一种晶圆表面清洗的方法与流程

1.本发明属于半导体制作技术领域，具体的讲涉及一种晶圆表面清洗的方法。


背景技术：

2.现今半导体技术在晶圆薄化已驱成熟，为了增进芯片在晶圆内的延展性及提升高功率芯片在运行中加速散热效果，工程人员均极尽所能研发让晶圆薄化技术达到极致。
3.现阶段晶圆研磨后之制程需接着晶圆抛光清洗的步骤，晶圆抛光清洗后更紧接着背面金属蒸镀的重要制程，晶圆抛光清洗又可分干式与湿式两种方式，干式作业通常耗费高昂成本与高工时，而湿式作业则为多数厂家所使用，因其具有清洗液可回收重复使用与工时大幅缩短的优势，有效降低成本提高产能，晶圆历经研磨后其表面残留许多污染物，而抛光清洗该制程则需要有效率及高产能额设计才能与业界其他厂家竞争，本发明则以一种晶圆表面洗净的方法达到相同目的，不仅能洁净晶圆表面残留物，亦可提升制程良率，与提升蒸镀制程之附着力。


技术实现要素：

4.为解决现有技术存在的问题，本发明提供一种晶圆表面清洗的方法，可有效避免晶圆表面污染物残留，降低晶圆晶背有水流痕、裂痕及清洗不完全的异常，可有效提高产能与拉升良率。
5.本发明的技术方案是这样实现的：
6.一种晶圆表面清洗的方法，包括如下步骤：
7.提供晶圆，该晶圆具有集成电路的正面与背面，该晶圆正面贴附保护胶，接着将该晶圆依据制程之需求片数放入晶舟盒内,将该晶舟盒放入清洗机构达到有效洁净效果。
8.进一步地，该晶舟盒为铁氟龙晶舟盒。
9.进一步地，晶舟盒内可放晶圆尺寸可为4in、5in、6in、8in与12in。
10.进一步地，晶舟盒内所置放的晶圆片数依据清洗要求不同而置放。
11.进一步地，晶舟盒内设有若干个置入槽，晶舟盒的盒体的前端侧壁和后端侧壁的顶部均设有固定件，所述的固定件之间设有手把部以便提拿。
12.进一步地，清洗机构依功分别设有抛光槽与清洗槽。
13.进一步地，抛光槽内所使用的清洗液为硝酸、醋酸、氢氟酸中的一种或者多种。
14.进一步地，清洗槽内所使用的清洗液为纯水。
15.进一步地，清洗槽运转的纯水阻值至少为1mω以上。
16.进一步地，清洗机构设有置入口可供置入晶舟盒，并设有清洗区可供放置晶舟盒，并于清洗区内设有一顶出部可供置入的晶舟盒放置。
17.进一步地，顶出部设有一个承载面，该承载面底部设有一个调节件可供承载面依据需求调整置入晶舟盒的倾斜角度。
18.进一步地，顶出部的角度设定为为使晶圆的贴胶面倚靠晶舟盒前端部的方向。
19.进一步地，承载面及顶出部可依各种形状与形式设于清洗区。
20.进一步地，晶圆放置于晶舟盒内其贴胶面面向前端
21.进一步地，6in及其以下尺寸晶圆平边于晶舟盒内朝上摆放。
22.进一步地，8in及以上尺寸晶圆notch于晶舟盒内朝左摆放。
23.进一步地，晶圆放置于晶舟盒内为间隔摆放。
24.进一步地，晶圆间隔放置且且最靠近端部的晶圆为晶圆样品。
25.本方案的有益效果如下：
26.本发明提供一种晶圆表面清洗的方法，本发明与现有技术不同在于，现有技术中以干式抛光清洗成本耗费与工时长而湿式清洗成本低且工时缩短为多数采用，而本发明则以一种晶圆表面洗净的方式，不仅可完整有效的达到晶圆清洗成果，亦可有效避免水流痕与研磨污染物残留晶圆表面之异常,大大提升蒸镀制程的良率,缩短出货工时。
附图说明
27.图1为本发明一种晶圆表面清洗的方法实施例1的结构示意图；
28.图2为本发明一种晶圆表面清洗的方法实施例1的俯视图。
29.附图标记：清洗机构1、抛光槽2、清洗槽3、清洗液4、晶舟盒5、晶圆6、置入口11、清洗区12、顶出部13、前端部51、後端部52、置入槽53、固定件54、手把部55、承载面131、调节件132
具体实施方式
30.下面将结合本发明实施例中的附图对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
31.需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
32.另外，在本发明中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围内。
33.实施例1
34.如图1-2所示，一种晶圆表面清洗的方法，将数个正面粘贴保护胶的晶圆6放入晶舟盒5的置入槽53内间隔摆放，该晶舟盒5的盒体的前端部51侧壁和后端部52侧壁的顶部均设有固定件54，所述的固定件54之间设有手把部55以便提拿，该晶舟盒5能适用晶圆6尺寸4in、5in、6in、8in与12in，将摆放完毕的晶舟盒5由手把部55拿起至清洗机构1清洗，清洗机构1区分为抛光槽2与清洗槽3，两槽均具有一个置入口11以供晶舟盒5置入，接续放置浸入
该晶舟盒5于各槽的清洗区12，并藉由槽内的顶出部13能使得晶舟盒5放置时能依据设定角度稳定放置藉由清洗液4清洗。
35.晶舟盒5放置于清洗区12主要依借顶出部13能使得晶舟盒5平稳放置，因顶出部13设有一承载面131可供晶舟盒5靠置，并可依据顶出部13的调节件132去调整角度以适应不同尺寸的晶舟盒5，调节件132可以有多重形式，可以是不同高度的楔形块，也可以是长度可以调节的杆件，也可以是带有多个不同高度的支撑台，因晶圆6于晶舟盒5的置入槽53内容易前后摆动容易造成清洗不完全，藉由调节件132可以调整角度使得晶舟盒5内的晶圆6贴胶正面能倾靠晶舟盒5的前端部51方向，使得晶圆6背面可以完全清洗，并可避免晶圆6摆动降低破片龟裂之异常。
36.凭借调节件132之功能，使得晶圆6在抛光槽2能藉由硝酸、醋酸、氢氟酸及混合上述之混酸抛光清洗，接续进入清洗槽3藉由纯水洁净晶圆6背面，且必须维持纯水的水阻值至少为1mω，经上述两道程序可完全洗净晶圆6表面的污染物。
37.放置晶圆于晶舟盒5仍需依据尺寸不同而有不同放置方式，6in(含以下)晶圆6平边(flat)于晶舟盒5内朝上摆放，8in(含以上)晶圆6notch于晶舟盒5内朝左摆放，晶圆6不仅要间隔放置且最靠近后端部52的晶圆6为晶圆样品，才可避免晶圆6直接接触清洗液4，依据上述作业可确保晶圆6清洗完成度。
38.本方案可完整有效的达到晶圆清洗成果，亦可有效避免水流痕与研磨污染物残留晶圆表面之异常,大大提升蒸镀制程的良率,缩短出货工时。
39.最后说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。