引线框架、半导体封装结构及MCU的制作方法

引线框架、半导体封装结构及mcu
技术领域
1.本实用新型实施例涉及半导体器件的制造技术，尤其涉及一种引线框架、半导体封装结构及mcu。


背景技术：

2.封装工艺是半导体行业常用的工艺流程，将芯片安装在引线框架上并将芯片与引线框架固定在封装模具的模封腔内，在模封腔内注塑熔融状态的塑封料，通过塑封料的流动，填充整个模封腔，以包裹整个芯片以及部分引线框架，并形成半导体产品。
3.现有的一些引线框架，其通过半蚀刻工艺在引线框架的基底上形成多个长引脚。基底的形状一般为矩形，在矩形的第一侧边、第二侧边、第三侧边与第四侧边分别设置有长引脚，长引脚可以用于支撑芯片也可以用于传递信号。
4.然而，芯片与引线框架在封装的过程中，容易在芯片的背面产生空洞，影响半导体产品的可靠性以及美观性。


技术实现要素：

5.本实用新型实施例提供一种引线框架、半导体封装结构及mcu，以解决现有芯片与引线框架在封装的过程中，容易在芯片的背面产生空洞，影响半导体产品的可靠性以及美观性。
6.根据本实用新型实施例的一方面，提供一种引线框架，包括基底以及形成在所述基底上用于与芯片对应的多个引脚；
7.所述基底的形状为矩形，所述基底的第一侧边、第二侧边、第三侧边与第四侧边均设置有所述引脚；
8.所述引脚中包括多个短引脚与多个长引脚，多个所述长引脚关于所述基底的长度方向或宽度方向对称设置，多个所述短引脚关于所述基底的长度方向或宽度方向对称设置。
9.在一种可选的实现方式中，所述长引脚均对称设置在所述基底的第一侧边与第三侧边上。本领域技术人员能够理解的是，将长引脚设置在基底的第一侧边与第三侧边上，当引线框架在封装阶段时，可以使模流从第一侧边或者第三侧边流向基底，避免长引脚阻碍模流的流动，使得引线框架与芯片之间的残余空气更容易排出，进而减少在封装后芯片的背面出现空洞。
10.在一种可选的实现方式中，所述短引脚均对称设置在所述基底的第二侧边与第四侧边上。本领域技术人员能够理解的是，通过上述设置，在基底的中心朝向第二侧边与朝向第四侧边的方向增加多个引脚之间的间隙区域面积，降低模流的流速，从而减少在封装后芯片的背面出现空洞。
11.在一种可选的实现方式中，所述基底的第一侧边与第三侧边上分别在中心位置设置有短引脚；所述长引脚对称布置在所述短引脚的两侧。本领域技术人员能够理解的是，通
过上述设置，在基底的中心朝向第一侧边、第二侧边、第三侧边与第四侧边的方向均增加多个引脚之间的间隙区域面积，降低模流的流速，从而减少在封装后芯片的背面出现空洞。
12.在一种可选的实现方式中，所述基底的第二侧边和第四侧边均在中心设置有一个所述长引脚；所述基底的第一侧边与第三侧边上分别在中心位置设置有短引脚；所述基底的第一侧边与第三侧边上，所述短引脚的两侧对称布置有所述长引脚。本领域技术人员能够理解的是，通过上述设置，在基底的中心朝向第一侧边与朝向第三侧边的方向增加间隙区域面积，降低模流的流速，从而减少在封装后芯片的背面出现空洞。
13.在一种可选的实现方式中，所述基底的第一侧边、第二侧边、第三侧边与第四侧边均在中心设置有一个所述长引脚；所述基底的第一侧边与第三侧边上，所述短引脚对称布置在所述长引脚的两侧。本领域技术人员能够理解的是，通过上述设置，在基底的中心朝向基底的四个边角的方向均增加多个引脚之间的间隙区域面积，降低模流的流速，从而减少在封装后芯片的背面出现空洞。
14.在一种可选的实现方式中，所述基底还包括至少一个第一定位孔，所述第一定位孔设置在所述基底的边角区域；所述第一定位孔用于确定所述基底在模封腔中的方向，以使引线框架在封装阶段模流从所述基底设置有所述长引脚的侧边流向所述基底。本领域技术人员能够理解的是，通过设置第一定位孔，使得工作人员可以确定基底在模封腔中的方向，从而模流可以从基底设置有多个长引脚的一侧的侧边流向基底，降低长引脚对模流的阻碍效果，使得引线框架与芯片之间的残余空气更容易排出，减少在封装后芯片的背面出现空洞。
15.在一种可选的实现方式中，所述第一定位孔的数量为两个，两个所述第一定位孔分别位于所述基底的其中一条侧边的两端，所述模流从两个所述第一定位孔之间流向所述基底。本领域技术人员能够理解的是，通过上述设置更容易确定基底在模封腔中的方向，即使模流从两个定位孔之间流向基底即可。
16.在一种可选的实现方式中，还包括基板，所述基底的数量为多个，多个所述基底沿多行多列排布在所述基板上，每个所述基底的第一侧边均朝向所述基板的同一侧；
