基于射频发射表面线圈的元器件布局方法、系统及线圈与流程

1.本技术涉及磁共振的领域，尤其是涉及一种基于射频发射表面线圈的元器件布局方法、系统及线圈。


背景技术：

2.射频线圈是磁共振成像设备中用于发射射频脉冲和/或接收磁共振信号的硬件。
3.相关技术中，环形线圈上具有线圈环路，线圈环路包括电容以及电感器。通过环形线圈在磁共振环境下进行使用，通过将射频能量打入到人体内,从而形成射频发射场。
4.针对上述中的相关技术，发明人认为，一旦成像后，射频发射场最大值的中心位置存在偏移，降低了场的均匀性，从而会导致成像后的成像质量下降，还有改进的空间。


技术实现要素：

5.为了减少射频发射场最大值的中心位置的偏移，提高场的均匀性，提高成像后的成像质量，本技术提供一种基于射频发射表面线圈的元器件布局方法、系统及线圈。
6.第一方面，本技术提供一种基于射频发射表面线圈的元器件布局方法，采用如下的技术方案：一种基于射频发射表面线圈的元器件布局方法，包括：获取当前成像物体内场位置信息；根据所预设的元器件参数信息数据库中所存储的成像物体内场位置信息以及电容器信息进行匹配查找以确定成像物体内场位置信息中所对应的电容器信息；根据所预设的环形电路板信息以及电容器信息以装配射频发射表面线圈。
7.通过采用上述技术方案，通过对成像物体内场位置信息的获取，从而了解到成像物体的位置，并且通过元器件参数信息数据库中所存储的电容器信息以及成像物体内场位置信息，从而匹配查找出所需要的电容器信息，并且根据电容器信息以及环形电路板信息以对射频发射表面线圈进行装配，并且通过射频发射表面线圈进行矫正，从而减少射频发射场最大值的中心位置的偏移，提高场的均匀性，提高成像后的成像质量。
8.可选的，所述成像物体内场位置信息的获取方法包括：获取当前线圈在成像物体中产生的射频发射场分布图；根据射频发射场分布图与所预设的磁场数据库中所存储的磁场强度信息中进行匹配分析以确定射频发射场分布图中的磁场强度信息；根据所预设的颜色数据库中所存储的颜色分布信息与磁场强度信息进行匹配对比以生成磁场彩色图像信息；将磁场彩色图像信息中的磁场最大值位置定义为成像物体内场位置信息。
9.通过采用上述技术方案，通过对射频发射场分布图进行了解，从而通过对射频发射场分布图中的磁场强度进行了解，以匹配不同颜色，从而生成不同颜色的彩色图像，并且将磁场最强的位置定位为成像物体内场位置信息，以便于工作人员对线圈进行排布。
10.可选的，电容器信息包括调谐匹配到工作频率下的大电容组以及小电容组，大电容组的电容值＞小电容组的电容值，且每一组电容器中的电容值均相同；大电容组以及小电容组的布局分配方法包括：根据环形电路板信息所对应的成像物体内场位置信息所对应的位置，以确定环形电路板位置信息上对应成像物体内场位置信息的最近点将大电容组放置于远离最近点处，将小电容组放置于靠近最近点处。
11.通过采用上述技术方案，大电容组和小电容组的设置，从而将线圈上的电容分为两组，并且两组电容均工作在调谐匹配到工作频率下的工作范围中，将大电容组放置于远离最近点处，将小电容组放置于靠近最近点处，从而使成像的图像进行向中间位置偏移，减少射频发射场最大值的中心位置的偏移，提高场的均匀性，提高成像后的成像质量。
12.可选的，大电容组以及小电容组中电容器的参数信息以及数量信息的选择方法包括：获取当前射频发射场分布图中的磁场强度检测信息；根据所预设的大电容数据库中存储的相同的大电容参数信息、大电容数量信息、磁场强度检测信息以进行分析匹配以确定磁场强度检测信息以及成像物体内场位置信息下的相同的大电容参数信息以及大电容数量信息；根据所预设的小电容数据库中存储的相同的小电容参数信息、小电容数量信息、磁场强度检测信息以及成像物体内场位置信息进行分析匹配以确定磁场强度检测信息以及成像物体内场位置信息下的相同的小电容参数信息以及小电容数量信息；根据大电容参数信息以及大电容数量信息以选配大电容组，根据小电容参数信息以及小电容数量信息以选配小电容组。
