半导体元件结构及接合二基板的方法与流程

技术特征：
1.一种半导体元件结构，其特征在于，包括:第一电路结构，形成在第一基板上；第一测试垫，设置在所述第一基板上；第二电路结构，形成在第二基板上；以及第二测试垫，设置在所述第二基板上，其中所述第一电路结构的第一连接垫是接合到所述第二电路结构的第二连接垫，且所述第一测试垫与所述第二测试垫的其一是内垫，而所述第一测试垫与所述第二测试垫的另其一是外垫，其中所述外垫环绕所述内垫。2.根据权利要求1所述的半导体元件结构，其特征在于，还包括:第一引线电路，设置在所述第一基板上以连接到所述第一测试垫；以及第二引线电路，设置在所述第二基板上以连接到所述第二测试垫。3.根据权利要求2所述的半导体元件结构，其特征在于，所述第一引线电路及所述第二引线电路分别提供用于测试的测试端点。4.根据权利要求2所述的半导体元件结构，其特征在于，所述内垫包括至少一垫，且所述外垫包括环形垫。5.根据权利要求4所述的半导体元件结构，其特征在于，所述至少一垫包括圆垫、长方形垫、三角形垫、方形垫或是几何形垫，其中所述环形垫包括至少一圆环垫、长方形环垫、三角形环垫、方形环垫或是几何形环垫。6.根据权利要求4所述的半导体元件结构，其特征在于，所述至少一垫是具有圆形、长方形、方形或几何形的单一个垫、其中所述环形垫是均匀环绕所述单一个垫的环形状。7.根据权利要求1所述的半导体元件结构，其特征在于，所述内垫包括至少一第一垫，且所述外垫包括多个第二垫，构成一分布环绕所述内垫。8.根据权利要求7所述的半导体元件结构，其特征在于，所述至少一第一垫包括圆垫、长方形垫、三角形垫、方形垫或是几何形垫。9.根据权利要求7所述的半导体元件结构，其特征在于，所述至少一第一垫具有圆形、长方形、三角形、方形或几何形的单一个垫、其中所述多个第二垫是均匀环绕所述单一个垫的环形状。10.根据权利要求1所述的半导体元件结构，其特征在于，所述内垫是单个圆垫、单个长方形垫、单个三角形垫、单个方形垫或是单个几何形垫，其中所述外垫对应所述内垫是圆形环、长方形环、三角形环、方形环或是几何形环。11.一种接合二基板的方法，其特征在于，包括:提供第一基板，其中所述第一基板上形成有第一电路结构以及第一测试垫；提供第二基板，其中所述第二基板上形成有第二电路结构以及第二测试垫；以及接合所述第一电路结构的第一连接垫与所述第二电路结构的第二连接垫，同时所述第一测试垫与所述第二测试垫的其一构成内垫，而所述第一测试垫与所述第二测试垫的另其一构成外垫，其中在接合所述第一电路结构与所述第二电路结构后，所述外垫环绕所述内垫。12.根据权利要求11所述的接合二基板的方法，其特征在于，所提供的所述第一基板还包括第一引线电路连接到所述第一测试垫，其中所提供的所述第二基板还包括第二引线电
路连接到所述第二测试垫。13.根据权利要求12所述的接合二基板的方法，其特征在于，所提供的所述第一引线电路与所述第二引线电路分别提供用于测试的测试端点。14.根据权利要求11所述的接合二基板的方法，其特征在于，所提供的所述内垫包括至少一垫，且所述外垫包括环形垫。15.根据权利要求14所述的接合二基板的方法，其特征在于，所提供的所述至少一垫包括圆垫、长方形垫、三角形垫、方形垫或是几何形垫，其中所述环形垫包括至少一圆环垫、长方形环垫、三角形环垫、方形环垫或是几何形环垫。16.根据权利要求14所述的接合二基板的方法，其特征在于，所述至少一垫是具有圆形、长方形、三角形、方形或几何形的单一个垫、其中所述环形垫是均匀环绕所述单一个垫的环形状。17.根据权利要求11所述的接合二基板的方法，其特征在于，所提供的所述内垫包括至少一第一垫，且所提供的所述外垫包括多个第二垫，构成一分布环绕所述内垫。18.根据权利要求17所述的接合二基板的方法，其特征在于，所述至少一第一垫包括圆垫、长方形垫、三角形垫、方形垫或是几何形垫。19.根据权利要求17所述的接合二基板的方法，其特征在于，所述至少一第一垫具有圆形、长方形、三角形、方形或几何形的单一个垫、其中所述多个第二垫是均匀环绕所述单一个垫的环形状。20.根据权利要求11所述的接合二基板的方法，其特征在于，所述内垫是单个圆垫、单个长方形垫、单个三角形垫、单个方形垫或是单个几何形垫，其中所述外垫对应所述内垫是圆形环、长方形环、三角形环、方形环或是几何形环。

技术总结
本发明公开一种半导体元件结构及接合二基板的方法，其中该半导体元件结构包括第一电路结构，形成在第一基板上。第一测试垫，设置在所述第一基板上。第二电路结构形成在第二基板上。第二测试垫设置在所述第二基板上。所述第一电路结构的第一连接垫是接合到所述第二电路结构的第二连接垫，且所述第一测试垫与所述第二测试垫的其一是内垫，而所述第一测试垫与所述第二测试垫的另其一是外垫，其中所述外垫环绕所述内垫。环绕所述内垫。环绕所述内垫。


技术研发人员：盛志瑞 陈慧玲 郭忠幸 叶俊廷 林明哲 许荐恩
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司
技术研发日：2020.07.03
技术公布日：2022/1/3