移相器的制作方法及移相器、天线与流程

移相器的制作方法及移相器、天线
【技术领域】
1.本发明涉及电磁波技术领域，尤其涉及一种移相器的制作方法及移相器、天线。


背景技术：

2.随着通信系统的逐渐演进，移相器得到了越来越广泛的应用，以液晶移相器为例，液晶移相器是通过控制液晶旋转，使液晶的介电常数发生变化，以实现对液晶移相器内传输的射频信号进行移相。但是对于现有的液晶移相器来说，在其制作过程中，所需掩膜板数量较多，随着后续量产技术的推进，成本相对较高。


技术实现要素：

3.有鉴于此，本发明实施例提供了一种移相器的制作方法及移相器、天线，减少了移相器的制作工艺中所需的掩膜板数量，降低了制作成本。
4.一方面，本发明实施例提供了一种移相器的制作方法，所述移相器包括移相区和外围区，所述制作方法包括：
5.在第一基板上形成接地电极，所述接地电极由所述移相区延伸至所述外围区；
6.在第二基板上形成驱动信号传输线，所述驱动信号传输线由所述移相区延伸至所述外围区；
7.在所述驱动信号传输线背向所述第二基板的一侧形成驱动电极，所述驱动电极位于所述移相区，且所述驱动电极与所述驱动信号传输线电连接；
8.在所述驱动电极背向所述第二基板的一侧形成第一保护层，利用第一掩膜板对所述第一保护层进行图案化，在所述第一保护层上形成第一镂空部和第二镂空部，其中，所述第一镂空部位于所述外围区，用于暴露所述驱动信号传输线中与柔性电路板绑定的部分，所述第二镂空部位于所述移相区；
9.在所述第一保护层背向所述第二基板的一侧形成主支撑柱和辅支撑柱，其中，所述主支撑柱设于所述第一保护层上，所述辅支撑柱设于所述第二镂空部内；
10.将所述第一基板与所述第二基板对盒、填充液晶。
11.另一方面，本发明实施例提供了一种移相器，包括：
12.移相区和外围区；
13.相对设置的第一基板和第二基板；
14.接地电极，所述接地电极设于所述第一基板朝向所述第二基板的一侧，所述接地电极由所述移相区延伸至所述外围区；
15.驱动信号传输线，所述驱动信号传输线设于所述第二基板朝向所述第一基板的一侧，所述驱动信号传输线由所述移相区延伸至所述外围区；
16.驱动电极，所述驱动电极设于所述驱动信号传输线背向所述第二基板的一侧，所述驱动电极位于所述移相区，所述驱动电极与所述驱动信号传输线电连接；
17.第一保护层，所述第一保护层设于所述驱动电极背向所述第二基板的一侧，所述
第一保护层上设有第一镂空部和第二镂空部，其中，所述第一镂空部位于所述外围区，用于暴露所述驱动信号传输线中与柔性电路板绑定的部分，所述第二镂空部位于所述移相区；
18.主支撑柱和辅支撑柱，其中，所述主支撑柱设于所述第一保护层上，所述辅支撑柱设于所述第二镂空部内；
19.液晶，所述液晶封装在所述第一基板和所述第二基板之间。
20.再一方面，本发明实施例提供了一种天线，包括上述移相器。
21.上述技术方案中的一个技术方案具有如下有益效果：
22.在本发明实施例所提供的技术方案中，通过在第一保护层上形成第二镂空部，进而将辅支撑柱设于第二镂空部内，可以利用第一保护层的厚度形成主支撑柱与辅支撑柱之间的高度差，如此一来，就无需再在主支撑柱与第二基板之间设置垫高层，节省了用于形成垫高层的掩膜板。并且，由于第一保护层本就需要利用掩膜板形成第一镂空部，以暴露驱动信号传输线，使其与柔性电路板的驱动端子电连接，因此，进一步在第一保护层中形成第二镂空部，只需将对第一保护层进行刻蚀的掩膜板的图案设计进行调整，增加第二镂空部的图案即可，无需针对形成第二镂空部增设其他的掩膜板。因此，采用本发明实施例所提供的技术方案，节省了形成垫高层所需的掩膜板，从而减少了移相器制作工艺中所需的掩膜板数量，降低了制作成本。
