一种长寿命有机发光二极管及其制备方法及装置与流程

1.本发明属于半导体电致发光技术领域，尤其涉及一种长寿命有机发光二极管及其制备方法及装置。


背景技术：

2.有机发光二极管(oled)具有轻薄、柔性、节能等优点，目前已受到越来越多的关注，并被广泛用作手机、电脑、虚拟现实/增强现实(vr/ar)、车载导航等电子设备的显示屏。
3.然而，在实际应用中，由于蓝光组分的亮度衰减过快，照明或显示产品在使用过程中就会发生显色指数或色域变化。因而，长寿命的蓝光oled一直是限制显示产品性能提升的瓶颈之一。
4.引发oled老化的原因可分为外部和内部两方面因素。内部因素包括由激子-极化子湮灭效应引起的化学分解、分子团聚等和由载流子引起的热结晶、界面破坏等。外部原因主要包括器件制备过程中材料纯度、腔体真空度、腔体清洁度等方面以及器件完成后由于封装不当引起水汽和氧气侵蚀等因素。对蓝光 oled而言，即使采用完好的封装及较低的驱动电流(即排除了外部诱因和载流子热效应)，其亮度仍衰减很快，表明激子诱导的退化才是造成其寿命极短的最主要原因。最近一些研究表明，oled在制备过程中吸附的腔体杂质会加速器件老化，是oled后期是否具有长寿命的关键因素之一。


技术实现要素：

5.本发明目的在于提供一种长寿命有机发光二极管及其制备方法及装置，其通过形成连续混合层，抑制了杂质引起的器件老化，从而极大地延长有机发光二极管的工作寿命。
6.为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种长寿命有机发光二极管，是一种在发光层两侧均设置过渡层的有机发光二极管，由ito玻璃衬底、一层沉积在ito玻璃衬底上的空穴注入层、一层沉积在空穴注入层上的空穴传输层、一层沉积在空穴传输层上的发光层、一层在发光层沉积在空穴传输层过程中形成的第一过渡层、一层沉积在发光层上的电子传输层、一层在电子传输层沉积在发光层过程中形成的第二过渡层和一层沉积在电子传输层的复合双阴极层组成。
7.上述技术方案中进一步改进的技术方案如下：
8.1.上述方案中，所述第一过渡层为空穴传输层的材料与发光层的材料混合得到的过渡层，所述第二过渡层为发光层的材料与电子传输层的材料混合形成的过渡层。
9.2.上述方案中，所述沉积在ito玻璃衬底上的空穴注入层的材料为 hat-cn，所述沉积在空穴注入层上的空穴传输层的材料为htl1，沉积在空穴传输层上的发光层的材料为bh1，所述第一过渡层为htl1和bh1的混合物，所述发光层上的电子传输层的材料为etl1，所述第二过渡层为bh1和etl1 的混合物。
10.3.上述方案中，所述复合双阴极层由liq层和al层组成，所述liq层沉积在电子传输层上，所述al层沉积在liq层上。
11.4.上述方案中，所述ito玻璃衬底是表面镀有铟锡氧化物的玻璃，其ito 的厚度为150nm，所述空穴注入层的厚度为5～10nm，优选10nm；
12.所述空穴传输层的厚度为30～70nm，优选50nm；
13.所述第一过渡层的厚度为10～20nm，优选15nm，其中空穴传输层材料和发光层材料的混合比例为1:1；
14.所述发光层的厚度为15～30nm，优选20nm；
15.所述电子传输层的厚度为30～60nm，优选40nm；
16.所述第二过渡层的厚度10～20nm，优选15nm，其中电子传输层材料和发光层材料的混合比例为1:1；
17.所述liq的厚度为2～4nm，优选3nm，al金属阴极的厚度为60～200nm，优选100nm。
18.本发明的另一技术方案为：一种长寿命有机发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
19.s1、利用标准化方法清洗干净ito玻璃衬底；
20.s2、利用真空热蒸镀的方法，在清洗干净的ito玻璃衬底上沉积一层 hat-cn，形成空穴注入层，其沉积速率为0.05nm/s；
21.s3、在s2的空穴注入层上沉积一层htl1，形成空穴传输层，其沉积速率为0.2nm/s；
22.s4、利用双源共蒸的方法，在s3的空穴传输层表面沉积一层bh1，形成发光层，其中空穴传输层材料的蒸发速率为0～0.2nm/s，发光材料的蒸发速率为 0～0.2nm/s，在发光层形成之前率先形成第一过渡层；
