配线基板的制造方法与流程

1.本发明涉及配线基板的制造方法。


背景技术：

2.近年来，随着半导体装置的高速化、高集成化的发展，对于fc-bga(flip chip-ball grid array：倒装芯片球栅阵列)用配线基板，也要求与半导体元件连接的连接端子的窄间距化、基板配线的微细化。另一方面，fc-bga用配线基板与母板的连接要求使用具有与以往几乎相同的间距的连接端子进行连接。
3.为了使与该半导体元件连接的连接端子的窄间距化、基板配线的微细化，例如，在下述专利文献1中提出了这样的方法：在硅上形成配线以作为半导体元件连接用的基板(硅中介层)，并将其连接到fc-bga用配线基板上。此外，例如，在下述专利文献2中提出了这样的方法：通过化学机械研磨(chemical mechanical polishing/cmp)等使fc-bga用配线基板的表面平坦化，然后再形成微细配线。此外，例如，在下述专利文献3中提出了这样的方法：在支撑体上形成具有微细配线层的基板(中介层)，并将其安装在fc-bga基板上，然后通过剥离支撑体来形成窄间距的配线基板。
4.现有技术文献
5.专利文献
6.专利文献1：日本特开2002-280490号公报
7.专利文献2：日本特开2014-225671号公报
8.专利文献3：国际公开第2018/047861号


技术实现要素：

9.本发明所要解决的课题
10.在上述专利文献1所公开的方法中，硅中介层是通过利用硅晶圆并使用半导体前工序用的设备而制作的。硅晶圆的形状、尺寸有限，由1张晶圆所能制造的中介层数量少，制造设备也昂贵，因此中介层也变得昂贵。此外，由于硅晶圆是半导体，所以也存在传输特性劣化的问题。
11.在上述专利文献2所公开的方法中，不存在上述专利文献1那样的传输特性劣化的问题。然而，存在这样的问题：由fc-bga用配线基板的制造缺陷和形成高难度的微细配线时的缺陷合起来导致的产率降低的问题；以及由fc-bga用配线基板的翘曲、变形所引起的半导体元件的安装问题。
12.在上述专利文献3所公开的方法中，不存在上述专利文献1所公开的方法那样的传输特性劣化的问题、和上述专利文献2所公开的方法那样的产率降低的问题。然而，存在这样的问题：在剥离支撑体的工序中容易产生缺陷，从而产率容易降低。
13.本发明是鉴于上述问题而完成的，目的在于提供一种可以提高在剥离支撑体的工序中的产率并以良好的成品率进行制造的配线基板的制造方法。
14.用于解决课题的方案
15.为了解决上述课题，本发明涉及的配线基板的制造方法是在形成有比第1配线基板更微细的配线的第2配线基板的接合面上接合所述第1配线基板，并且将半导体元件安装在所述第2配线基板的与所述接合面相反一侧的表面上的配线基板的制造方法，其特征在于，进行以下工序：通过进行：在支撑体上经由剥离层而形成与所述半导体元件接合的第1电极的工序；在所述第1电极上形成将多个绝缘树脂层和配线层层叠而得的多层配线层的工序；以及在所述多层配线层上形成与所述第1配线基板接合的第2电极的工序，从而制造所述第2配线基板的第2配线基板制造工序；以及将与所述第2配线基板接合的所述第1配线基板的第3电极与所述第2配线基板的所述第2电极接合的接合工序，然后进行：在所述第1配线基板与所述第2配线基板之间填充密封树脂的树脂供给工序；使所述密封树脂固化的树脂固化工序；以及经由所述剥离层而将所述支撑体从所述第2配线基板剥离的支撑体剥离工序，其中，实施下述当中的任一者：(1)在进行所述支撑体剥离工序之后，进行所述树脂供给工序，然后进行所述树脂固化工序，(2)在进行所述树脂供给工序之后，进行所述支撑体剥离工序，然后进行所述树脂固化工序，(3)在所述树脂供给工序之后，进行这样的树脂除去工序：除去附着在所述第2配线基板、所述剥离层以及所述支撑体的外周边缘的所述密封树脂，然后进行所述树脂固化工序，然后再进行所述支撑体剥离工序。
16.本发明的效果
17.根据本发明涉及的配线基板的制造方法，可以提高在剥离支撑体的工序中的产率并以良好的成品率进行制造。
附图说明
