显示装置的制作方法

显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年7月14日提交的韩国专利申请第10-2020-0086866号的优先权，其公开内容通过引用全部并入。
技术领域
3.本文中的本公开涉及一种能够减小泄漏电流的显示装置。


背景技术：

4.通常，诸如智能电话、数字相机、笔记本计算机、导航装置或智能电视的电子设备包括用于显示图像的显示装置。显示装置生成图像，并且用户通过显示装置的显示屏观看所生成的图像。
5.显示装置包括用于生成图像的多个像素和用于驱动像素的驱动器。像素中的每一个可以包括发光元件、连接到发光元件的一个或多个晶体管以及连接到晶体管的至少一个电容器。
6.泄漏电流可以由影响驱动发光元件的寄生电容器生成。因此，泄漏电流可能降低显示装置的显示质量。


技术实现要素：

7.本公开提供了一种能够减小泄漏电流的显示装置。
8.根据本发明构思的实施例，一种显示装置，包括：像素，其中，该像素包括：发光元件；第一晶体管，包括连接到第一电源线的第一电极、连接到发光元件的第二电极和连接到第一节点的控制电极；第二晶体管，包括连接到数据线的第一电极、连接到第一晶体管的第一电极的第二电极和连接到第i扫描线的控制电极，其中，i是大于1的自然数；第三-一晶体管，包括连接到第一晶体管的第二电极的第一电极、连接到第二节点的第二电极和接收第一控制信号的控制电极；第三晶体管，包括连接到第二节点的第一电极、连接到第一节点的第二电极和接收第二控制信号的控制电极；以及虚设晶体管，包括接收参考电压的第一电极、连接到第二节点的第二电极和连接到发射线的控制电极。
9.参考电压可以被设定为被提供到多个像素的数据电压的平均电压值。
10.参考电压可以与通过从被施加到数据线的数据电压减去第一晶体管的阈值电压而获得的值相对应。
11.参考电压可以被设定为被施加到数据线的数据电压。
12.第二控制信号的与第二控制信号的第二高电平和第二控制信号的第二低电平之间的第二差相对应的第二幅度可以小于第一控制信号的与第一控制信号的第一高电平和第一控制信号的第一低电平之间的第一差相对应的第一幅度。
13.第二控制信号的与第二控制信号的第二高电平和第二控制信号的第二低电平之间的第二差相对应的第二幅度可以小于被施加到发射线的发射信号的第一幅度和被施加
到第i扫描线的第i扫描信号的第三幅度。发射信号的第一幅度可以与发射信号的第一高电平和发射信号的第一低电平之间的第一差相对应，并且第i扫描信号的第三幅度可以与第i扫描信号的第三高电平和第i扫描信号的第三低电平之间的第三差相对应。
14.第一控制信号和第二控制信号可以与被施加到第i扫描线的第i扫描信号具有相同的时序。
15.该像素可以进一步包括：第四晶体管，包括连接到第一节点的第一电极、接收初始化电压的第二电极和连接到第i-1扫描线的控制电极；第五晶体管，包括连接到第一电源线的第一电极、连接到第一晶体管的第一电极的第二电极和连接到发射线的控制电极；以及第六晶体管，包括连接到第一晶体管的第二电极的第一电极、连接到发光元件的第二电极和连接到发射线的控制电极。
16.第一控制信号可以与第二控制信号相同。
17.该像素可以进一步包括：第四晶体管，包括连接到第二节点的第一电极、接收初始化电压的第二电极和连接到第i-1扫描线的控制电极；第五晶体管，包括连接到第一电源线的第一电极、连接到第一晶体管的第一电极的第二电极和连接到发射线的控制电极；以及第六晶体管，包括连接到第一晶体管的第二电极的第一电极、连接到发光元件的第二电极和连接到发射线的控制电极。
18.第一控制信号可以是被施加到第i扫描线的第i扫描信号。
19.第一控制信号可以与第二控制信号相同。
20.第二控制信号的第一激活时段可以比被施加到第i-1扫描线的第i-1扫描信号的第二激活时段和被施加到第i扫描线的第i扫描信号的第三激活时段长。第i扫描信号的第三激活时段和第i-1扫描信号的第二激活时段可以被布置在第二控制信号的第一激活时段内。
21.根据本发明构思的另一实施例，一种显示装置，包括：像素，其中，该像素包括：发光元件；第一晶体管，包括连接到第一电源线的第一电极、连接到发光元件的第二电极和连接到第一节点的控制电极；第二晶体管，包括连接到数据线的第一电极、连接到第一晶体管的第一电极的第二电极和连接到第i扫描线的控制电极，其中，i是大于1的自然数；第三-一晶体管，包括连接到第一晶体管的第二电极的第一电极、连接到第二节点的第二电极和接收控制信号的控制电极；第三晶体管，包括连接到第二节点的第一电极、连接到第一节点的第二电极和接收控制信号的控制电极；以及虚设电容器，包括接收参考电压的第一电极和连接到第二节点的第二电极。
22.该像素可以进一步包括：第四晶体管，包括连接到第二节点的第一电极、接收初始化电压的第二电极和连接到第i-1扫描线的控制电极；第五晶体管，包括连接到第一电源线的第一电极、连接到第一晶体管的第一电极的第二电极和连接到发射线的控制电极；以及第六晶体管，包括连接到第一晶体管的第二电极的第一电极、连接到发光元件的第二电极和连接到发射线的控制电极。
23.控制信号的第一激活时段可以比被施加到第i-1扫描线的第i-1扫描信号的第二激活时段和被施加到第i扫描线的第i扫描信号的第三激活时段长。第i扫描信号的第三激活时段和第i-1扫描信号的第二激活时段可以被布置在控制信号的第一激活时段内。
24.控制信号可以包括：第一控制信号，被施加到第三-一晶体管的控制电极；以及第
二控制信号，被施加到第三晶体管的控制电极。第二控制信号的与第二控制信号的第二高电平和第二控制信号的第二低电平之间的第二差相对应的第二幅度可以小于第一控制信号的与第一控制信号的第一高电平和第一控制信号的第一低电平之间的第一差相对应的第一幅度。