13.通过采用上述技术方案，通过对磁场强度检测信息的了解，从大电容数据库中匹配出所需要的大电容参数信息、大电容数量信息，从小电容数据库中匹配出所需要的小电容参数信息、小电容数量信息。从而选择所需要的大电容以及小电容的数量以及参数，以对线圈进行装配。
14.可选的，大电容组以及小电容组之间的间隔角度选择方法包括：获取当前射频发射场分布图中的磁场强度检测信息；根据所预设的电容组间隔角度数据库中存储的电容组间隔角度信息、磁场强度检测信息以及成像物体内场位置信息进行分析匹配以确定磁场强度检测信息以及成像物体内场位置信息下的电容组间隔角度信息；根据电容组间隔角度信息以控制大电容组与小电容组之间的间隔角度。
15.通过采用上述技术方案，大电容组以及小电容组中，对组与组之间的间隔位置进行选择，从而匹配出更加合适的线圈，因此通过对磁场强度检测信息进行匹配，从而分析出对应的电容组间隔角度信息，从而对大电容组与小电容组的间隔角度进行布局，提高场的均匀性。
16.可选的，每一电容组之间的电容器的间隔角度选择方法包括：获取当前射频发射场分布图中的磁场强度检测信息；根据所预设的电容间隔角度数据库中存储的电容间隔角度信息、磁场强度检测信息以及成像物体内场位置信息进行分析匹配以确定磁场强度检测信息以及成像物体内场
位置信息下的电容间隔角度信息；根据电容间隔角度信息以单独控制每一组的电容器之间的间隔角度。
17.通过采用上述技术方案，在大电容组或小电容组中，每一组中均具有多个电容器，因此通过对磁场强度检测信息的了解，从而对每一组中的电容器的间隔，从而完成对电容器的布局与安装，提高场的均匀性。
18.可选的，大电容组以及小电容组所对应的电容器之间的电容值的比值选择方法包括：获取当前射频发射场分布图中的磁场强度检测信息；根据所预设的比值数据库中存储的比值信息、磁场强度检测信息以及成像物体内场位置信息进行分析匹配以确定磁场强度检测信息以及成像物体内场位置信息下的比值信息；根据比值信息以选择大电容组以及小电容组所对应的电容器之间的比值。
19.通过采用上述技术方案，为了使大电容组与小电容组工作在调谐匹配到工作频率下的工作范围中，因此对大电容组中的电容器的电容值与小电容组中的电容器的。电容值进行选择，通过比值数据库中的比值信息、磁场强度检测信息以及成像物体内场位置信息，从而确定比值信息，并且根据比值信息以对大电容组与小电容组中的电容器进行设置，提高场的均匀性。
20.可选的，成像物体内场位置信息所对应的均匀性的提升方法包括：计算成像物体内场位置信息所对应的中心点与所预设的中点位置之间的距离差值；判断距离差值是否小于所预设的基准差值；若距离差值小于基准差值，则进行提示；若距离差值大于或等于基准差值，则根据所预设的电感器数据库中存储的电感器信息与电容器信息进行对比以查找出与电容器信息所对应的电感器信息，并根据电感器信息以并联电感器至电容器上。
21.通过采用上述技术方案，在采用电容器对图像进行提升的同时，一旦线圈的大小受限，并且电容器的电容值以及空间位置受限时，可通过并联电感器的方式，提高场的均匀性。因此通过对中点位置与中心点之间的距离差值进行计算，从而查找出对应的电感器信息以对电容器进行并联，进一步的减少射频发射场最大值的中心位置的偏移，提高场的均匀性，提高成像后的成像质量。
22.第二方面，本技术提供一种基于射频发射表面线圈的元器件布局系统，采用如下的技术方案：一种基于射频发射表面线圈的元器件布局系统，包括：获取模块，用于获取当前成像物体内场位置信息；查找模块，根据所预设的元器件参数信息数据库中所存储的成像物体内场位置信息以及电容器信息进行匹配查找以确定成像物体内场位置信息中所对应的电容器信息；装配模块，根据所预设的环形电路板信息以及电容器信息以装配射频发射表面线圈；处理模块，与获取模块、查找模块以及装配模块连接，且用于进行信息的存储以及
处理。
23.通过采用上述技术方案，通过获取模块对成像物体内场位置信息的获取，从而了解到成像物体的位置，并且通过查找模块对元器件参数信息数据库中所存储的电容器信息以及成像物体内场位置信息进行查找，从而匹配查找出所需要的电容器信息，并且根据电容器信息以及环形电路板信息以对射频发射表面线圈进行装配，并且通过射频发射表面线圈进行矫正，从而减少射频发射场最大值的中心位置的偏移，提高场的均匀性，提高成像后的成像质量。
