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腐蚀检测传感器及具有该腐蚀检测传感器的电气设备及腐蚀检测方法与流程

2022-02-21 06:41:46 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种腐蚀检测传感器,其对由腐蚀性气体引起的电气设备的腐蚀进行检测,该腐蚀检测传感器具有:金属薄膜,其会因所述腐蚀性气体而被腐蚀;电阻器,其与所述金属薄膜串联连接;电阻测定装置,其对所述金属薄膜和所述电阻器的合成电阻进行测定;以及电阻输出装置,其输出由所述电阻测定装置测定出的合成电阻超过规定的基准电阻这一检测结果,所述基准电阻与由于所述腐蚀性气体而使所述电气设备达到腐蚀损伤的危险度相应地确定。2.根据权利要求1所述的腐蚀检测传感器,其中,所述危险度是所述金属薄膜的膜厚的实际的减少量相对于所述金属薄膜的膜厚的最大减少量之比,所述最大减少量是在将所述电气设备和所述金属薄膜暴露于存在所述腐蚀性气体的环境中的情况下,直至所述电气设备达到腐蚀损伤为止的所述金属薄膜的膜厚的减少量。3.根据权利要求1或2所述的腐蚀检测传感器,其中,所述金属薄膜包含并联连接的多个薄膜,所述多个薄膜的材料相同,所述多个薄膜的膜厚彼此不同,以与所述多个薄膜的各个分别对应的方式确定所述基准电阻,所述电阻输出装置在由所述电阻测定装置测定出的合成电阻每次超过对应的基准电阻时输出所述检测结果。4.根据权利要求1或2所述的腐蚀检测传感器,其中,所述金属薄膜包含串联连接的多个薄膜,所述多个薄膜的材料包含会因彼此不同种类的所述腐蚀性气体而被腐蚀的材料。5.根据权利要求1或2所述的腐蚀检测传感器,其中,所述金属薄膜包含第1薄膜、第2薄膜、第3薄膜以及第4薄膜,所述第1薄膜和所述第2薄膜串联连接,所述第3薄膜和所述第4薄膜串联连接,所述第1薄膜及第2薄膜和所述第3薄膜及第4薄膜并联连接,所述第1薄膜的材料和所述第3薄膜的材料包含会因第1腐蚀性气体而被腐蚀的材料,所述第2薄膜的材料和所述第4薄膜的材料包含会因与所述第1腐蚀性气体不同的第2腐蚀性气体而被腐蚀的材料,所述第1薄膜的膜厚和所述第3薄膜的膜厚不同,所述第2薄膜的膜厚和所述第4薄膜的膜厚不同,针对所述第1薄膜及第2薄膜确定第1基准电阻,针对所述第3薄膜及第4薄膜确定第2基准电阻,所述电阻输出装置在由所述电阻测定装置测定出的合成电阻每次超过所述第1基准电阻及第2基准电阻之中的任意者时输出所述检测结果。6.根据权利要求1或2所述的腐蚀检测传感器,其中,
所述金属薄膜包含并联连接的多个薄膜,所述多个薄膜的材料彼此不同,以与所述多个薄膜的各个分别对应的方式确定所述基准电阻,所述电阻输出装置在由所述电阻测定装置测定出的合成电阻每次超过对应的基准电阻时输出所述检测结果。7.根据权利要求1或2所述的腐蚀检测传感器,其中,所述金属薄膜包含第1薄膜、第2薄膜以及第3薄膜,所述第1薄膜和所述第2薄膜串联连接,所述第1薄膜及第2薄膜和所述第3薄膜并联连接,所述第1薄膜的材料和所述第3薄膜的材料包含会因第1腐蚀性气体而被腐蚀的彼此不同的材料,所述第2薄膜的材料包含会因与所述第1腐蚀性气体不同的第2腐蚀性气体而被腐蚀的材料,针对所述第1薄膜及第2薄膜确定第1基准电阻,针对所述第3薄膜确定第2基准电阻,所述电阻输出装置在由所述电阻测定装置测定出的合成电阻每次超过所述第1及第2基准电阻之中的任意者时输出所述检测结果。8.根据权利要求1至7中任一项所述的腐蚀检测传感器,其中,还具有绝缘基板,所述金属薄膜和所述电阻器一体地配置于所述绝缘基板上。9.根据权利要求1至7中任一项所述的腐蚀检测传感器,其中,还具有绝缘基板,所述金属薄膜配置于所述绝缘基板上,所述电阻器作为分立部件而配置于所述绝缘基板的外部。10.一种电气设备,其具有:权利要求1至9中任一项所述的腐蚀检测传感器;以及电气设备主体。11.一种电气设备的腐蚀检测方法,其通过具有会因腐蚀性气体而被腐蚀的金属薄膜和与所述金属薄膜串联连接的电阻器的腐蚀检测传感器,对由所述腐蚀性气体引起的电气设备的腐蚀进行检测,该电气设备的腐蚀检测方法包含下述步骤:对所述金属薄膜和所述电阻器的合成电阻进行测定;以及输出在所述进行测定的步骤中测定出的合成电阻超过规定的基准电阻这一检测结果,所述基准电阻与由于所述腐蚀性气体而使所述电气设备达到腐蚀损伤的危险度相应地确定。

技术总结
腐蚀检测传感器(101)对由腐蚀性气体引起的电气设备(900)的腐蚀进行检测。腐蚀检测传感器(101)具有:金属薄膜(8),其会因腐蚀性气体而被腐蚀;电阻器(9),其与金属薄膜(8)串联连接;电阻测定器(20),其对金属薄膜(8)和电阻器(9)的合成电阻进行测定;以及通知装置(40),其通知由电阻测定装置(20)测定出的合成电阻超过规定的基准电阻这一检测结果。基准电阻与由于腐蚀性气体而使电气设备(900)达到腐蚀损伤的危险度相应地确定。伤的危险度相应地确定。伤的危险度相应地确定。


技术研发人员:瓦井久胜 前田雷蔵 田中哲夫 水野修
受保护的技术使用者:三菱电机株式会社
技术研发日:2019.08.23
技术公布日:2022/1/21
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