18.[图1]为表示通过利用本发明涉及的配线基板的制造方法的第一实施方式而制造的半导体封装体的一个例子的示意性结构的剖面图。
[0019]
[图2]为表示本发明涉及的配线基板的制造方法的第一实施方式中所利用的中介层的一个例子的示意性结构的剖面图。
[0020]
[图3a]为用于说明图2中的中介层的制造步骤的剖面图。
[0021]
[图3b]为用于说明图3a之后的制造步骤的剖面图。
[0022]
[图3c]为用于说明图3b之后的制造步骤的剖面图。
[0023]
[图3d]为用于说明图3c之后的制造步骤的剖面图。
[0024]
[图3e]为用于说明图3d之后的制造步骤的剖面图。
[0025]
[图3f]为用于说明图3e之后的制造步骤的剖面图。
[0026]
[图3g]为用于说明图3f之后的制造步骤的剖面图。
[0027]
[图3h]为用于说明图3g之后的制造步骤的剖面图。
[0028]
[图3i]为用于说明图3h之后的制造步骤的剖面图。
[0029]
[图3j]为用于说明图3i之后的制造步骤的剖面图。
[0030]
[图3k]为用于说明图3j之后的制造步骤的剖面图。
[0031]
[图3l]为用于说明图3k之后的制造步骤的剖面图。
[0032]
[图3m]为用于说明图3l之后的制造步骤的剖面图。
[0033]
[图3n]为用于说明图3m之后的制造步骤的剖面图。
[0034]
[图4a]为用于说明图3n之后的制造步骤的剖面图。
[0035]
[图4b]为用于说明图4a之后的制造步骤的剖面图。
[0036]
[图5a]为用于说明图4b之后的制造步骤的剖面图。
[0037]
[图5b]为用于说明图5a之后的制造步骤的剖面图。
[0038]
[图5c]为用于说明图5b之后的制造步骤的剖面图。
[0039]
[图5d]为用于说明图5c之后的制造步骤的剖面图。
[0040]
[图6]为表示通过利用本发明涉及的配线基板的制造方法的第二实施方式而制造的半导体封装体的一个例子的示意性结构的剖面图。
[0041]
[图7a]为用于说明在本发明涉及的配线基板的制造方法的第二实施方式中的图4b之后的制造步骤的剖面图。
[0042]
[图7b]为用于说明图7a之后的制造步骤的剖面图。
[0043]
[图7c]为用于说明图7b之后的制造步骤的剖面图。
[0044]
[图7d]为用于说明图7c之后的制造步骤的剖面图。
[0045]
[图8]为表示通过利用本发明涉及的配线基板的制造方法的第三实施方式而制造的半导体封装体的一个例子的示意性结构的剖面图。
[0046]
[图9a]为用于说明在本发明涉及的配线基板的制造方法的第三实施方式中的图4b之后的制造步骤的剖面图。
[0047]
[图9b]为用于说明图9a之后的制造步骤的剖面图。
[0048]
[图9c]为用于说明图9b之后的制造步骤的剖面图。
[0049]
[图9d]为用于说明图9c之后的制造步骤的剖面图。
[0050]
[图9e]为用于说明图9d之后的制造步骤的剖面图。
[0051]
[图10]为用于说明本发明涉及的配线基板的制造方法的第三实施方式中的其他例子3的制造步骤的剖面图。
具体实施方式
[0052]
基于附图对本发明涉及的配线基板的制造方法的实施方式进行说明，但是本发明不仅限于基于附图所描述的以下实施方式。需要说明的是，为了便于说明各附图而将它们适当夸张地表现出来。
[0053]
＜第一实施方式＞
[0054]
基于图1、2、3a～3n、4a、4b、5a～5d对本发明涉及的配线基板的制造方法的第一实施方式进行说明。
[0055]
在通过本实施方式涉及的制造方法所制造的配线基板中，在形成有比第1配线基板更微细的配线的第2配线基板的接合面上接合所述第1配线基板，并且将半导体元件安装在所述第2配线基板的与所述接合面相反一侧的表面上。
[0056]
具体而言，如图1所示，在安装有半导体元件4的半导体封装体100中，作为第2配线基板的中介层3的一个表面侧(图1中的下表面侧)通过焊料凸起、铜筒(铜柱)或金凸起等接合部18而接合在作为第1配线基板的fc-bga用配线基板1的一个表面侧(图1中的上表面侧)。中介层3是具有微细配线的薄层，该微细配线是仅由将多层绝缘树脂层和配线层层叠而得的多层配线层即堆积(build-up)配线层构成的。