24.第三方面，本技术提供一种线圈，采用如下的技术方案：一种线圈，包括与交流电连接的环形电路板，所述环形电路板上设置有大电容组以及小电容组；所述环形电路板上还设置有与交流电连接的匹配电容器，以确保线圈工作在磁共振工作频率下。
25.通过采用上述技术方案，通过对应的环形电路板上的电容器的安装，以减少射频发射场最大值的中心位置的偏移，提高场的均匀性，提高成像后的成像质量。并且通过匹配电容器以确保线圈工作在磁共振工作频率下，使整体进行工作。
26.综上所述，本技术包括以下至少一种有益技术效果：1.减少射频发射场最大值的中心位置的偏移，提高场的均匀性，提高成像后的成像质量；2.通过磁场的强度，对大电容组与小电容组之间的间隔位置进行设置，提高场的均匀性；3.通过磁场的强度，对每一组中的相同电容器的间隔位置进行设置，提高场的均匀性。
附图说明
27.图1是线圈的电路原理图。
28.图2是射频发射表面线圈的元器件布局方法流程图。
29.图3是成像物体内场位置信息的获取方法流程图。
30.图4是大电容组以及小电容组的布局分配方法流程图。
31.图5是大电容组以及小电容组中电容器的参数信息以及数量信息的选择方法流程图。
32.图6是大电容组以及小电容组之间的间隔角度选择方法流程图。
33.图7是每一电容组之间的电容器的间隔角度选择方法流程图。
34.图8是大电容组以及小电容组所对应的电容器之间的电容值的比值选择方法流程图。
35.图9是成像物体内场位置信息所对应的均匀性的提升方法流程图。
36.图10是磁场偏移的效果展示图。
具体实施方式
37.为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图1-10及实施
例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
38.参照图1，本技术实施例公开一种线圈，包括与交流电连接的环形电路板以及设置于环形电路板上的大电容组以及小电容组。
39.参照图1，环形电路板为pcb板，并且选用大电容组与小电容组焊接至pcb板上。电容器c100用于代表大电容组，在大电容组中包含至少一个电容器，且多个电容器之间的电容值均相同。电容器c200用于代表小电容组，在小电容组中包含至少一个电容器，且多个电容器之间的电容值均相同。
40.另外，大电容组中的电容值可以不相同，小电容组中的电容值可以不相同。大电容组中每一个电容器的电容值均大于小电容组中任意一个电容器的电容值。为了调节方便本实施例中以相同为例进行记载，以便于电容值的调节。
41.参照图1，环形电路板上还设置有与交流电连接的匹配电容器，匹配电容器为电容器c31以及电容器c32，并且电容器c31的一端连接有交流电源e的一端，且交流电源e的另一端与电容器c32的一端连接。电容器c31的另一端与线圈连接，电容器c32的另一端与线圈连接，使电容器c31与电容器c32并联至线圈中，从而给予大电容组与小电容组提供电能。
42.同时，大电容组和小电容组配合使用后，使线圈工作在磁共振工作频率下。为了更加方便的使使线圈工作在磁共振工作频率下，可以在大电容组与小电容组之间添加中间电容组，中间电容组位于大电容组与小电容组之间，中间电容组中也至少包含一个电容器。且大电容组的电容值＞中间电容组的电容值＞小电容组的电容值。
43.中间电容组中的任意一个电容值均小于大电容组的电容值的任意一个电容值，中间电容组中的任意一个电容值均大于小电容组的电容值的任意一个电容值。为了调节方便本实施例中以相同为例进行记载，以便于电容值的调节。
44.为进一步的提高均匀性，可以在线圈的电容器上并联对应的电感器。实现不均匀的线圈电流分布，以产生更加均匀的磁场。
45.参照图2，基于同一发明构思，本发明实施例提供一种基于射频发射表面线圈的元器件布局方法，对线圈中所使用大电容组与小电容组进行排布，其布局方法包括以下步骤：步骤100：获取当前成像物体内场位置信息。
