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掩膜版结构及其制作方法、光刻方法与流程

2022-02-20 04:25:40 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种掩膜版结构,其特征在于,包括:基板,包括:相对设置的第一表面和第二表面;透光的第一保护膜,覆盖所述第一表面,用于保护所述第一表面上的掩膜图形;第二保护膜,可拆卸的覆盖所述第二表面,用于覆盖在所述第二表面时保护所述第二表面;其中,所述第二保护膜与所述第二表面分离时,显露所述第二表面。2.根据权利要求1所述的掩膜版结构,其特征在于,所述第一表面包括:向所述第二表面下凹的凹槽结构;所述掩膜版结构还包括:支撑结构,位于所述凹槽结构与所述第一保护膜之间;其中,所述支撑结构相对远离所述凹槽结构的第一侧用于固定所述第一保护膜,所述支撑结构相对靠近所述凹槽结构的第二侧与所述凹槽结构卡接。3.根据权利要求2所述的掩膜版结构,其特征在于,所述支撑结构的第二侧与所述凹槽结构固定连接;或,所述支撑结构的第二侧与所述凹槽结构可拆卸连接。4.根据权利要求1所述的掩膜版结构,其特征在于,所述第二保护膜,可拆卸的覆盖所述第二表面,包括:所述第二保护膜,通过静电吸附的方式覆盖所述第二表面。5.根据权利要求1所述的掩膜版结构,其特征在于,所述第一保护膜在所述第一表面上的第一投影覆盖所述掩膜图形;所述第二保护膜在所述第二表面上的第二投影覆盖所述第二表面;其中,所述第二投影大于或等于所述第一投影。6.根据权利要求1所述的掩膜版结构,其特征在于,所述掩膜版结构还包括:第三保护膜,可拆卸的覆盖所述第一保护膜相对远离所述第一表面的第三表面,用于覆盖在所述第三表面时保护所述第三表面;其中,所述第三保护膜与所述第三表面分离时,显露所述第三表面。7.根据权利要求6所述的掩膜版结构,其特征在于,所述第三保护膜,可拆卸的覆盖所述第一保护膜相对远离所述第一表面的第三表面,包括:所述第三保护膜,通过静电吸附的方式覆盖所述第三表面。8.根据权利要求1至7任一项所述的掩膜版结构,其特征在于,所述第二保护膜的组成材料包括:静电吸附材料。9.一种掩膜版结构的制作方法,其特征在于,包括:提供基板;其中,所述基板包括相对设置的第一表面和第二表面;形成覆盖所述第一表面的透光的第一保护膜;其中,所述第一保护膜用于保护所述第一表面上的掩膜图形;形成覆盖所述第二表面的可拆卸的第二保护膜;其中,所述第二保护膜用于在覆盖所述第二表面时保护所述第二表面;所述第二保护膜还用于在与所述第二表面分离时,显露所述第二表面。10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,在形成覆盖所述第一表面的透光的第一
保护膜之前,所述方法还包括:在所述第一表面形成向所述第二表面下凹的凹槽结构;形成与所述凹槽结构卡接的支撑结构;所述形成覆盖所述第一表面的透光的第一保护膜,包括:在所述支撑结构相对远离所述凹槽结构的一侧形成所述第一保护膜;其中,所述支撑结构相对远离所述凹槽结构的一侧用于固定所述第一保护膜。11.一种光刻方法,其特征在于,所述方法采用如权利要求1至8任一项所述的掩膜版结构,包括:在执行光刻工艺之前,去除所述第二保护膜,以显露所述第二表面;利用所述掩膜版结构对目标区域执行所述光刻工艺,以将所述掩膜图形显影至所述目标区域;其中,所述第二表面相对靠近所述光刻工艺的曝光光源。12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:在执行所述光刻工艺之后,形成覆盖所述第二表面的可拆卸的所述第二保护膜。

技术总结
本公开实施例公开了一种掩膜版结构及其制作方法、光刻方法。所述掩膜版结构包括:基板,包括:相对设置的第一表面和第二表面;透光的第一保护膜,覆盖所述第一表面,用于保护所述第一表面上的掩膜图形;第二保护膜,可拆卸的覆盖所述第二表面,用于覆盖在所述第二表面时保护所述第二表面;其中,所述第二保护膜与所述第二表面分离时,显露所述第二表面。显露所述第二表面。显露所述第二表面。


技术研发人员:张翩 姜鹏 孙畅 谭锦丹
受保护的技术使用者:长江存储科技有限责任公司
技术研发日:2021.09.06
技术公布日:2022/1/7
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