[0057]
在fc-bga用配线基板1与中介层3之间的间隙中嵌入具有粘接性的绝缘性密封树脂即底部填充胶2a。半导体元件4通过由铜柱及其前端的焊料等构成的接合部20而接合到中介层3的另一个表面侧(图1中的上表面侧)即与连接fc-bga用配线基板1的一侧的接合面相反一侧的表面上。在半导体元件4与中介层3之间的间隙中嵌入底部填充胶21。
[0058]
底部填充胶2a是用于fc-bga用配线基板1与中介层3的固定以及接合部18的密封的材料。作为底部填充胶2a，例如可以使用：在环氧树脂、氨基甲酸酯树脂、硅树脂、聚酯树脂、氧杂环丁烷树脂以及马来酰亚胺树脂中的1种或将这些树脂中的2种以上混合而得的树脂等中添加作为填料的二氧化硅、氧化钛、氧化铝、氧化镁或氧化锌等而得的材料。底部填充胶2a可以通过将液态的上述材料填充在fc-bga用配线基板1与中介层3之间的间隙并使其固化而形成。
[0059]
底部填充胶21是用于半导体芯片4与中介层3的固定以及接合部20的密封的粘接剂，由与底部填充胶2a相同的材料构成。需要说明的是，也可以使用在接合前预先配置片状的膜并在接合时填充空间的各向异性导电膜(acf)或膜状连接材料(ncf)、或者在接合前预先配置液态树脂并在接合时填充空间的非导电膏(ncp)等来代替在接合后利用毛细管现象来填充液态树脂的底部填充胶2a、21。
[0060]
中介层3与半导体元件4之间的接合部20的各个间隔通常比中介层3与fc-bga配线基板1之间的接合部18的各个间隔窄。因此，在中介层3中，与一个表面侧(图1中的下表面侧)即与fc-bga用配线基板1接合的表面侧相比，另一个表面侧(图1中的上表面侧)即与半导体元件4接合的表面侧更需要微细的配线。
[0061]
例如，为了对应于当前的高带宽存储器(hbm)的使用，在中介层3中，需要将配线宽度设为2μm以上6μm以下。为了使特性阻抗与50ω相匹配，当配线宽度为2μm、且配线高度为2μm时，将配线间的绝缘膜厚度设为2.5μm。将包括配线在内的1层的厚度设为4.5μm，当以该厚度形成5层中介层3时，成为总厚度为25μm左右的中介层3。
[0062]
如上所述，中介层3的总厚度薄至25μm左右，在这种状态下难以直接与fc-bga用配线基板1接合，因此有效的是使用支撑体5来确保刚直性。此外，为了形成宽度和高度为2μm左右的配线，需要平坦的支撑体5。根据上述理由，如图2所示，中介层3是在刚直且平坦的支撑体5上经由剥离层6、保护层7以及种子层8而形成的。需要说明的是，在支撑体5上也可以设置除了剥离层6、保护层7、种子层8以外的层。
[0063]
接下来，基于图3a～3n对这样的本实施方式涉及的中介层3的制造方法(第2配线基板制造工序)进行说明。
[0064]
首先，如图3a所示，在支撑体5的一个表面上形成用于在后述工序中剥离支撑体5所需的剥离层6。
[0065]
剥离层6(例如)可以使用通过吸收uv光等光而发热或发生变质从而可剥离的树脂、或通过热而发泡从而可剥离的树脂等。当使用通过uv光等光而可剥离的树脂时，通过从与设置有剥离层6的一侧相反一侧的表面向支撑体5照射光，从而可以从中介层3与fc-bga用配线基板1的接合体中除去支撑体5。
[0066]
在这种情况下，支撑体5需要具有光透过性，例如可以使用玻璃。玻璃的平坦性优异，适合于中介层3的微细图案的形成。此外，玻璃的热膨胀系数(coefficient of thermal expansion/cte)小且难以产生应变，因此在确保图案配置精度和平坦性方面是优异的。
[0067]
当使用玻璃作为支撑体5时，从抑制在制造过程中发生翘曲的观点来看，期望玻璃的厚度较厚，例如0.7mm以上，特别优选为1.1mm以上。此外，玻璃的cte优选为3ppm以上15ppm以下，并且从fc-bga用配线基板1和半导体元件4的cte的观点来看，特别优选为9ppm左右。
[0068]
另一方面，当将通过热而发泡的树脂用于剥离层6时，可以通过加热中介层3与fc-bga用配线基板1之间的接合体来除去支撑体5。在这种情况下，支撑体5可以使用应变较少的(例如)金属或陶瓷等。