17.所述基板的形状为矩形，所述基板设置有至少一个第二定位孔，所述第二定位孔与所述基底之间设置有间隔，所述第二定位孔用于确定所述基板在模封腔中的方向，以使引线框架在封装阶段模流从所述基底设置有所述长引脚的侧边流向所述基底。本领域技术人员能够理解的是，通过上述设置，使得一次封装工艺可以封装多个基板与芯片，便于半导体产品的批量生产。
18.在一种可选的实现方式中，所述第二定位孔的数量为两个，两个所述第二定位孔分别设置在所述基板其中一条侧边的两端；所述模流从两个所述第二定位孔之间流向所述基板。本领域技术人员能够理解的是，通过上述设置便于确定引线框架在模封腔中的方向，即使模流从基底设置有多个长引脚的一侧的侧边流向基底，降低长引脚对模流的阻碍作用，减少在封装后芯片的背面出现空洞。
19.根据本实用新型实施例的另一方面，提供一种半导体封装结构，包括集成电路以及上述的引线框架；
20.所述引线框架的多个长引脚的自由端用于支撑所述集成电路。
21.根据本实用新型实施例的又一方面，提供一种mcu，包括mcu芯片、载片台以及上述
的引线框架；
22.所述引线框架的多个长引脚的自由端用于支撑所述载片台；
23.所述mcu芯片位于所述载片台远离所述引线框架的一侧并与所述载片台固定连接。
24.本领域技术人员能够理解的是，本实用新型的引线框架，将基底上用于与芯片对应的多个引脚设置为长引脚与短引脚。其中，长引脚可以用于支撑芯片。基底的形状为矩形，长引脚与短引脚均关于基底的长度方向或宽度方向对称设置，保证芯片固定在引线框架上后受力均匀。短引脚可以增大原有多个引脚之间的间隙区域面积，在模流流量不变的情况下，间隙面积增大后可以降低模流在基底表面的流速，从而减少因模流的流速过快使芯片的背部出现空洞，从而提高半导体产品的可靠性以及美观性。
附图说明
25.为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
26.图1为现有技术中引线框架的结构示意图；
27.图2为现有引线框架在封装后的结构示意图；
28.图3为本实用新型实施例提供的第一种引线框架的结构示意图；
29.图4为本实用新型实施例提供的第二种引线框架的结构示意图；
30.图5为本实用新型实施例提供的第三种引线框架的结构示意图；
31.图6为本实用新型实施例提供的第四种引线框架的结构示意图；
32.图7为本实用新型实施例提供的第五种引线框架的结构示意图；
33.图8为本实用新型实施例提供的mcu的部分结构示意图。
34.附图标记说明：
35.100、引线框架；
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110、基底；
36.111、第一侧边；
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112、第二侧边；
37.113、第三侧边；
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114、第四侧边；
38.115、第一定位孔；
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121、长引脚；
39.122、短引脚；
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123、电连接部；
40.124、支撑部；
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130、间隙区域；
41.140、基板；
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141、第二定位孔；
42.200、mcu芯片；
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300、载片台。
具体实施方式
43.首先，本领域技术人员应当理解的是，这些实施方式仅仅用于解释本实用新型的技术原理，并非旨在限制本实用新型的保护范围。本领域技术人员可以根据需要对其做出调整，以便适应具体的应用场合。
44.其次，需要说明的是，在本实用新型的描述中，术语“内”、“外”等指示的方向或位
置关系的术语是基于附图所示的方向或位置关系，这仅仅是为了便于描述，而不是指示或暗示装置或构件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