25.该像素可以进一步包括：第一连接电极，被布置在第六晶体管上并且连接到第六晶体管；第二连接电极，被布置在第一连接电极上并且连接到第一连接电极和发光元件；以及虚设电极，被布置在高于第一晶体管的层中。
26.虚设电容器的第一电极可以由与第一晶体管的有源区域相同的材料形成，并且可以与第一晶体管的有源区域被布置在同一层中。虚设电容器的第二电极可以由与虚设电极、第一连接电极和第二连接电极之中的一个相同的材料形成，并且可以与虚设电极、第一连接电极和第二连接电极之中的一个被布置在同一层中。
27.虚设电容器的第一电极可以由与第一晶体管的控制电极相同的材料形成，并且可以与第一晶体管的控制电极被布置在同一层中。虚设电容器的第二电极可以由与虚设电极、第一连接电极和第二连接电极中的一个相同的材料形成，并且可以与虚设电极、第一连接电极和第二连接电极中的一个被布置在同一层中。
附图说明
28.附图旨在提供对本发明构思的进一步理解，并且被并入本公开中且构成本公开的一部分。附图图示本发明构思的实施例，并且与描述一起用于解释本发明构思的原理。在附图中：
29.图1是根据本发明构思的实施例的显示装置的透视图；
30.图2是图1中所示的显示装置的框图；
31.图3图示图2中所示的像素的等效电路；
32.图4是用于驱动图3中所图示的像素的信号的时序图；
33.图5图示根据本发明构思的另一实施例的像素的等效电路；
34.图6图示根据本发明构思的另一实施例的像素的等效电路；
35.图7是用于驱动图6中所图示的像素的信号的时序图；
36.图8图示根据本发明构思的另一实施例的像素的等效电路；
37.图9图示根据本发明构思的另一实施例的像素的等效电路；
38.图10图示图9中所图示的寄生电容器和虚设电容器；
39.图11图示根据本发明构思的另一实施例的像素的等效电路；
40.图12是用于驱动图11中所图示的像素的信号的时序图；
41.图13示例性地图示包括图3中图示的发光元件、第一晶体管和第六晶体管的像素的截面图；并且
42.图14、图15、图16、图17和图18示例性地图示根据本发明构思的各个实施例的像素的截面图。
具体实施方式
43.将理解的是，当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“耦接到”另一
元件或层时，它可以直接在该另一元件或层上、直接连接到或直接耦接到该另一元件或层，或者在它们之间可以存在一个或多个中间元件或层。
44.附图中相同的附图标记指代相同的元件。另外，在附图中，为了有效的描述和技术的说明，夸大了元件的厚度、比率和尺寸。
45.术语“和/或”包括一个或多个相关联的项目的任何和所有组合。
46.诸如第一和第二等的术语可以用于描述各种部件、元件、区域、层和/或区段，但是这些部件、元件、区域、层和/或区段不应受术语的限制。这些术语仅用于区分一个部件、元件、区域、层和/或区段与另一部件、元件、区域、层和/或区段。例如，第一部件可以被称为第二部件，或者类似地，第二部件可以被称为第一部件，而不脱离本公开的范围。如本文中所使用的，除非上下文另外明确指示，否则诸如“一”和“该”的单数形式可以旨在包括复数形式。
47.另外，诸如“之下”、“下部”、“上”和“上部”的空间相对术语用于解释如附图中所图示的项目的关联。将理解的是，除了附图中描绘的定向之外，空间相对术语还旨在涵盖在使用或操作中的装置的不同定向。
48.除非另外限定，否则本文中使用的术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。另外，将进一步理解的是，诸如在常用字典中限定的那些术语，应被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不会以理想化或过于正式的意义来解释，除非本文中明确地如此限定。
49.将进一步理解的是，当在本公开中使用时，术语“包括”和/或“包含”指定了所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、部件或其组合的存在，但是不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件或其组合的存在或添加。
50.在下文中，将参照附图详细描述本公开的实施例。
51.图1是根据本发明构思的实施例的显示装置的透视图。
52.参照图1，显示装置dd可以具有矩形形状，该矩形形状包括在第一方向dr1上延伸的长边和在与第一方向dr1交叉的第二方向dr2上延伸的短边。然而，显示装置dd不限于此，并且可以具有诸如圆形形状和多边形形状的各种其他形状。
53.在下文中，基本垂直地交叉并且垂直于由第一方向dr1和第二方向dr2所限定的平面的方向被称为第三方向dr3。另外，在本公开中，表达“当在平面图中观看时”指代在第三方向dr3上观看的状态。
54.显示装置dd的顶表面也可以被称为在第一方向dr1和第二方向dr2上延伸的显示表面ds。在显示装置dd中生成的图像im可以通过显示装置dd的显示表面ds被提供给用户。
55.显示表面ds可以包括显示区域da和围绕显示区域da的非显示区域nda。图像im可以显示在显示区域da中，但是图像im可以不显示在非显示区域nda中。非显示区域nda可以限定显示装置dd的边界。显示装置dd的边界可以具有规定颜色。
56.显示装置dd可以用在诸如电视机、监视器和室外广告牌的大型电子装置中。另外，显示装置dd可以是诸如个人计算机(pc)、笔记本计算机、个人数字助理(pda)、车辆导航器、游戏机、智能电话、平板计算机或相机等的中小型电子装置。然而，这些仅作为本公开的实施例呈现，并且可以在不背离本公开的情况下在其他电子装置中采用。
57.图2是图1中所示的显示装置dd的框图。