46.成像物体内场位置信息为检测设备上所显示的成像物体内场的位置，由于检测的设备不同，其原本所携带的线圈也不同，因此需要先将原本线圈的成像进行获取，并且了解成像物体上的偏移情况。
47.仪器在成像后，通过场探测器对成像的结果进行获取，从而获得成像物体内场位置信息。
48.步骤101：根据所预设的元器件参数信息数据库中所存储的成像物体内场位置信息以及电容器信息进行匹配查找以确定成像物体内场位置信息中所对应的电容器信息。
49.元器件参数信息数据库为预设的数据库，由工作人员将不同的元器件参数进行录入，以供后期的调取。电容器信息包括电容器的数量、容量、连接方式等，由本领域技术人员根据时间情况进行设置，在此不作赘述。
50.元器件参数信息数据库中存储有成像物体内场位置信息以及电容器信息，不同的成像物体内场位置信息对应不同的电容器信息，因此通过对成像物体内场位置信息的输入
至元器件参数信息数据库中，从而从元器件参数信息数据库中匹配查找出对应的电容器信息，以供使用。
51.步骤102：根据所预设的环形电路板信息以及电容器信息以装配射频发射表面线圈。
52.环形电路板信息为pcb电路板，并且优先选用圆环形，也可以为矩形、三角形等封闭图形。环形电路板信息为预设的信息，环形电路板信息包括pcb电路板的大小、内径、外径、厚度等参数信息，工作人员根据实际情况进行设置，在此不作赘述。根据使用设备的不同，其尺寸大小与设备相对应，因此在知晓使用设备的情况下，就对环形电路板信息进行了解。
53.将电容器信息所对应的电容器焊接装配至环形电路板信息所对应的pcb板上，从而装配成射频发射表面线圈，以供使用。
54.参照图3，成像物体内场位置信息的获取方法包括以下步骤：步骤200：获取当前线圈在成像物体中产生的射频发射场分布图。
55.设备在进行成像使用的时候，设备中自带有线圈，在成像物体中进行成像，从而产生射频发射场分布图，此时通过场探测器对射频发射场分布图进行获取。
56.步骤201：根据射频发射场分布图与所预设的磁场数据库中所存储的磁场强度信息中进行匹配分析以确定射频发射场分布图中的磁场强度信息。
57.磁场强度信息为磁场的强度值。磁场数据库为预设的数据库，由工作人员根据实际情况进行设置，在此不作赘述，而磁场数据库中存储有磁场强度信息，并且对射频发射场分布图中的磁场强度信息进行了解。
58.磁场中的强度不同，其射频发射场分布图中所显示的参数、图像等数据均不同，通过不同的参数、图像从而分辨射频发射场分布图中的磁场强弱。
59.步骤202：根据所预设的颜色数据库中所存储的颜色分布信息与磁场强度信息进行匹配对比以生成磁场彩色图像信息。
60.颜色数据库为预设的数据库，且颜色数据库中存储有颜色分布信息以及磁场强度信息，不同的磁场强度具有不同的颜色进行表示，颜色分布信息为不同磁场下所对应的颜色。
61.将磁场强度信息输入后，从颜色数据库中匹配出颜色分布信息，并且将颜色分布信息覆盖至原有的射频发射场分布图上，从而生成磁场彩色图像信息。磁场彩色图像信息为不同磁场下的彩色图或灰度图像。
62.步骤203：将磁场彩色图像信息中的磁场最大值位置定义为成像物体内场位置信息。
63.将磁场彩色图像信息中所对应的磁场最大值位置定义为成像物体内场位置信息，即将磁场最大的一点作为成像物体内场位置信息，从而代表成像物体的显示位置，以便于后期偏移矫正。
64.参照图4，电容器信息包括调谐匹配到工作频率下的大电容组以及小电容组，并且大电容组的电容值＞小电容组的电容值，且每一组电容器中的电容值均相同。大电容组以及小电容组的布局分配方法包括以下步骤：步骤300：根据环形电路板信息所对应的成像物体内场位置信息所对应的位置，以
确定环形电路板信息所对应的成像物体内场位置信息所对应的位置上的最近点。
65.环形电路板信息下对应的成像物体的位置为恒定不变的位置，由于没有安装电容器之前，其成像为初始的成像状态，因此了解环形电路板信息所对应的成像物体内场位置信息所对应的位置。