[0069]
需要说明的是，在本实施方式中，使用通过吸收uv光而可剥离的树脂作为剥离层6，并且使用玻璃作为支撑体5。
[0070]
接下来，如图3b所示，在剥离层6上形成保护层7。保护层7是在后述工序中剥离支撑体5时用于保护中介层3的层。例如，可列举出：环氧树脂、丙烯酸树脂、氨基甲酸酯树脂、硅树脂、聚酯树脂、氧杂环丁烷树脂中的1种或将这些树脂中的2种以上混合而得的树脂等。
[0071]
可以在将中介层3从支撑体5上剥离之后再除去上述树脂。对于保护层7，可以根据树脂的形状，通过使用旋涂、层压等适当地形成。在本实施方式中，使用丙烯酸类树脂并通过层压法来形成保护层7。
[0072]
接下来，如图3c所示，在真空中，在保护层7上形成种子层8。在配线形成的工序中，种子层8作为电镀的供电层而起作用。种子层8例如可以使用cu、ni、al、ti、cr、mo、w、ta、au、ir、ru、pd、pt、alsi、alsicu、alcu、nife、ito、izo、azo、zno、pzt、tin、cu3n4、cu合金单体或将多个组合而得的材料等，并且可以通过(例如)溅射法、cvd法等形成。
[0073]
在本实施方式中，考虑到电特性、制造的容易性的观点以及成本方面等，通过溅射法依次形成钛层和铜层。作为电镀的供电层，优选将钛层和铜层的总膜厚设为1μm以下。在本实施方式中，将ti设为50nm、cu设为300nm。
[0074]
接下来，如图3d所示，形成抗蚀剂图案9，并通过电镀在其开口部9a内形成作为第1电极的导体层10。导体层10成为与半导体元件4接合用的电极。电镀法可以列举出：电镀镍、电镀铜、电镀铬、电镀钯、电镀金、电镀铑、电镀铱等。特别是当电镀铜时，由于其操作简便且价廉、电传导性良好，因此是优选的。从电路的连接可靠性和制造成本等观点来看，电镀铜的厚度优选为1μm以上30μm以下。然后，如图3e所示，除去抗蚀剂图案9。
[0075]
接下来，如图3f所示，形成绝缘树脂层11。绝缘树脂层11是以将导体层10嵌入内侧的方式而形成的。在本实施方式中，作为绝缘树脂层11，例如通过旋涂感光性的环氧类树脂而形成。感光性的环氧树脂可以在较低的温度下固化，并且在形成后因固化所带来的收缩较少，因此在之后的微细图案形成方面是优异的。
[0076]
除了上述以外，作为绝缘树脂层11，也可以使用真空层压机对绝缘树脂膜进行压缩固化而形成。在这种情况下，可以形成平坦性良好的绝缘膜。此外，例如也可以使用聚酰亚胺作为绝缘树脂。
[0077]
接下来，如图3g所示，通过光刻等在导体层10上的绝缘树脂层11上形成开口部11a。需要说明的是，也可以对开口部11a进行等离子体处理，以除去显影时的残渣。
[0078]
接下来，如图3h所示，在绝缘树脂层11的表面和开口部11a内的导体层10上设置种子层12。种子层12与上述种子层8具有相同的组成和厚度，并且根据需要可以进行适当的改变。在本实施方式中，通过溅射法以使ti成为50nm、cu成为300nm的方式而形成。
[0079]
接下来，如图3i所示，在种子层12上形成抗蚀剂图案13，通过电镀在其开口部13a内形成作为配线层的导体层14。导体层14成为中介层3的内部的配线层。在本实施方式中，使用铜作为导体层14。然后，如图3j所示，除去抗蚀剂图案13。然后，通过蚀刻除去不需要的种子层12。
[0080]
接着，将上述图3f至图3j的工序重复多次，如图3k所示，形成了通过将多层绝缘树脂层11和导体层14层叠而得的多层配线层。需要说明的是，将位于最表面的导体层15用作与fc-bga用配线基板1接合用的电极。
[0081]
接下来，如图3l所示，在绝缘树脂层11的表面和导体层15上设置最表面绝缘树脂层16。最表面绝缘树脂层16通过曝光和显影等而形成开口部16a，以在覆盖绝缘树脂层11的同时使导体层15的一部分露出。在本实施方式中，使用感光性环氧树脂来形成最表面绝缘树脂层16。需要说明的是，最表面绝缘树脂层16可以使用与绝缘树脂层11相同的材料。
[0082]
