详尽说明的，均按本领域常规技术。
62.实施例1：
63.一种双非对称波导层的小功率algainp红光半导体激光器，如图2所示，包括由下
至上依次设置的gaas衬底1、gaas缓冲层2、ga
x1
in
1-x1
p下过渡层3、(al
1-x2
ga
x2
)
y1
in
1-y1
p下限制层4、(al
1-x3
ga
x3
)
y2
in
1-y2
p渐变下波导层5、ga
1-x4
in
x4
p第一量子阱6、(al
1-x5
ga
x5
)
y3
in
1-y3
p垒层7、ga
1-x6
in
x6
p第二量子阱8、(al
1-x7
ga
x7
)
y4
in
1-y4
p渐变上波导层9、(al
1-x8
ga
x8
)
y5
in
1-y5
p第一上限制层10、ga
1-x9
in
x9
p腐蚀终止层11、(al
1-x10
ga
x10
)
y6
in
1-y6
p第二上限制层12、ga
1-x11
in
x11
p上过渡层13和gaas帽层14，0.4≤x1≤0.6；0.05≤x2≤0.3，0.4≤y1≤0.6；0.05≤x3≤0.6，0.4≤y2≤0.6；0.3≤x4≤0.7；0.25≤x5≤0.7，0.4≤y3≤0.6；0.3≤x6≤0.7；0.05≤x7≤0.6，0.4≤y4≤0.6；0.05≤x8≤0.3，0.4≤y5≤0.6；0.5≤x9≤0.7；0.05≤x10≤0.3，0.4≤y6≤0.6；0.4≤x11≤0.6；
64.其中，(al
1-x3
ga
x3
)
y2
in
1-y2
p渐变下波导层5的厚度大于(al
1-x7
ga
x7
)
y4
in
1-y4
p渐变上波导层9的厚度，(al
1-x3
ga
x3
)
y2
in
1-y2
p渐变下波导层5的厚度为0.08-0.2μm，非故意掺杂，x3组分渐变，由0.05渐变至0.55，(al
1-x7
ga
x7
)
y4
in
1-y4
p渐变上波导层9的厚度为0.05-0.15μm，二分之一掺杂，x7组分渐变，由0.5渐变至0.15。
65.如图3所示，d1、d2分别为下波导层和上波导层厚度，
△
n1、
△
n2分别为下波导层和上波导层的折射变化率，d1＞d2，
△
n1＜
△
n2，从而使发光中心偏离，向下限制层偏移，减少光场与上限制层的重合面积(s1小于s2)，从而减少载流子吸收带来的损耗(上限制层载流子吸收损耗系数远大于下限制层吸收损耗)；
66.本发明中(al
1-x3
ga
x3
)
y2
in
1-y2
p渐变下波导层的厚度大于(al
1-x7
ga
x7
)
y4
in
1-y4
p渐变上波导层的厚度，从而实现光场向下限制层的偏移，(al
1-x8
ga
x8
)
y5
in
1-y5
p第一上限制层低掺杂以减少载流子吸光造成的内损耗，提高电参数。
67.实施例2：
68.一种双非对称波导层的小功率algainp红光半导体激光器的制备方法，包括以下步骤：
69.s1，将gaas衬底1放在mocvd设备生长室内，在h2环境中升温到720
±
10℃烘烤，并通入ash3，对gaas衬底进行表面热处理，本步骤中，h2浓度无具体要求，只是一种气体保护手段；
70.s2，将温度缓降到680
±
10℃，继续通入tmga和ash3，在gaas衬底上生长gaas缓冲层2；此步骤中，tmga和ash3的通入量与v/iii有关，与生长材料质量有关，此处不再详述；
71.s3，温度保持在680
±
10℃，继续通入tmin、tmga和ph3，在gaas缓冲层上生长ga x1
in
1-x1
p下过渡层3；
72.s4，温度缓升至700
±
10℃，继续通入tmal、tmin、tmga和ph3，在ga x1
in
1-x1
p下过渡层3上生长n型(al
1-x2
ga
x2
)
y1
in1-y1p下限制层4；
73.s5，温度缓降到650
±
10℃，通入tmal、tmin、tmga和ph3，在(al
1-x2
ga
x2
)
y1
in1-y1p下限制层上生长(al
1-x3
ga
x3
)
