一种抑制切割边缘漏电的晶体硅太阳能电池片、电池组件及制备方法与流程

技术特征：
1.一种抑制切割边缘漏电的晶体硅太阳能电池片，其特征在于，制备过程中，采用经过清洗和制绒的p型或n型硅片，在硅片正面形成pn结之后，在将要进行激光划片的硅片中线附近区域内先形成一层掺杂类型与硅片基体相同的扩散前驱体层，然后通过退火、激光处理、电流注入或离子注入等方式将该区域覆盖的发射极的掺杂类型转变为与硅片基体相同，最后经过电池工艺形成电池片。2.根据权利要求1所述的抑制切割边缘漏电的晶体硅太阳能电池片，其特征在于，所述扩散前驱体层中掺杂的掺杂剂包括但不限于硼、镓、磷或砷。3.根据权利要求1所述的抑制切割边缘漏电的晶体硅太阳能电池片，其特征在于，所述扩散前驱体层的形成方式包括但不限于等离子体增强的化学气相沉积、常规化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积、干氧氧化、湿氧氧化、旋涂或喷涂。4.根据权利要求1所述的抑制切割边缘漏电的晶体硅太阳能电池片，其特征在于，所述扩散前驱体层的宽度为0.2～2mm，厚度为0.02～2um。5.一种太阳能电池组件，包括串联而成的多个小片电池，其特征在于，所述的小片电池采用权利要求1～4任一所述的晶体硅太阳能电池片切割而成。6.根据权利要求5所述的太阳能电池组件，其特征在于，所述的晶体硅太阳能电池片为perc结构、topcon结构或hjt结构。7.一种perc结构的抑制切割边缘漏电的晶体硅太阳能电池片制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)提供p型晶体硅片，进行清洗、制绒处理；(2)在获得的硅片正面进行高温磷扩散，形成pn结，然后去除扩散过程形成的磷硅玻璃以及绕镀；(3)在步骤(2)处理后获得的硅片正面通过旋涂或喷涂法形成一层光刻胶作为掩膜，露出正面中线附近的待处理区；然后通过等离子体增强的化学气相沉积、常规化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积、旋涂或喷涂方式在中线附近形成一层含p型掺杂剂的扩散前驱体层；所述的p型掺杂剂包括但不限于硼或镓，所述的扩散前驱体层包括但不限于氮化硼或氧化镓；(4)将步骤(3)处理后的硅片上的光刻胶去除；(5)将步骤(4)处理后的硅片正面的扩散前驱体层通过退火、激光处理、电流注入或离子注入等方式将该区域覆盖的磷发射极进行补偿从而转变为p型，并对硅片背面进行抛光；(6)在步骤(5)处理后的硅片背面沉积氧化铝膜和氮化硅膜，在硅片正面沉积氮化硅膜；(7)在步骤(6)处理后的硅片双面印刷电极浆料作为主栅和副栅并烘干，高温烧结后形成电极。8.一种topcon结构的抑制切割边缘漏电的晶体硅太阳能电池片制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)提供n型晶体硅片，进行清洗、制绒处理；(2)在获得的硅片正面进行高温硼扩散，形成pn结，然后去除扩散过程形成的硼硅玻璃以及绕镀；(3)在步骤(2)处理后的硅片正面通过旋涂或喷涂法形成一层光刻胶，使用掩膜处理露
出中线附近的待处理区，然后通过等离子体增强的化学气相沉积、常规化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积、旋涂或喷涂方式在中线附近形成一层含n型掺杂剂的扩散前驱体层；所述的n型掺杂剂包括但不限于磷或砷，所述的扩散前驱体层包括但不限于三氯氧磷或五氧化二磷；(4)将步骤(3)处理后的硅片上的光刻胶去除；(5)将步骤(4)处理后的硅片正面的扩散前驱体层通过退火、激光处理、电流注入或离子注入等方式将该区域覆盖的硼发射极进行补偿从而转变为n型，并对硅片背面进行抛光；(6)在步骤(5)处理后的硅片背面沉积一层隧穿氧化层，接着在所述隧穿氧化层上沉积一层n型重掺的非晶硅层，退火后形成n型重掺的多晶硅层；(7)在步骤(6)处理后的硅片正面沉积氧化铝膜和氮化硅膜，在硅片背面沉积氮化硅膜；(8)在步骤(7)处理后的硅片双面印刷电极浆料作为主栅和副栅并烘干，高温烧结后形成电极。9.一种hjt结构的抑制切割边缘漏电的晶体硅太阳能电池片制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)提供n型晶体硅片，进行清洗、制绒处理；(2)在获得的硅片正反两面形成本征非晶硅层或氢化本征非晶硅薄层；(3)在步骤(2)处理后的硅片正反两面分别制备p 型掺杂非晶硅薄层和n 型掺杂非晶硅薄层；(4)在步骤(3)处理后的硅片正面通过旋涂或喷涂法形成一层光刻胶，使用掩膜处理露出中线附近的待处理区，然后通过等离子体增强的化学气相沉积、常规化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积、喷涂或旋涂方式在中线附近形成一层含n型掺杂剂的扩散前驱体层；所述的n型掺杂剂包括但不限于磷或砷，所述的扩散前驱体层包括但不限于三氯氧磷或五氧化二磷；(5)将步骤(4)处理后的硅片上的光刻胶去除；(6)将步骤(5)处理后的硅片正面的扩散前驱体层通过退火、激光处理、电流注入或离子注入等方式将该区域覆盖的硼发射极进行补偿从而转变为n型；(7)在步骤(6)处理后的硅片正反两面分别沉积ito导电层；(8)在步骤(7)处理后的硅片双面印刷电极浆料作为主栅和副栅并烘干，低温退火使电极与ito导电层之间形成良好的欧姆接触。

技术总结
本发明公开了一种抑制切割边缘漏电的晶体硅太阳能电池片、电池组件及其制备方法，制备过程中，采用经过清洗和制绒的p型或n型硅片，在硅片正面形成pn结之后，在将要进行激光划片的硅片中线附近区域内先形成一层掺杂类型与硅片基体相同的扩散前驱体层，然后通过退火、激光处理、电流注入或离子注入等方式将该区域覆盖的发射极的掺杂类型转变为与硅片基体相同，最后经过电池工艺形成电池片。利用本发明，获得的半片电池的切割边缘将不存在pn结，避免了切割边缘pn结漏电引起的电学性能损失，从而可以获得更高转换效率的半片电池及更高输出功率的太阳能电池组件。高输出功率的太阳能电池组件。高输出功率的太阳能电池组件。


技术研发人员：余学功 胡泽晨 杨德仁
受保护的技术使用者：浙江大学
技术研发日：2021.10.15
技术公布日：2022/1/21