接下来，如图3m所示，为了防止导体层15的表面氧化和提高焊料凸起的润湿性等，在开口部16a内的导体层15上设置表面处理层17。在本实施方式中，形成作为表面处理层17的无电解ni/pd/au镀膜。需要说明的是，也可以在表面处理层17上形成osp(使用有机可焊性保护层(organic soiderability preservative)/水溶性防腐剂进行的表面处理)膜。此外，也可以根据用途从无电解锡镀、无电解镀ni/au等中进行适当的选择。
[0083]
接下来，如图3n所示，将焊料材料安装在表面处理层17上，通过一次性熔融冷却使其固着，从而形成由接合fc-bga用配线基板1与中介层3的焊料凸起构成的接合部18a。需要说明的是，在本实施方式中，第2电极由导体层15、表面处理层17、接合部18a构成。如上所述，可以得到形成在支撑体5上的中介层3。
[0084]
接下来，基于图4a、4b对本实施方式中的中介层3与fc-bga用配线基板1的接合工序进行说明。
[0085]
如图4a、4b所示，在所制造的fc-bga用配线基板1上配置在支撑体5上形成的中介层3并进行接合，从而形成接合部18，其中fc-bga用配线基板1具有被设计为与中介层3的接合部18a相匹配并作为第3电极的接合部18b。具体而言，使用贴装机将中介层3安装在fc-bga用配线基板1上，并使用带式加热装置(回流)，以使中介层3的接合部18a和fc-bga用配线基板1的接合部18b熔融并彼此接合，从而形成接合部18。
[0086]
需要说明的是，在焊料接合中使用了助焊剂的情况下，期望的是，在接合工序之后进行助焊剂清洗工序。在助焊剂清洗工序中，期望使用直通清洗装置，但是也可以使用超声波清洗装置。
[0087]
然后，基于图5a～5d对本实施方式中的底部填充胶2a的设置方法和支撑体5的除去方法进行说明。
[0088]
首先，如图5a所示，将作为uv光的激光l经由支撑体5而照射到剥离层6上，从而剥离支撑体5。具体而言，对于中介层3的另一个表面侧(图5a中的上表面侧)即与连接至fc-bga用配线基板1的一侧的表面相反一侧的表面，经由支撑体5而照射扫描激光f，从而使在与支撑体5的界面处所形成的剥离层6成为可剥离的状态，如图5b所示，经由剥离层6将支撑体5除去(以上为支撑体剥离工序)。
[0089]
需要说明的是，支撑体5的除去根据剥离层6的特性而不同，当剥离层6的保持性降低时，通过牵拉支撑体5，可以容易地进行剥离。此外，当剥离层6的保持性较强时，例如，将
具有强粘着性的片材粘接在支撑体5上，通过牵拉该片材，可以进行剥离。
[0090]
接下来，如图5c所示，在中介层3与fc-bga用配线基板1之间填充底部填充胶2a(以上为树脂供给工序)。底部填充胶2a由使用注射器加压并排出的分配器来供给并进行填充。可以使用空气分配式或喷射分配式的底部填充胶涂布装置等，将底部填充胶2a涂布到与中介层3相邻的位置。被涂布的底部填充胶2a通过毛细管现象而填充在中介层3与fc-bga用配线基板1之间。
[0091]
在此，如果单位时间内的底部填充胶2a的供给量过多，则可能会产生这样的不利情况：底部填充胶2a会漫过中介层3的上方。因此，在本实施方式中，通过将填充在中介层3与fc-bga用配线基板1之间的空隙中的底部填充胶2a的供给间隔3秒以上并分多次进行，从而可以防止底部填充胶2a漫过中介层3的上方。
[0092]
然后，通过将底部填充胶2a加热至固化温度以上的温度，以使底部填充胶2a固化，从而进行中介层3与fc-bga用配线基板1的固定以及接合部18的密封(以上为树脂固化工序)。
[0093]
通过这种方式完成了支撑体剥离工序、树脂供给工序以及树脂固化工序之后，如图5d所示，除去保护层7，然后除去种子层8，从而得到配线基板22a。在本实施方式中，通过使用碱性溶剂(1％naoh、2.3％tmah)来除去使用了丙烯酸类树脂的保护层7。此外，使用碱性蚀刻剂和酸性蚀刻剂分别溶解并除去从保护层7侧开始依次使用了钛和铜的种子层8。通过这种方式，可以制造使中介层3与fc-bga用配线基板1接合而得的配线基板22a。
[0094]
