一种晶体生长装置及方法与流程

技术特征：
1.一种晶体生长装置，其特征在于，所述晶体生长装置包括：生长腔体，用于放置晶体生长的原料；加热组件，用于加热所述生长腔体，以提供晶体生长所需的热量；运动组件，所述运动组件包括旋转部件，所述旋转部件与所述生长腔体传动连接以带动所述生长腔体偏心旋转。2.如权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述旋转部件包括：套筒，至少部分套设于所述生长腔体外周；旋转杆，与所述套筒连接并带动所述生长腔体的偏心旋转。3.如权利要求2所述的晶体生长装置，其特征在于，所述旋转杆可移动连接于所述套筒底部，以使所述生长腔体的所述偏心旋转的偏心距离可调节。4.如权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述生长腔体偏心旋转的偏心距离位于所述生长腔体直径的1％～20％的范围内。5.如权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述运动组件还包括升降部件，所述升降部件与所述生长腔体传动连接以带动所述生长腔体上升或下降。6.如权利要求5所述的晶体生长装置，其特征在于，所述晶体生长装置还包括：监控组件，监控晶体生长参数；控制组件，基于所述晶体生长参数，调节所述加热组件的加热相关参数和/或所述运动组件的运动相关参数。7.如权利要求6所述的晶体生长装置，其特征在于，为基于晶体生长参数，调节所述加热组件的加热相关参数和/或所述运动组件的运动相关参数，所述控制组件：基于所述晶体生长参数，确定晶体生长速率；所述晶体生长速率低于速率阈值，调节所述旋转部件的偏心旋转参数，所述偏心旋转参数包括偏心距离或旋转速率中的至少一个。8.如权利要求6所述的晶体生长装置，其特征在于，为基于晶体生长参数，调节所述加热组件的加热相关参数和/或所述运动组件的运动相关参数，所述控制组件：基于所述晶体生长参数，确定晶体生长速率；所述晶体生长速率低于速率阈值，调节所述升降部件的升降参数，所述升降参数包括升降速率或升降距离中的至少一个。9.一种晶体生长方法，其特征在于，所述晶体生长方法包括：将晶体生长的原料置于生长腔体内；加热所述生长腔体，以提供所述晶体生长所需的热量；在所述晶体生长过程中，满足预设条件时，通过运动组件的旋转部件带动所述生长腔体偏心旋转。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述晶体生长方法还包括：基于晶体生长参数，确定晶体生长速率；所述晶体生长速率低于速率阈值，调节所述旋转部件的偏心旋转参数，所述偏心旋转参数包括偏心距离或旋转速率中的至少一个。

技术总结
本说明书实施例提供一种晶体生长装置及方法，该装置包括：生长腔体，用于放置晶体生长的原料；加热组件，用于加热所述生长腔体，以提供晶体生长所需的热量；运动组件，所述运动组件包括旋转部件，所述旋转部件与所述生长腔体传动连接以带动所述生长腔体偏心旋转。传动连接以带动所述生长腔体偏心旋转。传动连接以带动所述生长腔体偏心旋转。


技术研发人员：王宇 顾鹏 梁振兴
受保护的技术使用者：眉山博雅新材料股份有限公司
技术研发日：2021.10.15
技术公布日：2022/1/14