一种高纯球形硅微粉的生产方法与流程

技术特征：
1.一种高纯球形硅微粉的生产方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)二氧化硅晶种母液制备配制ph值在8
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12的碱溶液，搅拌升温至沸，在搅拌条件下，加入所述活性硅酸溶液，混合过程中控制混合溶液的ph值保持在8
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12，添加完毕后继续保温搅拌0.5
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1h，撤去热源，静置12
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36h，制得所述二氧化硅晶种母液；其中，所述碱溶液与所述活性硅酸溶液的混合体积比为1：(3
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5)；(2)生成二氧化硅胶粒将所述二氧化硅晶种母液加热至沸，在搅拌条件下，加入活性硅酸溶液，所述二氧化硅晶种母液与所述活性硅酸溶液的混合体积比例为1：(1
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2)，混合过程中控制混合溶液体系的ph值保持在8
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12，添加完毕后继续保温搅拌0.5
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1h；保温完成后，边搅拌边滴加三氟甲磺酸盐溶液，滴加完成后第二次加入活性硅酸溶液，所述二氧化硅晶种母液与所述活性硅酸溶液的混合体积比例为1：(1
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2)，混合过程中控制混合溶液体系的ph值保持在8
‑
12，添加完毕后继续保温搅拌0.5
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1h；超滤浓缩后静置12
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36h，得到二氧化硅溶胶；其中，所述三氟甲磺酸盐溶液的浓度在0.1
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1wt.％，所述三氟甲磺酸盐溶液与所述二氧化硅晶种母液的混合体积比为(0.1
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1)：100；(3)干燥稳定将所述二氧化硅溶胶进行喷雾干燥后制得初产物微球，将所述初产物微球转入高温炉中进行高温热处理，待冷却至室温后制得所述球形硅微球。2.根据权利要求1所述的一种高纯球形硅微粉的生产方法，其特征在于，所述碱溶液为氢氧化钠或氢氧化钾溶液。3.根据权利要求1所述的一种高纯球形硅微粉的生产方法，其特征在于，所述活性硅酸溶液的制备方法为：将硅酸钠溶液依次通过强酸型阳离子交换树脂和弱碱型阴离子交换树脂进行离子交换，除去钠离子和阳、阴离子杂质，制得所述活性硅酸溶液，所述硅酸钠溶液的质量浓度在8％
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24％。4.根据权利要求3所述的一种高纯球形硅微粉的生产方法，其特征在于，所述强酸型阳离子交换树脂为强酸性聚苯乙烯阳离子交换树脂，所述弱碱型阴离子交换树脂为d301型阴离子交换树脂。5.根据权利要求1所述的一种高纯球形硅微粉的生产方法，其特征在于，所述生产方法还包括以下步骤：(4)将热处理产物分散在盐酸溶液中，加入溶液体积0.1
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1％的质量浓度为30％的过氧化氢溶液，低速搅拌过夜，滤出沉淀并以去离子水洗涤至中性，得到表面活化产物微球；(5)将所述活化产物微球加入到所述二氧化硅晶种母液和活性硅酸的混合溶液中，加热至沸后保温搅拌反应10
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60min，滤出产物，沉淀依次以稀的硅酸钠溶液和去离子水洗涤，干燥；(6)将干燥产物转入高温炉中进行高温热处理，待冷却至室温后制得所述高纯球形硅微球。6.根据权利要求5所述的一种高纯球形硅微粉的生产方法，其特征在于，所述二氧化硅晶种母液和活性硅酸的混合溶液中，所述二氧化硅晶种母液和所述活性硅酸的混合体积比
为1：(1
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2)；所述活化产物微球与所述混合溶液的料液比为(1
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10)g/100ml。7.根据权利要求1所述的一种高纯球形硅微粉的生产方法，其特征在于，所述高温热处理的处理温度在800
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1200℃，处理时间为1
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6h。8.根据权利要求5所述的一种高纯球形硅微粉的生产方法，其特征在于，所述生产方法还包括以下步骤：(7)将正硅酸乙酯按体积比1：2稀释溶解在无水乙醇中，得到溶液a，将市售25％的氨水溶液按体积比例(1
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2)：20稀释溶解在无水乙醇中，得到溶液b，在搅拌条件下，将所述溶液a逐滴滴加到所述溶液b中，滴加完毕后继续搅拌反应1
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2h，2000rpm低速离心处理(1
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10)min，去除沉淀后再在(10000
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12000)rpm下高速离心处理20min，分离沉淀并依次用无水乙醇和去离子水洗涤，干燥后制得二氧化硅纳米粒子；将所述二氧化硅纳米粒子超声分散在甲苯中，滴加二氯二甲基硅烷，继续超声分散处理，再在室温下搅拌反应12
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24h后分离沉淀产物并依次以甲苯和无水乙醇洗涤，干燥后制得改性二氧化硅纳米粒子；其中，所述溶液a与所述溶液b的混合体积比例为2：(14
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15)；所述二氧化硅纳米粒子与甲苯的分散料液比为1g/100ml，所述二氯二甲基硅烷与所述甲苯的混合体积比例为(1
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2)：100；(8)将步骤(5)得到的干燥产物分散在市售25％的氨水溶液中，得到溶液c，将所述改性二氧化硅纳米粒子分散在甲苯溶液中，得到溶液d，按体积比例1：2将所述溶液c和所述溶液d混合，经超声乳化后加入正硅酸乙酯，继续搅拌反应12
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24h后，分离沉淀产物并依次以甲苯和无水乙醇洗涤，干燥后进行高温热处理制得所述高纯球形硅微球；其中，所述正硅酸乙酯与所述溶液c的体积比例为1：2。

技术总结
本发明提供一种高纯球形硅微粉的生产方法，属于电子封装材料领域，具体依次包括以下步骤：晶种母液、胶粒生长、胶粒二次生长以及胶粒增大，再经干燥稳定后制得所述球形硅微球，本发明在常规胶粒制备方法基础上，通过加入疏水性的三氟甲磺酸阴离子破坏双电层结构，提高了胶粒表面的结晶活性，再经二次生长提高了大粒径胶粒的硅酸聚合速度，增大胶粒粒径，满足硅微粉的粒径和规则度要求。硅微粉的粒径和规则度要求。


技术研发人员：钮计芹
受保护的技术使用者：江苏海格新材料有限公司
技术研发日：2021.11.17
技术公布日：2022/1/4