58.参照图2，显示装置dd可以包括显示面板dp、扫描驱动器sdv、数据驱动器ddv、发射驱动器edv和时序控制器t-con。显示面板dp可以包括多个像素px、多条扫描线sl1至slm、多条数据线dl1至dln以及多条发射线el1至elm。这里，m和n是自然数。
59.扫描线sl1至slm可以在第二方向dr2上延伸并且连接像素px和扫描驱动器sdv。数据线dl1至dln可以在第一方向dr1上延伸并且连接像素px和数据驱动器ddv。发射线el1至elm可以在第二方向dr2上延伸并且连接像素px和发射驱动器edv。
60.第一电压elvdd和第二电压elvss可以被施加到显示面板dp。第二电压elvss可以具有低于第一电压elvdd的电压电平的电压电平。第一电压elvdd和第二电压elvss可以被施加到像素px。显示装置dd可以进一步包括用于生成第一电压elvdd和第二电压elvss的电压发生器(未示出)。
61.时序控制器t-con可以从外部(例如，系统板)接收图像信号rgb和控制信号cs。时序控制器t-con可以将图像信号rgb的数据格式转换成与数据驱动器ddv的接口规范兼容的另一数据格式，并且生成图像数据。时序控制器t-con可以将图像数据提供到数据驱动器ddv。
62.响应于从外部提供的控制信号cs，时序控制器t-con可以生成并且输出第一控制信号cs1、第二控制信号cs2和第三控制信号cs3。第一控制信号cs1可以包括扫描控制信号，第二控制信号cs2可以包括数据控制信号，并且第三控制信号cs3可以包括发射控制信号。第一控制信号cs1可以被提供到扫描驱动器sdv，第二控制信号cs2可以被提供到数据驱动器ddv，并且第三控制信号cs3可以被提供到发射驱动器edv。
63.扫描驱动器sdv可以响应于第一控制信号cs1而生成多个扫描信号。扫描信号可以通过扫描线sl1至slm被施加到像素px。数据驱动器ddv可以响应于第二控制信号cs2而生成与图像数据data相对应的多个数据电压。数据电压可以通过数据线dl1至dln被施加到像素px。发射驱动器edv可以响应于第三控制信号cs3而生成多个发射信号。发射信号可以通过发射线el1至elm被施加到像素px。
64.像素px可以响应于扫描信号而接收数据电压。像素px可以通过响应于发射信号而发射与数据电压相对应的亮度的光来显示图像。像素px的发射时间可以由发射信号控制。
65.图3图示图2中所示的像素px的等效电路。图4是用于驱动图3中所图示的像素px的信号的时序图。
66.在图3中，示例性地图示了连接到第i扫描线sli、第i发射线eli和第j数据线dlj的像素px(也被称为pxij)。这里，i是大于1的自然数且j是自然数。
67.参照图3，像素pxij可以包括发光元件oled、包含t1、t2、t3、t3-1、t4、t4-1、t5、t6、t7和dmt的多个晶体管以及电容器cp。晶体管和电容器cp可以对应于通过数据线dlj接收的数据电压vd控制流过发光元件oled的电流量。发光元件oled可以生成具有与电流量相对应的规定亮度的光。
68.晶体管中的每一个可以包括输入电极(或源电极)、输出电极(或漏电极)和控制电极(或栅电极)。为了方便起见，在本公开中，输入电极和输出电极中的任何一个被称为第一电极，并且另一个被称为第二电极。
69.第一晶体管t1可以被称为驱动晶体管，并且第二晶体管t2可以被称为开关晶体管。第三晶体管t3和第三-一晶体管t3-1可以被统称为补偿晶体管。
70.第四晶体管t4和第四-一晶体管t4-1可以被统称为第一初始化晶体管，并且第七晶体管t7可以被称为第二初始化晶体管。第五晶体管t5可以被称为发射控制晶体管。
71.根据一个实施例，发光元件oled可以是有机发光元件。发光元件oled可以包括阳极ae和阴极ce。阳极ae可以通过第六晶体管t6、第一晶体管t1和第五晶体管t5连接到第一电源线pl1。阴极ce可以连接到第二电源线pl2。第一电压elvdd可以被施加到第一电源线pl1，并且第二电压elvss可以被施加到第二电源线pl2。第一电源线pl1和第二电源线pl2可以被设置在显示面板dp中。
72.第一晶体管t1可以连接在第五晶体管t5与第六晶体管t6之间。第一晶体管t1可以包括通过第五晶体管t5连接到第一电源线pl1的第一电极、通过第六晶体管t6连接到发光元件oled的阳极ae的第二电极和连接到第一节点n1的控制电极。
73.第一晶体管t1的第一电极可以通过第五晶体管t5接收第一电压elvdd。第一晶体管t1可以根据被施加到第一晶体管t1的控制电极的电压来控制流过发光元件oled的电流量。
74.第二晶体管t2可以连接在数据线dlj与第一晶体管t1的第一电极之间。第二晶体管t2可以包括连接到数据线dlj的第一电极、连接到第一晶体管t1的第一电极的第二电极和连接到第i扫描线sli的控制电极。
75.第二晶体管t2可以由通过第i扫描线sli接收的第i扫描信号导通，并且电连接数据线dlj和第一晶体管t1的第一电极。第二晶体管t2可以执行用于将通过数据线dlj接收的数据电压vd提供到第一晶体管t1的第一电极的开关操作。
76.第三晶体管t3和第三-一晶体管t3-1(被统称为补偿晶体管)可以连接在第一晶体管t1的第二电极与第一节点n1之间。第三-一晶体管t3-1可以包括连接到第一晶体管t1的第二电极的第一电极、连接到第二节点n2的第二电极和连接到第i第一控制线gchi的控制电极。第三-一晶体管t3-1的控制电极可以通过第i第一控制线gchi接收第i第一控制信号。
77.第三晶体管t3可以包括连接到第二节点n2的第一电极、连接到第一节点n1的第二电极和连接到第i第二控制线gcli的控制电极。第三晶体管t3可以通过第i第二控制线gcli接收第i第二控制信号。
