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一种高暴露{001}晶面钛铌酸铋纳米片压电催化剂及其制备方法和应用与流程

2021-12-18 01:50:00 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种高暴露{001}晶面钛铌酸铋纳米片压电催化剂的制备方法,其特征在于,以bi2o3、tio2、nb2o5为原料,以nacl、kcl为熔盐混合后进行球磨,将球磨后所得的粉体干燥后通过熔盐反应,得到的产物经洗涤干燥后得到高暴露{001}晶面钛铌酸铋纳米片压电催化剂bi3tinbo9。2.根据权利要求1所述的一种高暴露{001}晶面钛铌酸铋纳米片压电催化剂的制备方法,其特征在于,所述熔盐反应的温度为750~850℃,时间为1~4h。3.根据权利要求2所述的一种高暴露{001}晶面钛铌酸铋纳米片压电催化剂的制备方法,其特征在于,熔盐反应升温过程中控制升温速度为5℃/min,降温过程中,以5℃/min的速度降温至500℃后随炉降温到室温。4.根据权利要求1所述的一种高暴露{001}晶面钛铌酸铋纳米片压电催化剂的制备方法,其特征在于,所述bi2o3、tio2以及nb2o5之间的摩尔比为3:2:1。5.根据权利要求1所述的一种高暴露{001}晶面钛铌酸铋纳米片压电催化剂的制备方法,其特征在于,所述nacl、kcl以及bi3tinbo9之间摩尔比为50:50:1。6.根据权利要求1所述的一种高暴露{001}晶面钛铌酸铋纳米片压电催化剂的制备方法,其特征在于,所述球磨具体为:将bi2o3、tio2、nb2o5、nacl及kcl放入球磨罐,之后往球磨罐中加入球石和无水乙醇,球磨4h。7.根据权利要求1所述的一种高暴露{001}晶面钛铌酸铋纳米片压电催化剂的制备方法,其特征在于,所述洗涤具体为:使用去离子水在500rpm的磁力搅拌条件下洗涤若干次。8.根据权利要求7所述的一种高暴露{001}晶面钛铌酸铋纳米片压电催化剂的制备方法,其特征在于,产物经洗涤后干燥温度为60℃,时间为12h。9.一种高暴露{001}晶面钛铌酸铋纳米片压电催化剂,其特征在于,采用权利要求1

8任一项所述的制备方法制得。10.权利要求9所述的高暴露{001}晶面钛铌酸铋纳米片压电催化剂在降解有机染料罗丹明b上的应用,其特征在于,在超声波驱动下,将高暴露{001}晶面钛铌酸铋纳米片压电催化剂加入有机染料罗丹明b中,使高暴露{001}晶面钛铌酸铋纳米片压电催化剂的浓度为1mg/1ml,超声波的频率为40khz。

技术总结
本发明公开了一种高暴露{001}晶面钛铌酸铋纳米片压电催化剂及其制备方法和应用,以Bi2O3、TiO2、Nb2O5为原料,以NaCl、KCl为熔盐混合后进行球磨,将球磨后所得的粉体干燥后通过熔盐反应,得到的产物经洗涤干燥后得到高暴露{001}晶面钛铌酸铋纳米片压电催化剂Bi3TiNbO9,并成功应用于压电催化降解罗丹明B。本发明制备得到纯度高、结晶性好、高暴露{001}晶面纳米片,高活性暴露面有利于提高光生电荷的传输与分离,提高Bi3TiNbO9的压电催化性能,且制备工艺简单。且制备工艺简单。且制备工艺简单。


技术研发人员:崔永飞 张黄涵 王锋辉 郭鹏
受保护的技术使用者:陕西科技大学
技术研发日:2021.10.13
技术公布日:2021/12/17
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