66.确定环形电路板信息所对应的成像物体内场位置信息所对应的位置上的最近点。即成像的位置距离环形电路板信息所对应的最近点。最近点在确认的时候，主要用于确定电容器安装时的小电容器的方向。
67.步骤301：将大电容组放置于远离最近点处，将小电容组放置于靠近最近点处。
68.根据所确定的最近点，将小电容组安装放置于靠近最近点处。而将大电容组放置于远离最近点处。并且需要小电容组和大电容组之间互相配合使用以达到调谐匹配到工作频率下的工作中。
69.在无法达到调谐匹配到工作频率下的时候，可以在小电容组和大电容组之间设置中间电容组，从而使整个线圈达到调谐匹配到工作频率下的范围，并且中间电容组安装于大电容组与小电容组之间。
70.参照图5，在了解到大电容组与小电容组的情况后，对大电容组以及小电容组中电容器的参数信息以及数量信息的选择方法包括以下步骤：步骤400：获取当前射频发射场分布图中的磁场强度检测信息。
71.磁场强度检测信息通过传感器进行检测，从而对射频发射场分布图所对应的磁场强度进行了解，并输出磁场强度检测信息，磁场强度检测信息于射频发射场分布图上进行显示，以便于进行工作人员的查看与使用。
72.步骤401：根据所预设的大电容数据库中存储的相同的大电容参数信息、大电容数量信息、磁场强度检测信息以进行分析匹配以确定磁场强度检测信息以及成像物体内场位置信息下的相同的大电容参数信息以及大电容数量信息。
73.大电容数据库为预设的数据库，并且由工作人员预先将数据输入至大电容数据库中，同时大电容数据库中存储有相同的大电容参数信息、大电容数量信息、磁场强度检测信息。
74.大电容组中所选用的电容器为相同的电容器。并且大电容参数信息为大电容组中的电容器的参数，大电容数量信息为大电容组中的电容器的数量，磁场强度检测信息为检测到磁场强度，并且针对不同的磁场强度以及成像物体内场位置信息会对应的给出不同的大电容器的参数以及所对应的小电容器的参数，并且在大电容器和小电容器能够满足需求的时候，不选择中间电容器组；在大电容器和小电容器不能够满足需求的时候，选择中间电容器组。
75.将磁场强度检测信息以及成像物体内场位置信息输入至大电容数据库后，去查找出相同的大电容参数信息以及大电容数量信息，以供工作人员进行选择。
76.步骤402：根据所预设的小电容数据库中存储的相同的小电容参数信息、小电容数量信息、磁场强度检测信息以及成像物体内场位置信息进行分析匹配以确定磁场强度检测信息以及成像物体内场位置信息下的相同的小电容参数信息以及小电容数量信息。
77.大电容数据库为预设的数据库，并且由工作人员预先将数据输入至大电容数据库中，同时大电容数据库中存储有相同的大电容参数信息、大电容数量信息、磁场强度检测信
息。
78.小电容组中所选用的电容器为相同的电容器。并且小电容参数信息为小电容组中的电容器的参数，小电容数量信息为小电容组中的电容器的数量，磁场强度检测信息为检测到磁场强度，并且针对不同的磁场强度以及成像物体内场位置信息会对应的给出不同的小电容器的参数以及所对应的小电容器的参数，并且在大电容器和小电容器能够满足需求的时候，不选择中间电容器组；在大电容器和小电容器不能够满足需求的时候，选择中间电容器组。
79.将磁场强度检测信息以及成像物体内场位置信息输入至小电容数据库后，去查找出相同的小电容参数信息以及小电容数量信息，以供工作人员进行选择。
80.其中，小电容参数信息以及大电容参数信息为同步的数据，在输入磁场强度检测信息以及成像物体内场位置信息后，同时输出小电容参数信息、小电容数量信息、大电容参数信息以及小电容数量信息。在不满足调谐匹配到工作频率下的范围时，额外输出中间电容组的参数以及数量。中间电容组的参数以及数量与大电容组的方法一致，在此不作赘述。
81.步骤403：根据大电容参数信息以及大电容数量信息以选配大电容组，根据小电容参数信息以及小电容数量信息以选配小电容组。
82.根据查找出来的大电容参数信息以及大电容数量信息以选配大电容组，根据查找出来的小电容参数信息以及小电容数量信息以选配小电容组，查找出来的中间电容参数信息以及中间电容数量信息以选配中间电容组。