78.第三-一晶体管t3-1和第三晶体管t3可以响应于第i第一控制信号和第i第二控制信号而分别导通，并且电连接第一晶体管t1的第二电极和第一晶体管t1的控制电极。当第三-一晶体管t3-1和第三晶体管t3导通时，第一晶体管t1可以通过导通的第三-一晶体管t3-1和第三晶体管t3二极管连接。
79.尽管在图3中未示出，但是第i第一控制线gchi和第i第二控制线gcli可以连接到发射驱动器edv。发射驱动器edv可以生成第i第一控制信号和第i第二控制信号，并且通过第i第一控制线gchi和第i第二控制线gcli将它们分别施加到第三-一晶体管t3-1和第三晶体管t3。
80.被设计为包括两个晶体管t3和t3-1的双栅结构的补偿晶体管可以在截止时抑制泄漏电流。在双栅结构中，两个栅电极(两个控制电极)可以彼此连接以具有相同的电位，并且与单栅结构相比，其沟道长度可以延长。补偿晶体管的延长的沟道长度可能增加电阻，并且在截止时，可以减小泄漏电流以确保操作的稳定性。
81.第四晶体管t4和第四-一晶体管t4-1(被统称为第一初始化晶体管)可以连接在第
一节点n1与初始化线itl之间。第四晶体管t4可以包括连接到第一节点n1的第一电极、通过第四-一晶体管t4-1连接到初始化线itl的第二电极和连接到第i-1扫描线sli-1的控制电极。第四-一晶体管t4-1可以包括连接到第四晶体管t4的第二电极的第一电极、连接到初始化线itl的第二电极和连接到第i-1扫描线sli-1的控制电极。初始化线itl可以被设置在显示面板dp中。
82.初始化电压vint可以被施加到初始化线itl。电压发生器可以生成初始化电压vint。第四晶体管t4和第四-一晶体管t4-1可以由通过第i-1扫描线sli-1接收的第i-1扫描信号导通，并且将初始化电压vint提供到第一节点n1。被设计为包括两个晶体管t4和t4-1的双栅结构的第一初始化晶体管可以在截止时抑制泄漏电流。
83.第五晶体管t5可以连接在第一电源线pl1与第一晶体管t1之间。第五晶体管t5可以包括连接到第一电源线pl1的第一电极、连接到第一晶体管t1的第一电极的第二电极和连接到第i发射线eli的控制电极。
84.第六晶体管t6可以连接在第一晶体管t1与发光元件oled之间。第六晶体管t6可以包括连接到第一晶体管t1的第二电极的第一电极、连接到发光元件oled的阳极ae的第二电极和连接到第i发射线eli的控制电极。
85.第五晶体管t5和第六晶体管t6可以由通过第i发射线eli接收的第i发射信号esi导通。第一电压elvdd可以通过导通的第五晶体管t5和第六晶体管t6被提供到发光元件oled，并且驱动电流可以流过发光元件oled。发光元件oled可以根据驱动电流发光。
86.第七晶体管t7(也被称为第二初始化晶体管)可以连接在初始化线itl与发光元件oled的阳极ae之间。第七晶体管t7可以包括连接到发光元件oled的阳极ae的第一电极、连接到初始化线itl的第二电极和连接到第i扫描线sli的控制电极。然而，本公开的实施例不限于此，并且第七晶体管t7的控制电极可以连接到第i-1扫描线sli-1或第i 1扫描线sli 1。
87.第七晶体管t7可以由通过第i扫描线sli接收的第i扫描信号导通，并且将初始化电压vint提供到发光元件oled的阳极ae。在另一实施例中，可以省略第七晶体管t7。
88.第七晶体管t7可以改善像素px的黑色水平表现能力。当第七晶体管t7导通时，发光元件oled的寄生电容器(未示出)可以被放电。因此，发光元件oled可以适当地实现黑色亮度而不由于来自第一晶体管t1的泄漏电流而发光，并且因此可以改善黑色水平表现能力。
89.电容器cp可以连接在第一电源线pl1与第一节点n1之间。电容器cp可以包括连接到第一电源线pl1的第一电极和连接到第一节点n1的第二电极。当第五晶体管t5和第六晶体管t6导通时，电流可以根据存储在第一节点n1处的电容器cp中的电压流过第一晶体管t1。流过第一晶体管t1的电流可以由通过数据线dlj接收的数据电压vd确定。
90.虚设晶体管dmt可以包括用于接收参考电压vref1的第一电极、连接到第二节点n2的第二电极和连接到第i发射线eli的控制电极。电压发生器可以生成具有直流(dc)电压的参考电压vref1。
91.在图3中，图示基于正沟道金属氧化物半导体(pmos)的晶体管，但是本发明构思的实施例不限于此。本发明构思的另一实施例中的晶体管可以基于负沟道金属氧化物半导体(nmos)形成。
92.在下文中，将参照图4中的时序图详细描述像素pxij的操作，并且每个低电平的信号被称为激活信号。
93.参照图3和图4，通过第i发射线eli被施加到像素pxij的第i发射信号esi可以具有高电平e-vgh和低于高电平e-vgh的低电平e-vgl。第i发射信号esi具有低电平e-vgl的时段可以被称为第i发射信号esi的发射时段或激活时段。第i发射信号esi具有高电平e-vgh的时段可以被称为第i发射信号esi的非发射时段或非激活时段。
94.高电平e-vgh与低电平e-vgl之间的差可以被称为第一幅度δv1。第一幅度δv1也可以被称为第i发射信号esi的幅度。
95.通过第i-1扫描线sli-1和第i扫描线sli被施加到像素pxij的第i-1扫描信号ssi-1和第i扫描信号ssi可以分别具有高电平s-vgh和低于高电平s-vgh的低电平s-vgl。第i-1扫描信号ssi-1和第i扫描信号ssi具有低电平s-vgl的时段可以被称为第i扫描信号ssi的发射时段或激活时段。
96.高电平s-vgh与低电平s-vgl之间的差可以被称为第二幅度δv2。第二幅度δv2也可以被称为第i-1扫描信号ssi-1的幅度和第i扫描信号ssi的幅度。