23.s5、在s4的发光层表面沉积一层etl1，形成电子传输层，其沉积速率为 0.2nm/s，在电子传输层形成之前率先形成第二过渡层；
24.s7、在第七步的电子传输层表面沉积一层liq和al，形成复合双层阴极，其中liq的沉积速率为0.05nm/s，al的沉积速率为0.4nm/s。
25.上述技术方案中进一步改进的技术方案如下：
26.1.上述方案中，所述步骤s4的具体操作为：在空穴传输层沉积结束时，同时开启预热好的发光层材料通道，此时空穴传输层的速率自然下降，沉降速度由0.2nm/s自然降低为0，同时让发光层材料的沉积速率自然上升，待htl1速率为零后，继续蒸镀一定厚度的发光层。
27.2.上述方案中，所述步骤s5的具体操作为：在发光层的沉积结束时，打开预热好的电子传输层材料通道，此时发光层材料沉积速率自然下降，由0.2nm/s 自然降低为0，同时让电子传输层材料沉积速率自然上升，待bh1速率为零时，继续蒸镀一定厚度的电子传输层。
28.3.上述方案中，所述步骤s1中ito衬底的标准化清洗方法是将ito衬底依次放入盛有洗洁剂、丙酮、异丙醇、去离子水等溶剂的容器内进行超声清洗，每种溶剂超声15分钟，之后用氮气吹干，并利用臭氧处理15分钟。
29.4.上述方案中，所述真空热蒸镀法的真空度低于7.0
×
10-4
pa。
30.本发明的另一技术方案为：一种用于制备长寿命有机发光二极管的装置，包括蒸发源、沉积挡板、蒸发源挡板和被沉积层，所述沉积挡板设置在被沉积层和蒸发源之间，用于控制蒸发源中蒸汽与被沉积层的接触，所述蒸发源至少设有两个，每个蒸发源上各设有
一蒸发源挡板，所述蒸发源挡板用于遮挡蒸发源，位于蒸发源与沉积挡板之间，每个蒸发源上的蒸发源挡板均可打开，互不干涉。
31.上述技术方案中进一步改进的技术方案如下：
32.1.上述方案中，每个所述蒸发源均是独立工作，每个蒸发源中放置有用于沉积的不同材料。
33.由于上述技术方案的运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：
34.1、本发明一种长寿命有机发光二极管，其通过在发光层两侧连续沉积有机混合层，有效抑制薄膜在沉积时吸附腔体杂质，同时，混合层还可以调节载流子平衡，调控发光层的激子分布，其激子分布范围更广，抑制激子-激子湮灭，从而极大提高了器件的工作稳定性。
35.2、本发明一种长寿命有机发光二极管的制备方法，通过控制空穴传输层材料与发光层材料的沉积速度与时间，使空穴传输层材料在沉积结束时与发光层材料开始沉积时形成一个材料混合区域，从而沉积得到第一过渡层，同理，通过控制发光层材料与电子传输层材料的沉积速度与时间，使发光层材料在沉积结束时与电子传输层材料开始沉积时形成一个材料混合区域，从而沉积得到第二过渡层，该特殊的制备方法可以在发光层两侧连续沉积到两层有机混合层，从而避免了沉积过程中由于等待时间导致的发光层两侧界面富集杂质而造成器件工作寿命缩短的问题。
36.3、本发明一种用于制备长寿命有机发光二极管的装置，通过在蒸发源上设置可以活动的蒸发源挡板，可以灵活控制每个蒸发源开始蒸发的时间，与本发明的制备方法相互配合，达到制备发光层两侧过渡层的目的，形成混合比例可控的混合层；且保证发光层沉积前薄膜的暴露真空时间为0，从而提高器件寿命。
附图说明
37.附图1为本发明一种长寿命有机发光二极管的结构示意图。
38.附图2为本发明制备一种长寿命有机发光二极管的装置结构示意图。
39.附图3为本发明实施例1与对比例3的电压-电流性能对比图。
40.附图4为本发明实施例1与对比例3电致发光电流效率性能对比图。
41.附图5为本发明实施例1与对比例3的电致发光光谱对比图。
42.附图6为本发明实施例1与对比例3在60ma/cm2恒定电流驱动下的工作寿命对比图。
43.附图7为本发明实施例1与对比例1、对比例2在60ma/cm2恒定电流驱动下的工作寿命对比图。
44.附图1中：11、ito玻璃衬底；12、空穴注入层；13、空穴传输层；14、发光层；15、电子传输层；16、复合双阴极层；17、第一过渡层；18、第二过渡层。
45.附图2中：21、沉积挡板；22、蒸发源挡板；23、被沉积层；24、蒸发源。
具体实施方式
46.在本专利的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了