y2
in
1-y2
p渐变下波导层5；
74.本步骤中，可通过改变al、ga流量，分别由38cc渐变至22cc，由1.2cc渐变至13.2cc，从而实现(al
1-x3
ga
x3
)
y2
in
1-y2
p渐变下波导层中x3由0.05渐变至0.55，实现组分渐变，即可改变al、ga通入流量的比例，从而实现生长(al
1-x3
ga
x3
)
y2
in
1-y2
p材料的组分渐变。
75.s6，温度保持在650
±
10℃，继续通入tmin、tmga和ph3，在(al
1-x3
ga
x3
)
y2
in
1-y2
p渐变下波导层5上生长ga
1-x4
in
x4
p第一量子阱6；
76.s7，温度保持在650
±
10℃，通入tmal、tmin、tmga和ph3，在ga
1-x4
in
x4
p第一量子阱6
上生长(al
1-x5
ga
x5
)
y3
in
1-y3
p垒层7；
77.s8，温度保持在650
±
10℃，继续通入tmin、tmga和ph3，在(al
1-x5
ga
x5
)
y3
in
1-y3
p垒层7上生长ga
1-x6
in
x6
p第二量子阱8；
78.s9，温度缓升至700
±
10℃，继续通入tmal、tmin、tmga和ph3，在ga
1-x6
in
x6
p第二量子阱8上生长(al
1-x7
ga
x7
)
y4
in
1-y4
p渐变上波导层9；
79.同渐变下波导层，(al
1-x7
ga
x7
)
y4
in
1-y4
p渐变上波导层也可改变al、ga通入流量的比例，从而实现生长(al
1-x7
ga
x7
)
y4
in
1-y4
p材料的组分渐变。
80.s10，温度保持在700
±
10℃，继续通入tmin、tmal、tmga和ph3，在(al
1-x7
ga
x7
)
y4
in
1-y4
p渐变上波导层9上生长p型(al
1-x8
ga
x8
)
y5
in
1-5
p第一上限制层10；
81.s11，温度保持在700
±
10℃，继续通入tmin、tmga和ph3，在(al
1-x8
ga
x8
)
y5
in
1-5
p第一上限制层10上生长p型ga
1-x9
in
x9
p腐蚀终止层11；
82.s12，温度保持在700
±
10℃，继续通入tmin、tmal、tmga和ph3，在ga
1-x9
in
x9
p腐蚀终止层11上生长p型(al
1-x10
ga
x10
)
y6
in
1-y6
p第二上限制层12；
83.s13，温度缓降至680
±
10℃，继续通入tmin、tmga和ph3，在(al
1-x10
ga
x10
)
y6
in
1-y6
p第二上限制层12上生长p型ga
1-x11
in
x11
p上过渡层13；
84.s14，将温度降低到540
±
10℃，继续通入tmga和ash3，在ga
1-x11
in
x11
p上过渡层13上生长gaas帽层14。
85.本发明的工艺步骤中，“缓降”速度均为40℃/min，“缓升”速度均为60℃/min。
86.实施例3：
87.一种双非对称波导层的小功率algainp红光半导体激光器的制备方法，如实施例2所述，所不同的是，步骤s3中，ga
x1
in
1-x1
p下过渡层3的厚度为0.1-0.3μm，优选为0.2μm，0.4≤x1≤0.6，优选x1＝0.5，掺杂浓度为1e18-3e18个原子/cm3，优选为2e18个原子/cm3。
88.实施例4：
89.一种双非对称波导层的小功率algainp红光半导体激光器的制备方法，如实施例2所述，所不同的是，步骤s4中，n型(al
1-x2
ga
x2
)
y1
in
1-y1
p下限制层4的厚度为0.5-1.5μm，优选为1.0μm，掺杂浓度为5e17-3e18个原子/cm3，优选为1e18个原子/cm3，0.05≤x2≤0.3，0.4≤y1≤0.6，优选的，x2＝0.05，y1＝0.5。
90.实施例5：
91.一种双非对称波导层的小功率algainp红光半导体激光器的制备方法，如实施例2所述，所不同的是，步骤s5中，(al
