芯片移转系统与芯片移转方法与流程

1.本发明涉及一种移转系统与移转方法，特别是涉及一种芯片移转系统与芯片移转方法。


背景技术：

2.现有技术中，发光二极管芯片可以通过吸嘴的取放动作或是顶针的顶抵动作，以从一承载体移转到另一承载体上。


技术实现要素：

3.本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种芯片移转系统与芯片移转方法。
4.为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是提供一种芯片移转系统，其包括：一基板承载模块、一芯片移转模块以及一系统控制模块。基板承载模块用于承载一芯片承载结构，芯片承载结构包括用于承载多个导电材料的一电路基板、设置在电路基板上或者内部的多个微加热器以及电性连接于多个微加热器的一微加热器控制芯片。芯片移转模块设置在基板承载模块的上方或者下方，以用于将一芯片设置在相对应的两个导电材料上，芯片移转模块包括一移动感测芯片。系统控制模块电性连接于移动感测芯片与微加热器控制芯片之间。其中，当芯片移转模块的移动感测芯片提供芯片的一芯片移动信息给系统控制模块时，系统控制模块依据芯片的芯片移动信息而控制微加热器控制芯片，以使得微加热器通过微加热器控制芯片的控制而开始或者停止对相对应的两个导电材料进行加热。
5.为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是提供一种芯片移转系统，其包括：一基板承载模块、一芯片移转模块以及一系统控制模块。基板承载模块用于承载一芯片承载结构，芯片承载结构包括多个微加热器以及电性连接于多个微加热器的一微加热器控制芯片。芯片移转模块包括一移动感测芯片。系统控制模块电性连接于移动感测芯片与微加热器控制芯片之间。
6.为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外再一技术方案是提供一种芯片移转方法，其包括：承载一芯片承载结构，芯片承载结构包括用于承载多个导电材料的一电路基板、设置在电路基板上或者内部的多个微加热器以及电性连接于多个微加热器的一微加热器控制芯片；将一芯片设置在相对应的两个导电材料上；提供芯片的一芯片移动信息给电性连接于一移动感测芯片与微加热器控制芯片之间一系统控制模块；系统控制模块依据芯片的芯片移动信息而控制微加热器控制芯片，以使得微加热器通过微加热器控制芯片的控制而开始或者停止对相对应的两个导电材料进行加热；以及，通过相对应的两个导电材料的加热与冷却，以将芯片固定在芯片承载结构上。
7.本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的芯片移转系统，其能通过“基板承载模块用于承载一芯片承载结构，芯片承载结构包括多个微加热器以及电性连接于多个微
加热器的一微加热器控制芯片”、“芯片移转模块包括一移动感测芯片”以及“系统控制模块电性连接于移动感测芯片与微加热器控制芯片之间”的技术方案，以使得微加热器能通过微加热器控制芯片的控制，而开始或者停止对相对应的两个导电材料进行加热。
8.本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的芯片移转方法，其能通过“承载一芯片承载结构，芯片承载结构包括用于承载多个导电材料的一电路基板、设置在电路基板上或者内部的多个微加热器以及电性连接于多个微加热器的一微加热器控制芯片”、“将一芯片设置在相对应的两个导电材料上”、“提供芯片的一芯片移动信息给电性连接于一移动感测芯片与微加热器控制芯片之间一系统控制模块”以及“系统控制模块依据芯片的芯片移动信息而控制微加热器控制芯片”的技术方案，以使得微加热器能通过微加热器控制芯片的控制，而开始或者停止对相对应的两个导电材料进行加热。
