发光结构的制作方法

技术特征：
1.一种发光结构，其特征在于，包括：基板；子像素堆叠，在所述基板上方；堤部，在所述基板上包围所述子像素堆叠并且在所述子像素堆叠上方形成腔；第一填充材料，在所述空腔中；以及第二填充材料，在所述第一填充材料上方；其中所述子像素堆叠沿垂直于所述子像素堆叠的顶面的轴上方向发射第一发射峰，并且沿与所述轴上方向成一定角度的离轴方向发射第二发射峰；其中所述第一发射峰透过所述第一填充材料与所述第二填充材料之间的界面发射且没有反射；其中来自所述子像素堆叠的所述第二发射峰被所述界面完全反射到所述堤部的倾斜侧壁上，并且从所述堤部的倾斜侧壁反射的所述第二发射峰沿着所述轴上方向透过所述界面发射且没有反射；并且其中所述子像素堆叠的发光区域被配置为使得所述第二发射峰在到达所述堤部的所述倾斜侧壁之前被所述界面反射不多于一次。2.如权利要求1所述发光结构，其特征在于，所述子像素堆叠的所述发光区域的最小宽度基于所述第一填充材料的厚度以及所述第一发射峰的所述轴上方向与所述第二发射峰的所述离轴方向之间的角度来配置。3.如权利要求1所述发光结构，其特征在于，所述第一发射峰沿着所述轴上方向透过所述界面在所述发光结构的中心区域中发射；被所述堤部的所述倾斜侧壁反射的所述第二发射峰沿着所述轴上方向在所述发光结构的外围区域中透过所述界面发射；并且轴上亮度增强且具有角度的离轴色偏减小。4.如权利要求1所述发光结构，其特征在于，所述第一发射峰沿着轴上方向透过所述界面在与所述堤部的底边邻接的发光结构的周边区域发射；被所述堤部的所述倾斜侧壁反射的所述第二发射峰沿着所述轴上方向透过所述界面在所述发光结构的与所述外围区域相对的另一外围区域中发射；并且轴上亮度增强且具有角度的离轴色偏减小。5.如权利要求1所述发光结构，其特征在于，还包括：另一子像素堆叠，设置成与所述子像素堆叠紧邻；其中所述另一子像素堆叠发射所述第一发射峰值和所述第二发射峰值，并且具有与所述子像素堆叠的发光区域相同的发光区域。6.如权利要求5所述发光结构，其特征在于，所述子像素堆叠和是另一子像素堆叠被相同的控制信号控制。7.如权利要求1所述发光结构，其特征在于，所述第二填充材料具有的第二折射率等于或低于所述第一填充材料的第一折射率。8.如权利要求1所述发光结构，其特征在于，所述发光区域具有以下形状之一：矩形形状；正方形状；
椭圆形状；圆形状；以及三角形状。9.如权利要求1所述发光结构，其特征在于，所述堤部的倾斜侧壁与所述子像素堆叠的上表面之间的角度是所述第一发射峰的所述轴上方向与所述第二发射峰的所述离轴方向之间的角度的一半。10.如权利要求1所述发光结构，其特征在于，所述子像素堆叠包括：在第一传输层和第二传输层之间的发光层；耦合到所述第一传输层的第一电极层；以及耦合到所述第二传输层的第二电极层。11.如权利要求10所述发光结构，其特征在于，所述发光层包括量子点发光材料；所述第一传输层包括空穴传输层；所述第二传输层包括电子传输层；所述第一电极层为阳极层，所述阳极层包括用于反射从所述发光层发射的光的金属反射器；以及所述第二电极层为包括非金属且透明的材料的阴极层。12.如权利要求10所述发光结构，其特征在于，所述发光层包括量子点发射材料；所述第一传输层包括电子传输层；所述第二传输层包括空穴传输层；所述第一电极层为阴极层，所述阴极层包括用于反射从所述发光层发射的光的金属反射器；以及所述第二电极层是包括透明非金属材料的材料的阳极层。13.一种显示装置，其特征在于包括如权利要求1所述的发光结构。14.一种发光结构，其特征在于，包括：基板；多个子像素结构，在所述基板上方，所述多个子像素结构的每个具有相同的发光区域；所述多个子像素结构中的至少一个包括：子像素堆叠，在所述基板上方；堤部，在所述基板上包围所述子像素堆叠并且在所述子像素堆叠上方形成腔；第一填充材料，在所述空腔中；以及第二填充材料，在所述第一填充材料上方，所述第二填充材料具有的第二折射率等于或低于所述第一填充材料的第一折射率；其中所述子像素堆叠沿垂直于所述子像素堆叠的顶面的轴上方向发射第一发射峰，并且沿与所述轴上方向成一定角度的离轴方向发射第二发射峰；其中所述第一发射峰透过所述第一填充材料与所述第二填充材料之间的界面发射且没有反射；其中来自所述子像素堆叠的所述第二发射峰被所述界面完全反射到所述堤部的倾斜
侧壁上，并且从所述堤部的倾斜侧壁反射的所述第二发射峰沿着所述轴上方向透过所述界面发射且没有反射；并且其中所述第二发射峰在到达所述堤部的所述倾斜侧壁之前被所述界面反射不多于一次。15.如权利要求14所述发光结构，其特征在于，所述发光区域的最小宽度基于所述第一填充材料的厚度以及所述第一发射峰的所述轴上方向与所述第二发射峰的所述离轴方向之间的角度来配置。16.如权利要求14所述发光结构，其特征在于，所述堤部的倾斜侧壁与所述子像素堆叠的上表面之间的角度是所述第一发射峰的所述轴上方向与所述第二发射峰的所述离轴方向之间的角度的一半。17.如权利要求14所述发光结构，其特征在于，所述多个子像素结构的所述发光区域具有以下形状之一：矩形形状；正方形状；椭圆形状；圆形状；以及三角形状。18.如权利要求14所述发光结构，其特征在于，所述子像素堆叠包括：在第一传输层和第二传输层之间的发光层；耦合到所述第一传输层的第一电极层；以及耦合到所述第二传输层的第二电极层。19.如权利要求18所述发光结构，其特征在于，所述发光层包括量子点发射材料；所述第一传输层包括空穴传输层；所述第二传输层包括电子传输层；所述第一电极层为阳极层，所述阳极层包括用于反射从所述发光层发射的光的金属反射器；以及所述第二电极层为包括透明非金属材料的阴极层。20.如权利要求18所述发光结构，其特征在于，所述发光层包括量子点发射材料；所述第一传输层包括电子传输层；所述第二传输层包括空穴传输层；所述第一电极层为阴极层，所述阴极层包括用于反射从所述发光层发射的光的金属反射器；以及所述第二电极层是包括透明非金属材料材料的阳极层。

技术总结
一种发光结构，包括围绕基板上的子像素堆叠的堤部、子像素堆叠上方的内部空间中的第一填充材料以及第一填充材料上方的第二填充材料。子像素堆叠沿着基本上垂直于子像素堆叠的顶表面的轴上方向透过第一和第二填充材料之间的界面发射第一发射峰。子像素堆叠沿离轴方向发射第二发射峰，该第二发射峰在到达斜坡的倾斜侧壁之前被界面全内反射，然后沿离轴方向发射。子像素堆叠的发光区域被配置成使得第二发射峰在到达倾斜侧壁之前被界面反射不多于一次。一次。一次。


技术研发人员：大卫
受保护的技术使用者：夏普株式会社
技术研发日：2021.06.17
技术公布日：2022/1/6