【附图说明】
23.为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
24.图1为现有技术中移相器的一种结构示意图；
25.图2为本发明实施例所提供的制作方法的流程图；
26.图3为图2对应的结构流程图；
27.图4为本发明实施例所提供的制作方法的另一种流程图；
28.图5为图4对应的结构流程图；
29.图6为本发明实施例所提供的制作方法的再一种流程图；
30.图7为图6对应的结构流程图；
31.图8为本发明实施例所提供的制作方法的又一种流程图；
32.图9为图8对应的结构流程图；
33.图10为本发明实施例所提供的制作方法的另一种流程图；
34.图11为图10对应的结构流程图；
35.图12为本发明实施例所提供的第四掩膜板的结构示意图；
36.图13为本发明实施例所提供的制作方法的再一种流程图；
37.图14为图13对应的结构流程图；
38.图15为本发明实施例所提供的制作方法的又一种流程图；
39.图16为图15对应的结构流程图；
40.图17为本发明实施例所提供的移相器的结构示意图；
41.图18为本发明实施例所提供的移相器的另一种结构示意图；
42.图19为本发明实施例所提供的移相器的再一种结构示意图；
43.图20为本发明实施例所提供的移相器的又一种结构示意图；
44.图21为本发明实施例所提供的移相器的另一种结构示意图；
45.图22为本发明实施例所提供的移相器的再一种结构示意图；
46.图23为本发明实施例所提供的天线的结构示意图。
【具体实施方式】
47.为了更好的理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。
48.应当明确，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
49.在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
50.应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
51.应当理解，尽管在本发明实施例中可能采用术语第一、第二、第三等来描述镂空部、保护层、掩膜板等，但这些镂空部、保护层、掩膜板不应限于这些术语，这些术语仅用来将镂空部、保护层、掩膜板彼此区分开。例如，在不脱离本发明实施例范围的情况下，第一镂空部也可以被称为第二镂空部，类似地，第二镂空部也可以被称为第一镂空部。
52.在对本发明实施例的技术方案进行阐述之前，本发明首先对现有技术中移相器的结构进行说明：
53.如图1所示，图1为现有技术中移相器的一种结构示意图，该移相器包括相对设置的第一基板1
′
和第二基板2
′
，其中，第一基板1
′
朝向第二基板2
′
的一侧设置有接地电极3
′
，第二基板2
′
朝向第一基板1
′
的一侧设置有驱动电极4
′
，驱动电极4
′
通过驱动信号传输线5
′
与绑定在第二基板2
′
上的柔性电路板的驱动端子(图中未示出)电连接，用于接收柔性电路板提供的驱动信号，以和接地电极3
′
之间形成驱动液晶旋转的电场。此外，第一基板1
′
和第二基板2
′
之间还设置有主支撑柱6
′
和辅支撑柱7
′
，为使主支撑柱6
′
和辅支撑柱7
′
之间形成高度差，主支撑柱6
′
与第二基板2
′
之间还设置垫高层8
′
，对主支撑柱6
′
进行垫高。但是，在该种结构的移相器的制作工艺中，所需掩膜板数量较多，制作成本也相应较高。