9.为使能进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
10.图1为本发明第一实施例的芯片安装方法的流程图。
11.图2为本发明第一实施例的芯片承载结构的示意图。
12.图3为本发明第一实施例的芯片承载结构用于承载芯片的示意图。
13.图4为本发明的芯片承载结构的cmos控制电路电性连接于微加热器的示意图。
14.图5为本发明的微加热器的加热(或冷却)温度与时间关系的曲线图。
15.图6为本发明第二实施例的芯片移转方法的流程图。
16.图7为本发明第二实施例的芯片移转系统的示意图。
17.图8为本发明第二实施例的芯片移转系统的芯片顶抵结构接触到芯片的示意图。
18.图9为本发明第二实施例的芯片通过芯片顶抵结构的顶抵以设置在相对应的两个导电材料上的示意图。
19.图10为本发明第二实施例的芯片移转模块离开芯片的示意图。
20.图11为本发明第二实施例的芯片移转系统的移动感测芯片、系统控制模块、微加热器控制芯片以及多个微加热器的功能框图。
21.图12为本发明第三实施例的芯片移转系统的示意图。
22.图13为本发明第三实施例的芯片通过芯片吸附结构的吸附与带动以设置在相对应的两个导电材料上的示意图。
23.图14为本发明第三实施例的芯片移转模块离开芯片的示意图。
具体实施方式
24.以下是通过特定的具体实施例来说明本发明所公开有关“芯片移转系统与芯片移转方法”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以实行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不背离本发明的构思下进行各种修改与变更。另外，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。另外，本文中所使
用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
25.本发明提供一种芯片承载结构z，其包括：承载多个导电材料b的一电路基板1、设置在电路基板1上或者内部的多个微加热器2以及电性连接于多个微加热器2的一微加热器控制芯片3。
26.本发明提供一种芯片安装方法，其包括：提供一芯片承载结构z，芯片承载结构z包括用于承载多个导电材料b的一电路基板1、设置在电路基板1上或者内部的多个微加热器2以及电性连接于多个微加热器2的一微加热器控制芯片3；通过芯片承载结构z以承载一芯片c，芯片c设置在相对应的两个导电材料b上；通过一系统控制模块m3依据芯片c的一芯片移动信息n而控制微加热器控制芯片3，以使得微加热器2通过微加热器控制芯片3的控制而开始对相对应的两个导电材料b进行加热；以及，通过相对应的两个导电材料b的加热与冷却，以将芯片c固定在芯片承载结构z上。
27.本发明提供一种芯片移转系统m，其包括：一基板承载模块m1、一芯片移转模块m2以及一系统控制模块m3。基板承载模块m1用于承载一芯片承载结构z，并且芯片承载结构z包括多个微加热器2以及电性连接于多个微加热器2的一微加热器控制芯片3。芯片移转模块m2包括一移动感测芯片m20，并且系统控制模块m3电性连接于移动感测芯片m20与微加热器控制芯片3之间。
28.本发明提供一种芯片移转方法，其包括：通过一基板承载模块m1以承载一芯片承载结构z，芯片承载结构z包括用于承载多个导电材料b的一电路基板1、设置在电路基板1上或者内部的多个微加热器2以及电性连接于多个微加热器2的一微加热器控制芯片3；通过一芯片移转模块m2，以用于将一芯片c设置在相对应的两个导电材料b上；通过芯片移转模块m2的一移动感测芯片m20，以提供芯片c的一芯片移动信息n给电性连接于移动感测芯片m20与微加热器控制芯片3之间一系统控制模块m3；系统控制模块m3能依据芯片c的芯片移动信息n而控制微加热器控制芯片3，以使得微加热器2通过微加热器控制芯片3的控制而开始或者停止对相对应的两个导电材料b进行加热；以及，通过相对应的两个导电材料b的加热与冷却，以将芯片c固定在芯片承载结构z上。