45.图1为现有技术中引线框架的结构示意图；图2为现有引线框架在封装后的结构示意图。如图1与图2所示，现有的一些引线框架100，通过半蚀刻工艺在引线框架100的基底110上形成多个长引脚121。基底110的形状一般为矩形，在矩形的第一侧边111、第二侧边112、第三侧边113与第四侧边114上分别设置有长引脚121，长引脚121可以用于支撑芯片也可以用于传递信号。引线框架100在封装的过程中，模流方向即熔融状态下塑封料的流动方向从基底110的第四侧边114流向基底110。然而，在封装的过程中，由于多个长引脚121限定出的间隙区域130面积较小，使得模流的流速过快，过快的流速容易使空气滞留在芯片与引线框架100之间的区域无法有效排出，从而当塑封料固化后会在芯片的背面即芯片与引线框架100接触的一面产生空洞，图2中a处位置即为空洞。空洞会使塑封料无法完全包覆芯片的背面，芯片背面与空洞位置相对处容易发生氧化以及受到潮气侵袭，使芯片容易发生损坏，降低了半导体产品的可靠性，同时还降低了半导体产品的美观性。
46.经过反复思考与验证，发明人发现，如果将基底与芯片对应的多个引脚设置为长引脚与短引脚，这样可以增大与芯片对应的多个引脚之间的间隙区域面积，在模流流量不变的情况下，可以降低模流在引线框架的基底处的流速，从而能够减少芯片背面空洞的产生。通过设置长引脚与短引脚的具体位置使得长引脚和短引脚在基底的长度方向或宽度方向对称，可以保证芯片固定在引线框架上后受力均衡。这样，在保证引脚对芯片稳受力均衡的前提下，增大多个引脚之间的间隙区域面积，从而降低模流在基底表面的流速，降低空洞的产生，提高半导体产品的可靠性以及美观性。
47.有鉴于此，发明人设计了一种引线框架，引线框架的基底设置为矩形，在基底上形成多个用于与芯片对应的引脚，基底的第一侧边、第二侧边、第三侧边与第四侧边均设置有引脚。这些引脚中包括多个长引脚与多个短引脚，并且多个长引脚与多个短引脚均关于基底的长度方向或宽度方向对称设置。这样，在保证芯片受力均衡的前提下，增大间隙区域的面积使得模流的流速降低，在封装后可以减少芯片背面空洞的产生，提高半导体产品的可靠性以及美观性。
48.实施例一
49.图3为本实用新型实施例提供的第一种引线框架的结构示意图；图4为本实用新型实施例提供的第二种引线框架的结构示意图；图5为本实用新型实施例提供的第三种引线框架的结构示意图；图6为本实用新型实施例提供的第四种引线框架的结构示意图；图7为本实用新型实施例提供的第五种引线框架的结构示意图。
50.如图3-图6所示，本实施例提供的引线框架100，包括基底110以及形成在基底110上用于与芯片对应的多个引脚。在此定义，引脚与芯片对应即为引脚在基底110的长度方向或宽度方向上的投影与芯片具有重合区域，例如图3-图6中示出的，基底110的每一个侧边上，位于中间部分的三个引脚为用于与芯片对应的引脚。其中，用于与芯片对应的引脚数量大于一个，本领域技术人员可以根据实际需要设置基底110上引脚的具体数量，本实施例并不限制。示例性地，可以通过半蚀刻工艺在基底110的表面形成引脚，其中，半蚀刻工艺为本领域技术人员所熟知，本实施例此处不在加以赘述。容易理解，当引线框架100与芯片固定
后，芯片的电极可以通过引线框架100的引脚与外部电路电连接。示意性地，引脚包括支撑部124与电连接部123，电连接部123位于支撑部124的中部并且电连接部123的厚度大于支撑部124的厚度，支撑部124的厚度大于基底110上其余部位的厚度，芯片的电极可以与电连接部123连接以实现芯片与外部电路的电连接。图3-图6示出了，基底110的形状为矩形，本领域技术人员可以根据实际需要设置基底110的厚度以及大小，本实施例此处并不限制。
51.需要说明的是，基底110的任一边为第一侧边111，并且第三侧边113与第一侧边111位置相对，第二侧边112与第一侧边111处于相邻位置，第四侧边114与第一侧边111处于相邻位置，第二侧边112与第四侧边114位置相对。例如，如图3-图6中示出的，基底110的左侧边为基底110的第一侧边111、基底110的下侧边为基底110的第二侧边112、基底110的右侧边为基底110的第三侧边113、基底110的上侧边为基底110的第四侧边114。多个引脚分别设置在基底110的第一侧边111、第二侧边112、第三侧边113以及第四侧边114上，即基底110的第一侧边111、第二侧边112、第三侧边113以及第四侧边114上均设置有引脚。图3-图6示出了，第一侧边111上的引脚与第三侧边113上的引脚延伸方向平行于第二侧边112的延伸方向；第二侧边112上的引脚与第四侧边114上引脚的延伸方向平行于第一侧边111的延伸方向。