54.为此，本发明实施例提供了一种移相器的制作方法，如图2和图3所示，图2为本发明实施例所提供的制作方法的流程图，图3为图2对应的结构流程图，移相器包括移相区p1和外围区p2，制作方法包括：
55.步骤s1：在第一基板1上形成接地电极2，接地电极2由移相区p1延伸至外围区p2。
56.步骤s2：在第二基板3上形成驱动信号传输线4，驱动信号传输线4由移相区p1延伸至外围区p2。
57.步骤s3：在驱动信号传输线4背向第二基板3的一侧形成驱动电极5，驱动电极5位
于移相区p1，且驱动电极5与驱动信号传输线4电连接。具体地，驱动电极5可由铜材料形成。
58.步骤s4：在驱动电极5背向第二基板3的一侧形成第一保护层6，利用第一掩膜板mask1对第一保护层6进行图案化，在第一保护层6上形成第一镂空部7和第二镂空部8，其中，第一镂空部7位于外围区p2，用于暴露驱动信号传输线4中与柔性电路板绑定的部分，第二镂空部8位于移相区p1。
59.步骤s5：在第一保护层6背向第二基板3的一侧形成主支撑柱9和辅支撑柱10，其中，主支撑柱9设于第一保护层6上，辅支撑柱10设于第二镂空部8内。
60.步骤s6。将第一基板1与第二基板3对盒、填充液晶11。具体地，可采用滴入式的方法填充液晶11，此时，可以先滴入液晶11，再将第一基板1与第二基板3对盒，或者，也可采用灌注式的方法填充液晶11，此时，可以先将第一基板1与第二基板3对盒，再对液晶11进行灌注。
61.首先，需要说明的是，图3所示意的移相器包括一个驱动电极5仅为示意性说明，可以理解的是，结合图23，在实际应用中，移相器包括多个驱动电极5。
62.需要说明的是，在主支撑柱9和辅支撑柱10之间形成高度差，是由于在第一基板1和第二基板3对盒之后，首先利用主支撑柱9对盒厚进行支撑，当受到外力挤压或是低温因素影响而导致移相器压缩时，再利用辅支撑柱10对盒厚进行进一步地辅助支撑，从而通过主支撑柱9和辅支撑柱10的相互配合，提高支撑柱对盒厚的支撑性能，进而提高盒厚均一性。
63.在本发明实施例所提供的制作方法中，通过在第一保护层6上形成第二镂空部8，进而将辅支撑柱10设于第二镂空部8内，可以利用第一保护层6的厚度形成主支撑柱9与辅支撑柱10之间的高度差，如此一来，就无需再在主支撑柱9与第二基板3之间设置垫高层，节省了用于形成垫高层的掩膜板。并且，由于第一保护层6本就需要利用掩膜板形成第一镂空部7，以暴露驱动信号传输线4，使其与柔性电路板的驱动端子电连接，因此，进一步在第一保护层6中形成第二镂空部8，只需将对第一保护层6进行刻蚀的掩膜板的图案设计进行调整，增加第二镂空部8的图案即可，无需针对形成第二镂空部8增设其他的掩膜板。因此，采用本发明实施例所提供的制作方法，节省了形成垫高层所需的掩膜板，从而减少了移相器制作工艺中所需的掩膜板数量，降低了制作成本。
64.可选地，如图4和图5所示，图4为本发明实施例所提供的制作方法的另一种流程图，图5为图4对应的结构流程图，在步骤s2之前，驱动方法还包括：
65.步骤s2
′
：在第二基板3上形成同层的衬垫12和第一垫层金属13，其中，衬垫12位于外围区p2，衬垫12与驱动信号传输线4电连接，在垂直于第二基板3所在平面方向上，第一垫层金属13的正投影与主支撑柱9的正投影交叠。
66.并且，步骤s2还包括：形成与驱动信号传输线4同层的第二垫层金属14，在垂直于第二基板3所在平面方向上，第二垫层金属14的正投影与主支撑柱9的正投影交叠。