1-x3
ga
x3
)
y2
in
1-y2
p渐变下波导层5的厚度为0.12μm，非故意掺杂，0.05≤x3≤0.6，0.4≤y2≤0.6，x3由0.05渐变至0.55，y2＝0.5。
92.实施例6：
93.一种双非对称波导层的小功率algainp红光半导体激光器的制备方法，如实施例2所述，所不同的是，步骤s6中，ga
1-x4
in
x4
p第一量子阱6的厚度为4-7nm，优选为5nm，非故意掺杂，0.3≤x4≤0.7，优选的x4＝0.4。
94.实施例7：
95.一种双非对称波导层的小功率algainp红光半导体激光器的制备方法，如实施例2所述，所不同的是，步骤s7中，(al
1-x5
ga
x5
)
y3
in
1-y3
p垒层7的厚度为5-15nm，优选为10nm，非故意掺杂，0.25≤x5≤0.7，0.4≤y3≤0.6，优选的，x5＝0.65，y3＝0.5。
96.实施例8：
97.一种双非对称波导层的小功率algainp红光半导体激光器的制备方法，如实施例2所述，所不同的是，步骤s8中，ga
1-x6
in
x6
p第二量子阱8的厚度为4-7nm，优选为5nm，非故意掺杂，0.3≤x6≤0.7，优选的，x6＝0.4。
98.实施例9：
99.一种双非对称波导层的小功率algainp红光半导体激光器的制备方法，如实施例2所述，所不同的是，步骤s9中，(al
1-x7
ga
x7
)
y4
in
1-y4
p渐变上波导层9的厚度为0.1μm，二分之一掺杂，0.05≤x7≤0.6，0.4≤y4≤0.6，x7由0.5渐变至0.15，y4＝0.5，掺杂浓度为4e17个原子/cm3。
100.实施例10：
101.一种双非对称波导层的小功率algainp红光半导体激光器的制备方法，如实施例2所述，所不同的是，步骤s10中，p型(al
1-x8
ga
x8
)
y5
in
1-y5
p第一上限制层10的厚度为0.05-0.25μm，优选为0.15μm，掺杂浓度为5e17-1e18个原子/cm3，优选为5e17个原子/cm3，0.05≤x8≤0.3，0.4≤y5≤0.6，优选的x6＝0.15，y2＝0.5。
102.实施例11：
103.一种双非对称波导层的小功率algainp红光半导体激光器的制备方法，如实施例2所述，所不同的是，步骤s11中，p型ga
1-x9
in
x9
p腐蚀终止层11的厚度为0.01-0.05μm，优选为0.01μm，掺杂浓度为5e17-1.2e18个原子/cm3，优选为1e18个原子/cm3，0.4≤x9≤0.6，优选的，x9＝0.6。
104.实施例12：
105.一种双非对称波导层的小功率algainp红光半导体激光器的制备方法，如实施例2所述，所不同的是，步骤s12中，p型(al
1-x10
ga
x10
)
y6
in
1-y6
p第二上限制层12的厚度为0.5-1.2μm，优选为0.8μm，掺杂浓度为5e17-1.5e18个原子/cm3，优选为7e17个原子/cm3，0.05≤x10≤0.3，0.4≤y6≤0.6，优选的，x10＝0.15，y6＝0.5。
106.实施例13：
107.一种双非对称波导层的小功率algainp红光半导体激光器的制备方法，如实施例2所述，所不同的是，步骤s13中，p型ga
1-x11
in
x11
p上过渡层13的厚度为0.01-0.05μm，优选为0.01μm，掺杂浓度为1e18-3e18个原子/cm3，优选为2e18个原子/cm3，0.4≤x11≤0.6，优选的，x11＝0.5。
108.实施例14：
109.一种双非对称波导层的小功率algainp红光半导体激光器的制备方法，如实施例2所述，所不同的是，步骤s14中，gaas帽层14的厚度为0.1-0.5μm，优选为0.02μm，掺杂浓度为4e19-1e20个原子/cm3，优选为7e19个原子/cm3。
110.以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。