97.通过第i第一控制线gchi被施加到像素pxij的第i第一控制信号gshi可以具有第一高电平vgh1和低于第一高电平vgh1的第一低电平vgl1。第i第一控制信号gshi具有第一低电平vgl1的时段可以被称为第i第一控制信号gshi的激活时段。
98.第一高电平vgh1与第一低电平vgl1之间的差可以被称为第三幅度δv3。第三幅度δv3也可以被称为第i第一控制信号gshi的幅度。
99.通过第i第二控制线gcli被施加到像素pxij的第i第二控制信号gsli可以具有第二高电平vgh2和低于第二高电平vgh2的第二低电平vgl2。第i第二控制信号gsli具有第二低电平vgl2的时段可以被称为第i第二控制信号gsli的激活时段。
100.第二高电平vgh2与第二低电平vgl2之间的差可以被称为第四幅度δv4。第四幅度δv4也可以被称为第i第二控制信号gsli的幅度。
101.根据一个实施例，第四幅度δv4可以小于第三幅度δv3。另外，第四幅度δv4可以小于第一幅度δv1和第二幅度δv2。第三幅度δv3可以与第一幅度δv1或第二幅度δv2相同。
102.在第i-1扫描信号ssi-1被激活之后，第i扫描信号ssi可以被激活。第i第一控制信号gshi和第i第二控制信号gsli可以具有与第i扫描信号ssi相同的激活时序。例如，第i第一控制信号gshi的激活时段和第i第二控制信号gsli的激活时段可以与第i扫描信号ssi的激活时段重叠。
103.激活的第i扫描信号ssi、第i-1扫描信号ssi-1、第i第一控制信号gshi和第i第二控制信号gsli可以在非发射时段期间被施加到像素pxij。在下文中，每个信号被施加到对应晶体管的操作可以指示对应激活的信号被施加到晶体管的操作。
104.第i-1扫描信号ssi-1可以被施加以导通第一初始化晶体管(即，第四晶体管t4和第四-一晶体管t4-1)。初始化电压vint可以通过第四晶体管t4和第四-一晶体管t4-1被施加到第一节点n1。因此，初始化电压vint可以被施加到第一晶体管t1的控制电极，并且第一晶体管t1可以被初始化电压vint初始化。
105.然后，第i扫描信号ssi可以被施加到第二晶体管t2以导通第二晶体管t2。另外，第
i第一控制信号gshi和第i第二控制信号gsli可以分别被施加以导通第三-一晶体管t3-1和第三晶体管t3。
106.因此，第一晶体管t1可以通过导通的第三-一晶体管t3-1和第三晶体管t3二极管连接。在这种情况下，通过从通过数据线dlj供给的数据电压vd减去第一晶体管t1的阈值电压vth而获得的补偿电压vd-vth可以被施加到第一晶体管t1的控制电极。
107.第一电压elvdd和补偿电压vd-vth可以分别被施加到电容器cp的第一电极和第二电极。与第一电极和第二电极之间的电压差相对应的电荷可以被存储在电容器cp中。
108.然后，在发射时段期间，第i发射信号esi可以通过第i发射线eli被施加到第五晶体管t5和第六晶体管t6，并且第五晶体管t5和第六晶体管t6可以导通。在这种情况下，可以生成与第一电压elvdd和第一晶体管t1的控制电极的电压之间的差相对应的驱动电流id。驱动电流id可以通过第六晶体管t6被提供到发光元件oled。
109.在发射时段期间，第一晶体管t1的栅-源电压vgs可以与第一电压elvdd和补偿电压vd-vth之间的差相对应，该差被表示为以下等式(1)。
110.vgs＝elvdd-(vd-vth)
…………
(1)
111.第一晶体管t1的电流与电压之间的关系可以被表示为以下等式(2)。等式(2)表示典型晶体管的电流与电压之间的关系。
112.id＝(1/2)μcox(w/l)(vgs-vth)2…………
(2)
113.当将等式(1)代入等式(2)时，阈值电压vth被去除，并且驱动电流id可以与通过从第一电压elvdd减去数据电压vd而获得的值的平方值(elvdd-vd)2成比例。因此，可以确定驱动电流id而与第一晶体管t1的阈值电压vth无关。这样的操作可以被称为阈值电压补偿操作。
114.在非发射时段中，第二节点n2的电压可以根据第i第二控制信号gsli而变化。第三晶体管t3可以具有寄生电容器。当第i第二控制信号gsli被施加到第三晶体管t3时，第二节点n2的电压电平可能由于第三晶体管t3的寄生电容器而在第i第二控制信号gsli的上升沿reg处变化。这样的现象可以被称为电容器的耦合现象。上升沿reg可以指示信号从低电平变化到高电平的时间点。
115.第三晶体管t3的截止状态中的泄漏电流可以与漏-源电压vds成比例。当第二节点n2的电压电平变化时，第三晶体管t3的漏-源电压vds可能增加，并且因此，由于第三晶体管t3而引起的泄漏电流也可能增加。如果第二节点n2的电压可以均匀地维持在与第一节点n1的电压类似的电平处，则可以减小泄漏电流。
116.在本发明构思的实施例中，在发射时段期间，第i发射信号esi通过第i发射线eli被施加以导通虚设晶体管dmt。参考电压vref1可以通过在发射时段期间导通的虚设晶体管dmt被施加到第二节点n2。
117.参考电压vref1可以具有高于初始化电压vint的电平，并且可以被设定为具有规定电平的各种dc电压。例如，参考电压vref1可以被设定为被提供到像素px的数据电压的平均电压值。当从数据驱动器ddv输出的数据电压是2v至4v时，参考电压vref1可以被设定为3v的平均电压值。
118.被施加到第一晶体管t1的控制电极的补偿电压vd-vth可以与第一节点n1处的电压相对应。参考电压vref1可以被设定为数据电压的平均电压值，并且第二节点n2的电压可
以与第一节点n1的电压类似。在这种情况下，第三晶体管t3的漏-源电压vds变得更小，并且可以减小由于第三晶体管t3而引起的泄漏电流。