67.通过在主支撑柱9与第二基板3之间进一步形成第一垫层金属13和第二垫层金属14，可以更大程度地对主支撑柱9进行垫高，增大主支撑柱9与辅支撑柱10之间的高度差，有利于实现高盒厚的移相器设计。而且，第一垫层金属13和衬垫12同层，第一垫层金属13可以和衬垫12利用同一掩膜板刻蚀形成，第二垫层金属14和驱动信号传输线4同层，第二垫层金属14可以和驱动信号传输线4利用同一掩膜板刻蚀形成，因而无需针对第一垫层金属13和
第二垫层金属14额外增设掩膜板，不会导致掩膜板数量的增加。
68.可选地，请再次参见图4和图5，驱动信号传输线4由透明导电材料形成；步骤s6之后，制作方法还包括：步骤s7：将柔性电路板fpc的驱动端子dt绑定在暴露于第一镂空部7的驱动信号传输线4上。
69.在第一保护层6上刻蚀出第一镂空部7后，驱动信号传输线4的部分膜层在第一镂空部7中暴露出来，在现有技术中，通常在驱动信号传输线4暴露的部分背向第二基板3的一侧形成一层惰性导电层，利用惰性导电层对驱动信号传输线4暴露的部分进行覆盖，避免该部分被水氧腐蚀。而在本发明实施例中，通过直接选用如氧化铟锡等惰性的透明导电材料形成驱动信号传输线4，利用材料自身特性避免被腐蚀，无需再额外设置惰性导电层，从而在有效提高驱动信号传输线4与柔性电路板fpc的驱动端子dt的绑定的可靠性的前提下，进一步节省了用于形成惰性导电层的掩膜板，从而更大程度地减少了移相器制作工艺中所需的掩膜板数量。
70.需要说明的是，对于接地电极接收接地信号的方式，在现有技术中，请再次参见图1，接地电极3
′
通常与柔性电路板的接地端子电连接，用于接收柔性电路板提供的接地信号，在该种结构中，靠近柔性电路板绑定区域一侧的封框胶9
′
内设置有导电金球10
′
，导电金球10
′
朝向第二基板2
′
的一侧设置有与其电连接的第一连接走线11
′
，柔性电路板的接地端子(图中未示出)与第一连接走线11
′
电连接，导电金球10
′
朝向第一基板1
′
的一侧设置有与其电连接的第二连接走线12
′
，第二连接走线12
′
与接地电极3
′
电连接，进而利用第一连接走线11
′
、导电金球10
′
和第二连接走线12
′
形成接地信号的传输通路，实现将柔性电路板提供的接地信号传输至接地电极3
′
中。但是，基于该种结构，第一连接走线11
′
和第二连接走线12
′
的形成工艺中分别需要对应一个掩膜板，导致所需掩膜板数量较多。
71.为此，在本发明实施例中，如图6和图7所示，图6为本发明实施例所提供的制作方法的再一种流程图，图7为图6对应的结构流程图，在步骤s1之后，制作方法还包括：步骤s1
′
：在接地电极2背向第一基板1的一侧形成第二保护层15，对第二保护层15进行图案化，在第二保护层15上形成第三镂空部16，第三镂空部16位于外围区p2，用于暴露接地电极2。
72.此外，在步骤s6之后，制作方法还包括：步骤s7
′
：将接地信号源17电连接在暴露于第三镂空部16的接地电极2上。具体地，请再次参见图7，可以通过焊接的方式，利用第一焊点18将接地信号源17与接地电极2暴露于第三镂空部16的部分电连接。
73.采用上述制作方法，接地电极2接收接地信号源17提供的接地信号，只需要在形成第二保护层15时，在第二保护层15上刻蚀出第三镂空部16将部分接地电极2暴露出来，以实现与接地信号源17的电连接即可，相较于现有技术中形成第一连接走线11
′
和第二连接走线12
′
所需两个掩膜板的制作方法而言，至少可以节省一个掩膜板，从而减少了移相器制作工艺中所需的掩膜板数量。