需要说明的是，然后，为了防止氧化和提高焊料凸起的润湿性，也可以进一步在暴露于表面的导体层10上进行无电解镀ni/pd/au、osp、无电解锡镀、无电解镀ni/au等表面处理。
[0095]
在这样的本实施方式涉及的配线基板22a的制造方法中，进行支撑体剥离工序之后，进行树脂供给工序，然后进行树脂固化工序，因此可以防止底部填充胶2a包围支撑体5的周边，并且可以防止随着底部填充胶2a的固化而使支撑体5保持固着。
[0096]
因此，在本实施方式涉及的配线基板22a的制造方法中，如上所述，通过用激光l照射剥离层6，可以容易地将支撑体5从保护层7上可靠地剥离。
[0097]
因此，根据本实施方式涉及的配线基板22a的制造方法，可以提高剥离支撑体5工序中的产率，并以良好的成品率进行制造。
[0098]
此外，在将支撑体5从中介层3上剥离之前进行助焊剂清洗，从而可以使中介层3在被支撑体5保护的同时进行清洗。
[0099]
此外，由于fc-bga用配线基板1与中介层3之间的间隙由底部填充胶2a密封，因此可以保护连接部18不受用于除去保护层7和种子层8的碱性蚀刻剂或酸性蚀刻剂的影响，从而可以防止连接可靠性的降低。
[0100]
＜第二实施方式＞
[0101]
基于图6、7a～7d对本发明涉及的配线基板的制造方法的第二实施方式进行说明。但是，对于与上述实施方式相同的部分，使用与上述实施方式的说明中使用的符号相同的符号，并省略与上述实施方式的说明重复的说明。
[0102]
如图6所示，在本实施方式涉及的半导体封装体100b的配线基板22b中，底部填充胶2b以比中介层3的与半导体元件4连接侧的表面(图6中的上表面)更靠近半导体元件4侧
(图6中的上侧)的方式形成。除此之外，配线基板22b具有与上述实施方式涉及的半导体封装体100a的配线基板22a相同的结构。
[0103]
在这样的本实施方式涉及的配线基板22b的制造方法中，直至使中介层3的接合部18a与fc-bga用配线基板1的接合部18b接合而形成接合部18的接合工序(图4b的工序)都与上述实施方式涉及的配线基板22a的制造方法相同。
[0104]
然后，如图7a所示，将中介层3与fc-bga用配线基板1之间密封，并且以包围中介层3、种子层8、保护层7、剥离层6以及支撑体5的周边的方式供给底部填充胶2b，以暂时固定在支撑体5上形成的中介层3和fc-bga用配线基板1(以上为树脂供给工序)。
[0105]
接下来，如图7b所示，将激光l经由支撑体5而照射至剥离层6。即使照射激光l，支撑体5也不会剥离，因为底部填充胶2b附着在其侧面的外周边缘并粘接在一起。接下来，通过加热使底部填充胶2b软化，降低了底部填充胶2b的粘接性，以成为可以使支撑体5容易从底部填充胶2b剥离的状态(以上为树脂粘接性降低工序)。
[0106]
然后，如图7c所示，在除去支撑体5后(以上为支撑体剥离工序)，通过将底部填充胶2b加热至固化温度以上，使底部填充胶2b固化，以进行中介层3与fc-bga用配线基板1的固定以及接合部18的密封(以上为树脂固化工序)。
[0107]
接下来，如图7d所示，以与上述实施方式的情况相同的方式除去保护层7和种子层8。通过这种方式，可以制造使中介层3与fc-bga用配线基板1接合而得的配线基板22b。
[0108]
在这样的本实施方式涉及的配线基板22b的制造方法中，在树脂供给工序之后，进行树脂粘接性降低工序，然后进行支撑体剥离工序，然后再进行树脂固化工序，因此可以将支撑体5从由附着在支撑体5的周边的底部填充胶2b所带来的支撑体5的粘接中解放出来，从而可以容易地除去支撑体5。
[0109]
因此，在本实施方式涉及的配线基板22b的制造方法中，也可以提高剥离支撑体5的工序中的产率，并以良好的成品率进行制造。
[0110]
＜第三实施方式＞
[0111]
基于图8、9a～9e对本发明涉及的配线基板的制造方法的第三实施方式进行说明。但是，对于与上述实施方式相同的部分，使用与上述实施方式的说明中使用的符号相同的符号，并省略与上述实施方式的说明重复的说明。
[0112]