29.[第一实施例]
[0030]
参阅图1至图5所示，本发明第一实施例提供一种芯片安装方法，其包括：首先，配合图1与图2所示，提供一芯片承载结构z，芯片承载结构z包括用于承载多个导电材料b的一电路基板1、设置在电路基板1上或者内部的多个微加热器2以及电性连接于多个微加热器2的一微加热器控制芯片3(步骤s100)；接着，配合图1与图3所示，通过芯片承载结构z以承载一芯片c，芯片c设置在相对应的两个导电材料b上(步骤s102)；然后，配合图1与图3所示，通过一系统控制模块m3依据芯片c的一芯片移动信息n(也就是芯片c已经被移动的信息)而控制微加热器控制芯片3，以使得微加热器2通过微加热器控制芯片3的控制而开始对相对应的两个导电材料b进行加热(步骤s104)；接下来，配合图1与图3所示，通过相对应的两个导电材料b的加热与冷却，以将芯片c固定在芯片承载结构z上(步骤s106)。
[0031]
举例来说，如图2所示，电路基板1包括分别承载多个导电材料b的多个导电接点100，并且每一微加热器2邻近相对应的两个导电接点100。也就是说，每一微加热器2至少会对应到两个导电接点100，以使得分别设置在两个导电接点100上的两个导电材料b能够被相对应的微加热器2所加热。另外，导电材料b可以是锡球、锡膏或者是任何其它的导电物
质。此外，芯片c可为发光二极管芯片或者ic芯片。然而，上述所举的例子只是其中一可行的实施例而并非用以限定本发明。
[0032]
举例来说，配合图3与图4所示，微加热器控制芯片3包括分别电性连接于多个微加热器2的多个cmos(complementary metal-oxide-semiconductor)控制电路30，并且cmos控制电路30具有源极s、漏极d以与栅极g。另外，每一微加热器2能通过相对应的cmos控制电路30的控制而被开启(也就是让电流开始通过微加热器2)，以对相对应的两个导电材料b进行加热，或者每一微加热器2能通过相对应的cmos控制电路30的控制而被关闭(也就是让电流停止通过微加热器2)，以让相对应的两个导电材料b进行冷却。也就是说，微加热器控制芯片3能通过每一cmos控制电路30的开关控制，以决定是否让电流通过相对应的微加热器2。当cmos控制电路30被开启时，电流就能够通过cmos控制电路30而传送到相对应的微加热器2，以使得相对应的微加热器2能被开启而对相对应的两个导电材料b进行加热。当cmos控制电路30被关闭时，电流就无法通过cmos控制电路30而传送到相对应的微加热器2，以使得相对应的微加热器2被关闭而让相对应的两个导电材料b进行冷却。然而，上述所举的例子只是其中一可行的实施例而并非用以限定本发明。
[0033]
举例来说，如图3所示，系统控制模块m3能依据芯片c的芯片移动信息n，以控制微加热器控制芯片3对微加热器2进行开启或者关闭(或是说，以控制微加热器控制芯片3各别对多个微加热器2进行开启或者关闭)。也就是说，当系统控制模块m3依据芯片c的芯片移动信息n(芯片移动信息n是由芯片c移动后所产生的信号)以控制微加热器控制芯片3对微加热器2进行开启时，微加热器2会对相对应的两个导电材料b进行加热。当系统控制模块m3依据芯片c的芯片移动信息n(芯片移动信息n是由芯片c移动后所产生的信号)以控制微加热器控制芯片3对微加热器2进行关闭时，微加热器2会停止对相对应的两个导电材料b进行加热，以冷却相对应的导电材料b。值得注意的是，每一微加热器2具有一特定阻值(或是特定阻抗)，并且微加热器控制芯片3能依据特定阻值以调整相对应的微加热器2所接收到的一工作电流或者一工作电压(或者工作电流与工作电压)，以使得多个微加热器2所能提供给多个导电材料b的加热温度(或者加热效果)都相同。或者是，也可以通过微加热器控制芯片3控制不同的微加热器2，以提供特定的加热温度(或者加热效果)。然而，上述所举的例子只是其中一可行的实施例而并非用以限定本发明。