83.参照图6，在使用大电容组以及小电容组时，对大电容组以及小电容组之间的间隔角度进行控制，其间隔角度的选择方法包括以下步骤：步骤500：获取当前射频发射场分布图中的磁场强度检测信息。
84.磁场强度检测信息通过传感器进行检测，并对射频发射场分布图所对应的磁场强度进行检测，并输出磁场强度检测信息，从而知晓射频发射场分布图所对应的磁场强度。
85.步骤501：根据所预设的电容组间隔角度数据库中存储的电容组间隔角度信息、磁场强度检测信息以及成像物体内场位置信息进行分析匹配以确定磁场强度检测信息以及成像物体内场位置信息下的电容组间隔角度信息。
86.电容组间隔角度数据库为预设的数据库，由工作人员根据实际情况进行设置，并且电容组间隔角度数据库中存储有电容组间隔角度信息、磁场强度检测信息以及成像物体内场位置信息。其中，电容组间隔角度信息为电容组之间的间隔角度。
87.并且根据磁场强度检测信息以及成像物体内场位置信息，从电容组间隔角度数据库中查找出电容组间隔角度信息，从而根据电容组间隔角度信息对大电容组、小电容组以及中间电容组之间的间隔角度进行了解。
88.步骤502：根据电容组间隔角度信息以控制大电容组与小电容组之间的间隔角度。
89.在知晓电容组间隔角度信息后，去控制大电容组与小电容组之间的间隔角度，当存在中间电容组时，对中间电容组与大电容组之间的间隔角度也进行控制，对中间电容组与小电容组之间的间隔角度也进行控制。
90.参照图7，在每一电容组中，同一组电容器之间的间隔角度选择方法包括以下步骤：步骤600：获取当前射频发射场分布图中的磁场强度检测信息。
91.磁场强度检测信息通过传感器进行检测，并对射频发射场分布图所对应的磁场强度进行检测，并输出磁场强度检测信息，从而知晓射频发射场分布图所对应的磁场强度。
92.步骤601：根据所预设的电容间隔角度数据库中存储的电容间隔角度信息、磁场强度检测信息以及成像物体内场位置信息进行分析匹配以确定磁场强度检测信息以及成像物体内场位置信息下的电容间隔角度信息。
93.电容间隔角度数据库为预设的数据库，电容间隔角度数据库中存储有电容间隔角度信息、磁场强度检测信息以及成像物体内场位置信息。其中，电容间隔角度信息为同一电容组中的相同电容器之间的间隔角度。
94.在知晓磁场强度检测信息以及成像物体内场位置信息后，从电容间隔角度数据库中匹配出磁场强度检测信息以及成像物体内场位置信息所对应的电容间隔角度信息。
95.步骤602：根据电容间隔角度信息以单独控制每一组的电容器之间的间隔角度。
96.根据电容间隔角度信息以单独控制每一组的电容器之间的间隔角度，即分别对大电容组、小电容组、中间电容组中的电容器的角度进行控制，从而对每一组中的电容器的安装角度进行单独控制。
97.参照图8，每一组电容器之间的比值为恒定的比值，以便于电容器工作在调谐匹配到工作频率下的范围中。对大电容组以及小电容组所对应的电容器之间的电容值的比值选择方法包括以下步骤：步骤700：获取当前射频发射场分布图中的磁场强度检测信息。
98.磁场强度检测信息通过传感器进行检测，并对射频发射场分布图所对应的磁场强度进行检测，并输出磁场强度检测信息，从而知晓射频发射场分布图所对应的磁场强度。
99.步骤701：根据所预设的比值数据库中存储的比值信息、磁场强度检测信息以及成像物体内场位置信息进行分析匹配以确定磁场强度检测信息以及成像物体内场位置信息下的比值信息。
100.比值数据库为预设的数据库，由工作人员根据实际情况进行信息的设置，比值数据库中存储有比值信息、磁场强度检测信息以及成像物体内场位置信息。比值信息为不同组之间的电容器的比值。
101.通过磁场强度检测信息以及成像物体内场位置信息从比值数据库中查找出对应的比值信息。比值信息为大电容组中的电容值与小电容组中的电容值的比值，当存在中间电容组时，比值信息为大电容组中的电容值、小电容组中的电容值以及中间电容组中的比值。
102.步骤702：根据比值信息以选择大电容组以及小电容组所对应的电容器之间的比值。