如图8所示，在本实施方式涉及的半导体封装体100c的配线基板22c中，底部填充胶2c以比中介层3的与半导体元件4连接侧的表面(图8中的上表面)更靠近fc-bga用配线基板1侧(图8中的下侧)的方式形成。除此之外，配线基板22c具有与上述实施方式涉及的半导体封装体100a、100b的配线基板22a、22b相同的结构。
[0113]
在这样的本实施方式涉及的配线基板22c的制造方法中，直至通过将中介层3的接合部18a与fc-bga用配线基板1的接合部18b接合而形成接合部18的接合工序(图4b中的工序)都与上述实施方式涉及的配线基板22a、22b的制造方法相同。
[0114]
然后，如图9a所示，在中介层3与fc-bga用配线基板1之间填充底部填充胶2c(以上为树脂供给工序)。接下来，如图9b所示，在使刮刀等底部填充胶除去夹具t与中介层3的侧面(图9b中的左右面以及纸面的前后面)接触的状态下，沿着中介层3的外周边缘使其滑动和移动，从而将附着在中介层3的侧面的、至少比绝缘树脂层11更靠近支撑体5的底部填充胶2c刮掉并除去(以上为树脂除去工序)。
[0115]
即，由于种子层8、保护层7、剥离层6比绝缘树脂层11更靠近支撑体5，因此至少除去附着在种子层8、保护层7、剥离层6以及支撑体5的侧面的外周边缘的底部填充胶2c。在本实施方式中，仅除去比绝缘树脂层11更靠近支撑体5的底部填充胶2c，而不除去位于绝缘树脂层11的侧面的底部填充胶2c。
[0116]
作为底部填充胶除去夹具t，例如可以使用平板状的刮刀，并且优选在刮刀端部的厚度方向上形成有锥状的形状，并根据各种条件可以进行适当地选择。此外，作为底部填充胶除去夹具t，优选使用硬度较小的材质，例如可列举出：硅橡胶、氨基甲酸酯、特氟龙(注册商标)、其他橡胶和塑料等。
[0117]
接下来，通过加热底部填充胶2c并使其固化，以进行中介层3与fc-bga用配线基板1的固定以及接合部18的密封(以上为树脂固化工序)。接下来，如图9c所示，将激光l经由支撑体5而照射至剥离层6。然后，如图9d所示，以与上述实施方式的情况相同的方式剥离支撑体5。接下来，如图9e所示，以与上述实施方式的情况相同的方式除去保护层7和种子层8(以上为支撑体剥离工序)。通过这种方式，可以制造使中介层3与fc-bga用配线基板1接合而得的配线基板22c。
[0118]
在这样的本实施方式涉及的配线基板22c的制造方法中，在树脂供给工序之后，进行这样的树脂除去工序：将位于中介层3的侧面的、至少比绝缘树脂层11更靠近支撑体5的底部填充胶2c除去，然后进行树脂固化工序，然后再进行支撑体剥离工序，因此无论底部填充胶2c的供给时的形状如何，都可以控制底部填充胶2c的固化后的形状，从而可以防止随着底部填充胶2c的固化而使支撑体5保持固着。
[0119]
因此，在本实施方式涉及的配线基板22c的制造方法中，与上述实施方式的情况同样地，通过用激光l照射剥离层6，可以容易地将支撑体5从保护层7上可靠地剥离。
[0120]
因此，根据本实施方式涉及的配线基板22c的制造方法，与上述实施方式的情况同样地，可以提高剥离支撑体5的工序中的产率，并以良好的成品率进行制造。
[0121]
此外，通过将硬度较小的上述那样的材质用于底部填充胶除去夹具t，可以提高底部填充胶除去治具t对于中介层3的侧面形状的追随性，从而可以更可靠地进行底部填充胶2c的除去。
[0122]
《第三实施方式的其他例子1》
[0123]
需要说明的是，在上述第三实施方式中，也可以使用硬度较大的材质作为底部填充胶除去夹具t。具体而言，例如可以使用cu、ti、sn、fe、al、cr、ag、au、pt、ni、mn中的任一者，或者2种以上的合金、或者2种以上的复合体等。若将这样的硬度较大的材质用于底部填充胶除去夹具t，则可以抑制在除去底部填充胶2c时底部填充胶除去夹具t的变形，从而可以提高除去底部填充胶2c的位置精度。
[0124]
《第三实施方式的其他例子2》
[0125]
