用于能隙参考电压电路的降压电路的制作方法

技术特征：
1.一种用于能隙参考电压电路的降压电路，其包括：一第一晶体管，具有一第一端、一第二端及一第三端，其中所述第三端接收来自一能隙参考电压电路的一初始能隙参考电压；一电流镜电路，其包括：一第二晶体管，具有一第一端、一第二端及一第三端，其中所述第二晶体管的所述第一端连接于一电压源，所述第二晶体管的所述第二端连接于所述第一晶体管的所述第一端；一第三晶体管，具有一第一端、一第二端及一第三端，其中所述第三晶体管的所述第一端连接于所述电压源，所述第三晶体管的所述第二端连接于一输出节点，所述第三晶体管的所述第三端连接于所述第二晶体管的所述第三端，以与所述第二晶体管共同形成所述电流镜电路；一分压电路，连接于所述第一晶体管的所述第二端及一接地端之间，其中所述分压电路具有一分压节点，用于输出一第一分压；一输出电阻，其一端连接于所述输出节点；以及一第四晶体管，具有一第一端、一第二端及一第三端，其中所述第四晶体管的所述第一端连接于所述输出电阻的另一端，所述第四晶体管的所述第二端连接于接地端，所述第四晶体管的所述第三端连接于所述分压节点以接收所述第一分压，其中所述电流镜电路经配置以通过所述第一晶体管于所述分压电路上形成一第一电流，并将所述第一电流以一预定倍率通过所述第二晶体管及所述第三晶体管镜射至所述输出电阻以形成一第二电流，其中所述分压电路与所述输出电阻各具有一第一温度特性，所述第一晶体管与所述第四晶体管各具有一第二温度特性，从而使所述输出节点产生与温度无关且低于所述初始能隙参考电压的一参考电压。2.根据权利要求1所述的用于能隙参考电压电路的降压电路，其特征在于，所述第四晶体管为一p型金氧半场效晶体管，且所述第四晶体管的所述第一端、所述第二端及所述第三端分别为所述p型金氧半场效晶体管的源极、汲极与门极。3.根据权利要求2所述的用于能隙参考电压电路的降压电路，其特征在于，所述第一晶体管为一双极性场效晶体管，且所述第一晶体管的所述第一端、所述第二端及所述第三端分别为所述双极性场效晶体管的集极、射极及基极。4.根据权利要求3所述的用于能隙参考电压电路的降压电路，其特征在于，所述第二温度特性为一负温度特性，且在所述参考电压中，所述负温度特性对所述双极性场效晶体管的一基极射极间电压的影响与所述负温度特性对所述p型金氧半场效晶体管的一闸极源极间电压的影响抵消。5.根据权利要求2所述的用于能隙参考电压电路的降压电路，其特征在于，所述第一晶体管为一n型金氧半场效晶体管，且所述第一晶体管的所述第一端、所述第二端及所述第三端分别为所述n型金氧半场效晶体管的汲极、源极与门极。6.根据权利要求5所述的用于能隙参考电压电路的降压电路，其特征在于，所述第二温度特性为一负温度特性，且在所述参考电压中，所述负温度特性对所述p型金氧半场效晶体管的一闸极源极间电压的影响与所述负温度特性对所述p型金氧半场效晶体管的一闸极源极间电压的影响抵消。
7.根据权利要求1所述的用于能隙参考电压电路的降压电路，其特征在于，所述分压电路包括：一第一电阻，其一端连接于所述第一晶体管的第二端，其另一端连接于所述分压节点；及一第二电阻，其一端连接于所述分压节点，其另一端连接于接地端。8.根据权利要求7所述的用于能隙参考电压电路的降压电路，其特征在于，所述第一电阻、所述第二电阻及所述输出电阻各具有所述第一温度特性。9.根据权利要求8所述的用于能隙参考电压电路的降压电路，其特征在于，所述第一温度特性为一负温度特性，在所述参考电压中，所述负温度特性对输出电阻影响与所述负温度特性对所述第一电阻及所述第二电阻的影响抵消。10.根据权利要求1所述的用于能隙参考电压电路的降压电路，其特征在于，所述电流镜电路为一p型电流镜电路。

技术总结
一种用于能隙参考电压电路的降压电路，包括第一晶体管、电流镜电路、分压电路、输出电阻及第四晶体管。第一晶体管接收来自能隙参考电压电路的初始能隙参考电压。分压电路连接于第一晶体管及接地端，且具有用于输出第一分压的分压节点。第四晶体管连接于输出电阻及接地端，且接收第一分压。电流镜电路通过第一晶体管于分压电路上形成第一电流，并将第一电流镜射至输出电阻以形成第二电流。分压电路与输出电阻具有第一温度特性，第一晶体管与第四晶体管具有第二温度特性，从而使输出节点产生与温度无关且低于初始能隙参考电压的参考电压。度无关且低于初始能隙参考电压的参考电压。度无关且低于初始能隙参考电压的参考电压。


技术研发人员：黄汉翔
受保护的技术使用者：瑞昱半导体股份有限公司
技术研发日：2020.07.13
技术公布日：2022/1/14