1.本实用新型涉及电磁技术领域，尤其涉及一种烧结钕铁硼磁体无磁闭路效应的电镀层结构。
背景技术：
2.在烧结钕铁硼行业，通常采用磁体 镍层 铜层 镍层的三层镀层结构即镍铜镍镀层结构。
3.传统的镍铜镍镀层结构也有许多优点，比如：烧结钕铁硼磁体比较脆，容易碎、断裂和崩边，碎、断裂和崩边问题会使磁体失去磁功能，而镍和铜都有比较好的韧性和延展性，用镍和铜作为镀层把易碎的磁体包裹上之后，磁体就变得结实，从而提高了磁体的抗震动、抗压、抗撞击等环境，且镍也有很好的耐腐蚀性；
4.但是镍属于铁磁性金属，其底层镍对磁体来说具有磁闭路的作用，磁闭路对磁体磁通量衰减率的负面影响比磁屏蔽更为严重，会使磁体的磁通量明显衰减，并使热减磁率明显升高，即直接在磁体上电镀镍会严重降低磁体的磁通量，同时提高磁体的热减磁率。
技术实现要素：
5.本实用新型的目的是为了解决镍属于铁磁性金属，其底层镍对磁体来说具有磁闭路的作用，磁闭路对磁体磁通量衰减率的负面影响比磁屏蔽更为严重，会使磁体的磁通量明显衰减，并使热减磁率明显升高，即直接在磁体上电镀镍会严重降低磁体的磁通量，同时提高磁体的热减磁率的问题，而提出的一种烧结钕铁硼磁体无磁闭路效应的电镀层结构。
6.为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：
7.一种烧结钕铁硼磁体无磁闭路效应的电镀层结构，包括：包裹在烧结钕铁硼磁体件上的磷化膜层；包裹在所述磷化膜层上的底镍层；包裹在所述底镍层上的铜层；包裹在铜层上的表镍层。
8.为了提高对烧结钕铁硼磁体件的保护效果，优选地，所述磷化膜层的厚度为0.5-3微米。
9.为了提高对烧结钕铁硼磁体件的保护效果，进一步地，所述磷化膜层为锌系磷化膜。
10.为了提高对烧结钕铁硼磁体件的保护效果，进一步地，所述磷化膜层为锰系磷化膜。
11.为了提高对烧结钕铁硼磁体件的保护效果，优选地，所述底镍层的厚度为1-3微米。
12.为了提高对烧结钕铁硼磁体件的保护效果，优选地，所述铜层的厚度为4-7微米。
13.为了提高对烧结钕铁硼磁体件的保护效果，优选地，所述表镍层的厚度为4-7微米。
14.为了提高表镍层作为表面时的光亮度，进一步地，所述表镍层为亚光/光表镍层。
15.与现有技术相比，本实用新型提供了一种烧结钕铁硼磁体无磁闭路效应的电镀层结构，具备以下有益效果：
16.该装置中未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现，本实用新型使用简单，通过磷化后电镀镍铜镍的镀层结构，不存在磁闭路，其镀层磁通衰减率相对比较低，热减磁率也比较低，与单纯镍铜镍镀层结构的磁体相比，镀层结合力有提升，盐雾和高温烘烤水平相当。
附图说明
17.图1为本实用新型提出的一种烧结钕铁硼磁体无磁闭路效应的电镀层结构的结构示意图；
18.图2为本实用新型提出的一种烧结钕铁硼磁体无磁闭路效应的电镀层结构的立体结构示意图。
19.图中：1、烧结钕铁硼磁体件；2、磷化膜层；3、底镍层；4、铜层；5、表镍层。
具体实施方式
20.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。
21.在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
22.实施例1：
23.参照图1，一种烧结钕铁硼磁体无磁闭路效应的电镀层结构，包括：包裹在烧结钕铁硼磁体件1上的磷化膜层2，磷化膜层2的厚度为0.5-3微米；包裹在磷化膜层2上的底镍层3，底镍层3的厚度为1-3微米；包裹在底镍层3上的铜层4，铜层4的厚度为4-7微米；包裹在铜层4上的表镍层5，表镍层5的厚度为4-7微米。
24.使用者使用时，首先，可以对烧结钕铁硼磁体件1进行倒角、除油、酸洗和超声波水洗的前处理；
25.然后磷化，使用网眼式5kg滚筒，装上15*15*1tmm磁体产品2.5kg，转速7-9转/分钟，采用锌系磷化液100升，蒸汽加热40
±
2℃控温，ph2.0
±
0.2，磷化2-3分钟，提出滚筒，纯水水洗；