便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制；术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利的具体含义。
47.以下实施例中使用的hat-cn、htl1、bh1、etl1、liq等材料，纯度大于99％，均购自lumtec公司。
48.其中：htl1为n-联苯-4-基-9,9-二甲基-n-[4-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)苯基]-9h-芴-2-胺；
[0049]
hat-cn为2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲；
[0050]
bh1为9-(1-萘基)-10-(4-(2-萘基)苯基)蒽；
[0051]
etl1为2-[4-(9,10-二萘-2-蒽-2-基)苯基]-1-苯基-1h-苯并咪唑；
[0052]
liq为8-羟基喹啉-锂。
[0053]
下面结合实施例对本发明作进一步描述：
[0054]
实施例1：一种长寿命有机发光二极管，采用发光层两侧含有梯度浓度混合的缓冲层结构，利用蓝光主体材料bh1作为发光材料，制备有机发光二极管(器件a1)，器件结构为：ito/hat-cn(10nm)/htl1(50nm)/htl1:bh1(gradient ratio, 1:1in volume,15nm)/bh1(20nm)/etl1:bh1(gradient ratio,1:1in volume, 15nm)/etl1(40nm)/liq(2nm)/al(100nm)。
[0055]
长寿命有机发光二极管的制备方法，该方法的制备步骤如下：
[0056]
第一步：将ito衬底依次放入盛有洗洁剂、丙酮、异丙醇、去离子水等溶剂的容器内进行超声清洗，每种溶剂超声15分钟，之后用氮气吹干，并利用臭氧处理15分钟。其后将其放入真空度低于7.0
×
10-4
pa的腔体中。
[0057]
第二步：利用真空热蒸镀的方法，在清洗干净的ito玻璃衬底上沉积一层 hat-cn，形成空穴注入层，其沉积速率为0.05nm/s，hat-cn空穴注入层的厚度为10nm。
[0058]
第三步：在hat-cn空穴注入层上沉积一层htl1，形成空穴传输层，其沉积速率为0.2nm/s，htl1的厚度为50nm。
[0059]
第四步：利用双源共蒸的方法，在htl1空穴传输层的表面沉积一层 htl1:bh1的混合层，具体操作为：在空穴传输层沉积结束时，同时开启预热好的发光层材料通道，即蒸发源，此时htl1的蒸发速率由0.2nm/s逐渐降至0nm/s，同时bh1的蒸发速率由0nm/s逐渐升至0.2nm/s，形成第一过渡层，该层总厚度为15nm。
[0060]
第五步：在第一过渡层上沉积一层bh1，形成发光层，其沉积速率为0.2nm/s，发光层的厚度为20nm。
[0061]
第六步：利用双源共蒸的方法，bh1发光层表面沉积一层etl1:bh1的混合层，具体操作为：在发光层的沉积结束时，打开预热好的电子传输层材料通道，即蒸发源，此时etl1的蒸发速率由0nm/s逐渐升至0.2nm/s，bh1的蒸发速率由0.2nm/s逐渐降至0nm/s，形成第二过渡层，该层总厚度为15nm。
[0062]
第七步：在htl1:bh1混合层，即第二过渡层表面沉积一层etl1，形成电子传输层，其沉积速率为0.2nm/s，etl1的厚度为40nm。
[0063]
第八步：在etl1电子传输层表面沉积一层liq和al，形成复合双层阴极，其中liq的沉积速率为0.05nm/s，厚度为2nm；al的沉积速率为0.4nm/s，厚度为100nm。
[0064]
实施例2：一种长寿命有机发光二极管，采用发光层两侧含有梯度浓度混合的缓冲层结构，利用蓝光主体材料bh1作为发光材料，制备有机发光二极管(器件a1)，器件结构为：ito/hat-cn(5nm)/htl1(30nm)/htl1:bh1(gradient ratio, 1:1in volume,10nm)/bh1(30nm)/etl1:bh1(gradient ratio,1:1in volume, 10nm)/etl1(55nm)/liq(3nm)/al(150nm)。
