制造半导体晶片的方法与流程

技术特征：
1.一种制造半导体晶片的方法，其中提供硅单晶棒，将所述棒切割成多个晶锭块，以及由一个晶锭块切割出测试晶片，其中使所述测试晶片任选地经受第一热处理，并且之后进行第二热处理，该第二热处理包括加热阶段、在保持温度t
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下的保持阶段以及冷却阶段，并且所述第二热处理在所述测试晶片上产生径向温度梯度δt，然后对半导体材料的晶片进行应力场的分析，并且根据进一步的加工步骤，对从所述晶体块切割出的半导体晶片进行进一步的加工，该进一步的加工步骤是根据所述测试晶片的分析结果选择的。2.如权利要求1所述的方法，其中所述保持阶段的温度t
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在700℃和1410℃之间，优选地在900℃和1100℃之间。3.如前述权利要求任一项所述的方法，其中所述单晶棒是通过切克劳斯基法拉制的。4.如前述权利要求任一项所述的方法，其中所述单晶棒是通过浮区法拉制的。5.如前述权利要求任一项所述的方法，其中所述加热阶段的加热速率小于4k/s，并且所述冷却阶段的冷却速率小于5k/s。6.如前述权利要求任一项所述的方法，其中所述保持阶段中的温度梯度的量在1k到30k之间，优选地在2k到5k之间。7.如前述权利要求任一项所述的方法，其中至少一个热处理步骤的气氛包括至少一种选自下列的化学物质：he、ar、h2、o2、n2、nh3、ch4、sihcl3、sih2cl2、sih4、sicl4、ch4cl2si、以及h2o。8.如前述权利要求任一项所述的方法，其中对半导体材料的晶片进行的应力场的分析包括sird测量。9.如前述权利要求任一项所述的方法，其中所述加热阶段和所述冷却阶段二者中的所述径向热梯度的量小于所述保持阶段中的径向热梯度的量。10.如前述权利要求任一项所述的方法，其中在所述保持阶段中，所述半导体晶片的边缘的温度比中心的温度更热。11.如前述权利要求任一项所述的方法，其中所述第二热处理步骤是使用基座进行的，其中所述半导体晶片位于其整个区域的上面。12.如前述权利要求任一项所述的方法，其中所述保持阶段的持续时间为至少10s。

技术总结
一种制造半导体晶片的方法，其中提供硅单晶锭，将锭切割成多个晶体锭块，并且从一个锭块上切割出测试晶片，其中使测试晶片选择性地经受第一热处理方法，并且之后经受第二热处理方法，第二热处理方法包括加热阶段、在保持温度T


技术研发人员：M
受保护的技术使用者：硅电子股份公司
技术研发日：2020.04.30
技术公布日：2022/1/13