26.再在磷化膜层2上采用硫酸盐电镀液电镀一层底镍层3；在镍层3上，采用焦磷酸铜电镀液电镀一层铜层4；最后，在铜层4上，采用硫酸盐电镀液电镀一层亚光或者光表镍层5，将表镍层5做表层。
[0027][0028][0029]
表1：实验数据表
[0030]
通过使用规格为15*15*1t(mm)，牌号为40h的磁片进行镀种对比，采用磷化膜层2的镍铜镍镀层结构的磁体，热减磁率降低了约3％，镀层结合力提高了3n/mm2，盐雾和高温烘烤的水平相当；
[0031]
实施例2：
[0032]
一种烧结钕铁硼磁体无磁闭路效应的电镀层结构，包括：包裹在烧结钕铁硼磁体件1上的磷化膜层2，磷化膜层2的厚度为0.5-3微米；包裹在磷化膜层2上的底镍层3，底镍层3的厚度为1-3微米；包裹在底镍层3上的铜层4，铜层4的厚度为4-7微米；包裹在铜层4上的表镍层5，表镍层5的厚度为4-7微米。
[0033]
使用者使用时，首先，可以对烧结钕铁硼磁体件1进行倒角、除油、酸洗和超声波水洗的前处理；
[0034]
然后磷化，使用网眼式5kg滚筒，装上15*15*1tmm磁体产品2.5kg，转速7-9转/分钟，采用锰系磷化液100升，蒸汽加热40
±
2℃控温，ph2.0
±
0.2，磷化2-3分钟，提出滚筒，纯水水洗；
[0035]
再在磷化膜层2上采用硫酸盐电镀液电镀一层底镍层3；在镍层3上，采用焦磷酸铜电镀液电镀一层铜层4；最后，在铜层4上，采用硫酸盐电镀液电镀一层亚光或者光表镍层5，将表镍层5做表层；
[0036]
本实用新型使用简单，通过磷化后电镀镍铜镍的镀层结构，不存在磁闭路，其镀层磁通衰减率相对比较低，热减磁率也比较低，与单纯镍铜镍镀层结构的磁体相比，镀层结合力有提升，盐雾和高温烘烤水平相当。
[0037]
以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用
新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
技术特征：
1.一种烧结钕铁硼磁体无磁闭路效应的电镀层结构，其特征在于，包括：包裹在烧结钕铁硼磁体件(1)上的磷化膜层(2)；包裹在所述磷化膜层(2)上的底镍层(3)；包裹在所述底镍层(3)上的铜层(4)；包裹在铜层(4)上的表镍层(5)。2.根据权利要求1所述的一种烧结钕铁硼磁体无磁闭路效应的电镀层结构，其特征在于，所述磷化膜层(2)的厚度为0.5-3微米。3.根据权利要求2所述的一种烧结钕铁硼磁体无磁闭路效应的电镀层结构，其特征在于，所述磷化膜层(2)为锌系磷化膜。4.根据权利要求2所述的一种烧结钕铁硼磁体无磁闭路效应的电镀层结构，其特征在于，所述磷化膜层(2)为锰系磷化膜。5.根据权利要求1所述的一种烧结钕铁硼磁体无磁闭路效应的电镀层结构，其特征在于，所述底镍层(3)的厚度为1-3微米。6.根据权利要求1所述的一种烧结钕铁硼磁体无磁闭路效应的电镀层结构，其特征在于，所述铜层(4)的厚度为4-7微米。7.根据权利要求1所述的一种烧结钕铁硼磁体无磁闭路效应的电镀层结构，其特征在于，所述表镍层(5)的厚度为4-7微米。8.根据权利要求1所述的一种烧结钕铁硼磁体无磁闭路效应的电镀层结构，其特征在于，所述表镍层(5)为亚光/光表镍层。
技术总结
本实用新型公开了一种烧结钕铁硼磁体无磁闭路效应的电镀层结构，属于电磁技术领域。一种烧结钕铁硼磁体无磁闭路效应的电镀层结构，包括：包裹在烧结钕铁硼磁体件上的磷化膜层；包裹在所述磷化膜层上的底镍层；包裹在所述底镍层上的铜层；包裹在铜层上的表镍层；本实用新型使用简单，通过磷化后电镀镍铜镍的镀层结构，不存在磁闭路，其镀层磁通衰减率相对比较低，热减磁率也比较低，与单纯镍铜镍镀层结构的磁体相比，镀层结合力有提升，盐雾和高温烘烤水平相当。温烘烤水平相当。温烘烤水平相当。
技术研发人员：郝志平 王佳兴 朴永虎 张旭辉
受保护的技术使用者：包头麦戈龙科技有限公司
技术研发日：2021.08.11
技术公布日：2022/1/7
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