用于基站天线的紧凑移相器系统的制作方法

技术特征：
1.一种用于基站天线的紧凑移相器系统，其特征在于，所述紧凑移相器系统包括包封在基站天线的壳体内的至少一层移相器组件，所述至少一层移相器组件中的每层移相器组件均包括：基板组件，所述基板组件具有大致v形的横截面、并且包括左侧基板和右侧基板，左侧基板和右侧基板形成范围在20
°
到180
°
之间的夹角a；位于基板组件的第一侧面上的第一侧移相器阵列，所述第一侧移相器阵列包括多个移相器，所述多个移相器中的一组横向并排布置在左侧基板的第一侧面上、并且另一组横向并排布置在右侧基板的第一侧面上；和第一侧驱动机构，所述第一侧驱动机构包括多个滑片支撑块、以及可滑动地连接至所述多个滑片支撑块的驱动杆，所述多个滑片支撑块的数量和第一侧移相器阵列的移相器的数量相同、并且每个滑片支撑块固定至相应一个移相器，所述驱动杆被构造成同时驱动所述多个移相器进行移相操作。2.根据权利要求1所述的紧凑移相器系统，其特征在于，所述每层移相器组件均还包括：位于基板组件的与第一侧面相反的第二侧面上的第二侧移相器阵列，所述第二侧移相器阵列包括多个所述移相器，所述第二侧移相器阵列的所述多个移相器中的一组横向并排布置在左侧基板的第二侧面上、并且另一组横向并排布置在右侧基板的第二侧面上；和第二侧驱动机构，所述第二侧驱动机构包括多个所述滑片支撑块、以及可滑动地连接至所述第二侧驱动机构的所述多个滑片支撑块的所述驱动杆，所述第二侧驱动机构的所述多个滑片支撑块的数量和第二侧移相器阵列的移相器的数量相同、并且每个滑片支撑块固定至相应一个移相器，所述第二侧驱动机构的驱动杆被构造成同时驱动所述第二侧移相器阵列的所述多个移相器进行移相操作。3.根据权利要求1或2所述的紧凑移相器系统，其特征在于，左侧基板和右侧基板一体形成。4.根据权利要求1或2所述的紧凑移相器系统，其特征在于，左侧基板和右侧基板分开形成并连接在一起，或分开形成并彼此分离开。5.根据权利要求1或2所述的紧凑移相器系统，其特征在于，基板组件的横向尺寸的范围为50mm到180mm之间。6.根据权利要求1或2所述的紧凑移相器系统，其特征在于，左侧基板和右侧基板之间的夹角a为大约60
°
、大约100
°
或者大约120
°
。7.根据权利要求1或2所述的紧凑移相器系统，其特征在于，左侧基板和右侧基板自身的厚度为1.6mm到6mm之间。8.根据权利要求1或2所述的紧凑移相器系统，其特征在于，所述每层移相器组件均还包括驱动杆支撑架，所述驱动杆支撑架包括平行的长杆和短杆、以及连接长杆和短杆的端部的两根斜杆，长杆和短杆分别设有用于接收驱动杆的开口保持环或闭口保持环，并且两根斜杆分别连接到左侧基板和右侧基板的端部上。9.根据权利要求8所述的紧凑移相器系统，其特征在于，每根斜杆均设有用于保持连接至移相器的电缆的多个开口保持环或闭口保持环。10.根据权利要求1或2所述的紧凑移相器系统，其特征在于，所述至少一层移相器组件
包括彼此堆叠的多层移相器组件，所述多层移相器组件中的最内层移相器组件通过多对内侧连接件连接至基站天线的反射板，并且所述多层移相器组件中的其他层移相器组件通过多对外侧连接件连接至相邻层的移相器组件。11.根据权利要求10所述的紧凑移相器系统，其特征在于，内侧连接件包括以倾斜角度相连的两根柱体，并且内侧连接件的两个端面分别连接至反射板和最内层移相器组件的左侧基板或右侧基板的内侧面。12.根据权利要求11所述的紧凑移相器系统，其特征在于，内侧连接件的两个端面之间的延伸夹角大致等于(90
°‑
a/2)。13.根据权利要求10所述的紧凑移相器系统，其特征在于，外侧连接件呈大致z形，并且包括平行的两根外柱体、以及垂直于两根外柱体并将两根外柱体相连的中间柱体，外侧连接件的两个端面分别连接至所述其他层移相器组件的左侧基板或右侧基板、以及与所述其他层移相器组件相邻的移相器组件的相应左侧基板或右侧基板。14.根据权利要求1或2所述的紧凑移相器系统，其特征在于，驱动杆包括杆体、以及从杆体伸出的左侧翼部和右侧翼部，左侧翼部和右侧翼部分别平行于左侧基板和右侧基板沿横向延伸，杆体在左侧基板和右侧基板的上方平行于左侧基板和右侧基板沿纵向延伸、并且坐落在平分夹角a的夹角平分面上，或者在左侧基板和右侧基板的下方平行于左侧基板和右侧基板沿纵向延伸、并且坐落在平分夹角a的互周角的夹角平分面上。15.根据权利要求14所述的紧凑移相器系统，其特征在于，左侧翼部和右侧翼部中的每一个均设有沿横向方向延伸的长形通槽，所述长形通槽被构造成接纳从滑片支撑块伸出的滑动柱、并引导滑动柱在长形通槽中往复移动。

技术总结
本公开涉及一种用于基站天线的紧凑移相器系统，包括包封在基站天线的壳体内的至少一层移相器组件，所述至少一层移相器组件中的每层移相器组件均包括：基板组件，所述基板组件具有大致V形的横截面、并且包括左侧基板和右侧基板，左侧基板和右侧基板形成范围在20


技术研发人员：尹益晟
受保护的技术使用者：康普技术有限责任公司
技术研发日：2021.09.18
技术公布日：2022/1/11