103.根据获得的比值信息，以选择大电容组以及小电容组所对应的电容器之间的比值。在具有中间电容组的情况下，选择大电容组、中间电容组以及小电容组所对应的电容器之间的比值。从而来选择电容器。
104.参照图9，成像物体内场位置信息所对应的均匀性的提升方法包括：步骤800：计算成像物体内场位置信息所对应的中心点与所预设的中点位置之间的距离差值。
105.中点位置为预设的位置，且中点位置为工作人员根据实际情况进行设置的位置，
从而确保成像的位置。
106.将成像物体内场位置信息所对应的中心点与中点位置之间的距离差值进行计算，从而了解出偏差。
107.步骤801：判断距离差值是否小于所预设的基准差值。
108.基准差值为预设的数据，由工作人员根据实际情况进行设置的数据。判断距离差值是否小于基准差值，从而对偏差的数值进行了解，以便于矫正。
109.步骤8020：若距离差值小于基准差值，则进行提示。
110.若距离差值小于基准差值，则表示偏差较小，因此就进行提示，从而告知工作人员。
111.步骤8021：若距离差值大于或等于基准差值，则根据所预设的电感器数据库中存储的电感器信息与电容器信息进行对比以查找出与电容器信息所对应的电感器信息，并根据电感器信息以并联电感器至电容器上。
112.若距离差值大于或等于基准差值，则表示距离相差过多，此时可以通过并联电感器的方式，从而减少距离中点位置的偏差量。
113.电感器数据库为预设的数据库，由工作人员根据实际情况进行设置，在此不作赘述。并且电感器数据库中存储有电感器信息与电容器信息。通过对电容器信息的输入，从而查找出与电容器信息所对应的电感器信息，电感器信息为电感器的数量、电感器值等参数。
114.将电感器信息所对应的电感器并联至电容器上，从而减少偏差。
115.参照图10，射频发射场最大值的中心位置存在偏移时，通过射频发射表面线圈将场的均匀性进行提高，并且将射频发射场最大值的中心位置进行矫正显示，以提高成像后的成像质量。
116.基于同一发明构思，本发明实施例提供一种基于射频发射表面线圈的元器件布局系统，包括：获取模块，用于获取当前成像物体内场位置信息；查找模块，根据所预设的元器件参数信息数据库中所存储的成像物体内场位置信息以及电容器信息进行匹配查找以确定成像物体内场位置信息中所对应的电容器信息；装配模块，根据所预设的环形电路板信息以及电容器信息以装配射频发射表面线圈；成像物体内场位置获取模块，用于获取成像物体内场位置信息；电容器布局分配模块，用于对电容器的布局进行获取；电容器参数模块，用于对电容器参数信息进行获取；电容器数量模块，用于对电容器数量信息进行获取；第一间隔角度选择模块，用于对电容组之间的间隔信息进行控制；第二间隔角度选择模块，用于对同组中的电容器的角度进行控制；比值选择模块，用于对不同组的电容器的比值进行设置；提升模块，用于匹配出不同的电感器以并联电容器；处理模块，与获取模块、查找模块、成像物体内场位置获取模块、电容器布局分配模块、电容器参数模块、电容器数量模块、第一间隔角度选择模块、第二间隔角度选择模块、比值选择模块、提升模块、以及装配模块连接，且用于进行信息的存储以及处理。
117.所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，仅以上述各功能模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能模块完成，即将装置的内部结构划分成不同的功能模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。上述描述的系统，装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
118.以上均为本技术的较佳实施例，并非依此限制本技术的保护范围，本说明书（包括摘要和附图）中公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或者具有类似目的的替代特征加以替换。即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。