一种半导体结构的形成方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括器件区和辅助区；在所述衬底表面形成介质层；在所述介质层表面形成缓冲层；在所述器件区形成贯穿所述缓冲层和所述介质层的连接结构；在所述辅助区形成贯穿所述缓冲层和所述介质层并延伸至所述衬底中的辅助沟槽；在所述辅助沟槽侧壁和底部以及所述缓冲层和所述连接结构表面形成磁隧道结材料层，所述磁隧道材料层不填满所述辅助沟槽；刻蚀所述磁隧道结材料层和所述缓冲层在所述连接结构表面形成磁隧道结。2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述介质层包括位于所述衬底表面的ndc层和位于所述ndc层表面的teos层。3.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述器件区形成贯穿所述缓冲层和所述介质层的连接结构的方法包括：在所述缓冲层表面形成图案化的光刻胶，所述图案化的光刻胶定义所述连接结构的位置；以所述图案化的光刻胶为掩膜刻蚀所述缓冲层和所述teos层形成第一沟槽；使所述图案化的光刻胶暴露出部分所述第一沟槽两侧的缓冲层表面；刻蚀去除所述暴露出的缓冲层和所述第一沟槽底部的ndc层。4.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述缓冲层的材料包括富氮氮化钛。5.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述缓冲层的厚度为100埃至200埃。6.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底的器件区包括金属互连结构，所述连接结构与所述金属互连结构电连接。7.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述磁隧道结包括位于所述连接结构表面的第一铁磁层，位于所述第一铁磁层表面的非磁绝缘层以及位于所述非磁绝缘层表面的第二铁磁层。8.如权利要求7所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一铁磁层的材料包括钴、铁或钽等；所述第二铁磁层的材料包括钴、铁或钽等。9.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述磁隧道结材料层和所述缓冲层在所述连接结构表面形成磁隧道结的方法包括：在所述磁隧道结材料层表面形成图案化的光刻胶，所述图案化的光刻胶定义所述磁隧道结的位置；以所述图案化的光刻胶为掩膜刻蚀所述磁隧道结材料层和所述缓冲层在所述连接结构表面形成磁隧道结。10.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述辅助区形成贯穿所述缓冲层和所述介质层并延伸至所述衬底中的辅助沟槽的方法包括：在所述缓冲层和所述连接结构表面形成图案化的光刻胶，所述图案化的光刻胶定义所述辅助沟槽的位置；
以所述图案化的光刻胶为掩膜刻蚀所述缓冲层、所述介质层和所述衬底形成贯穿所述缓冲层和所述介质层并延伸至所述衬底中的辅助沟槽。

技术总结
本申请提供半导体结构的形成方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底包括器件区和辅助区；在所述衬底表面形成介质层；在所述介质层表面形成缓冲层；在所述器件区形成贯穿所述缓冲层和所述介质层的连接结构；在所述辅助区形成贯穿所述缓冲层和所述介质层并延伸至所述衬底中的辅助沟槽；在所述辅助沟槽侧壁和底部以及所述缓冲层和所述连接结构表面形成磁隧道结材料层，所述磁隧道材料层不填满所述辅助沟槽；刻蚀所述磁隧道结材料层和所述缓冲层在所述连接结构表面形成磁隧道结。所述缓冲层可以提高辅助沟槽的质量，进而提高磁隧道结的位置精度，此外所述缓冲层还可以提高化学机械研磨所述连接结构时的均匀性。磨所述连接结构时的均匀性。磨所述连接结构时的均匀性。


技术研发人员：张建华
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2020.07.22
技术公布日：2022/1/25