52.上述引脚包括多个短引脚122与多个长引脚121，即长引脚121与短引脚122的数量均大于一个，容易理解，长引脚121的长度大于短引脚122的长度。示意性地，长引脚121的长度接近基底110长度的二分之一，短引脚122的长度远小于基底110长度的二分之一，例如，基底110的尺寸为2cm*2cm，长引脚121的长度可以为0.8cm，短引脚122的长度可以为0.2cm。多个长引脚121关于基底110的长度方向或宽度方向对称设置，多个短引脚122关于基底110的长度方向或宽度方向对称设置，也即是说，多个长引脚121以及多个短引脚122位于图3-图6中引线框架100的水平中心线或者竖直中心线对称。进一步的，多个长引脚121以及多个短引脚122关于基底110的长度方向或宽度方向均对称设置，即多个长引脚121以及多个短引脚122位于图3-图6中引线框架100的水平中心线和竖直中心线均对称。需要说明的是，短引脚122可以连接芯片的电极与外部电路即可以起到传递信号的作用，长引脚121可以用于支撑芯片也可以用于信号的传递。为了保证长引脚121可以对芯片进行稳定支撑，需要至少使用四个长引脚121对芯片进行支撑，即基板140上与芯片对应的长引脚121的数量不小于四个。
53.本领域技术人员能够理解的是，将基底110上用于与芯片对应的引脚设置为长引脚121与短引脚122。其中，长引脚121可以用于支撑芯片。基底110的形状为矩形，多个长引脚121以及多个短引脚122关于基底110的长度方向或宽度方向对称设置，以保证多个长引脚121在支撑芯片时可以使芯片受力均匀。短引脚122可以增大用于与芯片对应的多个引脚之间间隙区域130的面积，在模流流量不变的情况下，间隙面积增大后可以降低模流的流速，从而减少因模流的流速过快使芯片的背部出现空洞，从而提高半导体产品的可靠性以及美观性。
54.下文介绍引线框架100的几种可实现方式，下文中基底110的第一侧边111、第二侧边112、第三侧边113与第四侧边114均设置有五个引脚，但本领域技术人员应当理解，下述引线框架100的具体实现方式不应视为是对引线框架100的具体限定。
55.在一种可能的实现方式中，如图3与图4所示，长引脚121均对称设置在基底110的
第一侧边111与第三侧边113上。也即是说，在第二侧边112与第四侧边114上，与芯片对应的引脚均为短引脚122，并且第一侧边111上的长引脚121与第三侧边上的长引脚121位置一一相对。当芯片与引线框架100固定时，可以通过基底110第一侧边111与第三侧边113上的长引脚121支撑芯片。
56.本领域技术人员能够理解的是，当基底110的第二侧边112与第四侧边114上用于与芯片对应的引脚均为短引脚122时，引线框架100通过第一侧边111与第三侧边113上的长引脚121支撑芯片。当引线框架100在封装的过程中，工作人员可以通过调整引线框架100在封装模具中的方向使得模流从基底110的第一侧边111流向基底110或者从基底110的第三侧边113流向基底110。当模流从基底110的第一侧边111或第三侧边113流向基底110时，模流方向与长引脚121的延伸方向平行。这样，可以避免在封装阶段，长引脚121阻碍模流的流动，芯片与引线框架100之间的残余空气更容易排出，减少在芯片的背面出现空洞。
57.图3示出了，短引脚122均对称设置在基底110的第二侧边112与第四侧边114上，第一侧边111和第三侧边113上用于与芯片对应的引脚即位于第一侧边111和第三侧边113中间部分的三个引脚均为长引脚121，其中，第一侧边111上的长引脚121与第二侧边112上的长引脚121位置相对。沿左右方向，第一侧边111上的长引脚121与第二侧边112上的长引脚121之间具有间隙，从而在第一侧边111上的长引脚121与第二侧边112上的长引脚121之间形成竖直条状的间隙区域130。在基底110的第一侧边111和第三侧边113的中间部分均设置三个长引脚121，可以保证长引脚121能够稳定支撑芯片并且使芯片受力均匀。同时，在图3中的上下方向增大了间隙区域130的面积，模流在基板140的表面流动时，模流的流速降低，减少在封装后芯片的背面出现空洞。