119.如上所述，根据一个实施例，参考电压vref1可以具有数据电压的平均电压值，但是本公开不限于此。在一些实施例中，数据电压vd可以被提供到虚设晶体管dmt作为参考电压vref1。在这种情况下，虚设晶体管dmt的第一电极可以连接到第i数据线dlj。另外，参考电压vref1可以被设定为与第一节点n1的电压相同的电压。例如，参考电压vref1可以被设定为补偿电压vd-vth。
120.第三晶体管t3的泄漏电流可以与栅-源电压vgs成比例。被施加到第三晶体管t3的控制电极的第i第二控制信号gsli的第四幅度δv4可以小于第一幅度δv1、第二幅度δv2和第三幅度δv3。因此，第三晶体管t3的栅-源电压vgs变得更小，并且可以进一步减小由于第三晶体管t3而引起的泄漏电流。
121.在下文中，将描述根据本发明构思的各个实施例的像素px的电路结构，着重于与图3中所示的像素pxij的电路结构的差异。
122.图5图示根据本发明构思的另一实施例的像素pxij的等效电路。
123.参照图5，像素pxij的晶体管和电容器cp的连接结构可以与图3中所示的像素pxij的晶体管和电容器cp的连接结构基本相同。第三晶体管t3的控制电极和第三-一晶体管t3-1的控制电极可以共同连接到第i第二控制线gcli以接收第i第二控制信号gsli。
124.与图3中所示的结构不同，在像素pxij中，第i第二控制信号gsli可以用作被施加到第三-一晶体管t3-1的第i第一控制信号。换句话说，被施加到第三-一晶体管t3-1的第i第一控制信号可以是与被施加到第三晶体管t3的第i第二控制信号gsli相同的信号。
125.图6图示根据本发明构思的另一实施例的像素pxij的等效电路。图7是用于驱动图6中所图示的像素pxij的信号的时序图。
126.参照图6，像素pxij的第四晶体管t4可以包括连接到第二节点n2的第一电极、连接到初始化线itl的第二电极和连接到第i-1控制线sli-1的控制电极。在图6中所示的像素pxij中，除了第四晶体管t4连接到第二节点n2并且省略了图3中所示的第四-一晶体管t4-1之外，其他元件的连接结构可以与图3中所示的连接结构基本相同。
127.第三-一晶体管t3-1的控制电极可以连接到第i扫描线sli以接收第i扫描信号ssi。与图3中所示的结构不同，第i扫描信号ssi可以用作被施加到第三-一晶体管t3-1的第i第一控制信号。
128.参照图6和图7，第i第二控制信号gsli’可以通过第i第二控制线gcli被施加到第三晶体管t3。类似于图4中所示的第i第二控制信号gsli，第i第二控制信号gsli’可以具有第四幅度δv4，但是第i第二控制信号gsli’的激活时段可以比图4中所示的第i第二控制信号gsli的激活时段长。
129.在非发射时段中，第i第二控制信号gsli’可以被激活，并且此后第i-1扫描信号ssi-1和第i扫描信号ssi可以被激活。第i第二控制信号gsli’的激活时段可以比第i-1扫描信号ssi-1的激活时段和第i扫描信号ssi的激活时段长。第i-1扫描信号ssi-1的激活时段和第i扫描信号ssi的激活时段可以被设置在第i第二控制信号gsli’的激活时段内。换句话说，第i-1扫描信号ssi-1和第i扫描信号ssi可以在第i第二控制信号gsli’的去激活之前被去激活。
130.第三晶体管t3可以由第i第二控制信号gsli’导通，并且在第三晶体管t3导通时，第i-1扫描信号ssi-1可以被施加到第四晶体管t4以导通第四晶体管t4。初始化电压vint可以通过导通的第三晶体管t3和第四晶体管t4被施加到第一节点n1。
131.第二晶体管t2和第三-一晶体管t3-1可以由第i扫描信号ssi导通。第一晶体管t1可以通过导通的第三-一晶体管t3-1和第三晶体管t3二极管连接。像素pxij的其他操作可以与图3中所示的像素pxij的其他操作基本相同，并且因此，将省略其描述。
132.参照图3，在像素pxij中彼此连接的第三晶体管t3和第三-一晶体管t3-1可以被称为第一双栅结构，并且彼此连接的第四晶体管t4和第四-一晶体管t4-1可以被称为第二双栅结构。
133.参照图6，在像素pxij中彼此连接的第三晶体管t3和第三-一晶体管t3-1可以被称为第一双栅结构，并且彼此连接的第三晶体管t3和第四晶体管t4可以被称为第二双栅结构。换句话说，可以通过共享一个晶体管(即，第三晶体管t3)来设计图6中所示的第一双栅结构和第二双栅结构。因此，与图3中所示的像素pxij相比，可以减少在图6的像素pxij中使用的晶体管的数量。
134.图8图示根据本发明构思的另一实施例的像素pxij的等效电路。
135.被施加到图8中所示的像素pxij的信号的时序与图7中的信号的时序基本相同，并且因此，可以参照图7中所示的信号的时序来描述图8中所示的像素pxij的操作。
136.参照图7和图8，像素pxij的晶体管和电容器cp的连接结构可以与图6中所示的像素pxij的晶体管和电容器cp的连接结构基本相同。第三晶体管t3的控制电极和第三-一晶体管t3-1的控制电极可以共同连接到第i第二控制线gcli以接收第i第二控制信号gsli’。
137.在图8中所示的像素pxij中，第i第二控制信号gsli’可以用作被施加到第三-一晶体管t3-1的第i第一控制信号。换句话说，被施加到第三-一晶体管t3-1的第i第一控制信号可以是与第i第二控制信号gsli’相同的信号。第三晶体管t3和第三-一晶体管t3-1可以由通过第i第二控制线gcli接收的第i第二控制信号gsli’导通。
138.图9图示根据本发明构思的另一实施例的像素pxij的等效电路。图10图示图9中所图示的寄生电容器和虚设电容器。
139.被施加到图9中所示的像素pxij的信号的时序与图7中的信号的时序基本相同，并且因此，可以参照图7中所示的信号的时序来描述图9中所示的像素pxij的操作。