74.进一步地，请再次参见图7，对第二保护层15进行图案化的过程包括：利用第二掩膜板mask2对第二保护层15进行图案化。结合上述分析，即使利用一个第二掩膜板mask2对第二保护层15刻蚀出第三镂空部16，与现有技术相比，在用于实现给接地电极2传输接地信号相关的制作工艺中，也可以节省一个掩膜板。而且，利用掩膜板刻蚀出镂空部的工艺精度较高，提高了第三镂空部16刻蚀位置的准确性，从而提高了接地信号源17与接地电极2电连接的可靠性。
75.或者，对第二保护层15进行图案化的过程也可包括：通过激光打码方式对第二保护层15进行图案化。此时，相较于现有技术，在用于实现给接地电极2传输接地信号相关的制作工艺中，节省了两个掩膜板，从而更大程度地减少了所需的掩膜板数量，进而更大程度地降低了制作成本。
76.可选地，如图8和图9所示，图8为本发明实施例所提供的制作方法的又一种流程图，图9为图8对应的结构流程图，步骤s1具体可包括：在第一基板1上形成第一导电层19，利用第三掩膜板mask3对第一导电层19进行图案化，形成具有第一开口20和第二开口21的接地电极2。
77.基于此，在步骤s1之后，制作方法还包括：步骤s1
″
：在第一基板1背向接地电极2的一侧形成对位标识22、馈电网络23和辐射体24，其中，对位标识22位于外围区p2，辐射体24位于移相区p1，馈电网络23由移相区p1延伸至外围区p2，在垂直于第一基板1所在平面的方向上，馈电网络23与第一开口20交叠，辐射体24与第二开口21交叠。
78.具体地，在移相器对射频信号进行移相时，馈电网络23上传输的射频信号通过接地电极2的第一开口20耦合到驱动电极5上，液晶11在接地电极2和驱动电极5所形成的电场的作用下发生旋转，液晶11的介电常数发生变化，对驱动电极5上传输的射频信号进行移相，移相后的射频信号通过接地电极2的第二开口21耦合到辐射体24上，经由辐射体24辐射出去。
79.此外，通过在外围区p2设置对位标识22，能够利用对位标识22对用于形成馈电网络23和辐射体24的掩膜板进行对位，进而保证馈电网络23、辐射体24与第一基板1另一侧的接地电极2的对位精度，保证在垂直于第一基板1所在平面的方向上，馈电网络23与第一开口20交叠，辐射体24与第二开口21交叠，使射频信号能够正常耦合。
80.进一步地，如图10和图11所示，图10为本发明实施例所提供的制作方法的另一种流程图，图11为图10对应的结构流程图，步骤s1
″
具体可包括：
81.步骤s11
″
：在第一基板1背向接地电极2的一侧形成第二导电层25。具体地，第二导电层25可由钼材料形成。
82.步骤s12
″
：提供第四掩膜板mask4，第四掩膜板mask4包括标识刻蚀区域26和电极刻蚀区域27，利用第一挡板28对第四掩膜板mask4的电极刻蚀区域27进行遮挡，利用被第一挡板28遮挡后的第四掩膜板mask4对第二导电层25进行图案化，形成对位标识22。
83.步骤s13
″′
：在第一基板1背向接地电极2的一侧形成第三导电层29。具体地，第三导电层29可由铜材料形成。
84.步骤s14
″′
：通过对位标识22对第四掩膜板mask4进行对位，并利用第二挡板30对第四掩膜板mask4的标识刻蚀区域26进行遮挡，利用被第二挡板30遮挡后的第四掩膜板mask4对第三导电层29进行图案化，形成馈电网络23和辐射体24。
85.具体地，结合图12，图12为本发明实施例所提供的第四掩膜板的结构示意图，第四掩膜板mask4包括标识刻蚀区域26和电极刻蚀区域27，其中，标识刻蚀区域26包括第一遮挡区域32、以及与对位标识22的形状对应的第一开口区域31，电极刻蚀区域27包括第二遮挡区域35、以及与馈电网络23对应的第二开口区域33、与辐射体24形状对应的第三开口区域34。在形成对位标识22时，通过利用第一挡板28对第四掩膜板mask4的电极刻蚀区域27进行遮挡，使得光线无法透过电极刻蚀区域27中的第二开口区域33和第三开口区域34，从而使