[0034]
举例来说，配合图3与图5所示，微加热器2进行加热或者冷却的实施方式，至少包括下列几种情况：
[0035]
一、当芯片c被设置在相对应的两个导电材料b上的同时，相对应的微加热器2能通过微加热器控制芯片3的控制，以对相对应的两个导电材料b开始进行加热。也就是说，微加热器2是当芯片c被设置在相对应的两个导电材料b上的同时才开始从一开始加热温度t0进行加热，所以相对应的两个导电材料b是从一开始加热温度t0(例如0℃)开始进行加热。然而，上述所举的例子只是其中一可行的实施例而并非用以限定本发明。
[0036]
二、当芯片c被设置在相对应的两个导电材料b上时，相对应的微加热器2已经通过微加热器控制芯片3的控制，以对相对应的两个导电材料b预先加热至一预先加热温度t1。也就是说，微加热器2是当芯片c被设置在相对应的两个导电材料b上的同时刚好就已经预先加热至一预先加热温度t1。因此，当芯片c被设置在相对应的两个导电材料b上后，相对应的两个导电材料b可从一预先加热温度t1(例如室温～250℃)开始进行加热到一最高加热
温度t2(例如200～400℃，以使得两个导电材料b处于完全或者接近熔融的状态)，借此以有效降低两个导电材料b需要被加热到熔融状态的时间(能节省由一开始加热温度t0加热至一预先加热温度t1的时间t1)，或者是说有效降低芯片c被接合到相对应的两个导电材料b上的时间。然而，上述所举的例子只是其中一可行的实施例而并非用以限定本发明。
[0037]
三、当芯片c被设置在相对应的两个导电材料b上时，相对应的微加热器2已经通过微加热器控制芯片3的控制，以对相对应的两个导电材料b预先加热至一最高加热温度t2(例如200～400℃，以使得两个导电材料b处于完全或者接近熔融的状态)。也就是说，微加热器2是当芯片c被设置在相对应的两个导电材料b上的同时刚好就已经预先加热至一最高加热温度t2。因此，当芯片c被设置在相对应的两个导电材料b上的时候，两个导电材料b就已经处于完全或者接近完全熔融的状态，借此以有效降低两个导电材料b需要被加热到熔融状态的时间(能节省由一开始加热温度t0加热至一最高加热温度t2的时间t2)，或者是说有效降低芯片c被接合到相对应的两个导电材料b上的时间。然而，上述所举的例子只是其中一可行的实施例而并非用以限定本发明。
[0038]
四、当芯片c被设置在相对应的两个导电材料b上时，相对应的微加热器2已经通过微加热器控制芯片3的控制，以对相对应的两个导电材料b预先加热至一最高加热温度t2后再降温至一预定降温温度t3(例如200～250℃)。也就是说，微加热器2是当芯片c被设置在相对应的两个导电材料b上的同时就已经从一最高加热温度t2降温至一预定降温温度t3。因此，当芯片c被设置在相对应的两个导电材料b上的时候，两个导电材料b会处于仍适于接合芯片c的半熔融状态，借此以有效降低两个导电材料b需要被冷却的时间(能节省由一开始加热温度t0加热至一最高加热温度t2后再降温至一预定降温温度t3的时间t3)，或者是说有效降低芯片c被接合到相对应的两个导电材料b上的时间。然而，上述所举的例子只是其中一可行的实施例而并非用以限定本发明。
[0039]
值得注意的是，配合图2至图4所示，本发明第一实施例提供一种芯片承载结构z，其包括：一电路基板1、多个微加热器2以及一微加热器控制芯片3。电路基板1承载多个导电材料b，多个微加热器2设置在电路基板1上或者内部，并且微加热器控制芯片3电性连接于多个微加热器2。进一步来说，配合图3与图4所示，当一芯片c设置在两个导电材料b上时，一系统控制模块m3能依据芯片c的一芯片移动信息n而控制微加热器控制芯片3，以使得微加热器2能通过微加热器控制芯片3(例如cmos控制电路30)的控制而开始或者停止对两个导电材料b进行加热。
[0040]
[第二实施例]
[0041]