此外，在上述第三实施方式中，作为底部填充胶除去夹具t，也可以使用连接有抽吸机构的注射针，以吸取附着在中介层3的侧面的外周边缘的底部填充胶2c并将其除去。若将连接有这样的抽吸机构的注射针用作底部填充胶除去夹具t，则可以防止在除去过程中底部填充胶2c扩散到底部填充胶除去夹具t上并再次附着到中介层3上，并且可以防止除去了的底部填充胶2在fc-bga用配线基板1上的宽度方向上扩散。
[0126]
《第三实施方式的其他例子3》
[0127]
此外，在上述第三实施方式中，也可以在树脂供给工序之前进行形成掩模的工序，再进行树脂除去工序，然后在进行树脂固化工序之前进行除去掩模的工序。
[0128]
具体而言，如图10所示，在与中介层3相对向的fc-bga用配线基板1的表面上的一部分处形成可剥离的第1掩模23，并且在支撑体5的、与设置中介层3的一侧的表面相反侧的表面上形成可剥离的第2掩模24。
[0129]
第1、2掩模23、24可以使用能够图案化和剥离的材料。例如可以使用配线形成用的感光性干膜抗蚀剂或液态感光性抗蚀剂等。当第1、2掩模23、24为感光性干膜抗蚀剂时，可以使用辊层压法、真空层压法等，当为液态感光性抗蚀剂时，可以使用旋涂法、狭缝涂布法、丝网印刷法、凹版胶印法等。
[0130]
在第1掩模23中，通过光刻法形成用于填充底部填充胶2c的开口部23a。第1掩模23的开口部23a可以形成在中介层3的侧面的整个外周边缘上，或者可以仅形成在一部分上。将第1掩模23的厚度设为小于或等于中介层3的厚度。
[0131]
从这样的第1掩模23的开口部23a，将底部填充胶2c填充在中介层3与fc-bga用配线基板1之间，并使用底部填充胶除去夹具t以与上述同样的方式除去附着在中介层3的侧面的外周边缘上的底部填充胶2c。期望的是，底部填充胶除去夹具t具有可以抵靠第1掩模23的大小(高度)。在使底部填充胶2c固化之后，除去第1、2掩模23、24。使用剥离感光性树脂的剥离液来除去第1、2掩模23、24。
[0132]
在这样的制造方法中，在树脂供给工序之前，在与中介层3相对向的fc-bga用配线基板1的表面上的一部分处预先形成第1掩模23，并且进行树脂除去工序，然后在进行树脂固化工序之前除去第1掩模23，从而可以高精度地控制底部填充胶2c固化后的形状。即，例如，如图10所示，通过将第1掩模23设为与中介层3的最表面绝缘树脂层16的厚度大致相同的厚度，可以使底部填充胶除去夹具t以抵靠第1掩模23的方式进行配置，从而可以除去绝缘树脂层11与最表面绝缘树脂层16的界面处即直至绝缘树脂层11的最低位置处的底部填充胶2c。
[0133]
此外，在树脂供给工序之前，在支撑体5的、与设置中介层3的一侧的表面相反侧的表面上预先形成第2掩模24，并且进行树脂除去工序，然后在进行树脂固化工序之前除去第2掩模24，从而可以容易地除去润湿至支撑体5的、与设置中介层3的一侧的表面相反侧的表面上的底部填充胶2c。
[0134]
需要说明的是，上述实施方式是一个例子，对于其他具体的详细结构等，可以适当地变更。
[0135]
工业实用性
[0136]
本发明可用于具有配线基板的半导体装置，该配线基板具备介于主基板与ic芯片之间的中介层等。
[0137]
符号说明
[0138]
1 fc-bga用配线基板(第1配线基板)
[0139]
2a、2b、2c、21 底部填充胶(密封树脂)
[0140]
3 中介层(第2配线基板)
[0141]
4 半导体元件
[0142]
5 支撑体
[0143]
6 剥离层
[0144]
7 保护层
[0145]
8、12 种子层
[0146]
9、13 抗蚀剂图案
[0147]
9a、13a 开口部
[0148]
10 导体层(第1电极)
[0149]
11 绝缘树脂层
[0150]
11a 开口部
[0151]
14 导体层(配线层)
[0152]
15 导体层
[0153]
16 最表面绝缘树脂层
[0154]
16a 开口部
[0155]
17 表面处理层
[0156]
18、18a、18b、20 接合部
[0157]
22a、22b、22c 配线基板
[0158]
23 第1掩模
[0159]
23a 开口部
[0160]
24 第2掩模
[0161]
l 激光(uv光)
[0162]
t 底部填充胶除去夹具