140.参照图9，像素pxij的第四-一晶体管t4-1和第四-二晶体管t4-2的连接结构可以与图3中所示的像素pxij的第四晶体管t4和第四-一晶体管t4-1的连接结构相同。另外，其他晶体管t1、t2、t3、t3-1、t5、t6和t7以及电容器cp的连接结构可以与图6中所示的像素pxij的连接结构相同。
141.在图9中所示的像素pxij中，第四-一晶体管t4-1可以连接到第四-二晶体管t4-2，但是本发明构思的实施例不限于此。类似于图6中所示的像素pxij，在一些实施例中可以省略第四-一晶体管t4-1。
142.图9中所示的像素pxij可以进一步包括连接到第二节点n2的虚设电容器dcp。虚设电容器dcp可以包括用于接收参考电压vref2的第一电极和连接到第二节点n2的第二电极。参考电压vref2可以具有高于初始化电压vint的电平，并且可以被设定为具有规定电平的各种dc电压。
143.参照图9和图10，在第三晶体管t3中可以存在寄生电容器cps。虚设电容器dcp可以具有比寄生电容器cps大的电容。虚设电容器dcp和寄生电容器cps可以彼此连接，第二节点n2被放置在它们之间。
144.参照图7、图9和图10，当第i第二控制线gsli’被施加到第三晶体管t3时，第二节点n2的电压电平可能由于寄生电容器cps而变化。然而，由于具有更大电容的虚设电容器dcp连接到第二节点n2，因此可以抑制第二节点n2的电压电平的变化。具有更大电容的虚设电容器dcp可以抑制第二节点n2的电压电平，该第二节点n2的电压电平可能由于具有更小电容的寄生电容器cps而变化。
145.如前所述，可以抑制第二节点n2的电压电平的变化，并且第三晶体管t3的漏-源电压vds可以变得更小。因此，可以减小由于第三晶体管t3而引起的泄漏电流。
146.图11图示根据本发明构思的另一实施例的像素pxij的等效电路。图12是用于驱动图11中所图示的像素pxij的信号的时序图。
147.除了图12中的第i第一控制信号gshi’之外，图12中所示的其他信号的时序可以与图7中所示的其他信号的时序相同。
148.参照图11和图12，像素pxij的晶体管、电容器cp和虚设电容器dcp的连接结构可以与图9中所示的像素pxij的晶体管、电容器cp和虚设电容器dcp的连接结构基本相同。
149.第三-一晶体管t3-1的控制电极可以连接到第i第一控制线gchi以接收第i第一控制信号gshi’。第三晶体管t3的控制电极可以连接到第i第二控制线gcli以接收第i第二控制信号gsli’。
150.类似于图4中所示的第i第一控制信号gshi，第i第一控制信号gshi’可以具有第三幅度δv3。因此，第i第二控制信号gsli’的幅度可以小于第i第一控制信号gshi’的幅度。第i第一控制信号gshi’的激活时段可以比图4中所示的第i第一控制信号gshi的激活时段长。第i第一控制信号gshi’的激活时段可以与第i第二控制信号gsli’的激活时段相同。
151.在非发射时段中，第i第一控制信号gshi’和第i第二控制信号gsli’可以被激活，并且当第i第一控制信号gshi’和第i第二控制信号gsli’被激活时，第i-1扫描信号ssi-1和第i扫描信号ssi可以被激活。第i第一控制信号gshi’和第i第二控制信号gsli’可以具有相同的激活时序。
152.第i第一控制信号gshi’和第i第二控制信号gsli’可以分别被施加以导通第三-一晶体管t3-1和第三晶体管t3，并且此后，第四-一晶体管t4-1和第四-二晶体管t4-2可以由第i-1扫描信号ssi-1导通。初始化电压vint可以通过导通的第三晶体管t3、第四-一晶体管t4-1和第四-二晶体管t4-2被施加到第一节点n1。
153.第i扫描信号ssi可以被施加以导通第二晶体管t2。第一晶体管t1可以通过导通的第三-一晶体管t3-1和第三晶体管t3二极管连接。像素pxij的其他操作与图3中所示的像素pxij的其他操作基本相同，并且因此将省略其描述。
154.图13示例性地图示包括图3中图示的发光元件oled、第一晶体管t1和第六晶体管t6的像素pxij的截面图。
155.参照图13，发光元件oled可以包括第一电极(本文中也被称为阳极ae)、第二电极(本文中也被称为阴极ce)、空穴控制层hcl、电子控制层ecl和发光层eml。
156.第一晶体管t1、第六晶体管t6和发光元件oled可以被设置在基板sub上。与像素
pxij相对应的显示区域da可以包括发光区域pa和围绕发光区域pa的非发光区域npa。发光元件oled可以被设置在像素pxij的发光区域pa中。
157.缓冲层bfl可以被设置在基板sub上。缓冲层bfl可以包括无机层。半导体图案可以被设置在缓冲层bfl上。半导体图案可以包括多晶硅。然而，本公开的实施例不限于此，并且半导体图案可以包括非晶硅或金属氧化物。
158.半导体图案的电性质可以基于掺杂材料的类型而变化。半导体图案可以包括掺杂区域和非掺杂区域。掺杂区域可以采用n型掺杂剂或p型掺杂剂掺杂。掺杂区域的导电率可以大于非掺杂区域的导电率，并且掺杂区域可以基本起晶体管的源电极和漏电极的作用。非掺杂区域可以基本与晶体管的有源区域(或沟道)相对应。
159.第一晶体管t1的源电极s1、有源区域a1和漏电极d1以及第六晶体管t6的源电极s6、有源区域a6和漏电极d6可以由半导体图案形成。第一绝缘层ins1可以被设置在半导体图案上。第一晶体管t1的栅电极(或控制电极)g1和第六晶体管t6的栅电极g6可以被设置在第一绝缘层ins1上。
160.第二绝缘层ins2可以被设置在栅电极g1和g6上。虚设电极dme可以被设置在第二绝缘层ins2上。虚设电极dme可以被设置在高于第一晶体管t1和第六晶体管t6的层中。第三绝缘层ins3可以被设置在虚设电极dme上。