得第二导电层25中与电极刻蚀区域27对应的部分均被刻蚀掉；在形成馈电网络23和辐射体24时，通过利用第二挡板30对第四掩膜板mask4的标识刻蚀区域26进行遮挡，使得光线无法透过标识刻蚀区域26中的第一开口区域31，从而使得第三导电层29中与标识刻蚀区域26对应的部分均被刻蚀掉，进而实现仅利用一个掩膜板就能实现对位标识22、馈电网络23和辐射体24的制作，节省了掩膜板的数量。
86.可选地，如图13和图14所示，图13为本发明实施例所提供的制作方法的再一种流程图，图14为图13对应的结构流程图，形成馈电网络23和辐射体24之后，制作方法还包括：步骤s1
″′
：在馈电网络23和辐射体24背向第一基板1的一侧形成第三保护层36，对第三保护层36进行图案化，在第三保护层36上形成第四镂空部37，第四镂空部37位于外围区p2，用于暴露馈电网络23。
87.此外，在步骤s6之后，制作方法还包括：步骤s7
″
：将射频信号源38电连接在暴露于第四镂空部37的馈电网络23上。
88.需要说明的是，为实现将射频信号源38与馈电网络23的电连接，第一基板1形成有用于贯穿射频信号源38的过孔，具体地，可通过焊接的方式，利用第二焊点39将射频信号源38与馈电网络23暴露于第四镂空部37的部分电连接，从而利用射频信号源38将射频信号传输至馈电网络23中，实现移相器的移相功能。
89.进一步地，请再次参见图14，对第三保护层36进行图案化的过程包括：利用第五掩膜板mask5对第三保护层36进行图案化，以提高第四镂空部37刻蚀位置的准确性，从而提高射频信号源38与馈电网络23电连接的可靠性。
90.或者，对第三保护层36进行图案化的过程也可包括：通过激光打码方式对第三保护层36进行图案化，此时，无需利用掩膜板，进一步减少了所需的掩膜板数量。
91.可选地，如图15和图16所示，图15为本发明实施例所提供的制作方法的又一种流程图，图16为图15对应的结构流程图，步骤s1还可包括：形成与接地电极2同层的馈电网络23和辐射体24；其中，馈电网络23与辐射体24电连接(图中未示出)，馈电网络23和辐射体24分别与接地电极2电绝缘。并且，将第一基板1与第二基板3对盒后，在垂直于第二基板3所在平面的方向上，馈电网络23的正投影与驱动电极5的正投影交叠。
92.具体地，在移相器对射频信号进行移相时，馈电网络23上传输有射频信号，液晶11在电场的作用下发生旋转，液晶11的介电常数发生变化，对馈电网络23上传输的射频信号进行移相，移相后的射频信号进而传输至辐射体24，经由辐射体24辐射出去。
93.采用上述制作工艺，接地电极2、馈电网络23和辐射体24均位于第一基板1的同一侧，因此，接地电极2、馈电网络23和辐射体24可采用同一掩膜板刻蚀形成，节省了馈电网络23和辐射体24单独设置所需的掩膜板，从而进一步减少了所需的掩膜板数量。
94.本发明实施例还提供了一种移相器，如图17所示，图17为本发明实施例所提供的移相器的结构示意图，该移相器包括：移相区p1和外围区p2；相对设置的第一基板1和第二基板3；接地电极2，接地电极2设于第一基板1朝向第二基板3的一侧，接地电极2由移相区p1延伸至外围区p2；驱动信号传输线4，驱动信号传输线4设于第二基板3朝向第一基板1的一侧，驱动信号传输线4由移相区p1延伸至外围区p2；驱动电极5，驱动电极5设于驱动信号传输线4背向第二基板3的一侧，驱动电极5位于移相区p1，驱动电极5与驱动信号传输线4电连接；第一保护层6，第一保护层6设于驱动电极5背向第二基板3的一侧，第一保护层6上设有
