一种太阳能电池及其正面膜层结构、电池组件及光伏系统的制作方法

技术特征：
1.一种太阳能电池的正面膜层结构，其特征在于，包括依次设于硅衬底正面的隧穿层、本征碳化硅层、及掺杂碳化硅层。2.如权利要求1所述的正面膜层结构，其特征在于，所述隧穿层的厚度小于10nm，所述掺杂碳化硅层的厚度大于10nm。3.如权利要求1所述的正面膜层结构，其特征在于，所述掺杂碳化硅层包括掺杂氢化碳化硅层，所述掺杂氢化碳化硅层的电导率大于0.01s
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cm。4.如权利要求1所述的正面膜层结构，其特征在于，所述隧穿层包括氧化硅层、氧化铝层中的任意一种或多种组合。5.如权利要求1所述的正面膜层结构，其特征在于，所述掺杂碳化硅层由不同折射率的至少一层掺杂碳化硅膜组成。6.如权利要求5所述的正面膜层结构，其特征在于，各层所述掺杂碳化硅膜的折射率由所述硅衬底正面向外依次降低。7.如权利要求1所述的正面膜层结构，其特征在于，所述正面膜层结构还包括设于最外层的氟化镁层。8.一种太阳能电池，其特征在于，包括硅衬底、及设于硅衬底正面的如权利要求1
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7任意一项所述的正面膜层结构。9.一种电池组件，其特征在于，所述电池组件包括如权利要求8所述的太阳能电池。10.一种光伏系统，其特征在于，所述光伏系统包括如权利要求9所述的电池组件。

技术总结
本实用新型适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池及其正面膜层结构、电池组件及光伏系统，该正面膜层结构包括依次设于硅衬底正面的隧穿层、本征碳化硅层、及掺杂碳化硅层，隧穿层的厚度小于10nm，掺杂碳化硅层的厚度大于10nm，隧穿层包括氧化硅层、氧化铝层中的任意一种或多种组合，掺杂碳化硅层由不同折射率的至少一层掺杂碳化硅膜组成，各层掺杂碳化硅膜的折射率由硅衬底正面向外依次降低，该正面膜层结构还可包括设于最外层的氟化镁层。本实用新型中提供的正面膜层结构，解决了现有寄生吸收严重、俄歇复合增加的问题。俄歇复合增加的问题。俄歇复合增加的问题。


技术研发人员：邱开富 王永谦 杨新强 陈刚
受保护的技术使用者：浙江爱旭太阳能科技有限公司
技术研发日：2021.06.04
技术公布日：2021/12/17