[0065]
长寿命有机发光二极管的制备方法，该方法的制备步骤如下：
[0066]
第一步：将ito衬底依次放入盛有洗洁剂、丙酮、异丙醇、去离子水等溶剂的容器内进行超声清洗，每种溶剂超声15分钟，之后用氮气吹干，并利用臭氧处理15分钟。其后将其放入真空度低于7.0
×
10-4
pa的腔体中。
[0067]
第二步：利用真空热蒸镀的方法，在清洗干净的ito玻璃衬底上沉积一层 hat-cn，形成空穴注入层，其沉积速率为0.05nm/s，hat-cn空穴注入层的厚度为5nm。
[0068]
第三步：在hat-cn空穴注入层上沉积一层htl1，形成空穴传输层，其沉积速率为0.2nm/s，htl1的厚度为30nm。
[0069]
第四步：利用双源共蒸的方法，在htl1空穴传输层的表面沉积一层 htl1:bh1的混合层，具体操作为：在空穴传输层沉积结束时，同时开启预热好的发光层材料通道，即蒸发源，此时htl1的蒸发速率由0.2nm/s逐渐降至0nm/s，同时bh1的蒸发速率由0nm/s逐渐升至0.2nm/s，形成第一过渡层，该层总厚度为10nm。
[0070]
第五步：在第一过渡层上沉积一层bh1，形成发光层，其沉积速率为0.2nm/s，发光层的厚度为30nm。
[0071]
第六步：利用双源共蒸的方法，bh1发光层表面沉积一层etl1:bh1的混合层，具体操作为：在发光层的沉积结束时，打开预热好的电子传输层材料通道，即蒸发源，此时etl1的蒸发速率由0nm/s逐渐升至0.2nm/s，bh1的蒸发速率由0.2nm/s逐渐降至0nm/s，形成第二过渡层，该层总厚度为10nm。
[0072]
第七步：在htl1:bh1混合层，即第二过渡层表面沉积一层etl1，形成电子传输层，其沉积速率为0.2nm/s，etl1的厚度为55nm。
[0073]
第八步：在etl1电子传输层表面沉积一层liq和al，形成复合双层阴极，其中liq的沉积速率为0.05nm/s，厚度为3nm；al的沉积速率为0.4nm/s，厚度为150nm。
[0074]
实施例3：一种长寿命有机发光二极管，采用发光层两侧含有梯度浓度混合的缓冲层结构，利用蓝光主体材料bh1作为发光材料，制备有机发光二极管(器件a1)，器件结构为：ito/hat-cn(8nm)/htl1(70nm)/htl1:bh1(gradient ratio, 1:1in volume,20nm)/bh1(15nm)/etl1:bh1(gradient ratio,1:1in volume, 20nm)/etl1(35nm)/liq(4nm)/al(80nm)。
[0075]
长寿命有机发光二极管的制备方法，该方法的制备步骤如下：
[0076]
第一步：将ito衬底依次放入盛有洗洁剂、丙酮、异丙醇、去离子水等溶剂的容器内进行超声清洗，每种溶剂超声15分钟，之后用氮气吹干，并利用臭氧处理15分钟。其后将其
放入真空度低于7.0
×
10-4
pa的腔体中。
[0077]
第二步：利用真空热蒸镀的方法，在清洗干净的ito玻璃衬底上沉积一层 hat-cn，形成空穴注入层，其沉积速率为0.05nm/s，hat-cn空穴注入层的厚度为8nm。
[0078]
第三步：在hat-cn空穴注入层上沉积一层htl1，形成空穴传输层，其沉积速率为0.2nm/s，htl1的厚度为70nm。
[0079]
第四步：利用双源共蒸的方法，在htl1空穴传输层的表面沉积一层 htl1:bh1的混合层，具体操作为：在空穴传输层沉积结束时，同时开启预热好的发光层材料通道，即蒸发源，此时htl1的蒸发速率由0.2nm/s逐渐降至0nm/s，同时bh1的蒸发速率由0nm/s逐渐升至0.2nm/s，形成第一过渡层，该层总厚度为20nm。
[0080]
第五步：在第一过渡层上沉积一层bh1，形成发光层，其沉积速率为0.2nm/s，发光层的厚度为15nm。
[0081]
第六步：利用双源共蒸的方法，bh1发光层表面沉积一层etl1:bh1的混合层，具体操作为：在发光层的沉积结束时，打开预热好的电子传输层材料通道，即蒸发源，此时etl1的蒸发速率由0nm/s逐渐升至0.2nm/s，bh1的蒸发速率由0.2nm/s逐渐降至0nm/s，形成第二过渡层，该层总厚度为20nm。