第一镂空部7和第二镂空部8，其中，第一镂空部7位于外围区p2，用于暴露驱动信号传输线4中与柔性电路板绑定的部分，第二镂空部8位于移相区p1；主支撑柱9和辅支撑柱10，其中，主支撑柱9设于第一保护层6上，辅支撑柱10设于第二镂空部8内；液晶11，液晶11封装在第一基板1和第二基板3之间。
95.采用本发明实施例所提供的移相器，通过在第一保护层6上形成第二镂空部8，进而将辅支撑柱10设于第二镂空部8内，可以利用第一保护层6的厚度形成主支撑柱9与辅支撑柱10之间的高度差，如此一来，就无需再在主支撑柱9与第二基板3之间设置垫高层，节省了用于形成垫高层的掩膜板。并且，由于第一保护层6本就需要利用掩膜板形成第一镂空部7，以暴露驱动信号传输线4，使其与柔性电路板的驱动端子电连接，因此，进一步在第一保护层6中形成第二镂空部8，只需将对第一保护层6进行刻蚀的掩膜板的图案设计进行调整，增加第二镂空部8的图案即可，无需针对形成第二镂空部8增设其他的掩膜板。因此，采用本发明实施例所提供的移相器，减少了移相器制作工艺中所需的掩膜板数量，降低了制作成本。
96.此外，需要说明的是，请再次参见图17，为驱动液晶正常旋转，第一基板1朝向第二基板2的一侧、以及第二基板2朝向第一基板1的一侧分别设置有配向膜40。
97.可选地，如图18所示，图18为本发明实施例所提供的移相器的另一种结构示意图，驱动信号传输线4朝向第二基板3的一侧还设置有衬垫12，衬垫12位于外围区p2，衬垫12与驱动信号传输线4电连接。主支撑柱9与第二基板3之间还包括：与衬垫12同层设置的第一金属垫层；和/或，与驱动信号传输线4同层设置的第二金属垫层。
98.通过在主支撑柱9与第二基板3之间进一步形成第一垫层金属13和第二垫层金属14，可以更大程度地对主支撑柱9进行垫高，增大主支撑柱9与辅支撑柱10之间的高度差，有利于实现高盒厚的移相器设计。而且，第一垫层金属13和衬垫12同层，第一垫层金属13可以和衬垫12利用同一掩膜板刻蚀形成，第二垫层金属14和驱动信号传输线4同层，第二垫层金属14可以和驱动信号传输线4利用同一掩膜板刻蚀形成，因而无需针对第一垫层金属13和第二垫层金属14额外增设掩膜板，不会导致掩膜板数量的增加。
99.进一步地，请再次参见图18，驱动信号传输线4由透明导电材料形成；移相器还包括柔性电路板fpc，柔性电路板fpc的驱动端子dt绑定在暴露于第一镂空部7的驱动信号传输线4上。通过直接选用如氧化铟锡等惰性的透明导电材料形成驱动信号传输线4，利用材料自身特性避免被腐蚀，无需再额外设置惰性导电层，从而在有效提高驱动信号传输线4与柔性电路板fpc的驱动端子dt的绑定的可靠性的前提下，进一步节省了用于形成惰性导电层的掩膜板，从而更大程度地减少了移相器制作工艺中所需的掩膜板数量。
100.可选地，如图19所示，图19为本发明实施例所提供的移相器的再一种结构示意图，接地电极2背向第一基板1的一侧设置有第二保护层15，第二保护层15上设有位于外围区p2的第三镂空部16，用于暴露接地电极2；移相器还包括接地信号源17，接地信号源17电连接在暴露于第三镂空部16的接地电极2上。具体地，请再次参见图19，可以通过焊接的方式，利用第一焊点18将接地信号源17与接地电极2暴露于第三镂空部16的部分电连接。
101.在该种设置方式下，接地电极2接收接地信号源17提供的接地信号，只需要在形成第二保护层15时，在第二保护层15上刻蚀出第三镂空部16将部分接地电极2暴露出来，以实现与接地信号源17的电连接即可，相较于现有技术接地电极2与柔性电路板电连接的设置