参阅图6至图11所示，本发明第二实施例提供一种芯片移转方法，其包括：首先，配合图6、图7与图11所示，通过一基板承载模块m1以承载一芯片承载结构z，芯片承载结构z包括用于承载多个导电材料b的一电路基板1、设置在电路基板1上或者内部的多个微加热器2以及电性连接于多个微加热器2的一微加热器控制芯片3(步骤s200)；接着，配合图6至图9所示，通过一芯片移转模块m2，以将一芯片c设置在相对应的两个导电材料b上(步骤s202)；然后，配合图6、图9与图11所示，通过芯片移转模块m2的一移动感测芯片m20，以提供芯片c的一芯片移动信息n(也就是芯片c已经被移动的信息)给电性连接于移动感测芯片m20与微加热器控制芯片3之间一系统控制模块m3(步骤s204)；接下来，配合配合图6、图8、图9与图11所示，系统控制模块m3依据芯片c的芯片移动信息n而控制微加热器控制芯片3，以使得微
加热器2通过微加热器控制芯片3的控制而开始或者停止对相对应的两个导电材料b进行加热(步骤s206)；接着，配合图6与图9所示，通过相对应的两个导电材料b的加热与冷却(也就是微加热器2停止对相对应的两个导电材料b进行加热)，以将芯片c固定在芯片承载结构z上(步骤s208)；最后，配合图6与图10所示，使芯片移转模块m2离开芯片c(步骤s210)。举例来说，芯片移转模块m2包括用于暂时承载芯片c的一芯片暂时承载结构m21(例如蓝膜或者任何具有黏着层的薄膜)以及用于顶抵芯片c的一芯片顶抵结构m22(例如接触式的传统顶针或者超音波顶针)，并且移动感测芯片m20设置在芯片顶抵结构m22上。另外，在步骤s202中，芯片c能通过芯片顶抵结构m22的向下顶抵，以设置在相对应的两个导电材料b上。再者，在步骤s210中，芯片移转模块m2的芯片顶抵结构m22会离开芯片c，并且芯片移转模块m2的芯片暂时承载结构m21也会与芯片c彼此分离。然而，上述所举的例子只是其中一可行的实施例而并非用以限定本发明。
[0042]
举例来说，如图7所示，电路基板1包括分别承载多个导电材料b的多个导电接点100，并且每一微加热器2邻近相对应的两个导电接点100。也就是说，每一微加热器2至少会对应到两个导电接点100，以使得分别设置在两个导电接点100上的两个导电材料b能够被相对应的微加热器2所加热。另外，导电材料b可以是锡球、锡膏或者是任何其它的导电物质。然而，上述所举的例子只是其中一可行的实施例而并非用以限定本发明。
[0043]
举例来说，配合图4、图7与图11所示，微加热器控制芯片3包括分别电性连接于多个微加热器2的多个cmos(complementary metal-oxide-semiconductor)控制电路30，并且cmos控制电路30具有源极s、漏极d以与栅极g。另外，每一微加热器2能通过相对应的cmos控制电路30的控制而被开启(也就是让电流开始通过微加热器2)，以对相对应的两个导电材料b进行加热，或者每一微加热器2能通过相对应的cmos控制电路30的控制而被关闭(也就是让电流停止通过微加热器2)，以让相对应的两个导电材料b进行冷却。也就是说，微加热器控制芯片3能通过每一cmos控制电路30的开关控制，以决定是否让电流通过相对应的微加热器2。当cmos控制电路30被开启时，电流就能够通过cmos控制电路30而传送到相对应的微加热器2，以使得相对应的微加热器2能被开启而对相对应的两个导电材料b进行加热。当cmos控制电路30被关闭时，电流就无法通过cmos控制电路30而传送到相对应的微加热器2，以使得相对应的微加热器2被关闭而让相对应的两个导电材料b进行冷却。然而，上述所举的例子只是其中一可行的实施例而并非用以限定本发明。
[0044]