[0082]
第七步：在htl1:bh1混合层，即第二过渡层表面沉积一层etl1，形成电子传输层，其沉积速率为0.2nm/s，etl1的厚度为35nm。
[0083]
第八步：在etl1电子传输层表面沉积一层liq和al，形成复合双层阴极，其中liq的沉积速率为0.05nm/s，厚度为4nm；al的沉积速率为0.4nm/s，厚度为80nm。
[0084]
一种用于制备长寿命有机发光二极管的装置，包括蒸发源24、沉积挡板21、蒸发源挡板22和被沉积层23，所述沉积挡板21设置在被沉积层23和蒸发源 24之间，用于控制蒸发源24中蒸汽与被沉积层接触的时机，所述蒸发源24至少设有两个，如图2所示，该图示中设有两个蒸发源24，每个所述蒸发源24均是独立工作，每个蒸发源24中放置有用于沉积的不同材料，其中每个蒸发源上各设有一蒸发源挡板22，所述蒸发源挡板22用于遮挡蒸发源24，位于蒸发源 24与沉积挡板21之间，每个蒸发源24上的蒸发源挡板22均可打开，互不干涉。
[0085]
在制备长寿命有机发光二极管时，在蒸发源上加装一个蒸发源挡板5，可以调节蒸发源挡板5角度，可以控制蒸发源单独蒸发，或同时蒸发。
[0086]
以制备方法中第四步为例，结合附图2，其工作过程如下：
[0087]
两个蒸发源分别为htl1蒸发源和bh1蒸发源，先将htl1蒸发源预热，打开该蒸发源上的蒸发源挡板22，使该蒸发源蒸发出htl1，当速率达到0.2nm/s 时，打开沉积挡板21，使htl1沉积在被沉积层23上，同时将bh1蒸发源预热，并关闭该蒸发源上的蒸发源挡板22，使bh1蒸发源的出口蒸发速率达 0.01nm/s(或0.2nm/s)；待htl1达到指定厚度(50nm)后，分2种情况：
[0088]
(1)若bh1蒸发源的蒸发速率为0.01nm/s时，将该蒸发源上的蒸发源挡板22打开，并关掉htl1蒸发源的电源，同时升高bh1蒸发源的功率使其温度上升，此时htl1蒸发源的蒸发速率下降，bh1蒸发源的蒸发速率上升，这样在被沉积层23上形成梯度掺杂的混合层；
[0089]
(2)若bh1蒸发源的蒸发速率为0.2nm/s时，将该蒸发源上的蒸发源挡板 22打开，让htl1蒸发源和bh1蒸发源同时沉积，在被沉积层23上形成浓度均匀的混合层；
[0090]
待混合层厚度达指定厚度时，将htl1蒸发源的蒸发源挡板22关闭，遮挡 htl1蒸发
源的蒸发，只衬底bh1发光层。
[0091]
通过增加蒸发源独立控制挡板，可以形成混合比例可控的混合层；且保证发光层沉积前薄膜的暴露真空时间为0，从而提高器件寿命。
[0092]
对比例1：一种发光二极管，采用发光层的空穴传输一侧含有梯度浓度混合的缓冲层结构，利用蓝光主体材料bh1作为发光材料，制备有机发光二极管(器件b1)，器件结构为：ito/hat-cn(10nm)/htl1(50nm)/htl1:bh1(gradient ratio, 1:1in volume,15nm)/bh1(20nm)/etl1(40nm)/liq(2nm)/al(100nm)。
[0093]
一种发光二极管的制备方法，该方法的制备步骤如下：
[0094]
第一步：将ito衬底依次放入盛有洗洁剂、丙酮、异丙醇、去离子水等溶剂的容器内进行超声清洗，每种溶剂超声15分钟，之后用氮气吹干，并利用臭氧处理15分钟。其后将其放入真空度低于7.0
×
10-4
pa的腔体中。
[0095]
第二步：利用真空热蒸镀的方法，在清洗干净的ito玻璃衬底上沉积一层 hat-cn，形成空穴注入层，其沉积速率为0.05nm/s，hat-cn空穴注入层的厚度为10nm。
[0096]
第三步：在hat-cn层上沉积一层htl1，形成空穴传输层，其沉积速率为 0.2nm/s，htl1的厚度为50nm。
[0097]
第四步：利用双源共蒸的方法，htl1的表面沉积一层htl1与发光层的混合层，其中htl1的蒸发速率由0.2nm/s逐渐降至0nm/s，bh1的蒸发速率由0nm/s 逐渐升至0.2nm/s；htl1:bh1混合层的总厚度为15nm。
[0098]
第五步：在htl1:bh1混合层上沉积一层bh1，形成发光层，其沉积速率为0.2nm/s,发光层的厚度为20nm.