方式而言，至少可以节省一个掩膜板，从而减少了移相器制作工艺中所需的掩膜板数量。
102.可选地，如图20所示，图20为本发明实施例所提供的移相器的又一种结构示意图，接地电极2具有第一开口20和第二开口21；第一基板1背向接地电极2的一侧还设置有对位标识22、馈电网络23和辐射体24；其中，对位标识22位于外围区p2，辐射体24位于移相区p1，馈电网络23由移相区p1延伸至外围区p2，在垂直于第一基板1所在平面的方向上，馈电网络23与第一开口20交叠，辐射体24与第二开口21交叠。
103.通过在外围区p2设置对位标识22，能够利用对位标识22对用于形成馈电网络23和辐射体24的掩膜板进行对位，进而保证馈电网络23、辐射体24与第一基板1另一侧的接地电极2的对位精度，保证在垂直于第一基板1所在平面的方向上，馈电网络23与第一开口20交叠，辐射体24与第二开口21交叠，从而保证馈电网络23上传输的射频信号能够经由第一开口20耦合到驱动电极5上，驱动电极5上传输的移相后的射频信号能够经由第二开口21耦合到辐射体24上，实现了移相器的正常工作。
104.进一步地，如图21所示，图21为本发明实施例所提供的移相器的另一种结构示意图，馈电网络23和辐射体24背向第一基板1的一侧还形成有第三保护层36，第三保护层36上设有位于外围区p2的第四镂空部37，用于暴露馈电网络23；移相器还包括射频信号源38，射频信号源38电连接在暴露于第四镂空部37的馈电网络23上。
105.需要说明的是，为实现将射频信号源38与馈电网络23的电连接，第一基板1上形成有贯穿射频信号源38的过孔，具体地，可通过焊接的方式，利用第二焊点39将射频信号源38与馈电网络23暴露于第四镂空部37的部分电连接，从而利用射频信号源38将射频信号传输至馈电网络23中，进而实现移相器的移相功能。
106.可选地，如图22所示，图22为本发明实施例所提供的移相器的再一种结构示意图，移相器还包括与接地电极2同层设置的馈电网络23和辐射体24；其中，馈电网络23与辐射体24电连接(图中未示出)，馈电网络23和辐射体24分别与接地电极2电绝缘，并且，在垂直于第二基板3所在平面的方向上，馈电网络23的正投影与驱动电极5的正投影交叠。
107.具体地，在移相器对射频信号进行移相时，馈电网络23上传输有射频信号，液晶11在电场的作用下发生旋转，液晶11的介电常数发生变化，对馈电网络23上传输的射频信号进行移相，移相后的射频信号进而传输至辐射体24，经由辐射体24辐射出去。
108.采用上述结构，接地电极2、馈电网络23和辐射体24均位于第一基板1的同一侧，因此，在其制作工艺中，接地电极2、馈电网络23和辐射体24可采用同一掩膜板刻蚀形成，节省了馈电网络23和辐射体24单独设置所需的掩膜板，从而进一步减少了所需的掩膜板数量。
109.本发明实施例还提供了一种天线，如图23所示，图23为本发明实施例所提供的天线的结构示意图，该天线包括上述移相器100。
110.由于本发明实施例所提供的天线包括上述移相器100，因此，采用该天线，节省了制作工艺中所需的掩膜板，从而降低了制作成本，有利于实现其量产化。
111.以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。
112.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进
行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。