58.图4示出了，基底110的第一侧边111与第三侧边113上分别在中心位置设置有短引脚122；长引脚121对称布置在短引脚122的两侧。也即是说，位于第一侧边111或第三侧边113中间部分的三个引脚中，短引脚122位于第一侧边111以及第三侧边113的中心位置，长引脚121位于短引脚122的两侧。当芯片固定在引线框架100上时，引线框架100通过第一侧边111与第三侧边113上的四个长引脚121支撑芯片。通过上述设置，在图4中的上下以及左右方向均增大了间隙区域130的面积，即间隙区域130形成“十字型”，进一步增加了间隙区域130的面积，降低了模流的流速，封装后在芯片的背面更不容易出现空洞。
59.在另一种可能的实现方式中，如图5所示，基底110的第二侧边112和第四侧边114均在中心设置有一个长引脚121。也即是说，位于基底110的第二侧边112与第四侧边114中间部分的三个引脚中，位于中间的引脚为长引脚121，并且该引脚位于第二侧边112与第四侧边114的中心。基底110的第一侧边111与第三侧边113上分别在中心位置设置有短引脚122，基底110的第一侧边111与第三侧边113上，短引脚122的两侧对称布置有长引脚121。也即是说，位于基底110的第一侧边111与第三侧边113中间部分的三个引脚中，短引脚122位于两个长引脚121之间并且该短引脚122位于第一侧边111与第三侧边113的中心位置。通过上述设置，在基底110的中部形成水平条状的间隙区域130，即在图5中的左右方向均增大了间隙区域130的面积，模流在基底110表面流动时可以降低模流的流动速度。
60.在又一种可能的实现方式中，如图6所示，基底110的第一侧边111、第二侧边112、第三侧边113与第四侧边114均在中心设置有一个长引脚121；基底110的第一侧边111与第三侧边113上，短引脚122对称布置在长引脚121的两侧。图6示出了，位于第一侧边111、第二
侧边112、第三侧边113与第四侧边114中部的三个引脚中，长引脚121位于两个短引脚122之间，并且长引脚121位于第一侧边111、第二侧边112、第三侧边113与第四侧边114的中心位置。间隙区域130的形状近似为“x型”，即在基底110的中心朝向基底110的四个边角的方向均增加间隙区域130面积，模流在基底110表面流动时间隙区域130增大可以降低模流的流动速度，从而不容易在芯片的背面形成空洞。
61.在芯片与引线框架100封装的过程中，首先需要确定芯片与引线框架100的最终形状以及尺寸，再根据芯片与引线框架100的最终形状以及尺寸设计封装模具使封装模具的模封腔与芯片以及引线框架100相匹配。一般情况下，封装模具包括上模和下模，上模和下模扣合后在封装模具的中部形成模封腔。示例性地，上模设置有用于熔融塑封料流入的注胶孔，塑封料可以为(epoxy molding compound，环氧树脂)。下模设置有脱模孔，在脱模孔内设置有脱模顶针，当芯片与引线框架100封装后，脱模顶针从脱模孔中伸出，将模封腔中封装后的芯片与引线框架100顶出。容易理解，封装模具还设置有抽真空口，在封装的过程中可以通过抽真空口抽出模封腔中的空气。
62.如图3-图6所示，基底110还包括至少一个第一定位孔115，第一定位孔115设置在基底110的边角区域，示意性地，可以通过冲压工艺在基底110的边角区域形成第一定位孔115。其中，第一定位孔115的数量为非限制性的，其可以为一个、两个或者三个。值得一提的是，当第一定位孔115的数量大于一个时，多个第一定位孔115的大小可以相等也可以不等，同时，多个第一定位孔115的形状可以相等也可以不等。第一定位孔115用于确定基底110在模封腔中的方向，具体而言，封装模具的上模与下模均设置有定位顶针，在封装的过程中，定位顶针穿设在第一定位孔115的内部，可以防止在封装的过程中引线框架100被模流带动，造成偏移。本领域技术人员可以通过设置第一定位孔115在基底110上的具体位置使得定位顶针穿设在第一定位孔115的内部时，基底110在模封腔中的方向可以使模流从基底110设置有长引脚121的侧边流向基底110。进一步的，当基底110的四个侧边均设置有长引脚121时，基底110在模封腔中的方向可以使模流从基底110设置有较多长引脚121的侧边流向基底110。
