技术特征：
1.一种新型自对准功率trench mosfet制作方法，其特征在于，包括如下步骤：step1：在衬底正上表面外延形成外延区；step2：在所述外延区的正上表面注入硼离子形成主体区；step3：在所述主体区上淀积形成第一介质层；step4：所述第一介质层刻蚀形成沟槽，所述沟槽穿过所述主体区至所述外延区；step5：对沟槽进行氧化并填充多晶硅形成栅极，所述多晶硅覆盖所述第一介质层；step6：刻蚀掉所述第一介质层上的所述多晶硅，且沟槽里的多晶硅的表面需低于第一介质层的表面，多晶硅的表面可与外延层表面平行，或者低于外延层表面，或者高于外延层表面；step7：淀积第二介质层覆盖所述第一介质层和所述沟槽里的多晶硅；step8：刻蚀掉所述第一介质层上的所述第二介质层，仅保留所述沟槽多晶硅上的第二介质层；step9：完全除去第一介质层；step10：于所述主体区上掺杂离子形成源极区；step11：淀积第三介质层，所述第三介质层覆盖所述源极区和所述第二介质层；step12:无掩模版刻蚀第三介质层并于所述第二介质层及多晶硅侧壁形成侧墙；step13:于所述源极区刻蚀形成接触沟槽，所述接触沟槽穿过所述源极区至所述主体区；step14:于所述接触沟槽注入硼离子形成所述主体区的接触区域；step15:于所述step14形成的晶圆结构正面进行金属溅射或蒸发，形成金属化层，所述金属化层覆盖所述接触区域、所述侧墙、所述第二介质层。2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述衬底为重度掺杂n型半导体硅，所述外延区为轻度掺杂n型半导体硅。3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述源极区为重度掺杂n型半导体硅。4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述主体区是由外延区掺杂注入硼离子形成。5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一介质层、所述第二介质层被选自二氧化硅或者氮化硅；所述第一介质层和所述第二介质层被设定为不同材质种类。6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第三介质层被选自二氧化硅或者氮化硅。7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在step6中，刻蚀后所述多晶硅的上表面高于、低于或者齐平所述主体区(外延层)的上表面。8.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在step8中，刻蚀后所述第二介质层的表面齐平或者低于所述第一介质层表面。9.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在step15中，该接触沟槽的深度要大于源极区的深度，直至达到源极区下面的主体区，但不能超过主体区。10.一种如权利要求1～9所述的制备方法所制备的新型自对准功率trench mosfet。
技术总结
本发明提出一种新的自对准结构的功率Trench MOSFET，其Trench槽和接触孔(接触沟槽)由一张掩模版确定，能极大地缩小Trench Pitch的间距(即相邻Trench槽之间的间距)。Pitch的间距(即相邻Trench槽之间的间距)。Pitch的间距(即相邻Trench槽之间的间距)。
技术研发人员：黄平 鲍利华 顾海颖
受保护的技术使用者：上海朕芯微电子科技有限公司
技术研发日：2021.10.15
技术公布日：2022/1/21
再多了解一些
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询，结果仅供参考。