161.连接电极cne可以被设置在第六晶体管t6与发光元件oled之间。连接电极cne可以连接第六晶体管t6和发光元件oled。连接电极cne可以包括第一连接电极cne1和被设置在第一连接电极cne1上的第二连接电极cne2。第一连接电极cne1可以被设置在第六晶体管t6上以连接到第六晶体管t6。第二连接电极cne2可以被设置在第一连接电极cne1与发光元件oled的第一电极ae之间以将它们连接。
162.第一连接电极cne1可以被设置在第三绝缘层ins3上，并且可以通过可以穿透第一绝缘层ins1至第三绝缘层ins3的第一接触孔ch1连接到漏电极d6。第四绝缘层ins4可以被设置在第一连接电极cne1上。第五绝缘层ins5可以被设置在第四绝缘层ins4上。第二连接电极cne2可以被布置在第五绝缘层ins5上。第二连接电极cne2可以通过穿透第四绝缘层ins4和第五绝缘层ins5的第二接触孔ch2连接到第一连接电极cne1。
163.第六绝缘层ins6可以被设置在第二连接电极cne2上。从缓冲层bfl到第六绝缘层ins6的层可以被统称为电路元件层。第一绝缘层ins1至第六绝缘层ins6可以包括无机层和/或有机层。
164.发光元件oled的第一电极ae可以被布置在第六绝缘层ins6上。第一电极ae可以通过穿透第六绝缘层ins6的第三接触孔ch3连接到第二连接电极cne2。用于暴露第一电极ae的一部分的像素限定层pdl可以被设置在第一电极ae和第六绝缘层ins6上。在像素限定层pdl中，开口部分px_op可以暴露发光元件oled的第一电极ae的该部分。
165.空穴控制层hcl可以被设置在第一电极ae和像素限定层pdl上。空穴控制层hcl可以共同被设置在发光区域pa和非发光区域npa中。空穴控制层hcl可以包括空穴传输层和/或空穴注入层。
166.发光层eml可以被设置在空穴控制层hcl上。发光层eml可以被设置在与开口部分px_op相对应的区域中。发光层eml可以包括有机材料和/或无机材料。发光层eml可以生成红色、绿色和蓝色中的一种的光。
167.电子控制层ecl可以被设置在发光层eml和空穴控制层hcl上。电子控制层ecl可以共同被设置在发光区域pa和非发光区域npa中。电子控制层ecl可以包括电子传输层和/或电子注入层。
168.第二电极ce可以被设置在电子控制层ecl上。第二电极ce可以共同被设置在多个像素px中。薄膜封装层tfe可以被设置在发光元件oled上。
169.第一电压elvdd可以被施加到第一电极ae，并且第二电压elvss可以被施加到第二电极ce。注入到发光层eml的空穴和电子可以结合以形成激子，并且当激子转变为基态时，发光元件oled可以发光。发光元件oled可以发光以显示图像。
170.虚设电容器dcp可以被设置在基板sub上。虚设电容器dcp的第一电极e1可以由与有源区域a1和a6相同的材料形成，并且可以与有源区域a1和a6被设置在同一层中。虚设电容器dcp的第二电极e2可以由与虚设电极dme相同的材料形成，并且可以与虚设电极dme被设置在同一层中。
171.图14至图18示例性地图示根据本发明构思的各个实施例的像素pxij的截面图。
172.图14至图18被示例性地图示为与图13相对应的像素pxij的截面。图14至图18中所示的发光元件oled以及第一晶体管t1和第六晶体管t6的配置可以与图13中的发光元件oled以及第一晶体管t1和第六晶体管t6的配置基本相同，并且在下文中将描述虚设电容器dcp_1至dcp_5的配置。
173.参照图14，虚设电容器dcp_1的第一电极e1可以由与有源区域a1和a6相同的材料形成，并且可以与有源区域a1和a6被设置在同一层中。虚设电容器dcp_1的第二电极e2可以由与第一连接电极cne1相同的材料形成，并且可以与第一连接电极cne1被设置在同一层中。
174.参照图15，虚设电容器dcp_2的第一电极e1可以由与有源区域a1和a6相同的材料形成，并且可以与有源区域a1和a6被设置在同一层中。虚设电容器dcp_2的第二电极e2可以由与第二连接电极cne2相同的材料形成，并且可以与第二连接电极cne2被设置在同一层中。
175.参照图16，虚设电容器dcp_3的第一电极e1可以由与栅电极g1和g6相同的材料形成，并且可以与栅电极g1和g6被设置在同一层中。虚设电容器dcp_3的第二电极e2可以由与虚设电极dme相同的材料形成，并且可以与虚设电极dme被设置在同一层中。
176.参照图17，虚设电容器dcp_4的第一电极e1可以由与栅电极g1和g6相同的材料形成，并且可以与栅电极g1和g6被设置在同一层中。虚设电容器dcp_4的第二电极e2可以由与第一连接电极cne1相同的材料形成，并且可以与第一连接电极cne1被设置在同一层中。
177.参照图18，虚设电容器dcp_5的第一电极e1可以由与栅电极g1和g6相同的材料形成，并且可以与栅电极g1和g6被设置在同一层中。虚设电容器dcp_5的第二电极e2可以由与第二连接电极cne2相同的材料形成，并且可以与第二连接电极cne2被设置在同一层中。
178.根据本发明构思的实施例，dc电平参考电压(例如，参考电压vref1)可以被施加到第三晶体管t3与第三-一晶体管t3-1之间的节点(例如，第二节点n2)以减小泄漏电流。
179.尽管已经描述了本公开的实施例，但是要理解的是，本公开不应受这些实施例的限制，而是本领域的普通技术人员可以在本公开的精神和范围内进行各种改变和修改。另外，本公开中公开的实施例不旨在限制本发明构思的技术精神，并且应当基于包括所附权
利要求的本公开的整体来解释本公开的范围，并且应当理解，包括在与其等效的范围内的所有技术精神都被包括在本公开的范围中。