63.当模流从基底110设置有多个长引脚121的一侧的侧边流向基底110时可以降低长引脚121对模流的阻碍作用。具体而言，当引线框架100为图3所示结构时，基底110的第一侧边111与第三侧边113分别设置有三个长引脚121，基底110的第二侧边112与第四侧边114均为短引脚122，模流从基底110的第一侧边111或第三侧边113流向基底110；当引线框架100为图4所示结构时，基底110的第一侧边111与第三侧边113分别设置有两个长引脚121，基底110的第二侧边112与第四侧边114均为短引脚122，模流从基底110的第一侧边111或第三侧边113流向基底110；当引线框架100为图5所示结构时，基底110的第一侧边111与第三侧边113分别设置有两个长引脚121，基底110的第二侧边112与第四侧边114分别设置有一个长引脚121，模流从基底110的第一侧边111或第三侧边113流向基底110；当引线框架100为图6所示结构时，基底110的第一侧边111、第二侧边112、第三侧边113与第四侧边114均设置一个长引脚121，模流可以从基底110的任一侧侧边流向基底110。
64.在一种可能的实现方式中，如图4所示，基底110上第一定位孔115的数量为一个，模流可以从基底110的第一侧边111或第三侧边113流向基底110。在另一种可能的实现方式中，如图3所示，基底110上第一定位孔115的数量为两个并且两个第一定位孔115对角设置，
模流可以从基底110的第一侧边111或第三侧边113流向基底110。在又一种可能的实现方式中，如图6所示，基底110上第一定位孔115的数量为三个并且三个第一定位孔115分别设置在基底110的三个不同边角区域，模流可以从基底110的第一侧边111、第二侧边112、第三侧边113与第四侧边114中的任一侧流向基底110。
65.进一步地，如图5所示，第一定位孔115的数量为两个，两个第一定位孔115分别位于基底110的其中一条侧边的两端，模流从两个第一定位孔115之间流向基底110。将第一定位孔115的数量设置为两个，使得工作人员在模封腔的内部确定基底110时更容易确定基底110的方向，即根据模流在模封腔内的流动方向使模流从两个第一定位孔115之间流向基底110即可。
66.如图7所示，本实施例提供的引线框架100还包括基板140，基板140上设置有多个基底110，多个基底110沿多行多列排布在基板140上。其中，基底110可以为图3-图6中任意一种基底110。需要说明的是，基底110的具体数量以及多个基底110在基板140上的排布方式为非限制性的，本领域技术人员可以根据实际需要进行设置，示例性地，基底110的数量可以为八个，八个基底110按照两行四列的方式排布在基板140上。在一种可能的实现方式，多个基底110与基板140可以为一体件，通过半蚀刻工艺在基板140上形成多个基底110以及在每个基底110上均形成多个引脚。
67.以图5中的基底110设置在基板140上为例，每个基底110的第一侧边111均朝向基板140的同一侧，即每个基底110的第一侧边111均朝向基板140的左侧。
68.基板140的形状为矩形，基板140设置有至少一个第二定位孔141，在封装的过程中，封装模具的定位顶针穿设在第二定位孔141的内部。第二定位孔141的数量为非限制性的，其可以为一个或者多个。第二定位孔141与基底110之间设置有间隔，以避免定位顶针穿设在第二定位孔141内部的过程中与基底110发生干涉，示例性地，第二定位孔141可以设置在基板140的边角区域。值得一提的是，当基板140上第二定位孔141的数量为多个时，多个第二定位孔141的大小可以相等也可以不等，同时，多个第二定位孔141的形状可以相等也可以不等。
69.通过设置基板140，将多个基底110沿多行多列布置在基板140上并且每个基底110的第一侧边111均朝向基板140的同一侧，使得一次封装工艺可以封装多个基板140与芯片，在封装后从基板140上拆分出多个基底110即可，便于半导体产品的批量生产。另一方面，在基板140上设置第二定位孔141以确定基板140在模封腔中的方向，使得引线框架100在封装阶段模流从基底110设置有长引脚121的侧边流向基底110，当基底110的每个侧边均设置有长引脚121时，在封装阶段，模流可以从设置较多长引脚121的一侧侧边流向基底110，避免在每个基底110上均设置第一定位孔115，便于提高封装效率。