[0099]
第六步：在htl1:bh1混合层表面沉积一层etl1，形成电子传输层，其沉积速率为0.2nm/s，etl1的厚度为40nm。
[0100]
第七步：在etl1表面沉积一层liq和al，形成复合双层阴极，其中liq 的沉积速率为0.05nm/s，厚度为3nm；al的沉积速率为0.4nm/s，厚度为100nm。
[0101]
对比例2：采用发光层的电子传输一侧含有梯度浓度混合的缓冲层结构，利用蓝光主体材料bh1作为发光材料，制备有机发光二极管(器件b2)，器件结构为：ito/hat-cn(10nm)/htl1(50nm)/bh1(20nm)/etl1:bh1(gradient ratio, 1:1in volume,15nm)/etl1(40nm)/liq(2nm)/al(100nm)。
[0102]
长寿命有机发光二极管的制备方法，该方法的制备步骤如下：
[0103]
第一步：将ito衬底依次放入盛有洗洁剂、丙酮、异丙醇、去离子水等溶剂的容器内进行超声清洗，每种溶剂超声15分钟，之后用氮气吹干，并利用臭氧处理15分钟。其后将其放入真空度低于7.0
×
10-4
pa的腔体中。
[0104]
第二步：利用真空热蒸镀的方法，在清洗干净的ito玻璃衬底上沉积一层 hat-cn，形成空穴注入层，其沉积速率为0.05nm/s，hat-cn空穴注入层的厚度为10nm。
[0105]
第三步：在hat-cn层上沉积一层htl1，形成空穴传输层，其沉积速率为 0.2nm/s，htl1的厚度为50nm。
[0106]
第四步：在htl1层上沉积一层bh1，形成发光层，其沉积速率为0.2nm/s, 发光层的厚度为20nm.
[0107]
第五步：利用双源共蒸的方法，bh1发光层表面沉积一层etl1:bh1的混合层，其中
etl1的蒸发速率由0nm/s逐渐升至0.2nm/s，bh1的蒸发速率由0.2 nm/s逐渐降至0nm/s，etl1:bh1混合层的总厚度为15nm。
[0108]
第六步：在htl1:bh1混合层表面沉积一层etl1，形成电子传输层，其沉积速率为0.2nm/s，etl1的厚度为40nm。
[0109]
第七步：在etl1表面沉积一层liq和al，形成复合双层阴极，其中liq 的沉积速率为0.05nm/s，厚度为3nm；al的沉积速率为0.4nm/s，厚度为100nm。
[0110]
对比例3：一种发光二极管，利用蓝光主体材料bh1作为发光材料，制备有机发光二极管(器件b3)，器件结构为：ito/hat-cn(10nm)/htl1(50 nm)/bh1(20nm)/etl1(40nm)/liq(2nm)/al(100nm)。
[0111]
一种发光二极管的制备方法，该方法的制备步骤如下：
[0112]
第一步：将ito衬底依次放入盛有洗洁剂、丙酮、异丙醇、去离子水等溶剂的容器内进行超声清洗，每种溶剂超声15分钟，之后用氮气吹干，并利用臭氧处理15分钟。其后将其放入真空度低于7.0
×
10-4
pa的腔体中。
[0113]
第二步：利用真空热蒸镀的方法，在清洗干净的ito玻璃衬底上沉积一层hat-cn，形成空穴注入层，其沉积速率为0.05nm/s，hat-cn空穴注入层的厚度为10nm。
[0114]
第三步：在hat-cn层上沉积一层htl1，形成空穴传输层，其沉积速率为 0.2nm/s，htl1的厚度为50nm。
[0115]
第四步：在htl上沉积一层bh1，形成发光层，其沉积速率为0.2nm/s,发光层的厚度为20nm.