举例来说，配合图7至图11所示，系统控制模块m3能依据芯片c的芯片移动信息n(或者是芯片移转模块m2的模块移动信息)，以控制微加热器控制芯片3对微加热器2进行开启或者关闭(或是说，以控制微加热器控制芯片3各别对多个微加热器2进行开启或者关闭)。也就是说，当系统控制模块m3依据芯片c的芯片移动信息n(芯片移动信息n是由芯片c移动后所产生的信号)以控制微加热器控制芯片3对微加热器2进行开启时，微加热器2会对相对应的两个导电材料b进行加热。当系统控制模块m3依据芯片c的芯片移动信息n(芯片移动信息n是由芯片c移动后所产生的信号)以控制微加热器控制芯片3对微加热器2进行关闭时，微加热器2会停止对相对应的两个导电材料b进行加热，以冷却相对应的导电材料b。值得注意的是，每一微加热器2具有一特定阻值(或是特定阻抗)，并且微加热器控制芯片3能依据特定阻值以调整相对应的微加热器2所接收到的一工作电流或者一工作电压(或者工作电流与工作电压)，以使得多个微加热器2所能提供给多个导电材料b的加热温度(或者加
热效果)都相同。或者是，也可以通过微加热器控制芯片3控制不同的微加热器2，以提供特定的加热温度(或者加热效果)。然而，上述所举的例子只是其中一可行的实施例而并非用以限定本发明。
[0045]
举例来说，配合图5、图9与图11所示，微加热器2进行加热或者冷却的实施方式，至少包括下列几种情况：
[0046]
一、当芯片c通过芯片顶抵结构m22的顶抵而从芯片暂时承载结构m21设置在相对应的两个导电材料b上的同时，相对应的微加热器2能通过微加热器控制芯片3的控制，以对相对应的两个导电材料b开始进行加热。也就是说，微加热器2是当芯片c被设置在相对应的两个导电材料b上的同时才开始从一开始加热温度t0进行加热，所以相对应的两个导电材料b是从一开始加热温度t0(例如0℃)开始进行加热。然而，上述所举的例子只是其中一可行的实施例而并非用以限定本发明。
[0047]
二、当芯片c通过芯片顶抵结构m22的顶抵而从芯片暂时承载结构m21设置在相对应的两个导电材料b上时，相对应的微加热器2已经通过微加热器控制芯片3的控制，以对相对应的两个导电材料b预先加热至一预先加热温度t1。也就是说，微加热器2是当芯片c被设置在相对应的两个导电材料b上的同时刚好就已经预先加热至一预先加热温度t1。因此，当芯片c被设置在相对应的两个导电材料b上后，相对应的两个导电材料b可从一预先加热温度t1(例如室温～250℃)开始进行加热到一最高加热温度t2(例如200～400℃，以使得两个导电材料b处于完全或者接近熔融的状态)，借此以有效降低两个导电材料b需要被加热到熔融状态的时间(能节省由一开始加热温度t0加热至一预先加热温度t1的时间t1)，或者是说有效降低芯片c被接合到相对应的两个导电材料b上的时间。然而，上述所举的例子只是其中一可行的实施例而并非用以限定本发明。
[0048]
三、当芯片c通过芯片顶抵结构m22的顶抵而从芯片暂时承载结构m21设置在相对应的两个导电材料b上时，相对应的微加热器2已经通过微加热器控制芯片3的控制，以对相对应的两个导电材料b预先加热至一最高加热温度t2(例如200～400℃，以使得两个导电材料b处于完全或者接近熔融的状态)。也就是说，微加热器2是当芯片c被设置在相对应的两个导电材料b上的同时刚好就已经预先加热至一最高加热温度t2。因此，当芯片c被设置在相对应的两个导电材料b上的时候，两个导电材料b就已经处于完全或者接近完全熔融的状态，借此以有效降低两个导电材料b需要被加热到熔融状态的时间(能节省由一开始加热温度t0加热至一最高加热温度t2的时间t2)，或者是说有效降低芯片c被接合到相对应的两个导电材料b上的时间。然而，上述所举的例子只是其中一可行的实施例而并非用以限定本发明。
[0049]
四、当芯片c通过芯片顶抵结构m22的顶抵而从芯片暂时承载结构m21设置在相对应的两个导电材料b上时，相对应的微加热器2已经通过微加热器控制芯片3的控制，以对相对应的两个导电材料b预先加热至一最高加热温度t2后再降温至一预定降温温度t3(例如200～250℃)。也就是说，微加热器2是当芯片c被设置在相对应的两个导电材料b上的同时就已经从一最高加热温度t2降温至一预定降温温度t3。因此，当芯片c被设置在相对应的两个导电材料b上的时候，两个导电材料b会处于仍适于接合芯片c的半熔融状态，借此以有效降低两个导电材料b需要被冷却的时间(能节省由一开始加热温度t0加热至一最高加热温度t2后再降温至一预定降温温度t3的时间t3)，或者是说有效降低芯片c被接合到相对应的