70.进一步地，第二定位孔141的数量为两个，两个第二定位孔141分别设置在基板140其中一条侧边的两端；模流从两个第二定位孔141之间流向基板140。通过上述设置便于确定引线框架100在模封腔中的方向，即确定模封腔内的模流方向使模流从两个第二定位孔141之间流向基板140即可，此时，模流从基底110设置有多个长引脚121的一侧的侧边流向基底110，降低基底110上长引脚121对模流的阻碍作用，减少在芯片的背面产生空洞。
71.实施例二
72.在实施例一的基础上，本实施例还提供一种半导体封装结构，包括集成电路以及
实施例一中的引线框架。其中，集成电路为不同的应用场合做不同组合控制的集成电路、数字集成电路或模拟集成电路。
73.引线框架的多个长引脚的自由端用于支撑集成电路，一般情况下，用于支撑集成电路的长引脚数量不小于四个，以保证长引脚对集成电路支撑的稳定性。需要说明的是，长引脚的固定端为长引脚朝向基板的侧边并与基板接触的一端，长引脚的自由端为长引脚远离引线框架的基底侧边的一端。引线框架的全部长引脚的自由端可以均用于支撑集成电路，或者，引线框架的部分长引脚的自由端用于支撑集成电路。集成电路可以直接盖设在引线框架的长引脚上，或者，集成电路可以与长引脚的自由端固定连接，示意性地，可以通过焊接的方式将集成电路固定在长引脚上。本领域技术人员可以根据实际需要将集成电路的电极与引线框架的长引脚或者短引脚电连接。示意性地，集成电路的电极可以通过导线或者电接触的方式与长引脚或短引脚电连接。
74.本实施例的半导体封装结构，由于使用实施例一中的引线框架，在封装后，不容易在集成电路的背面形成空洞，半导体封装结构在封装后形成的半导体产品可靠性以及美观性更高。
75.实施例三
76.图8为本实用新型实施例提供的mcu的部分结构示意图。如图8所示，在实施例一的基础上，本实施例还提供一种mcu(microcontroller unit，微控制单元)包括mcu芯片200、载片台300以及实施例一中的引线框架100。其中，mcu芯片200为在不同的应用场合做不同组合控制的电路。
77.图8示出了，载片台300可以为矩形片状结构，载片台300设置在引线框架100的多个长引脚的自由端，即长引脚朝向引线框架100的中心的一端，例如，载片台300设置在引线框架100的至少四个长引脚的自由端。载片台300可以直接盖设在多个长引脚的自由端，或者，载片台300与多个长引脚的自由端固定连接，例如焊接连接。mcu芯片200位于载片台300远离引线框架100的一侧并与载片台300固定连接，载片台300的尺寸大于mcu芯片200的尺寸，以使mcu芯片200可以完全放置在载片台300上。示例性地，可以在载片台300远离引线框架100的一侧涂覆耐高温胶，将mcu芯片200放置在具有耐高温胶的载片台300上。通过按压mcu芯片200将mcu芯片200与载片台300压紧并与载片台300保持平行。其中，耐高温的胶可以是含有银粉的环氧树脂或者聚酰胺树脂等热固性树脂，即银浆。mcu芯片200的电极可以根据需要与引线框架100的长引脚或短引脚电连接，示意性地，可以通过导线连接mcu芯片200的电极与长引脚和/或短引脚，又或者，可以将芯片的电极设置成从芯片的主体部分凸出，电极凸出的部分直接与长引脚和/或短引脚导电接触。本实施例提供的mcu，通过设置载片台300连接mcu芯片200与引线框架100，并且mcu芯片200与载片台300通过耐高温胶固定，可以避免在mcu芯片200的背部形成空洞，提高芯片的耐氧化性能，保护芯片不受潮气。
78.本实施例的mcu，由于使用实施例一中的引线框架100，在封装后，不容易在载片台300的背面形成空洞，从而可以提高mcu的美观性和耐氧化性。
79.在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“顶”、“底”、“上”、“下”(如果存在)等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
80.在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
81.本技术的说明书和权利要求书及上述附图说明中的术语“第一”、“第二”是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本技术的实施例例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。
82.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。