一种具有低导通压降的超势垒整流器件的制作方法

技术特征：
1.一种具有低导通压降的超势垒整流器件，其特征在于包括：背面金属层(1)；第一导电类型半导体衬底(2)；所述第一导电类型半导体衬底(2)覆盖于背面金属层(1)之上；第一导电类型半导体漂移区(3)；所述第一导电类型半导体漂移区(3)覆盖于第一导电类型半导体衬底(2)之上；第二导电类型半导体体区(4)；所述第二导电类型半导体体区(4)覆盖于第一导电类型半导体漂移区(3)之上的部分表面；第一导电类型半导体重掺杂源区(6)；所述第一导电类型半导体重掺杂源区(6)覆盖于第二导电类型半导体体区(4)之上的部分表面；栅氧化层(7)；所述栅氧化层(7)覆盖于第一导电类型半导体漂移区(3)、第二导电类型半导体体区(4)和第一导电类型半导体重掺杂源区(6)之上的部分表面；多晶硅栅极(8)；所述多晶硅栅极(8)覆盖于栅氧化层(7)之上；正面金属层(9)；所述正面金属层(9)中部为凸起结构；该正面金属层(9)整体覆盖于多晶硅栅极(8)上，该凸起结构位于正面金属层(9)中央且覆盖于多晶硅栅极(8)、栅氧化层(7)、第一导电类型半导体重掺杂源区(6)和第二导电类型半导体体区(4)之上的部分表面，所述多晶硅栅极(8)、栅氧化层(7)、第一导电类型半导体重掺杂源区(6)和第二导电类型半导体体区(4)分别位于凸起结构两侧且彼此独立；第一导电类型半导体重掺杂区(5)；所述第一导电类型半导体重掺杂区(5)位于两第二导电类型半导体体区(4)之间，该第一导电类型半导体重掺杂区(5)覆盖于第二导电类型半导体体区(4)和第一导电类型半导体漂移区(3)之上的部分表面，且正面金属层(9)凸起结构覆盖于第一导电类型半导体重掺杂区(5)之上的部分表面。2.根据权利要求1所述的一种具有低导通压降的超势垒整流器件，其特征在于：第二导电类型半导体体区(4)的结深应大于第一导电类型半导体重掺杂区(5)的结深。3.根据权利要求1所述的一种具有低导通压降的超势垒整流器件，其特征在于：第一导电类型半导体重掺杂源区(6)与正面金属层(9)为欧姆接触。4.根据权利要求1所述的一种具有低导通压降的超势垒整流器件，其特征在于：第一导电类型半导体重掺杂区(5)与正面金属层(9)为欧姆接触或肖特基接触。5.根据权利要求1所述的一种具有低导通压降的超势垒整流器件，其特征在于：所述多晶硅栅极(8)的掺杂类型为第一导电类型。6.根据权利要求1所述的一种具有低导通压降的超势垒整流器件，其特征在于：所述第二导电类型半导体体区(4)与第一导电类型半导体漂移区(3)之间的pn结在零电压时形成耗尽层且耗尽层将第一导电类型半导体重掺杂区(5)完全包围。

技术总结
本实用新型公开了一种具有低导通压降的超势垒整流器件，包括背面金属层、第一导电类型半导体衬底、第一导电类型半导体漂移区、第二导电类型半导体体区、第一导电类型半导体重掺杂源区、栅氧化层、多晶硅栅极、正面金属层和第一导电类型半导体重掺杂区，本实用新型通过创造性设计正面金属层结构及其与之接触的相关区域布置，在通过设置第一导电类型半导体重掺杂区，使得本实用新型形成多道电流路径分布，且由于第一导电类型半导体重掺杂区设置，使得初始电流路径的电压更低，且稳定性高，本实用新型结构简单，工艺制备相对容易，实用性强。强。强。


技术研发人员：王为 李铭 谢驰 曾潇 李泽宏
受保护的技术使用者：贵州雅光电子科技股份有限公司
技术研发日：2021.06.28
技术公布日：2022/1/26