两个导电材料b上的时间。然而，上述所举的例子只是其中一可行的实施例而并非用以限定本发明。
[0050]
值得注意的是，如图7所示，本发明第二实施例提供一种芯片移转系统m，其包括：一基板承载模块m1、一芯片移转模块m2以及一系统控制模块m3。更进一步来说，基板承载模块m1用于承载一芯片承载结构z，并且芯片承载结构z包括用于承载多个导电材料b的一电路基板1、设置在电路基板1上或者内部的多个微加热器2以及电性连接于多个微加热器2的一微加热器控制芯片3。芯片移转模块m2设置在基板承载模块m1的上方(如图7所示)或者下方(将图7的图式反置观看)，以用于将一芯片c设置在相对应的两个导电材料b上，并且芯片移转模块m2包括一移动感测芯片m20。系统控制模块m3电性连接于移动感测芯片m20与微加热器控制芯片3之间。借此，当芯片移转模块m2的移动感测芯片m20提供芯片c的一芯片移动信息n给系统控制模块m3时，系统控制模块m3能依据芯片c的芯片移动信息n而控制微加热器控制芯片3，以使得微加热器2通过微加热器控制芯片3的控制而开始或者停止对相对应的两个导电材料b进行加热。
[0051]
[第三实施例]
[0052]
参阅图12至图14所示，本发明第三实施例提供一种芯片移转系统m与芯片移转方法。由图12与图7的比较、图13与图9的比较、图14与图10的比较可知，本发明第三实施例与第二实施例最大的差异在于：在第三实施例的芯片移转系统m中，芯片移转模块m2包括用于吸附芯片c的一芯片吸附结构m23，并且移动感测芯片m20设置在芯片吸附结构m23上。另外，配合图12与图13所示，在第三实施例的芯片移转方法中，芯片c能通过芯片吸附结构m23的吸附与带动，以设置在相对应的两个导电材料b上。再者，如图14所示，在第三实施例的芯片移转方法中，芯片移转模块m2的芯片吸附结构m23会离开芯片c。然而，上述所举的例子只是其中一可行的实施例而并非用以限定本发明。
[0053]
[实施例的有益效果]
[0054]
本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的芯片移转系统m，其能通过“基板承载模块m1用于承载一芯片承载结构z，芯片承载结构z包括多个微加热器2以及电性连接于多个微加热器2的一微加热器控制芯片3”、“芯片移转模块m2包括一移动感测芯片m20”以及“系统控制模块m3电性连接于移动感测芯片m20与微加热器控制芯片3之间”的技术方案，以使得微加热器2能通过微加热器控制芯片3的控制，而开始或者停止对相对应的两个导电材料b进行加热。
[0055]
本发明的其中一有益效果在于，本发明所提供的芯片移转方法，其能通过“承载一芯片承载结构z，芯片承载结构z包括用于承载多个导电材料b的一电路基板1、设置在电路基板1上或者内部的多个微加热器2以及电性连接于多个微加热器2的一微加热器控制芯片3”、“将一芯片c设置在相对应的两个导电材料b上”、“提供芯片c的一芯片移动信息n给电性连接于一移动感测芯片m20与微加热器控制芯片3之间一系统控制模块m3”以及“系统控制模块m3依据芯片c的芯片移动信息n而控制微加热器控制芯片3”的技术方案，以使得微加热器2能通过微加热器控制芯片3的控制，而开始或者停止对相对应的两个导电材料b进行加热。
[0056]
以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的权利要求书的保护范围，所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于
本发明的权利要求书的保护范围内。