[0116]
第五步：在bh1表面沉积一层etl1，形成电子传输层，其沉积速率为 0.2nm/s，etl1的厚度为40nm。
[0117]
第六步：在etl1表面沉积一层liq和al，形成复合双层阴极，其中liq 的沉积速率为0.05nm/s，厚度为3nm；al的沉积速率为0.4nm/s，厚度为100nm。
[0118]
对实施例与对比例制备得到的发光二极管进行性能比较：
[0119]
图3为实施例1使用混合缓冲层结构制备得到的蓝光有机发光二极管(器件a1)与对比例3中使用传统异质结构制备得到的蓝光有机发光二极管(器件 b3)的电致发光电流效率性能对比图，从图中可知，在60ma/cm2电流密度下器件a1的电流效率为3.22cd/a，而器件b3的电流效率为1.90cd/a，因此本发明使用的具有混合缓冲层结构的器件a1工作效率更高。
[0120]
图4为实施例1使用混合缓冲层结构制备得到的蓝光有机发光二极管(器件a1)与对比例3中使用传统异质结构制备得到的蓝光有机发光二极管(器件 b3)的电压电流性能对比图，从图中可知，从图中可知，在60ma/cm2电流密度下器件a1的驱动电压为6.89v，而器件b3的驱动电压为5.52v，因此本发明使用的具有混合缓冲层结构的器件a1驱动电压更高。
[0121]
图5为实施例1使用混合缓冲层结构制备得到的蓝光有机发光二极管(器件a1)与对比例3中使用传统异质结构制备得到的蓝光有机发光二极管(器件 b3)的电致发光光谱对比图，从图中可知，在60ma/cm2电流密度下器件a1 的最大发光峰位于486nm，而器件b3的最大发光峰位于455nm，器件a1相比于器件b3的发光光谱发生了红移，但仍可保持蓝光发光。
[0122]
图6为实施例1使用混合缓冲层结构制备得到的蓝光有机发光二极管(器件a1)与
对比例3中使用传统异质结构制备得到的蓝光有机发光二极管(器件 b3)在60ma/cm2恒定电流驱动下的工作寿命对比图，从图中可知，在相同电流密度驱动下，器件a1衰减至其初始亮度的90％时的工作寿命为83小时，而器件b3的寿命为8小时，因此使用混合缓冲层结构制备得到的蓝光有机发光二极管(器件a1)具有比使用传统异质结构制备得到的蓝光有机发光二极管(器件 b3)更长的寿命。
[0123]
图7为实施例1(器件a1)、对比例1(器件b1)和对比例2(器件b2) 在60ma/cm2恒定电流驱动下的工作寿命对比图，其中器件a1是同时在发光层电子和空穴传输层侧有混合过渡层，器件b1是仅在发光层的空穴传输层侧有混合过渡层，器件b2是仅在发光层的电子传输层侧有混合缓冲层。从图中可知，在60ma/cm2恒定电流驱动下，器件b2衰减至其初始亮度的90％时的工作寿命为10小时，而器件b1、a1的寿命分别为46小时、83小时，因此在发光层靠近空穴传输层一侧使用混合缓冲层具有更好的延长器件工作寿命的效果，且混合缓冲层中的各组分按梯度浓度混合时的效果最佳。
[0124]
对实施例1(器件a1)和对比例3(器件b3)制备得到的蓝光oled器件的性能进行检测，得到的检测结果如下表1：
[0125][0126]
a)
表示在60ma/cm2电流密度下对应的器件参数；
b)
表示器件在60ma/cm2恒定电流驱动下器件从初始亮度衰减至其90％时的时间。
[0127]
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。