基于立体栅场板结构的半导体器件及其制作方法与流程

技术特征：
1.一种基于立体栅场板结构的半导体器件，包括：基材，形成在基材中的体区、漂移区、源极接触区和漏极接触区，以及，栅极和与栅极互联的栅场板，所述基材上设置有第一导电通孔、第二导电通孔，所述第一导电通孔、第二导电通孔分别与源极、漏极配合；所述基材、体区为第一导电类型，所述源极接触区、漏极接触区和漂移区为第二导电类型；其特征在于：所述漂移区内还具有至少一个凹槽，所述栅场板的局部还延伸设置在所述凹槽内，且所述栅场板与所述凹槽之间还设置有第一绝缘层。2.根据权利要求1所述基于立体栅场板结构的半导体器件，其特征在于：所述栅场板连续覆设在所述漂移区的表面以及所述凹槽的内壁上。3.根据权利要求1或2所述基于立体栅场板结构的半导体器件，其特征在于：所述第一绝缘层连续覆设在所述漂移区的表面以及所述凹槽的内壁上，所述栅场板设置在所述第一绝缘层上。4.根据权利要求3所述基于立体栅场板结构的半导体器件，其特征在于：所述凹槽的深度与漂移区的厚度之比小于1∶1。5.根据权利要求1所述基于立体栅场板结构的半导体器件，其特征在于：所述漂移区内设置有一个连续的凹槽，所述漂移区上设置有一个连续的栅场板，或者，所述漂移区内间隔设置多个凹槽，所述漂移区上设置有一个连续的栅场板，所述栅场板与所述多个凹槽相匹配，或者，所述漂移区内间隔设置有多个凹槽，所述漂移区上间隔设置有多个栅场板，每一所述栅场板与一凹槽相匹配，且所述多个栅场板均与所述栅极互联。6.根据权利要求1所述基于立体栅场板结构的半导体器件，其特征在于：所述栅极与所述基材之间还设置有第二绝缘层；优选的，所述第二绝缘层的材质包括二氧化硅；和/或，所述第一绝缘层的材质包括二氧化硅，优选的，所述第一绝缘层的厚度与第二绝缘层厚度之比大于1∶1；和/或，所述基材的材质包括硅。7.根据权利要求1所述基于立体栅场板结构的半导体器件，其特征在于：所述体区和漂移区是通过离子注入和加热扩散的方式对所述基材的局部加工形成；优选的，所述源极接触区是通过离子注入和加热扩散的方式对所述体区的局部加工形成的，所述漏极接触区是通过离子注入和加热扩散的方式对所述漂移区的局部加工形成的。8.如权利要求1-7中任一项所述的基于立体栅场板结构的半导体器件的制作方法，其特征在于包括：提供基材，所述基材内分布有体区、漂移区、源极接触区、漏极接触区；在所述基材上形成栅极；在所述漂移区内加工形成至少一个凹槽；在所述漂移区的表面以及所述凹槽的内壁上形成第一绝缘层，并在所述第一绝缘层上形成与栅极互联的栅场板，并使所述栅场板的局部延伸设置在所述凹槽内；以及分别制作与所述源极接触区、漏极接触区配合的第一导电通孔、第二导电通孔。9.根据权利要求8所述基于立体栅场板结构的半导体器件的制作方法，其特征在于具体包括：在所述漂移区内加工形成一个连续分布的凹槽，在所述漂移区上形成一个连续分布的栅场板，所述栅场板与所述凹槽相匹配；或者，在所述漂移区内加工形成多个间隔分布的凹槽，在所述漂移区上形成一个连续分布的栅场板，所述栅场板与所述多个凹槽相匹配，或者，在所述漂移区内加工形成多个间隔分布的凹槽，在所述漂移区表面制作形成多个间
隔分布的栅场板，每一所述栅场板与一凹槽相匹配；优选的，所述栅极设置在第二绝缘层上，所述第二绝缘层设置在所述基材上。10.根据权利要求8所述基于立体栅场板结构的半导体器件的制作方法，其特征在于：所述，所述体区和漂移区是通过离子注入和加热扩散的方式对所述基材的局部加工形成；优选的，所述源极接触区是通过离子注入和加热扩散的方式对所述体区的局部加工形成的，所述漏极接触区是通过离子注入和加热扩散的方式对所述漂移区的局部加工形成的。

技术总结
本发明公开了一种基于立体栅场板结构的半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括：基材，形成在基材中的体区、漂移区、源极接触区和漏极接触区，以及，栅极和与栅极互联的栅场板，所述基材上设置有第一导电通孔、第二导电通孔，所述第一导电通孔、第二导电通孔分别与源极、漏极配合；所述基材、体区、源极接触区和漏极接触区均为第一导电类型，所述漂移区为第二导电类型；所述漂移区内还具有至少一个凹槽，所述栅场板的局部还延伸设置在所述凹槽内，且所述栅场板与所述凹槽之间还设置有第一绝缘层。本发明提供的半导体器件同时兼顾栅场板和漂移区浅槽的效果，栅场板降低了漂移区表面电场，提高器件电压降低导通电阻。提高器件电压降低导通电阻。提高器件电压降低导通电阻。


技术研发人员：莫海锋
受保护的技术使用者：苏州华太电子技术有限公司
技术研发日：2020.07.01
技术公布日：2022/1/3